BSS138

BSS138 SOT-23 場效應晶體管(SOT-23 Field Effect Transistors) N-Channel Enhancement-Mode MOS FETs N 沟道增强型 MOS 场效应管 ■ MAXIMUM RATINGS 最大額定值 Characteristic 特性參數 Symbol 符號 Max 最大值 Unit 單位 Drain-Source Voltage 漏極-源極電壓 BVDSS 50 V Gate- Source Voltage 栅極-源極電壓 VGS +20 V Drain Current (continuous) 漏極電流-連續 IDR 220 mA Drain Current (pulsed) 漏極電流-脉冲 IDRM 880 mA ■ THERMAL CHARACTERISTICS 熱特性 Symbol 符號 Characteristic 特性 Total Device Dissipation 總耗散功率 TA=25℃環境溫度爲 25℃ Derate above25℃ 超過 25℃遞減 PD Thermal Resistance Junction to Ambient 熱阻 RΘJA Junction and Storage Temperature 結溫和儲存溫度 TJ,Tstg ■ DEVICE BSS138=SS MARKING 打標 1/3 Max 最大值 Unit 單位 225 mW 1.8 mW/℃ 350 ℃/W 150℃,-55to+150℃ BSS138 ■ ELECTRICAL CHARACTERISTICS 電特性 (TA=25℃ unless otherwise noted 如無特殊說明，溫度爲 25℃) Characteristic 特性參數 Symbol 符號 Min 最小值 Typ 典型值 Max 最大值 Unit 單位 Drain-Source Breakdown Voltage 漏極-源極擊穿電壓(ID =250uA,VGS=0V) BVDSS 50 — — V Gate Threshold Voltage 栅極開启電壓(ID =1mA,VGS= VDS) VGS(th) 0.8 — 1.6 V Diode Forward Voltage Drop 内附二極管正向壓降(ISD=220mA,VGS=0V) VSD — — 1.4 V Zero Gate Voltage Drain Current 零栅壓漏極電流(VGS=0V, VDS= BVDSS) (VGS=0V, VDS=0.6BVDSS) IDSS — — 0.5 100 uA nA Gate Body Leakage 栅極漏電流(VGS=+20V, VDS=0V) IGSS — — +100 nA RDS(ON) — — 3.5 6 Ω Input Capacitance 輸入電容 (VGS=0V, VDS=25V,f=1MHz) CISS — — 50 pF Common Source Output Capacitance 共源輸出電容(VGS=0V, VDS=25V,f=1MHz) COSS — — 25 pF Turn-ON Time 开启時間 (VDS=30V, ID=200mA, RGEN=25Ω) t(on) — — 20 ns Turn-OFF Time 关断時間 (VDS=30V, ID=200mA, RGEN=25Ω) t(off) — — 20 ns Static Drain-Source On-State Resistance 静态漏源導通電阻(ID=220mA,VGS=10V) (ID=220mA,VGS=4.5V) 1. FR-5=1.0×0.75×0.062in. 2. Alumina=0.4×0.3×0.024in.99.5%alumina. 3. Pulse Width