PN8160NEC-T1T

Chipown PN8160 超低待机功耗准谐振交直流转换芯片 概述 PN8160内部集成了电流模式控制器和功率MOSFET，专用于高性能、外围元器件精简的交直流转换开关电源。该芯 片提供了极为全面和性能优异的智能化保护功能，包括输出过压保护、周期式过流保护、过载保护、软启动功能。通过 QR-PWM、QR-PFM、Burst-mode的三种模式混合调制技术和特殊器件低功耗结构技术实现了超低的待机功耗、全电压范 围下的最佳效率。频率调制技术和SoftDriver技术充分保证良好的EMI表现。PN8160为需要超低待机功耗的高性价比反激 式开关电源系统提供了一个先进的实现平台，非常适合六级能效、CoC Tier 2应用。 产品特征 应用领域 ■ 内置650V高雪崩能力的功率MOSFET ■ 待机电源 ■ QR-PWM、QR-PFM、Burst-mode混合模式提高效率 ■ 开放式开关电源 ■ 自适应PWM开关频率65/85kHz，减小变压器体积 ■ 适配器 ■ 外围精简，无需启动电阻及CS检测电阻 ■ 高低压脚位两侧排列提高安全性 ■ 内置高压启动，空载待机功耗 < 50 mW @230VAC ■ 改善EMI的频率调制技术 ■ 供电电压8~40V，适合宽输出电压应用 ■ 内置线电压补偿和斜坡补偿 ■ 优异全面的保护功能 封装/订购信息  过温保护 (OTP)  输出过压保护  逐周期过流保护 (OCP) PN8160NEC-T1T  输出开/短路保护  专利的DMG电阻开/短路保护(Latch模式)  次级整流管短路保护  过负载保护（OLP） 功能 输出功率 差异 90~265VAC DIP8 QR 24W PN8160NEC-T1R DIP8 No QR 24W PN8160NEC-T1H DIP8 QR 24W PN8160NEC-T1M DIP8 QR 18W PN8160NEC-T1X DIP8 QR 18W PN8160SEC-R1H SOP8 QR 18W 订购代码 封装 注：典型输出功率是在环境温度40℃的密闭应用情形下测试。 典型应用 www.chipown.com © 2018 无锡芯朋微电子股份有限公司 Rev.1809 2018 年 9 月 1 / 11 Chipown PN8160 管脚定义 管脚标号 管脚名 管脚功能描述 DIP-8(PN8160T/R/H) DIP-8(PN8160M/X) SOP-8 GND 1 1 1 地。 VDD 2 2 2 工作电压输入引脚。 FB 3 3 3 反馈输入引脚。 DMG 4 4 4 NC - 5 - SW 5,6,7,8 6,7,8 5,6,7,8 去磁引脚, 通过电阻分压采样输出 电压和输入电压。 PN8160M/X NC 脚可以与 SW 相连 高压 MOSFET 漏极脚 典型功率 产品型号 输入电压 密闭式条件(1) PN8160T/R 90-265VAC 24W PN8160H 90-265VAC PN8160M/X 90-265VAC 24W(DIP-8) 18W(SOP-8) 18W 备注： 1. 典型输出功率是在环境温度 40℃的密闭式应用情形下测试。 功能框图 www.chipown.com © 2018 无锡芯朋微电子股份有限公司 Rev.1809 2018 年 9 月 2 / 11 Chipown PN8160 极限工作范围 VDD 脚耐压……………….……………………-0.3~45V 管脚焊接温度 （10秒）……………..……………...260℃ FB，CS，DMG 脚耐压……………….……………-0.3~5V 封装热阻 RθJC （DIP-8）………………………….40℃/W SW 脚耐压……………………….…….…..…. -0.3~650V 封装热阻 RθJC （SOP-8）…..........……………….80℃/W 结工作温度范围……….…..….…..…...….….-40~150℃ 人体模式 ESD 能力(1)（HBM）……..…...….……... ±4kV 存储温度范围…………………….…...…. ….-55~150℃ 漏极脉冲电流（Tpulse=100us）………….…….…..…..…5A 备注：1. 产品委托第三方严格按照芯片级ESD标准(ESDA/JEDEC JDS-001-2014)中的测试方式和流程进行测试。 电气特性 (TA = 25°C, 除非另有说明) 参数 符号 条件 最小值 典型值 650 690 最大值 单位 功率部分 功率管耐压 BVDSS ISW =250uA 关态漏电流 IOFF Vsw =650V V 100 μA PN8160T/R/H导通电阻 RDS(on) ISW = 0.8A, TJ = 25℃ 1.6 Ω PN8160M/X导通电阻 RDS(on) ISW = 0.8A, TJ = 25℃ 2.0 Ω VDD电压部分 VDD启动阈值电压 UVLOoff 15.5 16.5 17.5 V VDD欠压保护阈值电压 UVLOon 7 8 9 V OVP 38 40 43 V VDD过压保护电压 Td_OVP 80 us VRestart 4 V 启动管充电电流 IVDD_CH -1 mA 开关态工作电流 IVDD0 VFB=3.5V 1 2.5 3.5 mA 间歇态工作电流 IVDD1 VFB=0.5V 0.4 0.8 1.5 mA 保护态工作电流 IVDD_Fault 0.3 0.5 1 mA IDMG>330uA 60 65 70 KHz IDMG330uA时，系统处于高输入电压段，此时工作 频率为65kHz，当IDMG