ADE7854ACPZ

集成谐波和基波信息的 多相多功能电能计量IC ADE7854/ADE7858/ADE7868/ADE7878 产品特性 高精度；支持EN 50470-1、EN 50470-3、IEC 62053-21、 IEC 62053-22和IEC 62053-23标准 兼容三相三线或三相四线(三角形或星形)及其它三相配置 测量各相及整个系统的总(基波和谐波)有功/无功(ADE7878、 ADE7868和ADE7858)/视在功率和基波有功/无功功率 (仅限ADE7878) TA = 25°C时，在1000:1的动态范围内有功和无功功率误差小 于0.1% TA = 25°C时，在3000:1的动态范围内有功和无功功率误差小 于0.2% 支持电流互感器和微分(di/dt)电流传感器 零 线 电 流 输 入 采 用 专 用 ADC通 道 (仅 限 ADE7868和 ADE7878) TA = 25°C时，在1000:1的动态范围内电压和电流有效值误差 小于0.1% 提供所有三相及零线电流的波形采样数据 总有功/无功功率和基波有功/无功功率，以及视在功率的 空载阀值分别独立并可配置 低功耗电池模式通过监控相电流实现防窃电检测(仅限 ADE7868和ADE7878) 支持电池电源输入，可在全失压的情况下工作 电流和电压通道的相位角测量误差典型值为0.3° 宽工作电压范围：2.4 V至3.7 V 基准电压源：1.2 V(典型漂移量为+5 ppm/°C)且具有外部过 驱功能 3.3 V单电源 40引脚引线框芯片级无铅封装(LFCSP) 工作温度：−40°C至+85°C 灵活的I2C、SPI和HSDC串行接口 应用 现 总 (基 波 和 谐 波 )有 功 /无 功 (ADE7878、 ADE7868和 ADE7858)/视在功率测量和有效值计算，以及基波有功/无 功功率测量(ADE7878)和有效值计算。一个固定功能数字 信号处理器(DSP)负责实现这种信号处理。DSP程序存储在 内部ROM存储器中。 ADE7854/ADE7858/ADE7868/ADE7878适合测量各种三 线、四线的三相配置有功/无功/视在功率，例如星形或三 角形等。各相均具有系统校准功能，即有效值偏移失调校 正、相位校准和增益校准。CF1、CF2和CF3逻辑输出可提 供许多功率信息：总有功/无功/视在功率、电流有效值和 值或基波有功/无功功率。 ADE7854/ADE7858/ADE7868/ADE7878提供波形采样寄存 器，允许访问所有ADC输出。这些器件还提供电能质量监 测，如瞬时低压或高压检测、瞬时高电流变化、线电压周 期测量以及相电压与电流之间的角度等。利用SPI和I2C等 两个串行接口可以与ADE78xx通信，同时专用高速接口、 高速数据采集(HSDC)端口可以与I 2 C配合使用，以访问 ADC输出和实时功率信息。这些器件还有两个中断请求引 脚IRQ0和IRQ1，用来指示一个使能的中断事件已经发生。 对于ADE7868/ADE7878，当器件遭遇窃电篡改时，三种专 门设计的低功耗模式可确保电能累计的连续性。有关快速 参 考 图 ， 请 参 阅 表 1， 其 中 列 出 了 各 器 件 及 其 功 能 。 ADE78xx提供40引脚LFCSP无铅封装。 表1. 器件比较 产品型号 ADE7878 ADE7868 ADE7858 ADE7854 WATT 是 是 是 是 VAR 是 是 是 否 IRMS、 VRMS 和VA 是 是 是 是 di/dt 是 是 是 是 基波WATT和 VAR 是 否 否 否 防窃电检测 和低功耗 模式 是 是 否 否 电能计量系统 概述 ADE7854/ADE7858/ADE7868/ADE7878均为高精度、三相 电能计量IC，采用串行接口，并提供三路灵活的脉冲输出。 ADE78xx器件内置多个二阶Σ-∆型模数转换器(ADC)、数字 积分器、基准电压源电路及所有必需的信号处理电路，实 Rev. H Document Feedback Information furnished by Analog Devices is believed to be accurate and reliable. However, no responsibility is assumed by Analog Devices for its use, nor for any infringements of patents or other rights of third parties that may result from its use. Specifications subject to change without notice. No license is granted by implication or otherwise under any patent or patent rights of Analog Devices. Trademarks and registered trademarks are the property of their respective owners. One Technology Way, P.O. Box 9106, Norwood, MA 02062-9106, U.S.A. Tel: 781.329.4700 ©2010–2014 Analog Devices, Inc. All rights reserved. Technical Support www.analog.com ADI中文版数据手册是英文版数据手册的译文，敬请谅解翻译中可能存在的语言组织或翻译错误，ADI不对翻译中存在的差异或由此产生的错误负责。如需确认任何词语的准确性，请参考ADI提供 的最新英文版数据手册。 ADE7854/ADE7858/ADE7868/ADE7878 目录 产品特性 ..........................................................................................1 应用....................................................................................................1 概述....................................................................................................1 修订历史 ...........................................................................................3 功能框图 ...........................................................................................5 技术规格 ...........................................................................................9 时序特性....................................................................................12 绝对最大额定值............................................................................15 热阻 ............................................................................................15 ESD警告.................................................................................... 15 引脚配置和功能描述 ...................................................................16 典型性能参数 ................................................................................18 测试电路 .........................................................................................21 术语..................................................................................................22 电源管理 .........................................................................................23 PSM0—正常功耗模式(所有器件)........................................23 PSM1—降耗模式(仅限ADE7868和ADE7878)...................23 PSM2—低功耗模式(仅限ADE7868和ADE7878) ..............23 PSM3—休眠模式(所有器件).................................................24 上电流程....................................................................................26 硬件复位....................................................................................27 软件复位功能 ...........................................................................27 工作原理 .........................................................................................28 模拟输入....................................................................................28 模数转换....................................................................................28 电流通道ADC ..........................................................................29 di/dt电流传感器和数字积分器 ............................................31 电压通道ADC ..........................................................................32 更换相电压数据路径..............................................................33 电能质量测量 ...........................................................................34 相位补偿....................................................................................39 参考电路....................................................................................41 数字信号处理器.......................................................................42 有效值测量 ...............................................................................43 有功功率计算 ...........................................................................47 无功功率计算—仅限ADE7858、 ADE7868和ADE7878...............................................................52 视在功率计算 ...........................................................................57 波形采样模式 ...........................................................................60 电能频率转换 ...........................................................................60 无负载条件 ...............................................................................64 校验和寄存器 ...........................................................................65 中断 ............................................................................................66 串行接口....................................................................................68 快速设置为电表.......................................................................75 布局指南....................................................................................75 晶振电路....................................................................................76 ADE7878评估板 .......................................................................76 芯片版本....................................................................................76 硅片异常 .........................................................................................77 ADE7854/ADE7858/ADE7868/ADE7878功能问题...........77 功能问题....................................................................................77 第1部分. ADE7854/ADE7858/ADE7868/ADE7878 功能问题....................................................................................79 寄存器列表.....................................................................................80 外形尺寸 .........................................................................................98 订购指南....................................................................................98 Rev. H | Page 2 of 100 ADE7854/ADE7858/ADE7868/ADE7878 修订历史 2014年4月—修订版G至修订版H 更改“上电流程”部分....................................................................26 更改“晶振电路”部分....................................................................76 2013年10月—修订版F至修订版G 更改产品标题和产品特性部分 ...................................................1 更改表2 .............................................................................................9 删除表6中的结温..........................................................................15 更改NC和CLKIN引脚描述.........................................................16 更换“典型性能参数”部分 ...........................................................18 向“测试电路”部分添加文字.......................................................21 更改“术语”部分.............................................................................22 更改“PSM2—低功耗模式(仅限ADE7868和 ADE7878)”部分，增加图25........................................................24 更改“更换相电压数据路径”部分和图42 .................................33 更改“参考电路”部分；增加图56、图57、图58； 重新排序 .........................................................................................41 更改“电流有效值补偿”部分.......................................................44 更改“电流平均绝对值计算—仅限ADE7868和 ADE7878”部分和图60..................................................................45 更改“电压有效值失调补偿”部分 ..............................................47 更改“线路周期有功功率累计模式”部分.................................51 更改“快速设置为电表”部分和图95..........................................75 更改图96和图97；增加“晶振电路”部分 .................................76 更改表33中的地址0xE520描述..................................................84 更改表43中的位11、位12、位13描述 .....................................91 更新“外形尺寸”.............................................................................99 2012年10月—修订版E至修订版F 更改图1 .............................................................................................4 更改图2 .............................................................................................5 更改图3 .............................................................................................6 更改图4 .............................................................................................7 更改表2 .............................................................................................8 更改图5 ...........................................................................................11 表6下方增加文字..........................................................................14 更改图9和表8 ............................................................................... 15 更改“上电流程”部分....................................................................24 更改图31和图32 ............................................................................28 更改图39 .........................................................................................30 更改“电压波形增益寄存器”部分 ..............................................31 更改图41 .........................................................................................32 更改“相位补偿”部分....................................................................37 更改“数字信号处理器”部分.......................................................39 更改公式12.....................................................................................40 更改“电流有效值失调补偿”部分 ..............................................42 更改“电压通道有效值计算”部分 ..............................................43 更改“电压有效值失调补偿”部分和图59 .................................44 更改公式20和公式21 ...................................................................45 更改“有功功率计算”部分 ...........................................................46 更改图62和随后的文字；更改公式25.....................................47 更改公式32、公式34和“无功功率增益校准”部分................50 更改“无功电能计算”部分 ...........................................................51 更改图66 .........................................................................................52 更改“电能累计模式”部分和图67的标题 .................................53 更改公式40.....................................................................................54 更改“使用VNOM计算视在功率”部分.....................................55 更改“各种累计模式的CF输出”部分.........................................60 更改“CFx数据路径中相功率之和的符号”和公式47.............61 更改公式48.....................................................................................62 更改“校验和寄存器”部分和表23 ..............................................63 更改图81 .........................................................................................66 更改图82 .........................................................................................67 更改“SPI兼容接口”部分 ..............................................................68 修改“HSDC接口”部分 .................................................................70 更改图88 .........................................................................................71 更改图89，增加“快速设置为电表”部分、 “布局指南”部分和图90；重新排序..........................................72 增加图91和图92 ............................................................................73 更改表30 .........................................................................................78 更改表33 .........................................................................................79 更改表46 .........................................................................................90 2011年4月—修订版D至修订版E 更改表2中的输入时钟频率参数 ...............................................10 更改“电流有效值失调补偿”部分 ..............................................42 更改“电压有效值失调补偿”部分 ..............................................44 更改表30的注释2..........................................................................77 更改表33中的地址0xE707...........................................................80 更改表45 .........................................................................................87 更改表46 .........................................................................................88 更改表54中位位置7:3的默认值.................................................92 2011年2月—修订版C至修订版D 更改图1 .............................................................................................4 更改图2 .............................................................................................5 更改图3 .............................................................................................6 更改图4 .............................................................................................7 更改表2 .............................................................................................8 表5中的“SCLK沿”更改为“HSCLK沿”、 ..................................13 更改“电流通道HPF”部分............................................................28 更改“di/dt电流传感器和数字积分器”部分 .............................30 更改“数字信号处理器”部分.......................................................39 更改图59 .........................................................................................44 更改图62 .........................................................................................47 更改图65 .........................................................................................49 更改图66 .........................................................................................52 Rev. H | Page 3 of 100 ADE7854/ADE7858/ADE7868/ADE7878 更改“线路周期无功电能累计模式”部分和图67 ...................53 更改“基于总有功/无功功率的空载检测”部分...................... 61 更改公式50.....................................................................................63 更改“HSDC接口”部分 .................................................................70 更改图87和图88 ............................................................................71 更改图89 .........................................................................................72 更改表30 .........................................................................................77 更改表46 .........................................................................................88 2010年11月—修订版B至修订版C 更改表1中的信纳比(SINAD)参数...............................................9 更改图18 .........................................................................................18 更改图22 .........................................................................................19 更改“硅片异常”部分 ...................................................................72 “硅片异常”部分增加表28 ...........................................................73 2010年8月—修订版A至修订版B 更改图1 .............................................................................................4 更改图2 .............................................................................................5 更改图3 .............................................................................................6 更改图4 .............................................................................................7 更改表8 ...........................................................................................16 更改“上电流程”部分....................................................................23 更改公式6和公式7........................................................................33 更改公式17.....................................................................................43 更改“有功功率失调校准”部分 ..................................................45 更改图63 .........................................................................................46 更改“无功功率失调校准”部分 ..................................................49 更改图82 .........................................................................................65 增加“硅片异常”部分，后续表格重新编号 ........................... 71 2010年3月-修订版0至修订版A 增加ADE7854、ADE7858和ADE7878................................. 通篇 重新组织布局 ........................................................................... 通篇 增加表1，重新排序 .......................................................................1 增加图1；重新排序 .......................................................................3 增加图2 .............................................................................................4 增加图3 .............................................................................................5 更改“技术规格”部分......................................................................7 更改图9和表8 ................................................................................14 更改“典型性能参数”部分 ...........................................................16 更改图22 .........................................................................................18 更改“电源管理”部分....................................................................20 更改“工作原理”部分....................................................................25 更改图31和图32 ............................................................................27 更改公式28.....................................................................................47 更改图83 .........................................................................................66 更改图86 .........................................................................................68 更改“寄存器列表”部分................................................................72 更改“订购指南” ............................................................................91 2010年2月—修订版0：初始版 Rev. H | Page 4 of 100 图1. ADE7854功能框图 Rev. H | Page 5 of 100 VN 18 VCP 19 ICN 14 ICP 13 VBP 22 IBN 12 IBP 9 VAP 23 IAN 8 IAP 7 CLKOUT 28 CLKIN 27 PGA1 PGA1 PGA1 PGA3 PGA3 PGA3 ADC ADC ADC ADC ADC ADC 17 1.2V REF REFIN/OUT 4 HPF HPFDIS [23:0] HPF HPFDIS [23:0] LDO 24 AVDD DIGITAL INTEGRATOR LDO 5 DVDD AVGAIN AIGAIN 6 DGND TOTAL ACTIVE/APPARENT ENERGIES AND VOLTAGE/ CURRENT RMS CALCULATION FOR PHASE C (SEE PHASE A FOR DETAILED DATA PATH) TOTAL ACTIVE/APPARENT ENERGIES AND VOLTAGE/ CURRENT RMS CALCULATION FOR PHASE B (SEE PHASE A FOR DETAILED DATA PATH) 25 AGND APHCAL POR 26 VDD X2 X2 LPF LPF LPF AWGAIN AVRMSOS AIRMSOS AWATTOS PHASE A, PHASE B, AND PHASE C DATA DIGITAL SIGNAL PROCESSOR AVRMS AIRMS AVAGAIN : : CF3DEN : CF2DEN SPI OR I2C/HSDC DFC DFC DFC CF1DEN ADE7854 39 SS/HSA 37 MISO/HSD 38 MOSI/SDA 36 SCLK/SCL 32 IRQ1 29 IRQ0 35 CF3/HSCLK 34 CF2 33 CF1 3 PM1 2 PM0 08510-204 RESET ADE7854/ADE7858/ADE7868/ADE7878 功能框图 图2. ADE7858功能框图 Rev. H | Page 6 of 100 VN 18 VCP 19 ICN 14 ICP 13 VBP 22 IBN 12 IBP 9 VAP 23 IAN 8 IAP 7 CLKOUT 28 CLKIN 27 PGA1 PGA1 PGA1 PGA3 PGA3 PGA3 LDO HPF ADC ADC TOTAL ACTIVE/REACTIVE/ APPARENT ENERGIES AND VOLTAGE/CURRENT RMS CALCULATION FOR PHASE C (SEE PHASE A FOR DETAILED DATA PATH) AVGAIN AIGAIN 6 DGND ADC HPF HPFDIS [23:0] DIGITAL INTEGRATOR 5 24 HPFDIS [23:0] LDO DVDD AVDD TOTAL ACTIVE/REACTIVE/ APPARENT ENERGIES AND VOLTAGE/CURRENT RMS CALCULATION FOR PHASE B (SEE PHASE A FOR DETAILED DATA PATH) 25 AGND APHCAL POR 26 VDD ADC ADC ADC 17 1.2V REF REFIN/OUT 4 LPF LPF LPF AWGAIN AWATTOS AVARGAIN AVRMSOS COMPUTATIONAL BLOCK FOR TOTAL REACTIVE POWER X2 X2 AIRMSOS PHASE A, PHASE B, AND PHASE C DATA DIGITAL SIGNAL PROCESSOR AVAROS AVRMS AIRMS AVAGAIN SPI OR : : CF3DEN : CF2DEN I2C/HSDC DFC DFC DFC CF1DEN ADE7858 39 SS/HSA 37 MISO/HSD 38 MOSI/SDA 36 SCLK/SCL 32 IRQ1 29 IRQ0 35 CF3/HSCLK 34 CF2 33 CF1 3 PM1 2 PM0 08510-203 RESET ADE7854/ADE7858/ADE7868/ADE7878 Rev. H | Page 7 of 100 图3. ADE7868功能框图 INN 16 INP 15 VN 18 VCP 19 ICN 14 ICP 13 VBP 22 IBN 12 IBP 9 VAP 23 IAN 8 IAP 7 CLKOUT 28 CLKIN 27 PGA2 PGA1 PGA1 PGA1 PGA3 PGA3 PGA3 1.2V REF ADC ADC ADC ADC ADC ADC ADC 26 17 HPF HPFDIS [23:0] HPF HPFDIS [23:0] LDO 24 AVDD 6 DGND AVGAIN DIGITAL INTEGRATOR AIGAIN LDO 5 DVDD HPF HPFDIS [23:0] DIGITAL INTEGRATOR NIGAIN TOTAL ACTIVE/REACTIVE/ APPARENT ENERGIES AND VOLTAGE/CURRENT RMS CALCULATION FOR PHASE C (SEE PHASE A FOR DETAILED DATA PATH) TOTAL ACTIVE/REACTIVE/ APPARENT ENERGIES AND VOLTAGE/CURRENT RMS CALCULATION FOR PHASE B (SEE PHASE A FOR DETAILED DATA PATH) 25 AGND APHCAL POR VDD REFIN/OUT 4 X2 LPF LPF LPF AWGAIN LPF NIRMSOS NIRMS PHASE A, PHASE B, AND PHASE C DATA AVAGAIN DIGITAL SIGNAL PROCESSOR AVAROS AVRMS AIRMS AWATTOS AVARGAIN AVRMSOS COMPUTATIONAL BLOCK FOR TOTAL REACTIVE POWER X2 X2 AIRMSOS : : CF3DEN : CF2DEN SPI OR 2 I C/HSDC DFC DFC DFC CF1DEN ADE7868 PM1 PM0 39 SS/HSA 37 MISO/HSD 38 MOSI/SDA 36 SCLK/SCL 32 IRQ1 29 IRQ0 35 CF3/HSCLK 34 CF2 33 CF1 3 2 08510-202 RESET ADE7854/ADE7858/ADE7868/ADE7878 图4. ADE7878功能框图 Rev. H | Page 8 of 100 ICP INN 16 INP 15 VN 18 VCP 19 ICN 14 13 VBP 22 IBN 12 IBP 9 VAP 23 IAN 8 IAP 7 CLKOUT 28 CLKIN 27 PGA2 PGA1 PGA1 PGA1 PGA3 PGA3 PGA3 ADC ADC ADC ADC ADC ADC ADC 17 4 1.2V REF REFIN/OUT RESET HPF HPFDIS [23:0] HPF HPFDIS [23:0] LDO 24 AVDD DIGITAL INTEGRATOR LDO 5 DVDD AVGAIN AIGAIN 6 DGND HPF HPFDIS [23:0] DIGITAL INTEGRATOR NIGAIN TOTAL/FUNDAMENTAL ACTIVE/ REACTIVE ENERGIES, APPARENT ENERGY AND VOLTAGE/CURRENT RMS CALCULATION FOR PHASE C (SEE PHASE A FOR DETAILED DATA PATH) TOTAL/FUNDAMENTAL ACTIVE/ REACTIVE ENERGIES, APPARENT ENERGY AND VOLTAGE/CURRENT RMS CALCULATION FOR PHASE B (SEE PHASE A FOR DETAILED DATA PATH) 25 AGND APHCAL POR 26 VDD X2 LPF LPF LPF AWGAIN LPF AFVARGAIN NIRMSOS COMPUTATIONAL BLOCK FOR FUNDAMENTAL ACTIVE AND REACTIVE POWER AFWGAIN NIRMS DIGITAL SIGNAL PROCESSOR AFVAROS PHASE A, PHASE B, AND PHASE C DATA AVAGAIN AFWATTOS AVAROS AVRMS AIRMS AWATTOS AVARGAIN AVRMSOS COMPUTATIONAL BLOCK FOR TOTAL REACTIVE POWER X2 X2 AIRMSOS : : CF3DEN : CF2DEN SPI OR 2 I C/HSDC DFC DFC DFC CF1DEN ADE7878 39 37 38 36 32 29 35 34 33 3 2 SS/HSA MISO/HSD MOSI/SDA SCLK/SCL IRQ1 IRQ0 CF3/HSCLK CF2 CF1 PM1 PM0 ADE7854/ADE7858/ADE7868/ADE7878 08510-201 ADE7854/ADE7858/ADE7868/ADE7878 技术规格 VDD = 3.3 V ± 10%，AGND = DGND = 0 V，片内基准电压源，CLKIN = 16.384 MHz，TMIN至TMAX = −40°C至+85°C，TTYP= 25°C。 表2. 参数1, 2 精度 有功功率测量 有功功率测量误差(每个相位) 总有功功率 基波有功功率(仅限ADE7878) 交流电源抑制 输出频率变化 直流电源抑制 输出频率变化 总有功功率测量带宽 无功功率测量(ADE7858、ADE7868和 ADE7878) 无功功率测量误差(每个相位) 总无功功率 基波无功功率(仅限ADE7878) 交流电源抑制 输出频率变化 直流电源抑制 输出频率变化 总无功功率测量带宽 有效值测量 电流有效值和电压有效值测量带宽 电流有效值和电压有效值测量误差 (PSM0模式) 最小值 典型值 最大值 单位 测试条件/注释 0.1 % 0.2 % 0.1 % 0.1 % 0.2 % 0.1 % 0.01 % 在1000:1的动态范围内，PGA = 1、2或4； 积分器关闭 在3000:1的动态范围内，PGA = 1、2或4； 积分器关闭 在500:1的动态范围内，PGA = 8或16； 积分器开启 在1000:1的动态范围内，PGA = 1、2或4； 积分器关闭 在3000:1的动态范围内，PGA = 1、2或4； 积分器关闭 在500:1的动态范围内，PGA = 8或16； 积分器开启 VDD = 3.3 V + 120 mV rms/120 Hz/100 Hz， IPx = VPx = ±100 mV rms VDD = 3.3 V ± 330 mV直流，IPx = VPx = ±100 mV rms 0.01 2 % kHz 0.1 % 0.2 % 0.1 % 0.1 % 0.2 % 0.1 % 0.01 % 在1000:1的动态范围内，PGA = 1、2或4； 积分器关闭 在3000:1的动态范围内，PGA = 1、2或4； 积分器关闭 在500:1的动态范围内，PGA = 8或16； 积分器开启 在1000:1的动态范围内，PGA = 1、2或4； 积分器关闭 在3000:1的动态范围内，PGA = 1、2或4； 积分器关闭 在500:1的动态范围内，PGA = 8或16； 积分器开启 VDD = 3.3 V + 120 mV rms/120 Hz/100 Hz， IPx = VPx = ±100 mV rms VDD = 3.3 V ± 330 mV直流，IPx = VPx = ±100 mV rms 0.01 2 % kHz 2 0.1 kHz % Rev. H | Page 9 of 100 在1000:1的动态范围内，PGA = 1 ADE7854/ADE7858/ADE7868/ADE7878 参数1, 2 平均绝对值(MAV)测量 (ADE7868和ADE7878) 电流平均绝对值测量带宽(PSM1模式) 电流平均绝对值测量误差(PSM1模式) 模拟输入 最大信号电平 输入阻抗(直流) IAP、IAN、IBP、IBN、ICP、ICN、 VAP、VBP和VCP引脚 VN引脚 ADC失调 增益误差 波形采样 电流和电压通道 信噪比(SNR) 最小值 典型值 最大值 260 0.5 ±500 400 单位 测试条件/注释 Hz % 在100:1的动态范围内，PGA = 1、2、4或8 mV峰值 PGA = 1，以下引脚之间的差分输入：IAP和 IAN、IBP和IBN、ICP和ICN；以下引脚之间的 单端输入：VAP和VN、VBP和VN、VCP和VN kΩ 130 −24 ±4 kΩ mV % 74 dB 信纳比(SINAD) 74 dB −3 dB带宽 相位时间间隔 测量误差 CF1、CF2、CF3脉冲输出 最大输出频率 占空比 2 kHz 0.3 度 线路频率 = 45 Hz至65 Hz，HPF开启 8 50 kHz % (1 + 1/CFDEN) × 50% 80 0.04 ms % WTHR = VARTHR = VATHR = PMAX = 33,516,139 如果CF1、CF2或CF3频率大于6.25 Hz，且 CFDEN为偶数并大于1 如果CF1、CF2或CF3频率大于6.25 Hz，且 CFDEN为奇数并大于1 如果CF1、CF2或CF3频率小于6.25 Hz CF1、CF2或CF3频率等于1 Hz，且标称相电流 大于满量程的10%时 低电平有效脉冲宽度 抖动 基准输入 REFIN/OUT输入电压范围 输入电容 片内基准电压源 PSM0和PSM1模式 温度系数 1.1 1.3 10 V pF 输入电容CIN 最小值 = 1.2 V − 8%；最大值 = 1.2 V + 8% TA = 25°C时，REFIN/OUT引脚上标称值为1.2 V −50 ±5 +50 ppm/°C 16.22 16.384 16.55 MHz CLKIN 输入时钟频率 逻辑输入—MOSI/SDA、SCLK/SCL、SS、 RESET、PM0和PM1 输入高电压VINH 输入低电压VINL 输入电流IIN PGA = 1，未校准误差；参见“术语”部分。 1.2 V外部基准电压 采样CLKIN/2048、16.384 MHz/2048 = 8 kSPS 参见“波形采样模式”部分 PGA = 1，基波频率：45 Hz至65 Hz，参见 “术语”部分 PGA = 1，基波频率：45 Hz至65 Hz，参见 “术语”部分 2.0 0.8 −8.7 3 10 V V µA pF Rev. H | Page 10 of 100 −40°C至+85°C整个温度范围内的漂移计算以 25°C为准；详情参见“参考电路”部分 所有规格CLKIN均为16.384 MHz。详情参见 “晶振电路”部分 VDD = 3.3 V ± 10% VDD = 3.3 V ± 10% 输入电压 = 0 V，VDD = 3.3 V 输入电压 = VDD = 3.3 V ADE7854/ADE7858/ADE7868/ADE7878 参数1, 2 逻辑输出—IRQ0、IRQ1、MISO/HSD 输出高电压VOH ISOURCE 输出低电压VOL ISINK CF1、CF2、CF3/HSCLK 输出高电压VOH ISOURCE 输出低电压VOL ISINK 电源 PSM0模式 VDD引脚 IDD PSM1和PSM2模式 (ADE7868和ADE7878) VDD引脚 IDD PSM1模式 PSM2模式 PSM3模式 VDD引脚 PSM3模式下的IDD 1 2 最小值 典型值 最大值 单位 800 0.4 2 V µA V mA 500 0.4 2 V µA V mA 2.4 2.4 测试条件/注释 VDD = 3.3 V ± 10% VDD = 3.3 V ± 10% VDD = 3.3 V ± 10% VDD = 3.3 V ± 10% VDD = 3.3 V ± 10% 额定性能 2.97 24.4 2.4 3.63 27.2 V mA 3.7 V 6.0 0.2 2.4 mA mA 3.7 1.7 参见“典型性能参数”部分。 有关参数定义，请参见“术语”部分。 Rev. H | Page 11 of 100 V 最小值 = 3.3 V − 10%；最大值 = 3.3 V + 10% ADE7854/ADE7858/ADE7868/ADE7878 时序特性 VDD = 3.3 V ± 10%，AGND = DGND = 0 V，片内基准电压源，CLKIN = 16.384 MHz，TMIN至TMAX = −40°C至+85°C。请注意， 仅时序表和图中的相关功能会引用双功能引脚名称；有关完整的引脚名称和描述，请参见“引脚配置和功能描述”部分。 表3. I2C兼容接口时序参数 参数 SCL时钟频率 保持时间(重复)起始条件 SCL时钟低电平周期 SCL时钟高电平周期 重复起始条件的建立时间 数据保持时间 数据建立时间 SDA和SCL信号的上升时间 SDA和SCL信号的下降时间 停止条件的建立时间 停止条件和起始条件之间的总线空闲时间 尖峰抑制脉冲宽度 快速模式 最小值 最大值 0 400 0.6 1.3 0.6 0.6 0 0.9 100 20 300 20 300 0.6 1.3 50 单位 kHz s µs µs µs µs ns ns ns µs µs ns N/A表示不适用。 SDA tSU;DAT tF tLOW tR tHD;STA tSP tR tBUF tF SCLK tHD;STA START CONDITION tHD;DAT tHIGH tSU;STA REPEATED START CONDITION 图5. I 2C兼容接口时序 Rev. H | Page 12 of 100 tSU;STO STOP START CONDITION CONDITION 08510-002 1 标准模式 最小值 最大值 0 100 4.0 4.7 4.0 4.7 0 3.45 250 1000 300 4.0 4.7 N/A 1 符号 fSCL tHD;STA tLOW tHIGH tSU;STA tHD;DAT tSU;DAT tR tF tSU;STO tBUF tSP ADE7854/ADE7858/ADE7868/ADE7878 表4. SPI接口时序参数 参数 SS 至SCLK边沿 SCLK周期 SCLK低电平脉冲宽度 SCLK高电平脉冲宽度 SCLK边沿之后数据输出有效时间 SCLK边沿之前数据输入建立时间 SCLK边沿之后数据输入保持时间 数据输出下降时间 数据输出上升时间 SCLK上升时间 SCLK下降时间 SS上升沿之后MISO禁用时间 在SCLK沿后SS高电平时间 最小值 50 0.4 175 175 tSL tSH tDAV tDSU tDHD tDF tDR tSR tSF tDIS tSFS 最大值 4000 1 100 100 5 20 20 20 20 200 0 通过设计保证。 SS tSS tSFS SCLK tSL tSH tDAV tSF tSR tDIS MSB MISO INTERMEDIATE BITS tDF LSB tDR INTERMEDIATE BITS LSB IN MSB IN MOSI tDSU 08510-003 1 符号 tSS tDHD 图6. SPI接口时序 Rev. H | Page 13 of 100 单位 ns s ns ns ns ns ns ns ns ns ns ns ns ADE7854/ADE7858/ADE7868/ADE7878 表5. HSDC接口时序参数 参数 HSA至HSCLK边沿 HSCLK周期 HSCLK低电平脉宽 HSCLK高电平脉宽 HSCLK边沿之后数据输出有效时间 数据输出下降时间 数据输出上升时间 HSCLK上升时间 HSCLK下降时间 HSA上升沿之后HSD禁用时间 HSCLK边沿之后HSA高电平时间 符号 tSS 最小值 0 125 50 50 tSL tSH tDAV tDF tDR tSR tSF tDIS tSFS 最大值 40 20 20 10 10 5 0 HSA tSS tSFS HSCLK tSL tSF tSR tDIS MSB INTERMEDIATE BITS LSB tDF tDR 图7. HSDC接口时序 2mA TO OUTPUT PIN IOL 1.6V CL 50pF 800µA IOH 图 8. 时序规格的负载电路 Rev. H | Page 14 of 100 08510-004 HSD tSH 08510-005 tDAV 单位 ns ns ns ns ns ns ns ns ns ns ns ADE7854/ADE7858/ADE7868/ADE7878 绝对最大额定值 除非另有说明，TA = 25°C。 热阻 表6. θJA额定值等于29.3°C/W；θJC额定值等于1.8°C/W。 参数 VDD至AGND VDD至DGND 模拟输入电压至AGND、IAP、IAN、 IBP、IBN、ICP、ICN、VAP、 VBP、VCP、VN 模拟输入电压至INP和INN 基准输入电压至AGND 数字输入电压至DGND 数字输出电压至DGND 工作温度 工业范围 存储温度范围 引脚温度(焊接，10秒) 额定值 −0.3 V至+3.7 V −0.3 V至+3.7 V −2 V至+2 V 表7. 热阻 封装类型 40引脚 LFCSP −2 V至+2 V −0.3 V至VDD + 0.3 V −0.3 V至VDD + 0.3 V −0.3 V至VDD + 0.3 V θJA 29.3 θJC 1.8 单位 °C/W ESD警告 −40°C至+85°C −65°C至+150°C 300°C 注意，有关焊接RoHS兼容器件的温度曲线，ADI公司建议 回流焊温度曲线应符合JEDEC J-STD 20标准。欲了解最新 版本，请访问www.jedec.org。 注意，超出上述绝对最大额定值可能会导致器件永久性损 坏。这只是额定最值，并不能以这些条件或者在任何其它 超出本技术规范操作章节中所示规格的条件下，推断器件 能否正常工作。长期在绝对最大额定值条件下工作会影响 器件的可靠性。 Rev. H | Page 15 of 100 ESD(静电放电)敏感器件。 带电器件和电路板可能会在没有察觉的情况下放电。尽 管本产品具有专利或专有保护电路，但在遇到高能量 ESD时，器件可能会损坏。因此，应当采取适当的ESD 防范措施，以避免器件性能下降或功能丧失。 ADE7854/ADE7858/ADE7868/ADE7878 40 39 38 37 36 35 34 33 32 31 NC SS/HSA MOSI/SDA MISO/HSD SCLK/SCL CF3/HSCLK CF2 CF1 IRQ1 NC 引脚配置和功能描述 ADE78xx TOP VIEW (Not to Scale) 30 29 28 27 26 25 24 23 22 21 NC IRQ0 CLKOUT CLKIN VDD AGND AVDD VAP VBP NC NOTES 1. NC = NO CONNECT. 2. CREATE A SIMILAR PAD ON THE PCB UNDER THE EXPOSED PAD. SOLDER THE EXPOSED PAD TO THE PAD ON THE PCB TO CONFER MECHANICAL STRENGTH TO THE PACKAGE. CONNECT THE PADS TO AGND AND DGND. 08510-106 NC IBN ICP ICN INP INN REFIN/OUT VN VCP NC 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 NC 1 PM0 2 PM1 3 RESET 4 DVDD 5 DGND 6 IAP 7 IAN 8 IBP 9 NC 10 图9. 引脚配置 表8. 引脚功能描述 引脚编号 1, 10, 11, 20, 21, 30, 31, 40 2 引脚名称 NC 说明 不连接。这些引脚不在内部互连。建议将这些引脚接地。 PM0 3 PM1 4 5 RESET DVDD 6 7, 8 DGND IAP, IAN 9, 12 IBP, IBN 13, 14 ICP, ICN 15, 16 INP, INN 17 REFIN/OUT 功耗模式引脚0。此引脚与PM1配合来定义ADE7854/ADE7858/ADE7868/ADE7878的功耗模式， 如表9所述。 功耗模式引脚1。此引脚与PM0配合来定义ADE7854/ADE7858/ADE7868/ADE7878的功耗模式， 如表9所述。 复位输入，低电平有效。在PSM0模式下，此引脚应至少保持低电平10 µs，以触发硬件复位。 数字低压差稳压器(LDO)的2.5 V输出。通过将一个4.7 µF电容和一个220 nF陶瓷电容并联对此引 脚去耦。不要将外部有源电路连接至此引脚。 接地基准。此引脚为所有数字电路提供接地基准。 电流通道A的模拟输入。此通道与电流传感器配合使用，在本文中称为“电流通道A”。这些输入 都是全差分电压输入，最大差分电平为±0.5 V。此通道还具有一个内部PGA，与通道B和通道C上 的相同。 电流通道B的模拟输入。此通道与电流传感器配合使用，在本文中称为“电流通道B”。这些输入 都是全差分电压输入，最大差分电平为±0.5 V。此通道还具有一个内部PGA，与通道C和通道A上 的相同。 电流通道C的模拟输入。此通道与电流传感器配合使用，在本文中称为“电流通道C”。这些输入 都是全差分电压输入，最大差分电平为±0.5 V。此通道还具有一个内部PGA，与通道A和通道B上 的相同。 零线电流通道N的模拟输入。此通道与电流传感器配合使用，在本文中称为“电流通道N”。这些 输入都是全差分电压输入，最大差分电平为±0.5 V。此通道还具有一个不同于通道A、B、C所用 的内部PGA。ADE7878和ADE7868上具有零线电流通道。在ADE7858和ADE7854中，将这些引脚 连接到AGND。 通过该引脚可以使用片内基准电压。片内基准电压的标称值为1.2 V。也可以在此引脚上连接1.2 V ± 8%的外部基准电压源。这两种情况下，都要通过将一个4.7 µF电容和一个100 nF陶瓷电容并联 来对此引脚去耦。复位后，使能片内基准电压源。 Rev. H | Page 16 of 100 ADE7854/ADE7858/ADE7868/ADE7878 引脚编号 18, 19, 22, 23 引脚名称 VN, VCP, VBP, VAP 24 AVDD 25 AGND 26 VDD 27 CLKIN 28 CLKOUT 29, 32 IRQ0, IRQ1 33, 34, 35 CF1, CF2, CF3/HSCLK 36 SCLK/SCL 37 38 39 EP MISO/HSD MOSI/SDA SS/HSA Exposed Pad 说明 电压通道的模拟输入。此通道与电压传感器配合使用，在本文中称为“电压通道”。这些输入都 是单端电压输入，对于指定操作，最大信号电平为相对于VN的±0.5 V。此通道还具有一个内部PGA。 模拟低压差稳压器(LDO)的2.5 V输出。通过将一个4.7 µF电容和一个220 nF陶瓷电容并联对此引 脚去耦。不要将外部有源电路连接至此引脚。 接地基准。此引脚为所有模拟电路提供接地基准。将此引脚连接到系统中的模拟接地层或最安 静的接地基准。为抗混叠滤波器、电流传感器和电压传感器等所有模拟电路使用此安静的基地 基准。 电源电压。此引脚提供电源电压。在PSM0(正常功耗模式)下，应将电源电压维持在3.3 V ± 10%， 以保证正常工作。在PSM1(降耗模式)、PSM2(低功耗模式)和PSM3(休眠模式)下，当ADE7868/ ADE7878采用电池供电时，应将电源电压维持在2.4 V到3.7 V范围内。通过将一个10 µF电容和一 个100 nF陶瓷电容并联将此引脚去耦至AGND。ADE7858和ADE7854上仅支持PSM0和PSM3功耗 模式。 主时钟。可以通过此逻辑输入提供外部时钟。或者，可以将一个晶体跨接到CLKIN和CLKOUT， 来给ADE7854/ADE7858/ADE7868/ADE7878提供时钟源。额定工作性能要求的时钟频率为16.384 MHz。 有关选择合适晶体的详细信息，请参见“晶振电路”部分。 可以在此引脚和CLKIN(如本表之前在引脚27中所述)上跨接一个晶振，来给ADE7854/ADE7858/ ADE7868/ADE7878提供时钟源。 中断请求输出。这些都是低电平有效逻辑输出。有关可触发中断的事件详情，请参见“中断” 部分。 校准频率(CF)逻辑输出。这些输出可以根据CFMODE寄存器中的CF1SEL[2:0]、CF2SEL[2:0]和 CF3SEL[2:0]位来提供功率信息。这些输出可以在正常工作和校准时使用。通过分别写入CF1DEN、 CF2DEN和CF3DEN寄存器，可以按比例调整满量程输出频率(参见“功率频率转换”部分)。CF3可 以和HSDC端口的串行时钟输出复用。 SPI端口的串行时钟输入/I2C端口的串行时钟输入。所有串行数据传输均与此时钟同步(参见“串 行接口”部分)。此引脚具有施密特触发输入，可以与光隔离器输出等具有较慢转换时间的时钟 源配合使用。 SPI端口的数据输出/HSDC端口的数据输出。 SPI端口的数据输入/I2C端口的数据输出。 SPI端口的从机选择/HSDC端口有效。 应在裸露焊盘下方的PCB上创建一个相似的焊盘，然后将裸露焊盘焊接到PCB上的焊盘，以将其 机械强度赋予封装。将这些焊盘连接到AGND和DGND。 Rev. H | Page 17 of 100 ADE7854/ADE7858/ADE7868/ADE7878 典型性能参数 1.5 VDD = 3.3V 1.2 0.9 0.9 0.6 0.6 0.3 0.3 ERROR (%) ERROR (%) 1.2 +85°C +25°C –40°C 0 –0.3 –0.9 –0.9 –1.2 –1.2 10 100 图10. 内部基准电压源和积分器关闭(增益 = +1，功率因数 = 1)时 整个温度范围内的总有功功率误差(以读数百分比形式表示) 0.15 0.10 –1.5 0.01 08510-601 1 PERCENTAGE OF FULL-SCALE CURRENT (%) 0.1 1 10 100 PERCENTAGE OF FULL-SCALE CURRENT (%) 图13. 内部基准电压源和积分器开启(增益 = +16，功率因数 = 1)时 整个温度范围内的总有功功率误差(以读数百分比形式表示) 1.5 PF = +0.5 PF = –0.5 PF = +1.0 1.2 +85°C +25°C –40°C VDD = 3.3V 0.9 0.6 ERROR (%) 0.05 ERROR (%) –0.3 –0.6 0.1 VDD = 3.3V 0 –0.6 –1.5 0.01 +85°C +25°C –40°C 08510-604 1.5 0 –0.05 0.3 0 –0.3 –0.6 –0.9 –0.10 45 50 55 60 65 LINE FREQUENCY (Hz) 1.2 0.15 TA = 25°C 3.63V 3.30V 2.97V 0.10 0.9 0.6 1 10 100 PF = +0.866 PF = –0.866 PF = 0 0.05 0.3 ERROR (%) ERROR (%) 0.1 PERCENTAGE OF FULL-SCALE CURRENT (%) 图14. 内部基准电压源和积分器关闭(增益 = +1，功率因数 = 0)时 整个温度范围内的总无功功率误差(以读数百分比形式表示) 图11. 内部基准电压源和积分器关闭(增益 = +1)时 整个频率范围内的总有功功率误差(以读数百分比形式表示) 1.5 –1.5 0.01 08510-602 –0.15 08510-605 –1.2 0 –0.3 0 –0.05 –0.6 –0.9 –0.10 0.1 1 10 PERCENTAGE OF FULL-SCALE CURRENT (%) 100 –0.15 08510-603 –1.5 0.01 图12. 内部基准电压源和积分器关闭(增益 = +1，功率因数 = 1)时 整个电源电压范围内的总有功功率误差(以读数百分比形式表示) 45 50 55 60 65 LINE FREQUENCY (Hz) 图15. 内部基准电压源和积分器关闭(增益 = +1)时 整个频率范围内的总无功功率误差(以读数百分比形式表示) Rev. H | Page 18 of 100 08510-606 –1.2 ADE7854/ADE7858/ADE7868/ADE7878 1.5 TA = 25°C 1.2 0.9 0.6 0.6 0.3 0.3 ERROR (%) 0.9 0 –0.3 –0.9 –0.9 –1.2 –1.2 0.1 1 10 100 PERCENTAGE OF FULL-SCALE CURRENT (%) 图16. 内部基准电压源和积分器关闭(增益 = +1，功率因数 = 0)时 整个电源电压范围内的总无功功率误差(以读数百分比形式表示) 1.5 1.2 +85°C +25°C –40°C –1.5 0.01 0.1 1 10 100 PERCENTAGE OF FULL-SCALE CURRENT (%) 图19. 内部基准电压源和积分器开启(增益 = +16)时 整个温度范围内的基波有功功率误差(以读数百分比形式表示) 0.15 VDD = 3.3V 0.10 0.9 0.6 PF = +0.866 PF = –0.866 PF = 0 0.05 0.3 ERROR (%) ERROR (%) VDD = 3.3V –0.3 –0.6 –1.5 0.01 +85°C +25°C –40°C 0 –0.6 08510-607 ERROR (%) 1.2 3.63V 3.30V 2.97V 08510-610 1.5 0 –0.3 0 –0.05 –0.6 –0.9 –0.10 –1.2 1 10 100 PERCENTAGE OF FULL-SCALE CURRENT (%) 图17. 内部基准电压源和积分器开启(增益 = +16，功率因数 = 0)时 整个温度范围内的总无功功率误差(以读数百分比形式表示) 0.15 0.10 –0.15 45 55 60 65 LINE FREQUENCY (Hz) 图20. 内部基准电压源和积分器关闭(增益 = +1)时 整个频率范围内的基波无功功率误差(以读数百分比形式表示) 1.5 PF = +0.5 PF = –0.5 PF = +1.0 1.2 +85°C +25°C –40°C VDD = 3.3V 0.9 0.6 ERROR (%) 0.05 ERROR (%) 50 08510-611 0.1 08510-608 –1.5 0.01 0 –0.05 0.3 0 –0.3 –0.6 –0.9 –0.10 45 50 55 60 65 LINE FREQUENCY (Hz) 图18. 内部基准电压源和积分器关闭(增益 = +1)时 整个频率范围内的基波有功功率误差(以读数百分比形式表示) –1.5 0.01 08510-609 –0.15 0.1 1 10 100 PERCENTAGE OF FULL-SCALE CURRENT (%) 图21. 内部基准电压源和积分器开启(增益 = +16)时 整个温度范围内的基波无功功率误差(以读数百分比形式表示) Rev. H | Page 19 of 100 08510-612 –1.2 ADE7854/ADE7858/ADE7868/ADE7878 1.5 1.2 +85°C +25°C –40°C VDD = 3.3V 0.9 ERROR (%) 0.6 0.3 0 –0.3 –0.6 –0.9 –1.5 0.01 0.1 1 10 PERCENTAGE OF FULL-SCALE CURRENT (%) 100 08510-613 –1.2 图22. 内部基准电压源和积分器关闭(增益 = +1，功率因数 = 1)时 整个温度范围内的IRMS误差(以读数百分比形式表示) Rev. H | Page 20 of 100 ADE7854/ADE7858/ADE7868/ADE7878 测试电路 请注意，在图23中，PM1和PM0引脚内部上拉至3.3 V。通过微控制器以编程方式更改引脚值，可选择工作模式。 3.3V 10µF 1µF 1kΩ 22nF 7 IAP 22nF 8 IAN 9 IBP 22nF 22nF SAME AS VCP SAME AS VCP 12 IBN 13 ICP 14 ICN 18 VN 19 VCP 22 VBP 23 VAP 26 5 DVDD + 0.22µF SS/HSA 39 MOSI/SDA 38 MISO/HSD 37 3.3V SCLK/SCL 36 CF3/HSCLK 35 10kΩ CF2 34 ADE78xx SAME AS CF2 CF1 33 1.5kΩ IRQ1 32 IRQ0 29 REFIN/OUT 17 CL2 CLKOUT 28 6 25 5MΩ CLKIN 27 4.7µF + 0.1µF 16.384MHz CL1 08510-099 SAME AS IAP, IAN 24 VDD PM1 RESET SAME AS IAP, IAN 1kΩ PM0 3 4 1kΩ 1kΩ 2 0.1µF 4.7µF AGND 10kΩ 0.22µF AVDD 3.3V + DGND 4.7µF + 图23. 测试电路 Rev. H | Page 21 of 100 ADE7854/ADE7858/ADE7868/ADE7878 术语 测量误差 与ADE7854/ADE7858/ADE7868/ADE7878的电能测量相关 的误差，由以下公式定义： 测量误差 = ADE78xx记录的电能 − 实际电能 实际电能 × 100% (1) 电源抑制(PSR) PSR衡量ADE7854/ADE7858/ADE7868/ADE7878测量误差占 读数的百分比与电源变化的关系。对于交流PSR测量，首 先是获取标称电源(3.3 V)时的读数。接着会在向电源引入交 流信号(120 mV rms，两倍于基波频率)时以相同的输入信号 电平获取另一个读数。此交流信号引入的误差以读数百分 比形式表示。请参见测量误差定义。 对于直流PSR测量，首先是获取标称电源(3.3 V)时的读数。 接着会在电源变化±10%时以相同的输入信号电平获得另一 个读数。所引入的误差以读数百分比形式表示。 ADC失调误差 ADC失调误差是指与ADC的模拟输入相关的直流失调。它 意味着当模拟输入连接到AGND时，ADC仍然可以看到直 流模拟输入信号。失调幅度取决于增益和输入范围选择。 不过，HPF会在电流和电压通道中消除该失调，因此功率 计算仍然不会受到该失调的影响。 增益误差 ADE7854/ADE7858/ADE7868/ADE7878中ADC的增益误差 定义为测得的ADC输出码(减去失调)和理想输出码之间的 差值(参见“电流通道ADC”部分和“电压通道ADC”部分)。 该偏差表示为理想代码的百分比。 CF抖动 首先连续测量CF1、CF2或CF3引脚上的脉冲周期。接着， 通过下式计算四个连续脉冲的最大值、最小值和平均值： 最大值 = max(Period0, Period1, Period2, Period3) 最小值 = min(Period0, Period1, Period2, Period3) 平均值 = Period 0 + Period1 + Period 2 + Period 3 4 然后，通过下式计算CF抖动： CFJITTER = 最大值 − 最小值 平均值 × 100% (2) 信噪比(SNR) SNR指实际输入信号的均方根值与2 kHz以下除谐波和直流 以外所有其它频谱成分的均方根和之比，输入信号仅包含 基波成分。频谱成分在2秒窗口内计算。用分贝(dB)表示。 信纳比(SINAD) SINAD指实际输入信号的均方根值与2 kHz以下(包括谐波但 不包括直流)所有其它频谱成分的均方根和之比。输入信号 仅包含基波成分。频谱成分在2秒窗口内计算。用分贝(dB) 表示。 Rev. H | Page 22 of 100 ADE7854/ADE7858/ADE7868/ADE7878 电源管理 ADE7868/ADE7878支持四种工作模式，具体模式由PM0和 PM1引脚的状态决定(参见表9)。ADE7854/ADE7858支持两 种 工 作 模 式 。 这 两 个 引 脚 可 以 完 全 控 制 ADE7854/ ADE7858/ADE7868/ADE7878的工作模式，并可以轻松连 接到外部微处理器I/O。PM0和PM1引脚都具有内部上拉电 阻。有关设置新功耗模式之前和之后的建议操作列表，请 参见表11和表12。 表9. 电源模式 电源模式 PSM0正常功耗模式 PSM1降耗模式1 PSM2低功耗模式1 PSM3休眠模式 1 PM1 0 0 1 1 PM0 1 0 0 1 总而言之，在此模式下，建议不要访问AIMAV、BIMAV和 CIMAV之外的任何其它寄存器。在PSM0模式下，用于测 量这些有效值估计值的电路也处于激活状态；因此，可以 在PSM0模式或PSM1模式下完成该电路的校准。请注意， ADE7868和ADE7878并未提供任何寄存器来存储或处理校 准流程的校正结果。在PSM1模式下，与这些测量相关的 增益值是由外部微处理器存储和使用的。(有关xIMAV寄存 器 的 更 多 详 情 ， 请 参 见 “电 流 平 均 绝 对 值 计 算 —仅 限 ADE7868和ADE7878”部分)。 PSM1中执行的20位平均绝对值测量虽然也可以在PSM0中 执行，但是不同于仅可在PSM0中执行且结果存储在24位寄 存器xIRMS和xVRMS中的相电流和电压有效值测量。详情 参见“电流平均绝对值计算—仅限ADE7868和ADE7878”部分。 适用于ADE7868和ADE7878。 PSM0—正常功耗模式(所有器件) 在PSM0模式下，ADE7854/ADE7858/ADE7868/ADE7878能 够执行全部功能。若要让ADE78xx进入此模式，应将PM0 引脚设为高电平，并将PM1引脚设为低电平。当ADE78xx 从PSM1、PSM2或PSM3模式切换至PSM0模式时，所有控 制寄存器均会恢复至默认值，不过阈值寄存器LPOILVL(在 PSM2模式中使用)和CONFIG2寄存器会保留当前值。 ADE7854/ADE7858/ADE7868/ADE7878将IRQ1中断引脚触 发为低电平并将STATUS1寄存器中的位15 (RSTDONE)置1， 来表示转换周期结束。转换周期期间，该位为0；当转换 结束时，该位变为1。通过向STATUS1寄存器的相应位写 入1，该状态位将被清除且IRQ1引脚回到高电平。即使 STATUS1寄存器的位15 (RSTDONE)置1时IRQ1引脚变为低 电平，中断屏蔽寄存器的位15 (RSTDONE)并不具备任何功 能，因而RSTDONE中断是不可屏蔽的中断。 PSM1—降耗模式(仅限ADE7868和ADE7878) 在PSM0模式下将ADE7868/ADE7878置入PSM1时，器件会 立刻开始计算平均绝对值，而不存在任何延迟。这种情况 下 ， 随 时 都 可 以 访 问 xIMAV寄 存 器 ； 但 是 ， 如 果 是 在 PSM2或PSM3模式下将ADE7868/ADE7878置入PSM1模式， 则器件会通过将IRQ1引脚触发为低电平来表示平均绝对值 计算开始。只有在这之后才能访问xIMAV寄存器。 PSM2—低功耗模式(仅限ADE7868和ADE7878) 低功耗模式PSM2仅适用于ADE7868和ADE7878。在此模式 下，ADE7868/ADE7878在0.02 × (LPLINE[4:0] + 1)秒内将所有 相电流和阈值做比较，比较时间与线路频率无关。 LPLINE[4:0]是LPOILVL寄存器的位[7:3](参见表10)。 表10. LPOILVL寄存器 位 [2:0] 引脚名称 LPOIL[2:0] 默认值 111 [7:3] LPLINE[4:0] 00000 降耗模式PSM1仅适用于ADE7868和ADE7878。在此模式下， ADE7868/ADE7878测量三相电流的平均绝对值(mav)，并 将结果存储在AIMAV、BIMAV和CIMAV 20位寄存器中。在 全失压的情况下，并且ADE7868或ADE7878采用外部电池 供电时，此模式很有用。此模式下会使能I2C或SPI串行端 口；这些串行端口可用于读取AIMAV、BIMAV和CIMAV 寄存器。建议不要读取任何其它寄存器，因为此模式下无 法保证那些寄存器值的准确性。同理，ADE7868/ADE7878 在此模式下也不支持写操作。 Rev. H | Page 23 of 100 说明 阈值估计相当于满量程乘以 LPOIL/8。 测量周期为LPLINE[4:0] + 1)/ 50秒。 ADE7854/ADE7858/ADE7868/ADE7878 阈值从LPOILVL寄存器的位[2:0] (LPOIL[2:0])获得，即满量 程的LPOIL[2:0]/8。每当有相电流超过该阈值时，计数器 即会递增。如果测量周期结束时所有相位计数器仍旧在 LPLINE[4:0] + 1以下，则将IRQ0引脚触发为低电平。如果测 量周期结束时一个相位计数器大于或等于LPLINE[4:0] + 1， 则将IRQ1引脚触发为低电平。图24显示了LPLINE[4:0] = 2 且LPOIL[2:0] = 3时ADE7868/ADE7878在PSM2模式下的工作 情况。测试周期为三个50 Hz周期(60 ms)，A相电流三次超 过LPOIL[2:0]阈值。在测试周期结束时，IRQ1引脚被触发 为低电平。 LPLINE[4:0] = 2 LPOIL[2:0] THRESHOLD IA CURRENT PHASE COUNTER = 2 PHASE COUNTER = 3 08510-008 PHASE COUNTER = 1 IRQ1 图24. LPLINE[4:0] = 2时PSM2模式触发IRQ1引脚 此 模 式 下 I 2 C或 SPI端 口 不 可 用 。 在 没 有 电 压 输 入 且 ADE7868/ADE7878采用外部电池供电时，PSM2可以降低 监控电流所需的功耗。如果在测量周期结束时IRQ0引脚被 触发为低电平，则表示所有相电流均位于阈值以下，因此 没有电流流过系统。 此时，外部微处理器会将ADE7868/ADE7878置入休眠模式 PSM3。如果在测量周期结束时IRQ1引脚被触发为低电 平，则表示至少有一个电流输入超过定义的阈值，而且虽 然ADE7868/ADE7878引脚上并没有电压，但有电流流过系 统。这种情况通常称为零线断线，可以作为判断发生窃电 和 故 障 的 依 据 ； 此 时 ， 外 部 微 控 制 器 会 将 ADE7868/ ADE7878置入PSM1模式，测量相电流的平均绝对值并根据 这些值和标称电压来求电能。 建议当GAIN寄存器的位[2:0] (PGA1[2:0])为1或2时，将ADE7868/ ADE7878置入PSM2模式。这些位表示电流通道数据路径中 的 增 益 。 当 位 PGA1[2:0]为 4、 8或 16时 ， 建 议 不 要 将 ADE7868/ADE7878置入PSM2模式。 PSM3—休眠模式(所有器件) 休眠模式适用于所有器件(ADE7854、ADE7858、ADE7868 和ADE7878)。在此模式下，ADE78xx会关闭大多数内部电 路，器件功耗达到最低。此模式下，I2C、HSDC和SPI端口 不可用并且RESET、SCLK/SCL、MOSI/SDA和SS/HSA引脚 应当设为高电平。 +V p-p/2 +V p-p IxP –V p-p/2 +V p-p/2 PSM2电平阈值比较基于峰值检测理论工作。峰值检测电 路根据正端电流通道输入IAP、IBP和ICP进行比较(见图25)。 若差分输入施加于电流通道，则图25显示每个电流输入端 (IxP和IxN)的差分反相信号，以及净差分电流IxP – IxN。 IxP – IxN IxN –V p-p –V p-p/2 (a) IxP PEAK DETECT CIRCUIT TAMPER INDICATION (b) 08510-503 VREF 图25. PSM2低功耗模式峰值检测 Rev. H | Page 24 of 100 ADE7854/ADE7858/ADE7868/ADE7878 表11. 功耗模式及相关特性 所有寄存器1 LPOILVL, CONFIG2 I2C/SPI 功能 设为默认值 设为默认值 使能I2C 设为默认值 不变化 PSM1—仅限ADE7878和ADE7868 不可用 PSM0期间设定的 值保持不变 如果之前执行了锁定程序，则活跃串行 端口保持不变 使能 所有电路均处于活动状态， 且DSP处于空闲模式。 所有电路均处于活动状态， 且DSP处于空闲模式。 计算电流平均绝对值并将结 果 存 储 在 AIMAV、 BIMAV和 CIMAV寄存器中。I2C或SPI串 行端口使能，但功能受限。 PSM2—仅限ADE7878和ADE7868 不可用 PSM0期间设定的 值保持不变 禁用 PSM3 不可用 PSM0期间设定的 值保持不变 禁用 表11. 功耗模式及相关特性 PSM0 硬件复位后的状态 软件复位后的状态 1 将相电流和LPOILVL中设定的阈 值做比较。相应地触发IRQ0或 IRQ1引脚。串行端口不可用。 内部电路关断，且串行端口不 可用。 除LPOILVL和CONFIG2寄存器之外的所有寄存器的设置。 表12. 更换功耗模式时的建议操作 初始功耗模式 PSM0 设定下一功耗模式之前的建议 操作 下一功耗模式 PSM0 通过将RUN寄存器设为0x0000 来停止DSP。 通过将CONFIG寄存器中的位6 (HSDEN)清0来禁用HSDC。 通过设定MASK0 = 0x0且MASK1 = 0x0来屏蔽中断。 擦除STATUS0和STATUS1寄存器 中的中断状态标志。 PSM1—仅限 ADE7878和 ADE7868 无需任何操作。 PSM2—仅限 ADE7878和 ADE7868 无需任何操作。 PSM3 无需任何操作。 等到IRQ1引脚被触发为低电 平为止。 轮询STATUS1寄存器，直到 位15 (RSTDONE)置1为止。 等到IRQ1引脚被触发为低电 平为止。 轮询STATUS1寄存器，直到 位15 (RSTDONE)置1为止。 等到IRQ1引脚被触发为低电 平为止。 轮询STATUS1寄存器，直到 位15 (RSTDONE)置1为止。 PSM1 PSM2 立刻开始计算电流平均绝对 值(mav)。 可以立刻访问xIMAV寄存器。 等到IRQ0或IRQ1引脚被 相应触发为止。 PSM3 无需任何 操作。 等到IRQ0或IRQ1引脚被 相应触发为止。 无需任何 操作。 无需任何 操作。 等到IRQ1引脚被触发为低电 平为止。 此时开始计算电流平均绝对 值。 此后可访问xIMAV寄存器。 等到IRQ1引脚被触发为低电 平为止。 电 流 mav电 路 此 时 开 始 计 算。 此后可访问xIMAV寄存器。 Rev. H | Page 25 of 100 等到IRQ0或IRQ1引脚被 相应触发为止。 ADE7854/ADE7858/ADE7868/ADE7878 上电流程 VDD 3.3V – 10% 2.0V ± 10% ADE78xx PSM0 READY ~26ms MICROPROCESSOR SETS PM1 PIN TO 0; APPLY VDD TO CHIP POR TIMER TURNED ON ~40ms ADE78xx FULLY POWERED UP MICROPROCESSOR MAKES THE RSTDONE CHOICE BETWEEN INTERRUPT I2C AND SPI TRIGGERED 08510-009 0V 图26. 上电流程 ADE7854/ADE7858/ADE7868/ADE7878内置一个片内电源 监测器，可以监测电源(VDD)。上电时，在VDD达到2 V ± 10%之前，器件一直处于非活动状态。当VDD超过此阈值 时，电源监控器会继续使芯片保持在此种非活动状态长达 26 ms，从而让VDD达到建议的最小电源电压，即3.3 V − 10%。 PM0和PM1引脚都具有内部上拉电阻，但有必要在芯片上 电前，通过微控制器或通过PM1引脚外部接地的方式，将 PM1引脚设为逻辑0。由于内部上拉电阻，PM0引脚处于拉 高状态，因此该引脚可以保持开路。这样可以确保 ADE7854/ADE7858/ADE7868/ADE7878始终以PSM0(正常) 模式上电。从芯片完全上电到所有功能全部使能所需时间 约为40 ms(见图26)。在整个上电过程中，必须确保RESET引 脚为高电平。 如果只需使用PSM0模式，则可以将PM1引脚外部接地。当 ADE7854/ADE7858/ADE7868/ADE7878进入PSM0模式时， 活 跃 串 行 端 口 是 I 2 C端 口 。 如 需 使 用 SPI端 口 ， 可 切 换 SS/HAS引脚三次，将其从高电平切换为低电平。 如果需要将I2C锁定为活跃串行端口，可将CONFIG2寄存 器的位1 (I2C_LOCK)设为1；之后，器件忽略SS/HAS引脚的 杂散切换，因而也就无法切换为使用SPI端口。 如果SPI为活跃串行端口，只要对CONFIG2寄存器执行任 意写操作即可锁定该端口，之后将无法切换为使用I2C端 口。如需使用I 2 C端口，则必须关断ADE7854/ADE7858/ ADE7868/ADE7878，或者必须将RESET引脚设为低电平以 使器件复位。串行端口锁定后，当器件从PSMx功耗模式 专为其他模式时，将保留串行端口的选择。 进入PSM0模式后，ADE7854/ADE7858/ADE7868/ADE7878 上的所有寄存器均设为其默认值，包括CONFIG2和LPOILVL寄存器。 ADE7854/ADE7858/ADE7868/ADE7878通过拉低IRQ1中断 引脚并将STATUS1寄存器中的位15 (RSTDONE)置1，来表示 转换周期结束。转换周期期间，该位为0；当转换结束 时，该位变为1。将RSTDONE位置1并写入STATUS1寄存 器可清零状态位，并使IRQ1引脚返回高电平状态。由于 RSTDONE是不可屏蔽中断，因此必须取消设置STATUS1 寄存器的位15 (RSTDONE)，以便使IRQ1引脚回到高电平。 等到IRQ1引脚变为低电平之后，再访问STATUS1寄存器， 来测试RSTDONE位的状态。此时，应当采用一种理想的 编 程 做 法 ， 即 通 过 将 1写 入 相 应 位 来 取 消 STATUS1和 STATUS0寄存器中的所有其他状态标志。 DSP最初处于空闲模式，表示它未在执行任何指令。此时 可 以 初 始 化 所 有 ADE7854、 ADE7858、 ADE7868或 ADE7878寄存器。有关初始化所有寄存器及启动计量的适 当程序，请参见“数字信号处理器”部分。 如果电源电压VDD降至2 V ± 10%以下，ADE7854/ADE7858/ ADE7868/ADE7878便会进入非活动状态，这意味着器件不 会执行任何测量或计算。 Rev. H | Page 26 of 100 ADE7854/ADE7858/ADE7868/ADE7878 硬件复位 软件复位功能 ADE7854/ADE7858/ADE7868/ADE7878均有一个RESET引 脚。如果ADE7854、ADE7858、ADE7868或ADE7878处于 PSM0模式，且RESET引脚设为低电平，那么ADE78xx即会 进入硬件复位状态。ADE78xx必须处于PSM0模式，才可考 虑执行硬件复位。当ADE78xx处于PSM1、PSM2和PSM3模 式时，将RESET引脚设为低电平并不会产生任何效果。 CONFIG寄存器的位7 (SWRST)管理PSM0模式下的软件复位 功能。该位的默认值为0。如果将该位置1，ADE7854/ ADE7858/ADE7868/ADE7878便会进入软件复位状态。在 此状态下，器件会将几乎所有内部寄存器都设为默认值。 此外，如果之前执行了锁定程序，则串行端口选择(即是使 用I2C，还是使用SPI)会保持不变(详情参见“串行接口”部分)。 不过，尽管SWRST位置1，CONFIG2和LPOILVL寄存器仍 会保留当前值。软件复位结束时，器件会将CONFIG寄 存器的位7 (SWRST)清0，将IRQ1中断引脚设为低电平，并 将STATUS1寄存器的位15 (RSTDONE)置1。转换周期期间， RSTDONE位为0；转换结束时，该位变为1。 通 过 写 入 STATUS1寄存器并将相应位置1，该状态位将被清除且 IRQ1引脚回到高电平。 如果ADE7854、ADE7858、ADE7868或ADE7878处于PSM0 模式，而RESET引脚从高电平切换至低电平并在至少10 µs后 回到高电平，那么会将所有寄存器设为其默认值，其中包 括CONFIG2和LPOILVL寄存器。ADE78xx通过将IRQ1中断 引 脚 触 发 为 低 电 平 并 将 STAT U S 1 寄 存 器 中 的 位 1 5 (RSTDONE)置1，来表示转换周期结束。转换周期期间， 该位为0；当转换结束时，该位变为1。通过写入STATUS1 寄存器并将相应位置1，该状态位将被清除且IRQ1引脚回 到高电平。 硬件复位之后，DSP处于空闲模式，表示它未在执行任何 指令。 由于I2C端口是ADE7854/ADE7858/ADE7868/ADE7878的默 认串行端口，因此会在复位状态之后变为活跃端口。如果 外部微处理器要使用SPI端口，则必须在RESET引脚切换回 到高电平之后立刻再次执行该端口的使能程序(详情参见 “串行接口”部分)。 软件复位结束后，DSP处于空闲模式，表示它未在执行任 何 指 令 。 建 议 初 始 化 ADE7854/ADE7858/ADE7868/ ADE7878的所有寄存器，使能数据存储器RAM保护，然后 向RUN寄存器写入0x0001，以启动DSP(有关数据存储器 RAM保护和RUN寄存器的详细信息，请参见“数字信号处 理器”部分)。 软件复位功能不适用于PSM1、PSM2或PSM3模式。 此时，建议初始化所有ADE78xx寄存器，使能数据存储器 RAM保 护 ， 然 后 向 RUN寄 存 器 中 写 入 0x0001， 以 启 动 DSP。有关数据存储RAM保护和RUN寄存器的详细信息， 请参见“数字信号处理器”部分。 Rev. H | Page 27 of 100 ADE7854/ADE7858/ADE7868/ADE7878 工作原理 ADE7868/ADE7878具有七个模拟输入，这些输入构成电流 和电压通道。ADE7854/ADE7858具有六个模拟输入，不提 供零线电流输入通道。四对电流通道采用全差分输入方式： IAP和IAN、IBP和IBN、ICP和ICN，以及INP和INN。允许 的最大差分输入电压为±0.5 V。此外，IxP/IxN对模拟输入上 的最大信号电平相对于AGND不得大于±0.5 V。这些输入上 容许的最大共模信号为±25 mV。图27显示了电流通道输入 电压范围及其与最大共模电压的关系。 V1 IAP, IBP, ICP, OR INP V2 IAN, IBN, ICN, OR INN VCM 08510-010 VCM –500mV 图27. 最大输入电平，电流通道(增益 = 1) 所有输入均具有一个可编程增益放大器(PGA)，可选增益 为1、2、4、8或16。IA、IB和IC输入的增益是由GAIN寄存 器的位[2:0] (PGA1[2:0])来设置的。仅限于ADE7868和 ADE7878，IN输入的增益是由GAIN寄存器的位[5:3] (PGA2 [2:0])来设置的；因此，可以选用与IA、IB或IC输入不同的 增益。有关GAIN寄存器的更多信息，请参见表44。 三 个 电 压 通 道 采 用 单 端 电 压 输 入 方 式 ： VAP、 VBP和 VCP。这些单端输入端相对于VN的最大输入电压为±0.5 V。 此外，VxP和VN模拟输入相对于AGND的最大信号电平为 ±0.5 V。这些输入上容许的最大共模信号为±25 mV。图28显 示了电压通道输入范围及其与最大共模电压的关系。 V1 DIFFERENTIAL INPUT V1 + V2 = 500mV MAX PEAK COMMON MODE VCM = ±25mV MAX +500mV V1 VAP, VBP, OR VCP VCM VN 08510-012 VCM –500mV IxP, VyP VIN K × VIN IxN, VN NOTES 1. x = A, B, C, N y = A, B, C. 图29. 电流和电压通道中的PGA 图28. 最大输入电平，电压通道(增益 = 1) 所有输入均具有一个可编程增益，可选增益为1、2、4、8 或16。若要设置该增益，请使用GAIN寄存器中的位[8:6] (PGA3[2:0])(参见表44)。 ADE7868/ADE7878具有七个Σ-Δ型模数转换器(ADC)，而 ADE7854/ADE7858具有六个Σ-Δ型ADC。在PSM0模式下， 所有ADC都处于活动状态。在PSM1模式下，只有用于测 量A相、B相和C相电流的ADC处于活动状态。用于测量零 线电流和A、B及C相电压的ADC则处于关闭状态。PSM2 和PSM3模式下会关断ADC，以将功耗降至最低。 为简明起见，图30显示的是一阶Σ-Δ型ADC框图。该转换 器由Σ-Δ型调制器和数字低通滤波器组成。 CLKIN/16 ANALOG LOW-PASS FILTER R INTEGRATOR + C + – VREF LATCHED COMPARATOR – .....10100101..... 1-BIT DAC DIGITAL LOW-PASS FILTER 24 08510-013 +500mV GAIN SELECTION 模数转换 DIFFERENTIAL INPUT V1 + V2 = 500mV MAX PEAK COMMON MODE VCM = ±25mV MAX V1 + V2 图29显示了电流和电压通道中GAIN寄存器的增益选择工 作原理。 08510-011 模拟输入 图30. 一阶Σ-Δ型ADC Σ-Δ型调制器以一定的速率将输入信号转换成由1和0构成 的连续串行流，其中速率由采样时钟决定。在ADE7854/ ADE7858/ADE7868/ADE7878中，采样时钟等于1.024 MHz (CLKIN/16)。反馈环路中的1位DAC由串行数据流驱动。 DAC输出从输入信号中减除。如果环路增益足够高，DAC 输出的平均值(以及相应的位流)就会接近输入信号电平的 平均值。对于任意给定输入值，一个采样间隔内的1位 ADC的输出数据几乎毫无意义。只有对大量样本求平均 值，才可以获得有意义的结果。该均值操作在ADC的第二 部分——数字低通滤波器中执行。通过求取调制器输出的 大量位的平均值，低通滤波器产生与输入信号电平成比例 的24位数据字。 Σ-Δ型转换器利用两种方法通过1位转换技术实现高分辨 率。第一种方法就是过采样。过采样意味着信号的采样速 率(频率)比目标带宽高出许多倍。 Rev. H | Page 28 of 100 ADE7854/ADE7858/ADE7868/ADE7878 防止目标频段出现失真，必须引入低通滤波器(LPF)。对于 传统电流传感器，建议使用一个转折频率为5 kHz的RC滤波 器，从而在采样频率为1.024 MHz时获得足够高的衰减。该 滤波器的衰减性能为20 dB/十倍频程，通常足以消除传统电 流传感器的混叠效应。不过，罗氏线圈等di/dt传感器具有 20 dB/十倍频程的增益。这会消除LPF产生的20 dB/十倍频程 的衰减作用。因此，使用di/dt传感器时，须注意抵消20 dB/ 十倍频程的增益。一种简单的方法是级联一个额外的RC滤 波器，从而产生−40 dB/十倍频程的衰减。 ALIASING EFFECTS ANTIALIAS FILTER (RC) DIGITAL FILTER SIGNAL 0 2 4 512 FREQUENCY (kHz) SHAPED NOISE SAMPLING FREQUENCY IMAGE FREQUENCIES SAMPLING FREQUENCY 1024 08510-015 例如，ADE7854/ADE7858/ADE7868/ADE7878中的采样速 率为1.024 MHz，而目标带宽为40 Hz至2 kHz。过采样具有 将量化噪声(采样引起的噪声)散布于更宽带宽的效果。通 过将噪声更加稀疏地分散到更宽的带宽上，目标频段内的 量化噪声会有所降低，如图31所示。不过，仅采用过采样 技术并不足以改善目标频段内的信噪比(SNR)。例如，仅 仅为了让SNR增加6 dB(1位)，过采样系数就需要达到4。为 了将过采样率控制在合理范围内，就需要对量化噪声进行 整形，从而使得大多数噪声位于较高频率中。在Σ-Δ型调 制器中，噪声是通过积分器进行整形的，该积分器对量化 噪声具有高通响应。这即是用于实现高分辨率的第二种方 法。通过这种方法，使得大多数噪声都位于较高频率中， 进而可以通过数字低通滤波器移除。噪声整形如图31所示。 图32. 混叠效应 NOISE ADC传递函数 0 2 4 512 FREQUENCY (kHz) ADE7854/ADE7858/ADE7868/ADE7878中的所有ADC都可以 针对相同的输入信号电平产生相同的24位有符号输出码。 当输入为满量程输入信号0.5 V且内部基准电压为1.2 V时， ADC输出码的标称值为5,928,256 (0x5A7540)。ADC的输出码 范围为0x800000 (−8,388,608)至0x7FFFFF (+8,388,607)；这相 当于输入信号电平为±0.707 V。不过，为了获得额定性能， 请勿超过±0.5 V的标称范围；只有当输入信号低于±0.5 V时， 才能够保证ADC性能。 1024 HIGH RESOLUTION OUTPUT FROM DIGITAL LPF SIGNAL 0 2 4 512 FREQUENCY (kHz) 1024 08510-014 NOISE 电流通道ADC 图31. 模拟调制器中通过过采样和噪声整形实现降噪 抗混叠滤波器 图30还显示了ADC输入端上的模拟低通滤波器(RC)。该滤 波器位于ADE7854/ADE7858/ADE7868/ADE7878的外部， 其作用是防止出现混叠。混叠是所有采样系统中都存在的 一种缺陷，如图32所示。混叠是指ADC输入信号中的频率 成分(高于ADC采样速率的一半)出现在频率低于采样速率 一半的采样信号中。高于采样频率(也称为奈奎斯特频率， 即512 kHz)一半的频率成分被镜像或折回到512 kHz以下。 所有架构的ADC都会出现这种情况。在给出的示例中，只 有采样频率(即1.024 MHz)附近的频率移动到目标计量频段 (即40 Hz至2 kHz)中。为了衰减高频(接近1.024 MHz)噪声并 图33显示了电流通道IA输入的ADC和信号处理路径(IB和IC 与此相同)。ADC输出为带符号的24位二进制补码数字字， 输出速率为8 kSPS。采用±0.5 V的额定满量程模拟输入信号 时，ADC可以产生其最大输出码值。图33显示了施加于差 分输入端(IAP和IAN)的满量程电压信号。ADC输出摆幅为 −5,928,256 (0xA58AC0)至+5,928,256 (0x5A7540)。IN输入相 当于三相系统的零线电流(仅适用于ADE7868和ADE7878)。 如果不存在零线，则将此输入端连接到AGND。零线电流 的数据路径与相电流的路径类似，如图34所示。 Rev. H | Page 29 of 100 ADE7854/ADE7858/ADE7868/ADE7878 LPF1 0x5A7540 = +5,928,256 CURRENT PEAK, OVERCURRENT DETECT INTEN BIT CONFIG[0] DSP IAP VIN PGA1 BITS REFERENCE GAIN[2:0] ×1, ×2, ×4, ×8, ×16 PGA1 ADC HPFDIS [23:0] DIGITAL INTEGRATOR ZX SIGNAL DATA RANGE ZX DETECTION 0V CURRENT RMS (IRMS) CALCULATION IAWV WAVEFORM SAMPLE REGISTER AIGAIN[23:0] 0xA58AC0 = –5,928,256 TOTAL/FUNDAMENTAL ACTIVE AND REACTIVE POWER CALCULATION HPF IAN CURRENT CHANNE L DATA RANGE +0.5V/GAIN 0x5A7540 = +5,928,256 0x5A7540 = +5,928,256 0V 0V 0V –0.5V/GAIN ANALOG INPUT RANGE 0xA58AC0 = –5,928,256 ADC OUTPUT RANGE CURRENT CHANNE L DATA RANGE AFTER INTEGRATION 08510-019 VIN 0xA58AC0 = –5,928,256 图33. 电流通道信号路径 INP VIN PGA2 BITS REFERENCE GAIN[5:3] ×1, ×2, ×4, ×8, ×16 PGA2 ADC HPFDIS [23:0] INTEN BIT CONFIG[0] DIGITAL INTEGRATOR CURRENT RMS (IRMS) CALCULATION NIGAIN[23:0] INWV WAVEFORM SAMPLE REGISTER HPF INN 08510-120 DSP 图34. 零线电流信号路径(仅限ADE7868和ADE7878) 电流波形 = ADC输出 电压增益寄存器内容 当AIGAIN、BIGAIN、CIGAIN或INGAIN寄存器的内容发 生变化时，所有基于电流的计算都会受到影响，也就是 说，这会影响对应相位的有功/无功/视在功率和电流均方 根计算。此外，波形样本也会相应地调整。 请注意，ADE7854、ADE7858、ADE7868和/或ADE7878的 串行端口采用32、16或8位字格式，而DSP采用28位字格 式。24位AIGAIN、BIGAIN、CIGAIN和NIGAIN寄存器是 31 28 27 24 23 0000 0 24-BIT NUMBER BITS[27:24] ARE EQUAL TO BIT 23 08510-016 各相和零线电流的信号路径中都具有一个乘法器。通过向 这些24位带符号的电流波形增益寄存器(AIGAIN、BIGAIN、 CIGAIN和NIGAIN)中写入相应的二进制补码数，可以在 ±100%范围内更改电流波形。例如，如果向这些寄存器中 写入0x400000，可以将ADC输出调高50%。若要将输出调 低50%，则要向这些寄存器中写入0xC00000。公式3通过数 学方式描述了电流波形增益寄存器的工作方式。 作为32位寄存器来访问的，其中四个最高有效位(MSB)以0 填充，并通过符号扩展至28位。详情参见图35。 BIT 23 IS A SIGN BIT 图35. 24位xIGAIN以32位控制字的形式传输 电流通道HPF ADC输出可能包含直流失调。这一失调可导致功率和均方 根计算出现误差。相电流、零线电流和相位电压的信号路 径中放置了高通滤波器(HPF)。使能后，HPF会消除电流 通道上的所有直流失调。所有这些滤波器均在DSP中实现， 并且默认情况下会全部使能：24位HPFDIS寄存器会被清除 至0x00000000。而通过将HPFDIS设为任意非零值，即可禁 用所有这些滤波器。 如“电流波形增益寄存器”部分中所述，ADE78xx的串行端 口采用32、16或8位字格式。HPFDIS寄存器是作为32位寄 存器来访问的，其中八个MSB以0填充。详情参见图36。 31 24 0000 0000 23 0 24-BIT NUMBER 图36. 24位HPFDIS寄存器以32位控制字的形式传输 Rev. H | Page 30 of 100 08510-017 电流波形增益寄存器 ADE7854/ADE7858/ADE7868/ADE7878 电流通道采样 器件以8 kSPS的速率从HPF的输出端获取电流通道的波形 样 本 并 将 其 存 储 在 24位 带 符 号 寄 存 器 IAWV、 IBWV、 ICWV和INWV(仅限ADE7868和ADE7878)中。在此期间， 所有功率和有效值计算会不间断进行。当可以通过I2C或 SPI串行端口访问IAWV、IBWV、ICWV和INWV寄存器时， STATUS0寄存器的位17 (DREADY)被置1。通过将MASK0寄 存器的位17 (DREADY)置1，可以在置位DREADY标志时触 发中断请求。有关位DREADY的更多信息，请参见“数字信 号处理器”部分。 如“电流波形增益寄存器”部分中所述，ADE78xx的串行端 口 采 用 32、 16或 8位 字 格 式 。 从 ADE78xx访 问 IAWV、 IBWV、ICWV和INWV 24位带符号寄存器(INWV仅适用于 ADE7868/ADE7878)时，这些寄存器会在传输时通过符号 扩展至32位。详情参见图37。 0 50 08510-018 BIT 23 IS A SIGN BIT MAGNITUDE (dB) 24-BIT SIGNED NUMBER BITS[31:24] ARE EQUAL TO BIT 23 请注意，积分器具有−20 dB/十倍频程的衰减和大约−90°的相 移。与di/dt传感器结合使用时，所产生的幅度和相位响应 在目标频段上应该具有平坦增益。不过，di/dt传感器具有 20 dB/十倍频程的增益，并会产生相当多的高频噪声。因此， 至少需要二阶抗混叠滤波器，以免ADC采样时目标频段再 次出现噪声混叠(参见“抗混叠滤波器”部分)。 图37. 24位IxWV寄存器以32位带符号控制字的形式传输 ADE7854/ADE7858/ADE7868/ADE7878器件均具有一个专 门设计的高速数据采集(HSDC)端口，可以快速访问波形采 样寄存器。详情参见“HSDC接口”部分。 di/dt电流传感器和数字积分器 di/dt传感器检测交流电流的感应磁场变化。图38显示了 di/dt电流传感器的工作原理。 0 –50 0.01 0.1 1 10 FREQUENCY (Hz) 100 1000 0 –50 –100 0 500 1000 1500 2000 2500 FREQUENCY (Hz) 3000 3500 4000 08510-116 24 23 22 由于di/dt传感器的作用，电流信号需要经过滤波才可用于 功率测量。各相和零线电流数据路径上均内置一个数字积 分器，用于恢复来自di/dt传感器的电流信号。上电时和复 位 之 后 ， ADE78xx默 认 会 禁 用 数 字 积 分 器 。 通 过 将 CONFIG寄存器的位0 (INTEN)置1，可以开启积分器。图39 和图40显示了数字积分器的幅度和相位响应。 PHASE (Degrees) 31 动势(EMF)。EMF是一种与电流di/dt成正比的电压信号。 di/dt电流传感器的电压输出取决于带电导线和di/dt传感器 之间的互感情况。 图39. 数字积分器的组合增益和相位响应 MAGNETIC FIELD CREATED BY CURRENT (DIRECTLY PROPORTIONAL TO CURRENT) 08510-020 + EMF (ELECTROMOTIVE FORCE) – INDUCED BY CHANGES IN MAGNETIC FLUX DENSITY (di/dt) 数字积分器算法中会用到24位带符号寄存器DICOEFF。上 电时或复位之后，其值为0x000000。开启积分器之前，必 须将该寄存器初始化至0xFFF8000。当积分器关闭时， DICOEFF不使用，并可以在该情况下保持为0x000000。 图38. di/dt电流传感器的工作原理 电流感生磁场的磁通密度与电流的幅度成正比。当穿过导 线环路的磁通密度发生变化时，环路两端之间即会产生电 Rev. H | Page 31 of 100 ADE7854/ADE7858/ADE7868/ADE7878 –20 –25 –89.96 当 数 字 积 分 器 关 闭 时 ， ADE7854/ADE7858/ADE7868/ ADE7878可以直接与电流变压器(CT)等传统电流传感器配 合使用。 –89.97 电压通道ADC 35 40 45 50 55 FREQUENCY (Hz) 60 65 70 图41显示了电压通道中VA输入的ADC和信号处理链。VB 和VC通道都具有类似的处理链。ADC输出为带符号的24 位二进制补码字，输出速率为8 kSPS。采用±0.5 V的额定满 量程模拟输入信号时，ADC可以产生其最大输出码值。图 41显示了施加于差分输入端(VA和VN)的满量程电压信号。 ADC输出摆幅为−5,928,256 (0xA58AC0)至+5,928,256 (0x5A7540)。 –89.98 –89.99 30 35 40 45 50 55 60 65 70 FREQUENCY (Hz) 图40. 数字积分器的组合增益和相位响应(40 Hz至70 Hz) 如 “电 流 波 形 增 益 寄 存 器 ” 部 分 中 所 述 ， ADE7854/ ADE7858/ADE7868/ADE7878的串行端口采用32、16或8位 字格式。与图35所示的寄存器类似，24位带符号寄存器 VOLTAGE PEAK, OVERVOLTAGE, SAG DETECT CURRENT RMS (VRMS) CALCULATION DSP VAP VIN PGA3 BITS GAIN[8:6] ×1, ×2, ×4, ×8, ×16 PGA3 REFERENCE ADC HPFDIS [23:0] AVGAIN[23:0] HPF VN VIN VOLTAGE CHANNEL DATA RANGE +0.5V/GAIN VAWV WAVEFORM SAMPLE REGISTER TOTAL/FUNDAMENTAL ACTIVE AND REACTIVE POWER CALCULATION ZX DETECTION LPF1 0x5A7540 = +5,928,256 0V ZX SIGNAL DATA RANGE 0V –0.5V/GAIN ANALOG INPUT RANGE 0xA58AC0 = –5,928,256 0x5A7540 = +5,928,256 ANALOG OUTPUT RANGE 0V 0xA58AC0 = –5,928,256 图41. 电压通道数据路径 Rev. H | Page 32 of 100 08510-025 –30 30 PHASE (Degrees) DICOEFF是作为32位寄存器来访问的，其中四个MSB以0 填 充 并 通 过 符 号 扩 展 至 28位 ， 也 即 实 际 上 是 以 类 似 0xFFF8000的形式传输的。 08510-101 MAGNITUDE (dB) –15 ADE7854/ADE7858/ADE7868/ADE7878 电压波形增益寄存器 更换相电压数据路径 各相电压的信号路径中都具有一个乘法器。通过向这些24 位带符号的电压波形增益寄存器(AVGAIN、BVGAIN和 CVGAIN)中写入相应的二进制补码数，可以在±100%范围 内更改电压波形。例如，如果向这些寄存器中写入 0x400000，可以将ADC输出调高50%。若要将输出调低 50%，则要向这些寄存器中写入0xC00000。公式4通过数学 方式描述了电流波形增益寄存器的工作方式。 ADE7854/ADE7858/ADE7868/ADE7878可以将一个相位的 电压输入送至另一相位的计算数据路径。例如，ADE78xx 可以在B相计算数据路径中引入A相电压，这意味着B相中 的所有功率计算都基于A相电压和B相电流。 电压波形 = ADC输出 电压增益寄存器内容 (4) 当AVGAIN、BVGAIN和CVGAIN寄存器的内容发生变化时， 所有基于电压的计算都会受到影响，也就是说，这会影响 对应相位的有功/无功/视在功率和电压有效值计算。此外， 波形样本也会相应地调整。 如“电流波形增益寄存器”部分中所述，ADE78xx的串行端 口采用32、16或8位字格式，而DSP采用28位字格式。如图35 所示，AVGAIN、BVGAIN和CVGAIN寄存器是作为32位寄 存器访问的，其中四个MSB以0填充并通过符号扩展至28位。 电压通道HPF 如“电流通道HPF”部分所述，ADC输出可能包含直流失调， 而后者可导致功率和有效值计算出现误差。与电流通道中 的类似，HPF会被放置在相电压的信号路径中。HPFDIS寄 存器可以使能或禁用这些滤波器。详情参见“电流通道 HPF”部分。 电压通道采样 CONFIG寄存器的位[9:8] (VTOIA[1:0])管理哪个相电压将被送 至A相计算数据路径。如果VTOIA[1:0] = 00(默认值)，A相电 压会被送到A相计算数据路径。如果VTOIA[1:0] = 01，B相 电压将被送至A相计算数据路径。如果VTOIA[1:0] = 10，C 相电压将被送至A相计算数据路径。如果VTOIA[1:0] = 11， ADE7854/ADE7858/ADE7868/ADE7878的表现会和VTOIA [1:0] = 00时一样。 CONFIG寄存器的位[11:10] (VTOIB[1:0])管理哪个相电压将 被送至B相计算数据路径。如果VTOIB[1:0] = 00(默认值)， B相电压会被送到B相计算数据路径。如果VTOIB[1:0] = 01， C相电压将被送至B相计算数据路径。如果VTOIB[1:0] = 10， A相电压将被送至B相计算数据路径。如果VTOIB[1:0] = 11， ADE7854/ADE7858/ADE7868/ADE7878的表现会和VTOIB [1:0] = 00时一样。 CONFIG寄存器的位[13:12] (VTOIC[1:0])管理哪个相电压将 被送至C相计算数据路径。如果VTOIC[1:0] = 00(默认值)， C相电压将被送至C相计算数据路径；如果VTOIC[1:0] = 01， A相电压将被送至C相计算数据路径。如果VTOIC[1:0] = 10， B相电压将被送至C相计算数据路径。如果VTOIC[1:0] = 11， ADE7854/ADE7858/ADE7868/ADE7878的表现会和VTOIC [1:0] = 00时一样。 器件以8 kSPS的速率从HPF的输出端获取电压通道的波形样 本 并 将 其 存 储 在 24位 带 符 号 寄 存 器 VAWV、 VBWV和 VCWV中。在此期间，所有功率和有效值计算会不间断进 行。当可以通过I2C或SPI串行端口访问VAWV、VBWV和 VCWV寄存器时，STATUS0寄存器的位17 (DREADY)会置1。 通过将MASK0寄存器的位17 (DREADY)置1，可以在置位 DREADY标志时触发中断请求。有关位DREADY的更多信 息，请参见“数字信号处理器”部分。 如“电流波形增益寄存器”部分中所述，ADE78xx的串行端 口采用32、16或8位字格式。与图37所示寄存器相似，24位 带符号寄存器VAWV、VBWV和VCWV会在传输时通过符 号扩展至32位。 ADE7854/ADE7858/ADE7868/ADE7878均具有一个专门设 计的HSDC端口，可以快速访问波形采样寄存器。详情参 见“HSDC接口”部分。 Rev. H | Page 33 of 100 ADE7854/ADE7858/ADE7868/ADE7878 IA DSP VTOIB[1:0] = 10, PHASE A VOLTAGE DIRECTED TO PHASE B VA IB BPHCAL PGA PHASE B COMPUTATIONAL DATAPATH IC ADC HPF LPF1 39.6° OR 2.2ms @ 50Hz ZX ZX ZX IA, IB, IC, OR VA, VB, VC PHASE C COMPUTATIONAL DATAPATH ZX LPF1 OUTPUT 图43. 电压和电流通道上的过零检测 VTOIA[1:0] = 10, PHASE C VOLTAGE DIRECTED TO PHASE A VC xIGAIN[23:0] OR xVGAIN[23:0] ZX DETECTION 0V 为了进一步增强噪声保护，电压通道中幅度小于10%满量 程的输入信号不会产生过零事件。电流通道ZX检测电路对 所有输入信号有效，而与信号幅度无关。 08510-026 CPHCAL HPFDIS [23:0] 1 0.855 VTOIC[1:0] = 10, PHASE B VOLTAGE DIRECTED TO PHASE C VB REFERENCE 08510-027 APHCAL IA, IB, IC, OR VA, VB, VC PHASE A COMPUTATIONAL DATAPATH 图42. 不同数据路径中使用的相电压 图42显示了在B相数据路径中使用A相电压、在C相数据路 径中使用B相电压以及在A相数据路径中使用C相电压的 情况。 电能质量测量 过零检测 ADE7854/ADE7858/ADE7868/ADE7878在相电流和相电压 通道上都有过零(ZX)检测电路。零线电流数据路径不包含 过零检测电路。过零事件可在各种电能质量测量和校准流 程中用作时基。 器件利用LPF1的输出来产生过零事件。而低通滤波器旨在 消除50 Hz和60 Hz系统的所有谐波，并识别电流和电压通道 的基波成分上的过零事件。 该数字滤波器在80 Hz处有一个极点，并且时钟速率为256 kHz。 因此，模拟输入信号(IA、IB、IC、VA、VB和VC之一)和 LPF1输出之间存在相位滞后。50 Hz系统的ZX检测误差为 0.0703°(60 Hz系统为0.0843°)。LPF1的相位滞后响应会导致 其输入和输出之间出现大约31.4°或1.74 ms(50 Hz时)的时间 延迟。从模拟输入上出现过零信号到在LPF1之后获得ZX检 测，这之间的总延迟大约为39.6°或2.2 ms(50 Hz时)。ADC 和HPF会引入更多延迟。为确保实现良好的ZX检测分辨 率，不能禁用LPF1。图43显示了如何检测过零信号。 ADE7854/ADE7858/ADE7868/ADE7878内置六个过零检测 电路，每相电压和电流通道一个。每个电路都会驱动 STATUS1寄存器中的一个标志。如果置于A相电压通道中 的电路检测到一个过零事件，STATUS1寄存器中的位9 (ZXVA)会被置1。 类似地，B相电压电路驱动位10 (ZXVB)、C相电压电路驱动 位11 (ZXVC)，而置于电流通道中的电路驱动STATUS1寄存 器的位12 (ZXIA)、位13 (ZXIB)和14 (ZXIC)。如果MASK1寄 存器中的ZX检测位置1，IRQ1中断引脚会变为低电平，且 相应状态标志会置1。通过写入STATUS1寄存器并将状态 位置1，该状态位将被清除且IRQ1引脚变为高电平。 过零超时 每个过零检测电路都对应一个超时寄存器。此寄存器载入 写入16位ZXTOUT寄存器的值，并每隔62.5 μs(时钟频率为 16 kHz)递减一次(1 LSB)。每次检测到过零信号时，该寄存 器即会复位至ZXTOUT值。此寄存器的默认值为0xFFFF。 如果该超时寄存器在检测到过零信号之前递减至0，则 STATUS1的位[8:3]之一会被置1。STATUS1寄存器的位3 (ZXTOVA)、位4 (ZXTOVB)和位5 (ZXTOVC)分别对应于A相、 B相和C相电压通道；而其中的位6 (ZXTOIA)、位7 (ZXTOIB) 和位8 (ZXTOIC)分别对应于A相、B相和C相电流通道。 如果MASK1寄存器中的ZXTOIx或ZXTOVx位置1，IRQ1中 断 引 脚 会 在 相 应 状 态 位 置 1时 变 为 低 电 平 。 通 过 写 入 STATUS1寄存器并将状态位置1，该状态位将被清除且 IRQ1引脚回到高电平。 ZXOUT寄存器的分辨率为62.5 μs/LSB(时钟频率为16 kHz)。 因此，中断的最大超时期限为4.096 s：216/16 kHz。 Rev. H | Page 34 of 100 ADE7854/ADE7858/ADE7868/ADE7878 图44显示了电压或电流信号保持固定直流电平且时间超过 62.5 μs × ZXTOUT μs时的过零超时检测机制。 PHASE A PHASE C PHASE B A, B, C PHASE VOLTAGES AFTER LPF1 16-BIT INTERNAL REGISTER VALUE ZXTOUT ZX A ZX C ZX B BIT 19 (SEQERR) IN STATUS1 REGISTER 0V STATUS1[19] SET TO 1 ZXZOxy FLAG IN STATUS1[31:0], x = V, A y = A, B, C STATUS1[19] CANCELLED BY A WRITE TO THE STATUS1 REGISTER WITH SEQERR BIT SET 08510-029 IRQ1 08510-028 图45. A相电压后跟C相电压时SEQERR位置1 IRQ1 INTERRUPT PIN 图44. 过零超时检测 相序检测 ADE7854/ADE7858/ADE7868/ADE7878内置片内逆相序检 测电路。此检测作用于相位电压，并仅考虑过零事件(依据 由负到正跃迁来判断)。 这些过零事件的常规顺序为先A相 后B相再C相(见图46)。如果过零事件的顺序是先A相后B相 再C相，那么STATUS1寄存器的位19 (SEQERR)会被置1。 如果MASK1寄存器的位19 (SEQERR)置1，且触发了逆相序事 件，则IRQ1中断引脚会变为低电平。通过写入STATUS1寄 存器并将状态位19 (SEQERR)置1，该状态位将被清除且IRQ1 引脚变为高电平。 一旦检测到逆相序，各相电压之间的时间测量(参见“相位 时间间隔”部分)可以帮助识别哪一路相电压应该和哪一路 相电流相关，用于重新建立正确的计算数据路径。 CONFIG寄存器的位[9:8] (VTOIA[1:0])、位[11:10] (VTOIB[1:0]) 和位[13:12] (VTOIC[1:0])可用于将一个相位的电压送至另一 相位的数据路径。详情参见“更换相电压数据路径”部分。 相位时间间隔 ADE7854/ADE7858/ADE7868/ADE7878能够测量相电压之 间、相电流之间或同一相位的电压和电流之间的时间延迟。 过零检测电路识别出的由负到正跃迁可以用作测量起始点 和结束点。一次只能执行一组此类测量，具体取决于 COMPMODE寄存器的位[10:9] (ANGLESEL[1:0])。 PHASE A 仅在ADE78xx采用三相四线、三电压传感器配置连接方式 (ACCMODE寄存器的位[5:4] (CONSEL[1:0])设为00)时，逆相 序检测电路才会生效。在所有其它配置中，仅会使用两个 电压传感器；因此，不建议使用该检测电路。在这类情况 下，可利用相电压之间的时间间隔来分析相序(详情参见 “相位时间间隔”部分)。 图45显示了A相电压后跟C相电压(而非B相电压)的情况。 每次出现由负到正的过零事件时，STATUS1寄存器的位19 (SEQERR)都会被置1，当A相、C相或B相上的此类过零事 件并不能跟在相应的C相、B相或A相过零事件之后， ZX A PHASE B ZX B PHASE C ZX C 08510-030 VOLTAGE OR CURRENT SIGNAL 图46. A相、B相和C相的正常顺序 当ANGLESEL[1:0]位设为00(默认值)，测量的是同一相位的 电压和电流之间的延迟。A相电压和A相电流之间的延迟 存储在16位无符号ANGLE0寄存器中(详情参见图47)。类似 地 ， B相 和 C相 的 电 压 和 电 流 之 间 的 延 迟 分 别 存 储 在 ANGLE1和ANGLE2寄存器中。 Rev. H | Page 35 of 100 ADE7854/ADE7858/ADE7868/ADE7878 PHASE A VOLTAGE 器，且每个线路周期更新一次。由于LPF1滤波器(见图43) 的建立时间为30 ms到40 ms，因此测量在该时间之后才会 稳定。 08510-031 PHASE A CURRENT ANGLE0 图47. A相电压和A相电流之间的延迟存储在ANGLE0寄存器中 当ANGLESEL[1:0]位设为01时，测量的是相电压之间的延 迟。A相电压和C相电压之间的延迟存储在ANGLE0寄存器 中。B相电压和C相电压之间的延迟存储在ANGLE1寄存器 中，而A相电压和B相电压之间的延迟存储在ANGLE2寄存 器中(详情参见图48)。 当ANGLESEL[1:0]位设为10时，测量的是相电流之间的延 迟。与相电压之间的延迟类似，A相电流和C相电流之间的 延迟存储在ANGLE0寄存器中；B相电流和C相电流之间的 延迟存储在ANGLE1寄存器中，而A相电流和B相电流之间 的延迟则存储在ANGLE2寄存器中(详情参见图48)。 PHASE A PHASE B PHASE C 周期测量的分辨率为3.90625 μs/LSB(时钟频率为256 kHz)， 即表示线路频率为50 Hz时分辨率为0.0195% (50 Hz/256 kHz)， 而线路频率为60 Hz时则为0.0234% (60 Hz/256 kHz)。50 Hz网 络的period寄存器值大约为5120 (256 kHz/50 Hz)，而60 Hz网 络大约为4267 (256 kHz/60 Hz)。该寄存器的长度确保可以测 量低至3.9 Hz (256 kHz/216)的线路频率。当线路完成建立且 被测量的周期未发生变化时，该寄存器会稳定在±1 LSB。 借助该period寄存器，可通过下式计算线路周期和频率： TL = PERIOD[15:0] + 1 [sec] 256E3 (6) fL = 256E3 [Hz] PERIOD[15:0] + 1 (7) 相电压骤降 ADE7854/ADE7858/ADE7868/ADE7878可以通过编程，用 于检测是否有任意相电压峰值的绝对值在数个半波周期内 降至设定值以下事件发生。发生此事件的具体相位是通过 PHSTATUS寄存器的位[14:12] (VSPHASE[x])来标识的，如 图49所示。 PHASE B VOLTAGE ANGLE1 08510-032 ANGLE2 FULL SCALE SAGLVL[23:0] ANGLE0 图48. 相电压(电流)之间的延迟 ANGLE0、ANGLE1和ANGLE2寄存器都是16位无符号寄存 器，且1 LSB变化对应的时间为3.90625 μs(时钟频率256 kHz)， 这表示50 Hz系统的分辨率为0.0703° (360° × 50 Hz/256 kHz)， 而60 Hz系统则为0.0843° (360° × 60 Hz/ 256 kHz)。相电压或 相电流之间的延迟可用于评估负载的平衡特性。而相电压 和相电流之间的延迟可用于计算各相上的功率因数，如下 列公式5所示：  360 × f LINE  cosφx = cos  ANGLEx ×  256 kHz   SAGCYC[7:0] = 0x4 PHASE A VOLTAGE FULL SCALE SAGLVL[23:0] STATUS1[16] AND PHSTATUS[12] CANCELLED BY A WRITE TO STATUS1[31:0] WITH SAG BIT SET SAGCYC[7:0] = 0x4  (5) BIT 16 (SAG) IN STATUS1[31:0] 其中fLINE = 50 Hz或60 Hz。 IRQ1 PIN 周期测量 ADE7854/ADE7858/ADE7868/ADE7878在电压通道中提供 线路周期测量。MMODE寄存器的位[1:0] (PERSEL[1:0])选择 用于此测量的相电压。该period寄存器是16位无符号寄存 STATUS[16] AND PHSTATUS[13] SET TO 1 VSPHASE[0] = PHSTATUS[12] 08510-033 VSPHASE[1] = PHSTATUS[13] 图49. SAG检测 Rev. H | Page 36 of 100 ADE7854/ADE7858/ADE7868/ADE7878 SAGCYC寄存器表示半波周期数，相电压必须在此期间内 始终位于SAGLVL寄存器所指定的电平之下才能触发SAG 条 件 ； 数 值 0对 SAGCYC无 效 。 例 如 ， 如 果 SAG周 期 (SAGCYC[7:0])为0x07，则表示线路电压将在七个半波周期 内降至该阈值以下，当第七个半波周期结束时，STATUS1 寄存器的SAG标志会被置1。如果MASK1的位16 (SAG)置1， 则在出现SAG事件时(即STATUS1寄存器的状态位16 (SAG)置 1时)，IRQ1中断引脚会变为低电平。通过写入STATUS1寄 存器并将状态位SAG置1，STATUS1寄存器的SAG状态位和 PHSTATUS寄存器的所有位[14:12] (VSPHASE[2]、VSPHASE[1] 和VSPHASE[0]])会被清除，且IRQ1引脚回到高电平。 当B相电压在两个线路周期内降至SAGLVL寄存器所设定的 阈值以下时，PHSTATUS寄存器的位VSPHASE[1]会被置1， 而位VSPHASE[0]会被清0。同时，STATUS1寄存器的位16 (SAG)会被置1，以指示该事件发生。 请注意，内部过零计数器始终处于活动状态。因此，通过 设置SAGLVL寄存器来执行时，第一个SAG检测结果不是 在整个SAGCYC周期内获得的。而如果在初始化SAGLVL寄 存器之后再写入SAGCYC寄存器，则可以复位过零计数 器，从而确保第一个SAG检测结果是在整个SAGCYC周期 内获得的。 道ADC”部分)，从而连续触发SAG事件。通过写入0x00或 0x01，可以将SAG检测电平设为0，从而永不触发SAG事件。 如“电流波形增益寄存器”部分中所述，ADE78xx的串行端 口采用32、16或8位字格式。与图36所示寄存器类似， SAGLVL寄存器是作为32位寄存器来访问的，其中八个 MSB以0填充。 峰值检测 ADE7854/ADE7858/ADE7868/ADE7878会记录电压和电流 通道在数个半波周期内达到的最大绝对值，并将其存储在 32位寄存器VPEAK和IPEAK的低24位中。 PEAKCYC寄存器包含用作测量时基的半波周期数。电路 采用过零检测电路识别的过零点。MMODE寄存器的位 [4:2] (PEAKSEL[2:0])选择执行该峰值测量的相位。位2选择 A相；位3选择B相；而位4则选择C相。选择监控一个以上 相位的峰值时，由于该过程中涉及到来自多个相位的过零 事件，因此PEAKCYC寄存器中指示的测量周期会按比例 递减。当确定出现新的峰值时，IPEAK和VPEAK寄存器的 位[26:24](IPPHASE[2:0]或VPPHASE[2:0])之一会被置1，以 识别触发峰值检测事件的相位。例如，如果发现A相电流 出现了峰值，则IPEAK寄存器的位24 (IPPHASE[0])会被置1。 如果下次在B相上测量到新的峰值，则IPEAK寄存器的位24 (IPPHASE[0])会被清0，而IPEAK寄存器的位25 (IPPHASE[1])会 被置1。图50显示了IPEAK和VPEAK寄存器的组成成分。 IPPHASE/VPPHASE BITS 31 00000 27 26 25 24 23 PEAK DETECTED ON PHASE A PEAK DETECTED ON PHASE C 管理SAG事件的建议步骤如下： PEAK DETECTED ON PHASE B 1. 通过将位16 (SAG)置1，在MASK1寄存器中使能SAG中断。 2. 发 生 SAG事 件 时 ， IRQ1中 断 引 脚 变 为 低 电 平 ， 且 STATUS1的位16 (SAG)会被置1。 3. 读取STATUS1寄存器，其中位16 (SAG)被置1。 4. 读取PHSTATUS寄存器，以识别发生SAG事件的相位。 5. 写入STATUS1寄存器，并将位16 (SAG)置1。此时，该SAG 位和PHSTATUS寄存器的所有位[14:12] (VSPHASE[2]、 VSPHASE[1]和VSPHASE[0])会立刻被擦除。 SAG电平设置 器件将SAGLVL[23:0] SAG level寄存器的内容和HPF输出的 绝对值做比较。通过向SAGLVL寄存器中写入5,928,256 (0x5A7540)，可以将SAG检测电平设为满量程(参见“电压通 Rev. H | Page 37 of 100 0 24 BIT UNSIGNED NUMBER 08510-034 图49显示了A相电压在四个半波周期(SAGCYC = 4)内降至SAG level寄存器(SAGLVL)中设定的阈值以下。该事件发生时， STATUS1寄存器的位16 (SAG)会被置1，因为该事件发生在 的A相上，所以PHSTATUS寄存器中的位VSPHASE[0]也会 置1。通过写入STATUS1寄存器并将SAG位置1，PHSTATUS寄 存器的所有位[14:12] (VSPHASE[2]、VSPHASE[1]和VSPHASE[0]) (而非VSPHASE[0]位)会被擦除。 图50. IPEAK[31:0]和VPEAK[31:0]寄存器的组成成分 ADE7854/ADE7858/ADE7868/ADE7878 PEAK VALUE WRITTEN INTO IPEAK AT THE END OF FIRST PEAKCYC PERIOD 存器，则可以复位过零计数器，从而确保第一个峰值检测 结果是在整个PEAKCYC周期内获得的。 END OF FIRST PEAKCYC = 16 PERIOD 过压和过流保护 END OF SECOND PEAKCYC = 16 PERIOD ADE7854/ADE7858/ADE7868/ADE7878可以通过检测发现 电压和电流通道上测得的瞬时绝对值何时超过了在24位无 符号寄存器OVLVL和OILVL中设定的阈值。在发生过压事 件时，如果MASK1寄存器的位18 (OV)被置1，IRQ1中断引脚 会变为低电平。当IRQ1中断引脚变为低电平时，将会设置 两个状态标志：STATUS1寄存器的位18 (OV)和PHSTATUS寄 存器的位[11:9] (OVPHASE[2:0])之一(用于识别产生过压事 件的相位)。通过写入STATUS1寄存器并将状态位置1， STATUS1寄存器的状态位18 (OV)和PHSTATUS寄存器的所有 位[11:9] (OVPHASE[2:0])会被清除，且IRQ1引脚变为高电平。 图52显示了A相电压上的过压检测。 PHASE A CURRENT BIT 24 OF IPEAK CLEARED TO 0 AT THE END OF SECOND PEAKCYC PERIOD BIT 25 OF IPEAK PEAK VALUE WRITTEN INTO IPEAK AT THE END OF SECOND PEAKCYC PERIOD BIT 25 OF IPEAK SET TO 1 AT THE END OF SECOND PEAKCYC PERIOD 08510-035 PHASE B CURRENT 图51. 峰值电平检测 PHASE A VOLTAGE CHANNEL 图 51显 示 了 使 能 A相 和 B相 测 量 (MMODE寄 存 器 的 位 PEAKSEL[2:0]为011)时ADE78xx如何记录电流通道上的峰 值。PEAKCYC设为16，表示峰值测量周期为四个线路周 期。在前四个线路周期内(PEAKCYC = 16)，A相的最大绝对 值最大，因此在该周期结束时，该最大绝对值写入IPEAK 寄存器的后24位，且IPEAK寄存器的位24 (IPPHASE[0])会置1。 在后四个线路周期的PEAKCYC周期内，该位保持为1。在 后四个线路周期内，B相的最大绝对值最大，因此在该周 期结束时，该最大绝对值被写入IPEAK寄存器的后24位， 且IPEAK寄存器的位25 (IPPHASE[1])会被置1。 当电流通道的峰值检测周期结束时，STATUS1寄存器的位23 (PKI)会被置1。如果MASK1寄存器的位23 (PKI)被置1，IRQ1中 断引脚会在PEAKCYC周期结束时变为低电平，且STATUS1 寄存器的状态位23 (PKI)会被置1。类似地，当电压通道的峰 值检测周期结束时，STATUS1寄存器的位24 (PKV)会被置1。 如果MASK1寄存器的位24 (PKV)被置1，IRQ1中断引脚会在 PEAKCYC周期结束时变为低电平，且STATUS1寄存器的状 态位24 (PKV)会被置1。为了找到触发该中断的具体相位， 器 件 会 在 读 取 STATUS1寄 存 器 之 后 马 上 读 取 IPEAK或 VPEAK寄存器两者之一。接下来，通过写入STATUS1寄存 器并将状态位置1，状态位会被清除，且IRQ1引脚变为高 电平。 请注意，内部过零计数器始终处于活动状态。因此，通过 设置MMODE寄存器的位[4:2] (PEAKSEL[2:0])来执行时， 第一个峰值检测结果不是在整个PEAKCYC周期内获得 的。而如果在PEAKSEL[2:0]位置1之后再写入PEAKCYC寄 OVERVOLTAGE DETECTED OVLVL[23:0] BIT 18 (OV) OF STATUS1 STATUS1[18] AND PHSTATUS[9] CANCELLED BY A WRITE OF STATUS1 WITH OV BIT SET. BIT 9 (OVPHASE) OF PHSTATUS 08510-036 BIT 24 OF IPEAK 图52. 过压检测 如图所示，一旦A相电压的瞬时绝对值超过OVLVL寄存器 中的阈值，STATUS1寄存器的位18 (OV)和PHSTATUS寄存器 的位9 (OVPHASE[0])会被置1。而当写入STATUS1寄存器并 将位18 (OV)置1时，STATUS1寄存器的位18 (OV)和PHSTATUS 寄存器的位9 (OVPHASE[0])会被取消。 管理过压事件的建议步骤如下： 1. 2. 3. 4. 通过将位18 (OV)置1，在MASK1寄存器中使能OV中断。 发生过压事件时，IRQ1中断引脚变为低电平。 读取STATUS1寄存器，其中位18 (OV) 被置1。 读取PHSTATUS寄存器，以识别发生过压事件的相位。 Rev. H | Page 38 of 100 ADE7854/ADE7858/ADE7868/ADE7878 发生过流事件时，如果MASK1寄存器的位17 (OI)被置1，IRQ1 中断引脚会变为低电平。接着，STATUS1寄存器的位17 (OI)和PHSTATUS寄存器的位[5:3] (OIPHASE[2:0])之一(用于识 别产生该中断的相位)会立刻被置1。为了找到触发该中断 的相位，可以在读取STATUS1寄存器后马上读取PHSTATUS 寄存器。接着，通过写入STATUS1寄存器并将状态位置1， STATUS1寄存器的状态位17 (OI)和PHSTATUS寄存器的位[5:3] (OIPHASE[2:0])会被清除，且IRQ1引脚变为高电平。该过 程与过压检测类似。 过压和过流电平设置 器件会将24位无符号过压(OVLVL)和过流(OILVL)寄存器的 内容与电压和电流通道的绝对值做比较。这些寄存器的最 大值为HPF输出的最大值：+5,928,256 (0x5A7540)。当OVLVL或 OILVL寄存器等于该值时，则永远不会检测到过压或过流 条件。而向这些寄存器中写入0x0时，则表示会连续监测 到过压或过流条件，且会永久性触发相应中断。 如“电流波形增益寄存器”部分中所述，ADE78xx的串行端 口采用32、16或8位字格式。与图36所示寄存器类似， OILVL和OVLVL寄存器是作为32位寄存器来访问的，其中 八个MSB以0填充。 零线电流失配—ADE7868和ADE7878 零线电流失配仅存在于ADE7868和ADE7878。在三相系统 中，零线电流等于相电流的代数和： IN(t) = IA(t) + IB(t) + IC(t) 如果这两个数值之间存在失配，则系统中可能发生了窃电 情况。 ADCMAX = 5,928,256，即满量程输入时的ADC输出。 IFS为满量程ADC相电流。 ADE7868/ADE7878会计算ISUM和INWV寄存器中零线电 流两者绝对值之间的差值并取其结果的绝对值，然后与 ISUMLVL阈值做比较。如果 ISUM − INWV ≤ ISUMLVL , 那么表示零线电流等于相电流的总和，且系统工作正常。 如果 ISUM − INWV > ISUMLVL ，那么表示可能发生了窃 电情况，且STATUS1寄存器的位20 (MISMTCH)会被置1。通 过设置MASK1寄存器的位20 (MISMTCH)，可以使能零线电 流失配的中断。使能该中断后，当状态位MISMTCH置1 时，IRQ1引脚会变为低电平。通过写入STATUS1寄存器并 将位20 (MISMTCH)置1，该状态位会被清除，且IRQ1引脚 回到高电平。 如果 ISUM − INWV ≤ ISUMLVL ，则MISMTCH = 0 如果 ISUM − INWV > ISUMLVL ，则MISMTCH = 1 该过程中使用的正阈值ISUMLVL是一个24位带符号寄存 器。ISUMLVL用于与绝对值进行比较，因此应始终设置为 0x00000到0x7FFFFF范围内的正数。ISUMLVL采用的调整 比例与电流ADC输出相同，因此向ISUMLVL寄存器中写入 +5,928,256 (0x5A7540)时，失配检测电平将置为满量程；详 情参见“电流通道ADC”部分。而写入0x000000(默认值)或 负值时，则表示会一直触发MISMTCH事件。为避免连续 触发MISMTCH事件，应该在上电或硬件/软件复位之后向 ISUMLVL寄存器中写入适合该应用的值。 如“电流波形增益寄存器”部分中所述，ADE7868/ADE7878 的串行端口采用32、16或8位字格式，而DSP采用28位字格 式。如图53所示，28位带符号寄存器ISUM是作为32位寄存 器来访问的，其中四个最高有效位以0填充。 31 28 27 0 08510-250 5. 写入STATUS1寄存器并将位18 (OV)置1。此时，位OV和 PHSTATUS寄存器的所有[11:9] (OVPHASE[2:0])均会被 清除。 ADE7868/ADE7878通过将IAWV、IBWV和ICWV寄存器的 内容相加而计算出相电流的总和，并将结果存储到28位带 符号寄存器ISUM中：ISUM(t) = IA(t) + IB(t) + IC(t)。ISUM会每 隔125 µs(频率为8 kHz)计算一次，即相当于提供电流样本的 速率，而STATUS0寄存器的位17 (DREADY)用于指示何时可 以读取ISUM寄存器。有关位DREADY的更多信息，请参见 “数字信号处理器”部分。 与图35所示的寄存器类似，ISUMLVL寄存器是作为32位寄 r存器来访问的，其中四个最高有效位以0填充并通过符号 扩展至28位。 若要从ISUM寄存器恢复ISUM(t)值，请使用以下表达式： 相位补偿 I SUM (t ) = 其中： ISUM[27:0] × I FS ADC MAX 0000 28-BIT SIGNED NUMBER BIT 27 IS A SIGN BIT 图53. ISUM[27:0]寄存器以32位数据格式的形式传输 如“电流通道ADC”和“电压通道ADC”部分所述，电流和电 压 的 数 据 路 径 是 完 全 相 同 的 。 ADE7854/ADE7858/ ADE7868/ADE7878所引起的电流和电压信号之间的相位误 差可以忽略不计。不过，ADE7854/ADE7858/ADE7868/ ADE7878必须与传感器配合使用，而这些传感器可能存在 固有相位误差。 Rev. H | Page 39 of 100 ADE7854/ADE7858/ADE7868/ADE7878 负值，会向PHCAL寄存器中写入其绝对值。如果电流比电 压落后，则结果为正值，将结果加上512，然后再写入 xPHCAL。 例如，电流互感器(CT)存在0.1°到3°的相位误差并不罕见。 这些相位误差因器件而异，并必须加以校正，以便执行准 确的功率计算。 APHCAL, BPHCAL或 CPHCAL = 当功率因数较低时，相位不匹配所引起的误差特别明显。 ADE78xx能 够 以 数 字 方 式 校 准 这 些 微 小 的 相 位 误 差 。 ADE78xx允许向信号处理链中引入少量的时间延迟或时间 提前，从而补偿这些微小的相位误差。 相位校准寄存器(APHCAL、BPHCAL和CPHCAL)都是10位 寄存器，这些寄存器可以在−374.0 μs到+61.5 μs范围内调整 电压通道信号路径中的时间提前量。向PHCAL寄存器中写 入负值表示时间提前，而正值则表示时间延迟。1 LSB相当 于0.976 μs的时间延迟或时间提前(时钟频率为1.024 MHz)。 这样，当线路频率为60 Hz时，相位补偿分辨率可达到0.0211° (360° × 60 Hz/1.024 MHz)。这相当于在60 Hz时总校正范围 为−8.079°到+1.329°。50 Hz时校正范围为−6.732°到+1.107°，而 分辨率为0.0176° (360° × 50 Hz/ 1.024 MHz)。 图55显示了如何利用相位补偿来移除电流通道的IA中因外 部电流传感器而导致的x = −1°相位超前(50 Hz系统中相当于 55.5 μs)。为了消除A相电流通道中的超前(1°)，必须向对应 的电压通道中引入相位超前。根据公式8，APHCAL为57个 最低有效位(56.8四舍五入所得)。通过向A相电流中引入 55.73 μs的时间延迟，即可实现该相位超前。 15 10 9 0000 00 0 xPHCAL 图54. xPHCAL寄存器以16位寄存器形式通信 IAP PGA1 ADC IAN PHASE CALIBRATION APHCAL = 57 VAP VA PGA3 ADC VN 1° IA IA PHASE COMPENSATION ACHIEVED DELAYING IA BY 56µs VA 08510-039 VA 50Hz 图55. 电压通道上的相位校准 Rev. H | Page 40 of 100 08510-038 如“电流波形增益寄存器”部分中所述，ADE78xx的串行端 口采用32、16或8位字格式。如图54所示，10位寄存器 APHCAL、BPHCAL和CPHCAL是作为16位寄存器来访问 的，其中六个MSB以0填充。 假设相位误差为x度，且是以相电压为参考来测量的，那 么通过将x除以相位分辨率(60 Hz时为0.0211°/LSB，而50 Hz 时为0.0176°/LSB)即可计算出相应的LSB。结果必须位于−383到 +63范围内，否则无效。如果电流比电压超前，则结果为 IA (8)   x ,x ≤ 0    phase _ resolution    x  + 512, x > 0  phase _ resolution    ADE7854/ADE7858/ADE7868/ADE7878 参考电路 REFIN/OUT引脚处的基准电压标称值为1.2 V。这是ADE7854/ ADE7858/ADE7868/ADE7878中ADC采用的基准电压。可 以使用一个1.2 V典型外部基准电压源来过驱REFIN/OUT引脚。 内部基准电压源的温度系数采用端点法计算。为了计算温 度范围内的漂移，测量端点(−40°C和+85°C)处的基准电压 值并与25°C时的参考值进行比较，进而得出温度系数曲线 的斜率。图56是温度范围内漂移的典型代表。它包含两条 曲线：曲线X和曲线Y，它们是在整个额定温度范围内观察 到的两个可能曲率的典型代表。  α (85°C − 25°C )  VREF (85°C) = VREF (25°C) × 1 + h  10 6   其中，αc和αh分别为低温与高温系数，计算如下： VREF ( −40°C) − VREF ( +25°C) αc = C' CURVE Y B αh = C +85°C TEMPERATURE (°C) × 106 ppm/°C 图56. 内部基准电压源的温度漂移 如图56所示，要精确分析温度范围内的漂移，必须分别对 两个区域进行考察，具体如下所述： • 对于曲线X中A点和B点之间的区域，基准电压值随温度 升高而增加；因此，该曲线在A与B之间具有正斜率。 该区域内的温度系数为正。 • 对于曲线X中B点和C点之间的区域，由于基准电压随温 度上升而下降；因此对应于该曲线的此区域，温度系数 为负。 • 与此类似，曲线Y在A点和B点之间的温度系数为负，而 在B点和C点之间为正。 VREF (25°C) (85°C − 25°C ) × 106 ppm/°C 由于低温和高温系数符号可能因IC不同而有所不同，因此， 典型漂移在整个范围内指定并带有正负号(±)。为了找到温 度系数的典型值、最小值和最大值(如“技术规格”部分所列)， 收集了大量不同IC基于端点法得到的数据。最小和最大温 度系数表示在额定温度范围内，任何特定IC的漂移都不会 超过这些限值(参考25°C)。有关不同器件的漂移差异，请 参见图57和图58。 NUMBER OF PARTS A –40°C (−40°C − 25°C ) VREF (85°C) − VREF (25°C) +25°C CURVE X VREF ( +25°C) –50 –45 –40 –35 –30 –5 –20 –15 –10 –5 0 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 COLD TEMPERATURE COEFFICIENT (ppm/°C) 图57. 基准电压源漂移直方图(−40°C至+25°C) Rev. H | Page 41 of 100 08510-256 A'  α (− 40°C − 25°C )  VREF (−40°C) = VREF (+25°C) × 1 + c  10 6   +85°C 08510-555 REFERENCE VOLTAGE –40°C 任意特定IC的漂移曲线均可匹配这些示例中的任意一条曲 线。基准电压在特定端点温度下的绝对值与曲线该区域内 温度系数之间的关系可由以下两个公式表示： ADE7854/ADE7858/ADE7868/ADE7878 NUMBER OF PARTS 限 制 。 RUN寄 存 器 (用 于 启 动 和 停 止 DSP)会 被 清 除 至 0x0000。若要DSP开始执行代码，则必须向RUN寄存器中 写入0x0001。 –50 –45 –40 –35 –30 –5 –20 –15 –10 –5 0 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 HOT TEMPERATURE COEFFICIENT (ppm/°C) 08510-257 为了确保存储在DSP数据存储器RAM(地址介于0x4380与 0x43BE之间)内数据的完整性，提供了写保护机制。默认 情况下，保护功能是禁用的，放置在0x4380与0x43BE间的 寄存器的写入无任何限制。使能保护功能后，这些寄存器 不允许写入。无论写保护状态如何，寄存器的读取无任何 限制。 图58. 基准电压源漂移直方图(25°C至85°C) 由于所有ADC均采用该基准电压源，因此如果基准电压源 存在x%的漂移，则会导致电表精度出现2x%的偏差。因温 度变化而出现的基准电压漂移通常非常小，并且一般远远 小于电表中其它元件的漂移。 如果CONFIG2寄存器的位0 (EXTREFEN)清0(默认值)，ADE7854/ ADE7858/ADE7868/ADE7878采用内部基准电压源；如果 该位置1，则使用外部基准电压源。在PSM0模式中设置 CONFIG2寄存器，其值会在PSM1、PSM2和PSM3功耗模 式下保持不变。 数字信号处理器 ADE7854/ADE7858/ADE7868/ADE7878内置固定功能数字 信号处理器(DSP)，可以计算所有功率和有效值。此外内 置程序存储器ROM和数据存储器RAM。 用于功率和有效值计算的程序存储在程序存储器ROM中， 并且该处理器会每8 kHz执行一次该程序。计算结束时，器 件会将STATUS0寄存器的位17 (DREADY)置1。通过将MASK0 寄存器的位17 (DREADY)置1，可以使能该事件的中断。使 能该中断后，计算结束时IRQ0引脚会变为低电平，且状态 位DREADY被置1。通过写入STATUS0寄存器并将位17 (DREADY)置1，该状态位会被清除且IRQ0引脚变为高电平。 DSP使用的寄存器位于数据存储器RAM中，地址范围为 0x4380到0x43BE。此存储器的宽度为28位。DSP内核中包 含一个双级流水线。这意味着，当需要初始化一个寄存器 时，应多执行两个写操作，以确保将值写入RAM；而如果 需要初始化两个或更多寄存器，对最后一个寄存器必须多 执行两个写操作，以确保将值写入RAM。 如“上电程序”部分所述，上电时或者硬件或软件复位后， DSP处于空闲模式。此时未执行任何指令。数据存储器 RAM中的所有寄存器初始化为默认值0，读取/写入无任何 要使能保护，应向位于地址0xE7FE的内部8位寄存器写入 0xAD， 然 后 向 位 于 地 址 0xE7E3的 内 部 8位 寄 存 器 写 入 0x80。 建议在寄存器完成初始化之后使能写保护。如果需要更改 任何基于数据存储器RAM的寄存器，只需禁用保护，更改 值，然后重新使能保护。更改这些寄存器无需停止DSP。 要禁用保护，向位于地址0xE7FE的内部8位寄存器写入 0xAD， 然 后 向 位 于 地 址 0xE7E3的 内 部 8位 寄 存 器 写 入 0x00。 上电时初始化ADE7854/ADE7858/ADE7868/ADE7878寄存 器的推荐程序如下： • 初始化AIGAIN、BIGAIN、CIGAIN和NIGAIN寄存器。 • 设置run = 1，启动DSP。 • 初始化所有其它数据存储RAM寄存器。向队列内的最 后一个寄存器写入三次，以确保将其值写入RAM。初 始 化 除 CFMODE寄 存 器 以 外 的 ADE7854/ADE7858/ ADE7868/ADE7878所有其它寄存器。 读取电能寄存器xWATTHR、xFWATTHR、xVARHR、 xFVARHR和xVAHR以擦除其内容，并从一个已知状态 开始累计电能。 • 将CFMODE寄存器中的位9 (CF1DIS)、位10 (CF2DIS)和 位11 (CF3DIS)清0，使能CF1、CF2和CF3引脚上的脉冲。 这一初始化步骤应最后进行，确保ADE7854/ADE7858/ ADE7868/ADE7878初始化期间不产生杂散脉冲。 • 启用写保护，方法是向位于地址0xE7FE的内部8位寄存 器写入0xAD，然后向位于地址0xE7E3的内部8位寄存器 写入0x80。 • 回读所有数据存储器RAM寄存器，以确保将其初始化 为所需值。 • 在未正确初始化一个或多个寄存器的远程情况下，应禁 用保护：即向位于地址0xE7FE的内部8位寄存器写入 0xAD，然后向位于地址0xE7E3的内部8位寄存器写入 0x00。重新初始化这些寄存器。向队列内的最后一个寄 存器写入三次。启用写保护，向位于地址0xE7FE的内部 8位寄存器写入0xAD，然后向位于地址0xE7E3的内部8 位寄存器写入0x80。 Rev. H | Page 42 of 100 ADE7854/ADE7858/ADE7868/ADE7878 如果ADE78xx一直处于PSM0正常模式，则没必要停止DSP。 所有ADE78xx寄存器(包括位于数据存储器RAM中的寄存 器)均可以直接修改，而无需停止DSP。不过，若要停止 DSP，则必须向RUN寄存器中写入0x0000。若要重新启动 DSP，则必须遵循下列程序之一： ∞ f (t ) = ∑ Fk 2 sin(kωt + γ k ) k =1 (11) 那么 ∞ ∞ k =1 k =1 f 2 (t ) = ∑ Fk2 − ∑ Fk2 cos(2kωt + 2 γ k ) + ∞ ∑ 2 × Fk × Fm sin(kωt + γ k ) × sin(mωt + γ m ) (12) • 如果数据存储器RAM中的ADE7854/ADE7858/ADE7868/ ADE7878寄存器尚未经过修改，则可以向RUN寄存器中 写入0x0001来启动DSP。 • 如果数据存储器RAM中的ADE7854/ADE7858/ADE7868/ ADE7878寄存器必须进行修改，则首先执行软件或硬件 复位，然后按照推荐程序在上电时初始化寄存器。 经过LPF并取得平方根后，f(t)的有效值即可通过下式获得： 如“电源管理”部分所述，当ADE7854/ADE7858/ADE7868/ ADE7878退出PSM0功耗模式时，建议向RUN寄存器中写 入0x0000来停止DSP(有关更改功耗模式时的建议操作，请 参见图11和表12)。 基于此方法的有效值计算会同时在所有七个模拟输入通道 上 讲 行 。 结 果 存 储 在 下 列 24位 寄 存 器 中 ： AIRMS、 BIRMS、CIRMS、AVRMS、BVRMS、CVRMS和NIRMS (NIRMS仅适用于ADE7868和ADE7878)。 有效值测量 第二种方法首先计算输入信号的绝对值，然后通过滤波提 取其直流成分。该方法计算的是输入的平均绝对值。如果 公式12中的输入信号仅包含基波成分，则其平均值如下： 有效值(rms)衡量交流信号的幅度。可以分别从实用角度和 数学角度予以定义。从实用角度定义，一个交流信号的有 效值等于在负载上产生同等功率所需的直流量。从数学角 度来看，连续信号f(t)的有效值(均方根)定义如下： F rms = 1 t 2 ∫ f (t )dt t 0 1 N N ∑ f 2 [n] N =1 (10) 公式10表明，对于包含谐波的信号，有效值计算会包含所 有谐波成分，而不仅仅是基波。ADE78xx采用两种不同的 方法来计算有效值。第一种方法非常精确，并仅在PSM0 模式下有效。第二种方法精度较差，是采用平均绝对值 (mav)测量估算来进行的；该方法在PSM0和PSM1模式下有 效，但仅适用于ADE7868和ADE7878。 第一种方法是对输入信号的平方进行低通滤波(LPF)并求取 结果的平方根(参见图59)。 k ,m=1 k ≠m F= FDC (9) 对于时间采样信号，有效值计算涉及求信号的平方、求平 均值，然后获得平方根。 F rms = +2 ∞ ∑ Fk2 k =1 (13) T  T 1 2  =  ∫ 2 × F1 × sin(ωt )dt − ∫ 2 × F1 × sin(ωt )dt  T 0 T   2 FDC = 2 × 2 × F1 π 基于此方法的计算仅限在三相电流上同时运行。结果都存 储在下列20位寄存器中，这些寄存器仅适用于ADE7868和 ADE7878：AIMAV、BMAV和CMAV。请注意，只有仅含 基波成分时，mav和rms值之间的比例关系才会保持不变。 如果电流通道中存在谐波，则平均绝对值不再与有效值成 正比。 电流有效值计算 本节介绍如何利用第一种方法来计算所有相线和零线电流 的有效值。 图59详细显示了电流通道其中一相上的用于有效值计算的 信号处理链。电流通道有效值是根据电流通道中使用的样 本进行计算的。电流有效值值为24位带符号值，并存储在 AIRMS、 BIRMS、 CIRMS和 NIRMS(仅 限 ADE7868/ ADE7878)寄存器中。电流有效值测量的更新速率为8 kHz。 采用0.5V(交流峰值)的额定满量程模拟输入信号时，ADC 会产生大约为±5,928,256的输出码。满量程正弦波信号的 等效有效值为4,191,910 (0x3FF6A6)，该值与线路频率无关。如 果使能了积分器，即CONFIG寄存器的位0 (INTEN)置1， 那么满量程正弦波信号的等效有效值在50 Hz时为4,191,910 (0x3FF6A6)，而在60 Hz时则为3,493,258 (0x354D8A)。 Rev. H | Page 43 of 100 ADE7854/ADE7858/ADE7868/ADE7878 当PGA = 1时，电流有效值的精度在满量程输入到1/1000满 量程输入范围内通常为0.1%。另外，此项测量的带宽为2 kHz。 建议在发生电压过零事件时的同时读取RMS寄存器，以确 保稳定性。IRQ1中断可用于指示何时发生了过零事件(参 见“中断”部分)。表13显示了电流有效值测量的建立时间， 即RMS寄存器在从0到满量程变化时反映出电流通道输入 端值所需的时间。但是，在芯片上电期间，以及DSP复位 情况下，FS/1000信号的建立时间通常为1.2秒。 表13. 电流有效值测量的建立时间 积分器状态 积分器关闭 积分器开启 50 Hz输入信号 440 ms 550 ms 如“电流波形增益寄存器”部分中所述，ADE78xx的串行端 口采用32、16或8位字格式。与图36所示寄存器类似，24位 带 符 号 寄 存 器 AIRMS、 BIRMS、 CIRMS和 NIRMS(仅 限 ADE7868和ADE7878)都是作为32位寄存器来访问的，其中 八个MSB以0填充。 xIRMSOS[23:0] 27 x2 LPF √ xIRMS[23:0] 0x5A7540 = 5,928,256 0V 0xA58AC0 = –5,928,256 图59. 电流有效值信号处理 Rev. H | Page 44 of 100 08510-040 CURRENT SIGNAL FROM HPF OR INTEGRATOR (IF ENABLED) 60 Hz输入信号 440 ms 500 ms ADE7854/ADE7858/ADE7868/ADE7878 其中，I rms0是未经过失调校正的有效值测量值。 如“电流波形增益寄存器”部分中所述，ADE78xx的串行端 口采用32、16或8位字格式，而DSP采用28位字格式。与图 35所 示 寄 存 器 类 似 ， 24位 带 符 号 寄 存 器 AIRMSOS、 BIRMSOS、 CIRMSOS和 NIRMSOS(仅 限 ADE7868/ ADE7878)都是作为32位寄存器来访问的，其中四个MSB以 0填充并通过符号扩展至28位。 电流平均绝对值计算—仅限ADE7868和ADE7878 CURRENT SIGNAL COMING FROM ADC xIMAV[23:0] |X| HPF LPF 08510-251 本节介绍如何利用第二种方法来通过平均绝对值(mav)法 估算所有相电流的有效值。此方法在PSM1模式下使用并 仅适用于ADE7868和ADE7878，在零线断线表示可能存在 窃电篡改时，可允许根据电流有效值来进行电能累计。此 数据路径在PSM0模式下也有效，以便进行增益校准。在 PSM1模式下，该增益用于外部微处理器计算准确的MAV。 使用此方法时，不会计算零线电流的mav值。图60详细显 示了电流通道其中一相上的用于mav计算的信号处理链。 图60. PSM1模式的电流MAV信号处理 电流通道mav值是根据电流通道波形采样模式中使用的数 据样本进行计算的。数据样本通过高通滤波器以消除ADC 引入的直流失调，并计算出绝对值。然后，该模块的输出 经过滤波，以获取平均值。电流mav值为20位无符号值， 并存储在AIMAV、BIMAV和CIMAV寄存器中。该mav测量 的更新速率为8 kHz。 211500 211000 210500 210000 209500 209000 208500 208000 207000 45 50 55 FREQUENCY (Hz) 60 08510-252 207500 65 图61. 满量程时的xIMAV寄存器值(线路频率范围为45 Hz至65 Hz) 50 Hz和60 Hz时满量程正弦波信号的mav值分别为209,686和 210,921。如图61所示，对于满量程正弦波输入，45 Hz和65 Hz 的mav估算结果之间存在1.25%的偏差。在满量程输入到 1/100满量程输入范围内，电流mav精度通常为0.5%。另 外，该测量的带宽为2 kHz。电流mav测量的建立时间(即mav 寄存器在0.5%的误差范围内反映电流通道输入端值所需的 时间)为500 ms。但是，在进入该模式后第一次测量期间， 建立至正确值所需的时间较长。 如“电流波形增益寄存器”部分中所述，ADE7868/ADE7878 的串行端口采用32、16或8位字格式。如图62所示，20位无 符号寄存器AIMAV、BIMAV和CIMAV是作为32位寄存器 来访问的，其中12个MSB以0填充。 31 20 19 0000 0000 0000 0 20-BIT UNSIGNED NUMBER 08510-253 (14) 212000 LSB 电流有效值失调补偿 ADE7854/ADE7858/ADE7868/ADE7878针对每相提供了一 个电流有效值失调补偿寄存器：AIRMSOS、BIRMSOS、 CIRMSOS，以及仅适用于ADE7868和ADE7878的NIRMSOS 寄存器。这些都是24位带符号寄存器，可用于移除电流有 效值计算中的失调。由于I2(t)直流成分中集成了输入噪声， 因此有效值计算中会失调。current rms offset寄存器乘以128 并与电流有效值的平方相加，然后求取平方根。假设采用 满量程交流输入(50 Hz)时电流有效值计算的最大值为4,191,910， 当输入的信号为满量程60 dB时，1 LSB的有效值失调就表示 有效值测量会出现0.00037% (( /4191 − 1) × 100) 的误差。在低电流下执行失调校准；校准时电流不应等 于零。 图62. xIMAV寄存器以32位寄存器形式传输 电流MAV增益和失调补偿 AIMAV、BIMAV和CIMAV寄存器中存储的电流有效值可 以通过各项对应的增益和失调系数来进行校准。建议在 PSM0模式下通过向ADE7868/ADE7878提供标称电流来计 算具体增益。而失调可以通过向ADE7868/ADE7878提供低 电流来进行估算，其中电流通常等于具体精度所要求的最 小值。每次读取AIMAV、BIMAV和CIMAV寄存器时，存 储在外部微控制器的参数用来校正上述寄存器。 电压通道有效值计算 图63详细显示了电压通道其中一相上的用于有效值计算的 信号处理链。电压通道有效值是根据电压通道中使用的样 本进行计算的。电压有效值值为24位带符号值，并存储在 AVRMS、BVRMS和CVRMS寄存器中。电流有效值测量的 更新速率为8 kHz。 Rev. H | Page 45 of 100 ADE7854/ADE7858/ADE7868/ADE7878 采用0.5 V(交流峰值)的额定满量程模拟输入信号时，ADC 会产生大约为±5,928,256的输出码。满量程正弦波信号的 等效有效值为4,191,910 (0x3FF6A6)，该值与线路频率无关。 IRQ1中断可用于指示何时发生了过零事件(参见“中断”部 分)。 对于50 Hz和60 Hz输入信号，电压有效值测量的建立时间都 是440 ms。该时间就是RMS寄存器从0开始到正确反映出电 压通道输入端值所需的时间。 在满量程输入到1/1000满量程输入范围内，电压有效值精 度典型值为0.1%。另外，该测量的带宽为2 kHz。建议在发 生电压过零事件时的同时读取RMS寄存器，以确保稳定性。 如“电流波形增益寄存器”部分中所述，ADE78xx的串行端 口采用32、16或8位字格式。与图36所示寄存器类似，24位 带符号寄存器AVRMS、BVRMS和CVRMS都是作为32位寄 存器来访问的，其中八个MSB以0填充。 xVRMSOS[23:0] 27 x2 LPF √ xVRMS[23:0] 0x5A7540 = 5,928,256 0V 0xA58AC0 = –5,928,256 图63. 电压有效值信号处理 Rev. H | Page 46 of 100 08510-041 VOLTAGE SIGNAL FROM HPF ADE7854/ADE7858/ADE7868/ADE7878 电压有效值失调补偿 ADE78xx针对每相都提供一个电压有效值失调补偿寄存器： AVRMSOS、BVRMSOS和CVRMSOS。这些都是24位带符 号寄存器，可用于移除电压有效值计算中的偏移失调。由 于V2(t)直流成分中集成了输入噪声，因此有效值计算中会 偏移失调。电压有效值失调寄存器乘以128并与电流有效 值的平方相加，然后求取平方根。假设采用满量程交流输 入(50 Hz)时电压有效值计算的最大值为4,191,910，当输入的 信号为满量程60 dB时，1 LSB的电压有效值失调就表示有效 值测量会出现0.00037% (( /4191 − 1) × 100)的误 差。在低电流下执行失调校准；校准时电压不应等于零。 果交流系统的电源电压为v(t)、电流为i(t)，且两者都包含 谐波，则 其中： Vk和Ik分别是各谐波的电压和电流有效值。 φk和γk分别是各谐波的相位延迟。 交流系统种的瞬时功率为： 其中，V rms0是未经过偏移失调校正的有效值测量。 如“电流波形增益寄存器”部分中所述，ADE78xx的串行端 口采用32、16或8位字格式，而DSP采用28位字格式。与图 35所示的寄存器类似，24位带符号寄存器AVRMSOS、 BVRMSOS和CVRMSOS都是作为32位寄存器来访问的，其 中四个最高有效位以0填充并通过符号扩展至28位。 (17) 整数个线路周期(n)内的平均功率通过公式18计算得出。 (18) 有功功率计算 ADE7854/ADE7858/ADE7868/ADE7878可以计算各相上的 总有功功率。总有功功率在计算时会考虑电压和电流的所 有基波和谐波成分。另外，ADE7878可以计算基波有功功 率，该功率完全由电压和电流的基波成分决定。 总有功功率计算 功率定义为电能从电源流向负载的速率，并通过产生电压 和电流波形来表示。所得波形称为瞬时功率信号，并等于 每一瞬间的电能流动速率。功率的单位为瓦或焦耳/秒。如 其中： T是线路周期时长。 P称为总有功功率或总实际功率。 请注意，总有功功率等于公式17中瞬时功率信号p(t)的直 流成分，即： 该表达式用于计算ADE78xx中各相上的总有功功率。通过 将k = 1代入公式18，即可获得基波有功功率的表达式，如下 所示： FP = V1I1 cos(φ1 – γ1) (19) 图64显示了ADE78xx如何计算各相上的总有功功率。首先，器 件将各相上的电流和电压信号相乘。接着，器件利用低通 滤波器LPF2提取各相(A、B和C)上瞬时功率信号的直流成分。 HPFDIS [23:0] DIGITAL INTEGRATOR AIGAIN AWGAIN IA AWATTOS HPF HPFDIS [23:0] AVGAIN LPF INSTANTANEOUS PHASE A ACTIVE POWER VA AWATT HPF DIGITAL SIGNAL PROCESSOR 图64. 总有功功率数据路径 Rev. H | Page 47 of 100 24 08510-145 APHCAL ADE7854/ADE7858/ADE7868/ADE7878 如果相电流和电压仅包含基波成分、位于相内(即φ1 = γ1 = 0)， 且对应于满量程ADC输入，那么两者相乘将得到具有直流 成分V1 × I1和正弦波成分V1 × I1 cos(2ωt)的瞬时功率信号； 图65显示了对应的波形。 INSTANTANEOUS POWER SIGNAL PMAX = 33,516,139；这是ADC输入为满量程的一相中计算 出的瞬时功率。 xWATT[23:0]波形寄存器可以通过各种串行端口进行访 问。详情参见“波形采样模式”部分。 基波有功功率计算—仅限ADE7878 p(t)= V rms × I rms – V rms × I rms × cos(2ωt) 0x3FED4D6 67,032,278 ADE7878采用专有算法来计算基波有功功率，该算法需要 使用电网频率和电压通道中测得的标称电压来初始化计算函 数。COMPMODE寄存器的位14 (SELFREQ)必须根据ADE7878 所连网络的频率来进行设置。如果网络频率为50 Hz，请将 该位清0(默认值)。如果网络频率为60 Hz，则请将该位置1。 另外，以基于下列公式的正值来初始化24位带符号寄存器 VLEVEL： INSTANTANEOUS ACTIVE POWER SIGNAL: V rms × I rms V rms × I rms 0x1FF6A6B = 33,516,139 0x000 0000 VLEVEL = 08510-043 i(t) = √2 × I rms × sin(ωt) v(t) = √2 × V rms × sin(ωt) 图65. 有功功率计算 由于LPF2在频率响应特性上并不具有理想的滤波器(参见 图66)，因此有功功率信号会因瞬时功率信号而出现一些纹 波。该纹波为正弦波形，频率等于线路频率的两倍。由于 纹波本质上是正弦波，因此在对有功功率信号进行一段时 间的积分来计算电能时，纹波会被移除。 (21) 其中： VFS为ADC输入为满量程时相电压的有效值。 Vn为相电压的有效值标称值。 如“电流波形增益寄存器”部分中所述，ADE7878的串行端 口采用32、16或8位字格式，而DSP采用28位字格式。与图 35所示的寄存器类似，24位带符号寄存器VLEVEL是作为 32位寄存器来访问的，其中四个最高有效位以0填充并通 过符号扩展至28位。 表14显示了基波有功功率测量的建立时间。 0 表14. 基波有功功率的建立时间 –5 MAGNITUDE (dB) VFS × 491,520 Vn 63%满量程 375 ms –10 输入信号 100%满量程 875 ms 有功功率增益校准 –15 –25 0.1 1 FREQUENCY (Hz) 3 10 08510-103 –20 图66. LPF(用于对各相上的瞬时功率进行滤波)的频率响应 ADE7854/ADE7858/ADE7868/ADE7878将瞬时各相总有功 功率存储在AWATT、BWATT和CWATT寄存器中。表达式 如下： V I 1 xWATT = ∑ k × k × cos(φk – γk) × PMAX × 4 V I 2 k =1 FS FS ∞ 请 注 意 ， 通 过 写 入 对 应 相 位 的 24位 功 率 增 益 寄 存 器 ( AWG A I N 、 B WG A I N 、 C WG A I N 、 A F WG A I N 、 BFWGAIN或CFWGAIN)，可以在±100%范围内调整各相中 LPF2输出端的平均有功功率结果。xWGAIN寄存器置于各 相 的 总 有 功 功 率 数 据 路 径 中 ， 而 xFWGAIN(仅 适 用 于 ADE7878)寄存器置于各相的基波有功功率数据路径中。这 些功率增益寄存器都是带符号的二进制补码寄存器，且分 辨率为2−23/LSB。公式22通过数学方式描述了功率增益寄存 器的工作方式。 (20) 其中： V FS和I FS分别为ADC输入为满量程时相位电压和电流的有 效值。 Rev. H | Page 48 of 100 平均功率数据 =  功率增益寄存器  LPF2输出 × 1 +  223   (22) ADE7854/ADE7858/ADE7868/ADE7878 通过向功率增益寄存器中写入0xC00000，可以将输出缩小 −50%，而通过向其中写入0x400000，则可以将输出放大 50%。在ADE7854/ADE7858/ADE7868/ADE7878中，这些寄 存器用于校准各相中的有功功率(或电能)计算。 个阶段执行的。每次在电能累计中的第一阶段结束时检测 到符号变化，即内部累加器的电能累加值达到WTHR寄存 器阈值之后，就会触发专用中断。各相有功功率的符号可 以从PHSIGN寄存器中读取。 如“电流波形增益寄存器”部分中所述，ADE7854/ADE7858/ ADE7868/ADE7878的串行端口采用32、16或8位字格式， 而DSP采用28位字格式。与图35所示寄存器类似，24位带 符号寄存器AWGAIN、BWGAIN、CWGAIN、AFWGAIN、 BFWGAIN和CFWGAIN都是作为32位寄存器来访问的，其 中四个MSB以0填充并通过符号扩展至28位。 ACCMODE寄存器的位6 (REVAPSEL)设置所监控的有功功率 类型。当REVAPSEL为0(默认值)时，监控的是总有功功 率。当REVAPSEL为1时，则监控的是基波有功功率。 有功功率失调校准 PHSIGN寄存器的位 [2:0](分别是CWSIGN、BWSIGN和 AWSIGN)会与REVAPC、REVAPB和REVAPA位同时置1。 这些位指示功率的符号。等于0时，对应功率为正数；等 于1时，对应功率为负数。 ADE7854/ADE7858/ADE7868/ADE7878针对各相和各有功 功 率 内 置 了 一 个 24位 功 率 失 调 寄 存 器 。 AWATTOS、 BWATTOS和CWATTOS寄存器可以补偿总有功功率计算中 的偏移失调，而AFWATTOS、BFWATTOS和CFWATTOS 寄存器可以补偿基波有功功率计算中的失调。这些都是24 位带符号二进制补码寄存器，可用于移除有功功率计算中 的失调。由于PCB上或芯片本身的通道间存在串扰，因此 功率计算中会存在失调。有功功率失调寄存器中的1 LSB相 当于有功功率乘法器输出中的1 LSB。采用满量程电流和电 压输入时，LPF2输出为PMAX = 33,516,139。当输入满量程 −80 dB(有功功率调低104倍)时，有功功率失调寄存器的1 LSB 就表示PMAX会出现0.0298%的误差。 如“电流波形增益寄存器”部分中所述，ADE7854/ADE7858/ ADE7868/ADE7878的串行端口采用32、16或8位字格式， 而DSP采用28位字格式。与图35所示寄存器类似，24位带 符号寄存器AWATTOS、BWATTOS、CWATTOS、AFWATTOS、BFWATTOS和CFWATTOS都是作为32位寄存器来访 问的，其中四个MSB以0填充并通过符号扩展至28位。 当ACCMODE寄存器的位6 (REVAPSEL)所选功率上发生符号 变 化 时 ， STATUS0寄 存 器 的 位 [8:6](分 别 是 REVAPC、 REVAPB和REVAPA)就会置1。 STATUS0寄 存 器 的 位 REVAPx和 PHSIGN寄 存 器 的 位 xWSIGN对 应 于 x相 的 总 有 功 功 率 ， 而 功 率 类 型 则 由 ACCMODE寄存器的位6 (REVAPSEL)来选定。 通 过 将 MASK0寄 存 器 的 位 [8:6]置 1， 可 以 使 能 附 加 到 STATUS0寄存器的位[8:6](分别是REVAPC、REVAPB和 REVAPA)的中断。使能这类中断后，每当发生符号变化 时，IRQ0引脚即会变为低电平，且状态位会置1。为了找 到触发该中断的相位，器件会在读取STATUS0寄存器后马 上读取PHSIGN寄存器。接着，通过写入STATUS0寄存器 并将相应位置1，该状态位将被清除且IRQ0引脚回到高电平。 有功电能计算 如上文所述，功率定义为电能流动的速率，用数学公式表 示即为： 功率 = 有功功率计算的符号 平均有功功率计算是带符号计算。如果电流和电压波形之 间的相位差超过90°，平均功率会变成负数。功率为负表示 电能被返回注入到电网中。ADE78xx内置符号检测电路来 支持有功功率计算。该电流可以监控总有功功率或基波有 功功率。如有功功率计算部分所述，有功功率累计是分两 dEnergy dt (23) 而电能是功率的积分，如下所示： 电能 = ∫ p (t )dt (24) 总有功电能累计和基波有功电能累计始终都是带符号运算。 负电能会从有功电能成分中减去。 Rev. H | Page 49 of 100 ADE7854/ADE7858/ADE7868/ADE7878 HPFDIS [23:0] DIGITAL INTEGRATOR AIGAIN REVAPA BIT IN STATUS0[31:0] IA HPF APHCAL AWGAIN HPFDIS [23:0] AWATTOS AWATTHR[31:0] AVGAIN ACCUMULATOR LPF2 32-BIT REGISTER VA HPF WTHR[47:0] 08510-044 AWATT 24 DIGITAL SIGNAL PROCESSOR 图67. 总有功功率累计 ADE7854/ADE7858/ADE7868/ADE7878分两个阶段实现有 功功率信号的积分处理(见图67)。该过程对于总无功功率 和基波无功功率是相同的。第一阶段是在DSP内完成的： 每隔125 µs(频率为8 kHz)，瞬时相位总或基波有功功率即会 向一个内部寄存器中累加一次。到达阈值时，处理器端口 处即会产生脉冲，并会该内部寄存器中减去该阈值。此刻 电能的符号即被视作有功功率的符号(详情参见“有功功率 计算的符号”部分)。第二阶段是在DSP之外完成的，其操 作包括将处理器产生的脉冲累加到内部32位累计寄存器中。 这类寄存器的内容会在器件访问瓦时寄存器xWATTHR和 xFWATTHR时送入这些瓦时寄存器中。 WTHR[47:0] 其中： PMAX = 33,516,139 = 0x1FF6A6B，即ADC输入为满量程时 计算出的瞬时功率。 fS = 8 kHz，即DSP用于计算瞬时功率的频率。 VFS和IFS分别为ADC输入为满量程时相电压和电流的有效值。 WTHR上可写入的最大值为247 − 1，而最小值为0x0。不过， 建议写入大于或等于PMAX的数值。切不可使用负数。 WTHR是48位寄存器。如“电流波形增益寄存器”部分中所 述，ADE7854/ADE7858/ADE7868/ADE7878的串行端口采 用32、16或8位字格式。如图69所示，WTHR寄存器是作为 两个32位寄存器(WTHR1和WTHR0)来访问的，这两个寄 存器的八个MSB都是以0进行填充。 WTHR[47:0] 47 31 24 23 0000 0000 1 DSP PULSE = 1LSB OF WATTHR[31:0] 图68. DSP内的有功功率累计 图68说明了该过程。阈值包含在48位带符号寄存器WTHR 中，这是由用户设定的，同时适用于所有相位的总有功功 率和基波功率。该值决定瓦时寄存器中1 LSB代表多少电能。 当xWATTHR寄存器中1 LSB相当于10n wh有功电能(其中n为 整数)，那么可以通过下式计算得出xWATTHR寄存器的值： WTHR = PMAX × f S × 3600 × 10 n VFS × I FS (25) 0 24 BIT SIGNED NUMBER WTHR1[31:0] 08510-045 DSP GENERATED PULSES 24 23 0 31 0000 0000 24 23 0 24 BIT SIGNED NUMBER WTHR0[31:0] 08510-046 ACTIVE POWER ACCUMULATION IN DSP 图69. WTHR[47:0]以两个32位寄存器形式通信 这种离散时间累加或相加相当于在连续时间内进行积分处 理，如下文的公式26所示。 ∞  Energy = ∫ p (t )dt = Lim  ∑ p (nT ) × T  T→0 n =0  (26) 其中： n为离散时间采样数。 T为采样周期。 在ADE7854/ADE7858/ADE7868/ADE7878中，各相总有功 功率累加在32位带符号寄存器AWATTHR、BWATTHR和 CWATTHR中，而各相基波总有功功率累加在32位带符号 寄存器AFWATTHR、BFWATTHR和CFWATTHR中。 Rev. H | Page 50 of 100 ADE7854/ADE7858/ADE7868/ADE7878 当有功功率为正值时，有功电能寄存器内容可以滚动增加 至负满量程(0x80000000)，并且值会继续增加。相反，如 果有功功率为负值，则电能寄存器会下溢至正满量程 (0x7FFFFFFF)，并且值会继续减小。 当 其 中 一 个 xWAT THR寄 存 器 的 位 30发 生 变 化 时 ， STATUS0寄存器的位0 (AEHF)会置1，以表示这些寄存器的 其中一个已经半满。如果有功功率为正值，则瓦时寄存器 会在从0x3FFF FFFF递增到0x4000 0000时变为半满。如果有 功功率为负值，则瓦时寄存器会在从0xC000 0000递减至 0xBFFF FFFF时变为半满。类似地，当其中一个xFWATTHR 寄存器的位30发生变化时，STATUS0寄存器的位1 (FAEHF) 会置1，以表示这些寄存器的其中一个已经半满。 通过将MASK0寄存器的位[1:0]置1，可以分别使能FAEHF 和AEHF中断。使能后，每当xWATTHR(对于AEHF中断) 或xFWATTHR(对于FAEHF中断)电能寄存器变为半满时， IRQ0引脚即会变为低电平，且状态位会被置1。通过写入 STATUS0寄存器并将相应位置1，该状态位会被清除且 IRQ0引脚回到逻辑高电平。 通过将LCYCMODE寄存器的位6 (RSTREAD)置1，可以针对 所有瓦时累计寄存器使能“读取并复位”操作，也就是在读 操作之后将寄存器复位至0。 CONSEL 00 01 10 AWATTHR VA × IA VA × IA VA × IA 11 VA × IA BWATTHR VB × IB 0 VB × IB VB = −VA − VC VB × IB VB = −VA CWATTHR VC × IC VC × IC VC × IC VC × IC 根据三相电表服务的具体情况，选择合适的公式来计算有 功功率。美国ANSI C12.10标准定义了电表的不同配置。表 16描述了上述不同配置中要选择的模式。 表16. 电能表配置 ANSI电能表 5S/13S 6S/14S 8S/15S 9S/16S 配置 三线三角形 四线Y形 四线三角形 四线Y形 CONSEL 01 10 11 00 ACCMODE寄存器的位[1:0] (WATTACC[1:0])决定了如何根 据总有功功率和基波有功功率来产生CF频率输出。瓦时累 计寄存器是以带符号格式来累计有功功率的，但频率输出 可以根据WATTACC[1:0]位来以带符号模式或绝对值模式 产生。详情参见“电能频率转换”部分。 线路周期有功功率累计模式 稳定负载下的积分时间 Accumulation寄存器的离散时间采样周期(T)为125 µs(频率为 8 kHz)。当模拟输入端为满量程正弦波信号且功率增益寄存 器设为0x00000时，每个LPF2的平均字值为PMAX = 33,516,139 = 0x1FF6A6B。如果WTHR寄存器阈值设为PMAX电平，这 意味着DSP会每隔125 µs产生一个脉冲，这些脉冲会相加并 存入瓦时寄存器中。 瓦时累计寄存器中可以存储的最大值为231 − 1或0x7FFFFFFF， 一旦超过该值即会发生溢出。积分时间通过下式计算： 时间 = 0x7FFF,FFFF × 125 μs = 74小时33分钟55秒 表15. 瓦时累计寄存器的输入 (27) 电能累计模式 在线路周期电能累计模式下，电能累计与电压通道的过零 事件同步，以便累计整数个半波周期上的有功功率。通过 将整数个线路周期上的有功功率相加，可以将有功功率的 正弦波成分降至0。这样可以消除电能计算上的所有纹波 ，并能够精确累计较短时间内的电能。线路周期电能累计 模式可以极大地简化电能校准，并明显降低校准电表所需 的 时 间 。 在 线 路 周 期 电 能 累 计 模 式 下 ， ADE7854/ ADE7858/ADE7868/ADE7878会在整数个线路周期之后将32 位内部累计寄存器中累计的有功功率送入xWATTHR或 xFWATTHR寄 存 器 ， 如 图 70所 示 。 而 半 波 周 期 数 通 过 LINECYC寄存器进行指定。 每 个 32位 瓦 时 累 计 寄 存 器 (AWATTHR、 BWATTHR、 CWATTHR、AFWATTHR、BFWATTHR和CFWATTHR)中 累 计 的 有 功 功 率 取 决 于 ACCMODE寄 存 器 的 位 5和 位 4(CONSEL位)配置。各种配置如表15所示。 Rev. H | Page 51 of 100 ADE7854/ADE7858/ADE7868/ADE7878 ZXSEL[0] IN LCYCMODE[7:0] 由于此模式下有功功率是在整数个半波周波上进行积分 的，因此正弦波成分会被降至0，从而消除了电能计算中 的所有纹波。因此，使用线路周期累计模式时累计的总电 能为： ZEROCROSSING DETECTION (PHASE A) ZXSEL[1] IN LCYCMODE[7:0] LINECYC[15:0] ZEROCROSSING DETECTION (PHASE B) e= CALIBRATION CONTROL ∞ t k =1 ∫ p (t )dt = nT ∑ Vk I k cos(φk – γk) (28) 其中，nT为累计时间。 ZXSEL[2] IN LCYCMODE[7:0] 请注意，线路周期有功功率累计与有功功率累计采用的是 相同的信号路径。这两种方法的LSB大小相等。 ZEROCROSSING DETECTION (PHASE C) 无功功率计算—仅限ADE7858、ADE7868和ADE7878 ADE7858/ADE7868/ADE7878可以计算各相上的总无功功 率。总无功功率包括电压和电流的所有基波和谐波成分。 另外，ADE7878可以计算基波无功功率，该功率完全由电 压和电流的基波成分决定。 AWATTOS AWGAIN AWATTHR[31:0] ACCUMULATOR WTHR[47:0] 32-BIT REGISTER 08510-147 OUTPUT FROM LPF2 t +nT 图70. 线路周期有功功率累计模式 通过将LCYCMODE寄存器的位0 (LWATT)置1，可以激活线 路周期电能累计模式。检测到LINECYC中设定的半波周期 数之后，整数个半波周期内的电能累计会被写入瓦时累计 寄存器。使用线路周期累计模式时，LCYCMODE寄存器 的位6 (RSTREAD)应该设为逻辑0，因为此模式不支持对瓦 时寄存器执行读取并复位操作。 包含电抗元件(电感或电容)的负载会导致施加的交流电压 和所产生的电流之间出现相位差。与电抗元件相关的功率 称为无功功率，其单位为VAR。无功功率是指电压和电流 信号之一的所有谐波成分发生90°相移时产生的电压和电流 波形。 公式31给出了交流系统中电流通道出现了+90°的相移时， 瞬时无功功率信号的表达式。 ∞ v(t ) = ∑ Vk 2 sin(kωt + φk) 通过设置LCYCMOD寄存器的位[5:3] (ZXSEL[x])，可以在计 算半波周期时分别包含A相、B相和C相过零事件。在计算 过零事件时，可以使用所有三相过零事件的任意组合。校 准期间，过零计数中一次仅应包含一相。 过零事件数是由16位无符号寄存器LINECYC来指定的。 ADE78xx最多可以累计65,535个组合过零事件期间的有功 功率。请注意，内部过零计数器始终处于活动状态。因 此，将LCYCMODE寄存器的位0 (LWATT)置1时，第一个电 能 累 计 结 果 是 不 正 确 的 。 而 在 LWATT位 置 1时 ， 写 入 LINECYC寄存器可以复位过零计数器，从而确保第一个电 能累计结果是正确的。 (29) k =1 ∞ i(t ) = ∑ I k 2 sin(kωt + γk ) (30) k =1 ∞ π i ' (t ) = ∑ I k 2 sin kωt + γ k +  2  k =1 其中，iʹ(t)为所有谐波成分出现90°相移的电流波形。 而瞬时无功功率q(t)可以表示为： 在电能校准周期结束时，STATUS0寄存器的位5 (LENERGY)会被置1。如果使能了MASK0中断屏蔽寄存器中的相 应 屏 蔽 位 ， IRQ0引 脚也会变为低电平有效。通过写入 STATUS0寄存器并将相应位置1，该状态位会被清除且 IRQ0引脚再次变为高电平。 Rev. H | Page 52 of 100 q(t) = v(t) × iʹ(t) (31) ∞ q(t ) = ∑ Vk I k × 2 sin(kωt + φk) × sin(kωt + γk + k =1 ∞ ∑ Vk I m × 2sin(kωt + φk) × sin(mωt + γm + k ,m =1 k ≠m π ) 2 π )+ 2 ADE7854/ADE7858/ADE7868/ADE7878 请注意，q(t)可改写为： { ∞ q(t ) = ∑ Vk I k cos(φk − γk − k =1 ∞ ∑ V kI m k ,m =1 k ≠m π 2 ) − cos(2 kωt + φ + γ + π )} + k k 2 表17. 基波无功功率的建立时间 { π cos[(k – m)ωt + φk − γk − ]− 2 cos[(k + m)ωt + φk + γk + π 2 ]} 63%满量程 375 ms (32) 整数个线路周期(n)内的平均总无功功率通过公式33计算 得出。 Q= ∞ 1 nT π q(t )dt = ∑Vk I k cos(φk – γk − ) ∫ nT 0 2 k =1 (33) ∞ Q = ∑ Vk I k sin(φk – γk) k =1 其中： T是线路周期。 Q称为总无功功率。请注意，总无功功率等于公式32中瞬 时无功功率信号q(t)的直流成分，即： ∞ ∑ Vk I k k =1 sin(φk – γk) 该关系式用于计算ADE7858/ADE7868/ADE7878中各相上 的总无功功率。瞬时无功功率信号是各相中q(t)电压信号 的每个谐波乘以电流信号的对应90°相移谐波而产生的。 ADE7858/ADE7868/ADE7878将瞬时总各相无功功率存储 在AVAR、BVAR和CVAR寄存器中。表达式如下： ∞ xVAR = ∑ Vk k =1 VFS × Ik 1 × sin(φk – γk) × PMAX × 4 I FS 2 表17显示了基波无功功率测量的建立时间，即让功率能够 反映出ADE7878输入端的值所需的时间。 (34) 其中： VFS和IFS分别为ADC输入为满量程时相位电压和电流的有效 值。 PMAX = 33,516,139，即ADC输入为满量程且位于相内时计 算出的瞬时功率。 xVAR波形寄存器可以通过各种串行端口进行访问。详情 参见“波形采样模式”部分。 通过将k = 1代入公式33，即可获得基波无功功率的表达式， 如下所示： FQ = V1I1 sin(φ1 – γ1) ADE7878采用专有算法来计算基波无功功率，该算法需要 使用电网频率和在电压通道中测得的标称电压来初始化计 算函数。如“有功功率计算”部分所述，这些初始化过程是 基波有功和无功功率所共有的。 输入信号 100%满量程 875 ms 无功功率增益校准 通过写入对应相位的24位VARGAIN寄存器之一(AVARGAIN、 BVARGAIN、 CVARGAIN、 AFVARGAIN、 BFVARGAIN或CFVARGAIN)，可以在±100%范围内调整各 相中的平均无功功率。xVARGAIN寄存器位于各相的总无 功功率数据路径中。xFVARGAIN寄存器位于各相的基波 无功功率数据路径中。xVARGAIN寄存器都是带符号的二 进制补码寄存器，且分辨率为2−23/LSB。xVARGAIN寄存器 的函数表达式为： 平均无功功率 = xVARGAIN寄存器   LPF2输出 × 1 +  223   (35) 通过向xVARGAIN寄存器中写入0xC00000，可以将输出缩 小50%，而通过向其中写入0x400000，则可以将输出放大 50%。这些寄存器可以用于校准ADE78xx中各相的无功功 率(或电能)增益。 如“电流波形增益寄存器”部分中所述，ADE7858/ADE7868/ ADE7878的串行端口采用32、16或8位字格式，而DSP采用 28位字格式。与图35所示寄存器类似，24位带符号寄存器 AVARGAIN、BVARGAIN、CVARGAIN、AFVARGAIN、 BFVARGAIN和CFVARGAIN都是作为32位寄存器来访问 的，其中四个MSB以0填充并通过符号扩展至28位。 无功功率失调校准 ADE7858/ADE7868/ADE7878针对各相总无功功率提供了 一个无功功率失调寄存器。AVAROS、BVAROS和CVAROS 寄存器可以补偿总无功功率计算中的偏移失调，而 AFVAROS、BFVAROS和CFVAROS寄存器可以补偿基波无 功功率计算中的偏移失调。这些都是24位带符号二进制补 码寄存器，可用于移除无功功率计算中的失调。由于PCB 上或芯片本身的通道间存在串扰，因此功率计算中会存在 失调。这些失调寄存器的分辨率与有功功率失调寄存器相 同(参见“有功功率失调校准”部分)。 如“电流波形增益寄存器”部分中所述，ADE7858/ADE7868/ ADE7878的串行端口采用32、16或8位字格式，而DSP采用 28位字格式。与图35所示寄存器类似，24位带符号寄存器 AVAROS、BVAROS和CVAROS都是作为32位寄存器来访问 的，其中四个MSB以0填充并通过符号扩展至28位。 Rev. H | Page 53 of 100 ADE7854/ADE7858/ADE7868/ADE7878 无功功率计算的符号 请注意，无功功率计算是带符号计算。表18概述了电压和 电流之间的相位差与对应无功功率计算符号之间的关系。 ADE7858/ADE7868/ADE7878内置符号检测电路来支持无 功功率计算，该电路可以监控总无功功率或基波无功功 率。如“无功电能计算”部分所述，无功电能累计是分两个 阶段执行的。每次在电能累计中的第一阶段结束时检测到 符号变化，即内部累加器的电能累加值达到VARTHR寄存 器阈值之后，就会触发专用中断。各相无功功率的符号可 以 从 PHSIGN寄 存 器 中 读 取 。 ACCMODE寄 存 器 的 位 7 (REVRPSEL)设置所监控的无功功率类型。当REVRPSEL为 0(默认值)时，监控的是总无功功率。当REVRPSEL为1时， 则监控的是基波无功功率。 当ACCMODE寄存器的位7 (REVRPSEL)所选功率上发生符号 变化时，STATUS0寄存器的位[12:10](分别是REVRPC、 REVRPB和REVRPA)就会置1。 PHSIGN寄存器的位[6:4](分别是CVARSIGN、BVARSIGN和 AVARSIGN)会与REVRPC、REVRPB和REVRPA位同时置1。 这些位指示无功功率的符号。等于0时，无功功率为正 数；等于1时，无功功率为负数。 STATUS0寄 存 器 的 位 REVRPx和 PHSIGN寄 存 器 的 位 xVARSIGN对 应 于 x相的总无功功率，而功率类型则由 ACCMODE寄存器的位REVRPSEL来选定。 通 过 设 置 MASK0寄 存 器 的 位 [12:10]， 可 以 分 别 使 能 REVRPC、REVRPB和REVRPA中断。使能这类中断后，每 当发生符号变化时，IRQ0引脚即会变为低电平，且状态位 会 置 1。 为 了 找 到 触 发 该 中 断 的 相 位 ， 器 件 会 在 读 取 STATUS0寄存器后马上读取PHSIGN寄存器。接着，通过 写入STATUS0寄存器并将相应位置1，该状态位会被清除 且IRQ0引脚变为高电平。 1 积分器 关 关 开 开 与有功功率类似，ADE7858/ADE7868/ADE7878分两个阶 段实现无功功率信号的积分处理(见图71)。该过程对于总 无功功率和基波无功功率是相同的。 • 第一阶段是在DSP内完成的：每隔125 µs(频率为8 kHz)， 瞬时相总无功或基波无功功率即会向一个内部寄存器中 累加一次。到达阈值时，处理器端口处即会产生脉冲， 并会从该内部寄存器中减去该阈值。此刻电能的符号即 被视作无功功率的符号(详情参见“无功功率计算的符号” 部分)。 • 第二阶段是在DSP之外完成的，其操作包括将处理器产 生的脉冲累加到内部32位累计寄存器中。这类寄存器的 内容会在器件访问乏时寄存器(xVARHR和xFVARHR)时 送 入 这 些 乏 时 寄 存 器 中 。 AVARHR、 BVARHR、 CVARHR、AFWATTHR、BFWATTHR和CFWATTHR表 示相位基波无功功率。 “有功电能计算”部分的图68说明了该过程。阈值包含在48 位带符号寄存器VARTHR中，由用户设定，该过程对于总 无功功率和基波相位无功功率是相同的。该值取决于乏时 寄存器中1 LSB代表到多少电能。当xVARTHR寄存器中1 LSB 相当于10n varh无功电能(其中n为整数)，那么可以通过下式 计算得出xVARTHR寄存器的值： VARTHR = 无功功率的符号 正 负 正 负 Φ定义为电压信号减去电流信号所得的相位角度；也就是说，如果是感 性负载，Φ为正；如果是容性负载，则为负。 无功电能计算 其中： PMAX = 33,516,139 = 0x1FF6A6B，即ADC输入为满量程时 计算出的瞬时功率。 fS = 8 kHz，即DSP用于计算瞬时功率的频率。 VFS和IFS分别为ADC输入为满量程时相电压和电流的有效值。 VARTHR是48位寄存器。如“电流波形增益寄存器”部分中 所述，ADE7858/ADE7868/ADE7878的串行端口采用32、16 或8位字格式。与图69所示WTHR类似，VARTHR寄存器 是作为两个32位寄存器(VARTHR1和VARTHR0)来访问 的，这两个寄存器的八个MSB都是以0进行填充。 无功电能是无功功率的积分形式。 无功电能 = ∫q(t)dt PMAX × f s × 3600 × 10 n VFS × I FS VARTHR寄存器上可写入的最大值为247 − 1，而最小值为0x0。 不过，建议写入大于或等于PMAX的数值。切不可使用 负数。 表18. 无功功率计算的符号 Φ1 0到+180 −180到0 0到+180 −180到0A 总无功电能累计和基波无功电能累计始终都是带符号运算。 负电能会从无功电能成分中减去。 (36) Rev. H | Page 54 of 100 ADE7854/ADE7858/ADE7868/ADE7878 这种离散时间累加或相加相当于在连续时间内进行积分处 理，如公式37所示。 ∞  无功电能 = ∫ q (t )dt = Lim  ∑ q (nT ) × T  T→0 n=0  当其中一个xVARHR寄存器的位30发生变化时，STATUS0 寄存器的位2 (REHF)会置1，以表示这些寄存器的其中一个 已经半满。如果无功功率为正值，则乏时寄存器会在从 0x3FFF FFFF递增到0x4000 0000时变为半满。如果无功功率 为负值，则乏时寄存器会在从0xC000 0000递减至0xBFFF FFFF 时变为半满。类似地，当其中一个xFVARHR寄存器的位30 发生变化时，STATUS0寄存器的位3 (FREHF)会置1，以表示 这些寄存器的其中一个已经半满。 (37) 其中： n为离散时间采样数。 T为采样周期。 在ADE7858/ADE7868/ADE7878上，相总无功功率是在32位 带符号寄存器AVARHR、BVARHR和CVARHR中进行累加 的 。 而 相 基 波 无 功 功 率 是 在 32位 带 符 号 寄 存 器 AFVARHR、BFVARHR和CFVARHR进行累加的。当无功 功率为正值时，无功电能寄存器内容可以滚动增加至负满 量程(0x80000000)，并且值会继续增加。相反，如果无功 功率为负值，则电能寄存器会下溢至正满量程 (0x7FFFFFFF)，并且值会继续减小。 通过将LCYCMODE寄存器的位6 (RSTREAD)置1，可以针对 所有乏时累计寄存器使能“读取并复位”操作，也就是在读 操作之后将寄存器复位至0。 DIGITAL INTEGRATOR AIGAIN AVARGAIN REVRPA BIT IN STATUS0[31:0] IA AVAROS HPF APHCAL HPFDIS [23:0] AVGAIN AVARHR[31:0] TOTAL REACTIVE POWER ALGORITHM ACCUMULATOR VA VARTHR[47:0] HPF 32-BIT REGISTER AVAR 24 DIGITAL SIGNAL PROCESSOR 图71. 总无功电能累计 Rev. H | Page 55 of 100 08510-245 HPFDIS [23:0] 通过设置MASK0寄存器的位[3:2]，可以分别使能FREHF和 REHF中断。使能后，每当xVARHR(对于REHF中断)或 xFVARHR(对于FREHF中断)电能寄存器变为半满时，IRQ0 引 脚 即 会 变 为 低 电 平 ， 且 状 态 位 会 被 置 1。 通 过 写 入 STATUS0寄存器并将相应位置1，该状态位会被清除且 IRQ0引脚变为高电平。 ADE7854/ADE7858/ADE7868/ADE7878 稳定负载下的积分时间 Accumulation寄存器的离散时间采样周期(T)为125 µs(频率为 8 kHz)。当模拟输入采用满量程纯正弦波信号且电压和电流 信号之间存在90°相位差(无功功率最大可能值)时，表示无 功功率的平均字值为PMAX = 33,516,139 = 0x1FF6A6B。如 果VARTH阈值设为PMAX电平，这意味着DSP会每隔125 µs 产生一个脉冲，这些脉冲会相加并存入乏时寄存器中。 乏时累计寄存器中可以存储的最大值为231 − 1或0x7FFFFFFF， 一旦超过该值即会发生下溢。积分时间通过下式计算： (38) 电能累计模式 各32位乏时累计寄存器(AVARHR、BVARHR、CVARHR、 AFVARHR、BFVARHR和CFVARHR)中累计的无功功率取 决于ACCMODE寄存器的位[5:4] (CONSEL[1:0])与瓦时寄存 器 相 关 的 配 置 ， 各 种 不 同 配 置 如 表 19所 示 。 请 注 意 ， IA’/IB’/IC’都是相移电流波形。 表19. 乏时累计寄存器的输入 CONSEL[1:0] 00 01 10 AVARHR, AFVARHR VA × IA’ VA × IA’ VA × IA’ 11 VA × IA’ BVARHR, BFVARHR VB × IB’ 0 VB × IB’ VB = −VA − VC VB × IB’ VB = −VA CVARHR, CFVARHR VC × IC’ VC × IC’ VC × IC’ VC × IC’ 通过将LCYCMODE寄存器的位1 (LVAR)置1，可以激活线路 周期无功电能累计模式。当检测到的过零事件数量达到 LINECYC寄存器中指定的数值之后，器件会将整数个半波 周期或过零事件内累计的总无功电能送入Var-hour accumulation寄存器。使用线路周期累计模式时，LCYCMODE寄 存器的位6 (RSTREAD)应该设为逻辑0，因为此模式不支持对 乏时寄存器执行读取并复位操作。 ZXSEL[0] IN LCYCMODE[7:0] ZEROCROSSING DETECTION (PHASE A) ZXSEL[1] IN LCYCMODE[7:0] LINECYC[15:0] ZEROCROSSING DETECTION (PHASE B) CALIBRATION CONTROL ZXSEL[2] IN LCYCMODE[7:0] ZEROCROSSING DETECTION (PHASE C) AVAROS ACCMODE寄存器的位[3:2] (VARACC[1:0])决定如何根据总 无功功率和基波无功功率来产生CF频率输出。乏时累计寄 存器是以带符号格式来累计无功功率的，但频率输出可以 根据VARACC[1:0]位来以带符号模式或符号调整模式产生。 详情参见“电能频率转换”部分。 线路周期无功电能累计模式 如“线路周期有功电能累计模式”部分所述，在线路周期电 能累计模式下，电能累计可以与电压通道过零事件同步， 从而可以累计整数个半波周期内的无功电能。 AVARGAIN OUTPUT FROM TOTAL REACTIVE POWER ALGORITHM AVARHR[31:0] ACCUMULATOR VARTHR[47:0] 32-BIT REGISTER 08510-146 时间 = 0x7FFF,FFFF × 125 μs = 74小时33分钟55秒 在此模式下，ADE7858/ADE7868/ADE7878会在整数个线 路周期之后将32位内部累计寄存器中累计的无功电能送入 xVARHR或xFVARHR寄存器，如图72所示。而半波周期数 通过LINECYC寄存器进行指定。 图72. 线路周期总无功电能累计模式 通过设置LCYCMOD寄存器的位[5:3] (ZXSEL[x])，可以在计 算半波周期时分别包含A相、B相和C相过零事件。在计算 过零事件时，可以使用所有三相过零事件的任意组合。校 准期间，过零计数中一次仅应包含一相。 有 关 线 路 周 期 累 计 模 式 下 如 何 设 置 LINECYC寄 存 器 和 MASK0中断屏蔽寄存器的位5 (LENERGY)的更多信息，请参 见“线路周期有功电能累计模式”部分。 Rev. H | Page 56 of 100 ADE7854/ADE7858/ADE7868/ADE7878 ADE7854/ADE7858/ADE7868/ADE7878将瞬时各相视在功 率存储在AVA、BVA和CVA寄存器中。表达式如下： 视在功率计算 视在功率定义为最大负载功率。获取视在功率的一种方法 是将电压有效值乘以电流有效值(也称为算术视在功率)。 S = V rms × I rms xVA = (39) 其中： S为视在功率。 V rms和I rms分别是电压和电流有效值。 ADE7854/ADE7858/ADE7868/ADE7878可以计算各相上的 算术视在功率。图73显示了ADE78xx上各相计算视在功率 时的信号处理。由于V rms和I rms包含所有谐波信息，因此 ADE78xx计算的视在功率为总视在功率。ADE7878并不测 量基波电压和电流的有效值，因此也不会计算基波视在 功率。 AIRMS V I 1 × × PMAX × 4 VFS I FS 2 其中： V和I分别是相位电压和电流的有效值。 VFS和IFS分别为ADC输入为满量程时相位电压和电流的有效 值。 PMAX = 33,516,139，即ADC输入为满量程且位于相内时计 算出的瞬时功率。 xVA[23:0]波形寄存器可以通过各种串行端口进行访问。详 情参见“波形采样模式”部分。 此外，ADE7854/ADE7858/ADE7868/ADE7878还可以通过 将相位有效值电流与外部引入的有效值电压相乘，来计算 视在功率。详情参见“使用VNOM计算视在功率”部分。 AVAGAIN AVAHR[31:0] ACCUMULATOR VATHR[47:0] AVRMS 24 DIGITAL SIGNAL PROCESSOR 图73. 视在功率数据流和视在电能累计 Rev. H | Page 57 of 100 32-BIT REGISTER 08510-048 AVA (40) ADE7854/ADE7858/ADE7868/ADE7878 视在功率增益校准 通过写入对应相位的24位VAGAIN寄存器之一(AVAGAIN、 BVAGAIN或CVAGAIN)，可以在±100%范围内调整各相中 产生的平均视在功率。VAGAIN寄存器都是带符号的二进 制补码寄存器，且分辨率为2−23/LSB。xVAGAIN寄存器的 函数数学表达式为： 如“电流波形增益寄存器”中所述，ADE78xx的串行端口 采用32、16或8位字格式。与图36所示寄存器类似，24位 带符号寄存器VNOM是作为32位寄存器来访问的，其中八 个MSB以0填充。 视在电能计算 视在电能是视在功率的积分形式。 平均视在功率 = VAGAIN寄存器   V rms × I rms × 1 +  2 23   (41) 通过向xVAGAIN寄存器中写入0xC00000，可以将输出缩小 50%，而通过向其中写入0x400000，则可以将输出放大50%。 在ADE7854/ADE7858/ADE7868/ADE7878中，这些寄存器 用于校准各相中的视在功率(或电能)计算。 如“电流波形增益寄存器”部分中所述，ADE78xx的串行端 口采用32、16或8位字格式，而DSP采用28位字格式。与图 35所示的寄存器类似，24位寄存器AVAGAIN、BVAGAIN 和CVAGAIN都是作为32位寄存器来访问的，其中四个MSB 以0填充并通过符号扩展至28位。 视在功率失调校准 每个有效值测量均包含失调补偿寄存器，用于校准并消除 有效值中的直流成分(参见“有效值测量”部分)。在视在功 率信号处理中，电压和电流有效值会相乘。由于有效值相 乘并不会产生任何额外失调，因此视在功率信号处理中无 需专用的失调补偿。各相视在功率测量的失调补偿是通过 校准各个有效值测量来实现的。 使用VNOM计算视在功率 ADE7854/ADE7858/ADE7868/ADE7878可以通过将电流有 效值与24位带符号寄存器中外部引入的有效值电压相乘， 来计算视在功率。 当 COMPMODE寄 存 器 的 位 [13:11](VNOMCEN、 VNOMBEN或VNOMAEN)之一置1时，即会通过此方式计 算对应相位(VNOMxEN所对应的x相)上的视在功率。当 VNOMxEN位清0(默认值)时，则计算的是算术视在功率。 VNOM寄存器的值取决于V(所需电压有效值)和VFS(ADC输 入为满量程时的相电压有效值)： V VNOM = × 4,191,910 VFS 其中，V为所需的标称相电压有效值。 (42) 视在电能 = ∫s(t)dt (43) 与有功和无功功率类似，ADE7854/ADE7858/ADE7868/ ADE7878分两个阶段实现视在功率信号的积分处理(见图 73)。第一阶段是在DSP内完成的：每隔125 µs(频率为8 kHz)， 瞬时相位视在功率即会向一个内部寄存器中累加一次。到 达阈值时，处理器端口处即会产生脉冲，并会从该内部寄 存器中减去该阈值。第二阶段是在DSP之外完成的，其操 作包括将处理器产生的脉冲累加到内部32位累计寄存器中。 这类寄存器的内容会在器件访问VA时寄存器(xVAHR)时送 入这些寄存器中。“有功电能计算”部分的图68说明了该过 程。阈值包含在48位带符号寄存器VATHR中，其值决定 VA时寄存器中1 LSB代表的电能多少。当xVATHR寄存器中 1 LSB相当于10n VAh视在电能(其中n为整数)，那么可以通 过下式计算得出xVATHR寄存器的值： VATHR = PMAX × f s × 3600 × 10 n VFS × I FS 其中： PMAX = 33,516,139 = 0x1FF6A6B，即ADC输入为满量程时 计算出的瞬时功率。 fS = 8 kHz，即DSP用于计算瞬时功率的频率。 VFS和IFS分别为ADC输入为满量程时相电压和电流的有效值。 VATHR是48位寄存器。如“电流波形增益寄存器”部分中所 述，ADE7854/ADE7858/ADE7868/ADE7878的串行端口采 用32、16或8位字格式。与图69所示WTHR类似，VATHR 寄存器是作为两个32位寄存器(VATHR1和VATHR0)来访问 的，这两个寄存器的八个MSB都是以0进行填充。 这种离散时间累加或相加相当于在连续时间内进行积分处 理，如下文的公式44所示。 ∞  视在功率 = ∫ s (t )dt = Lim  ∑ s (nT ) × T  T→0 n =0  其中： n为离散时间采样数。 T为采样周期。 Rev. H | Page 58 of 100 (44) ADE7854/ADE7858/ADE7868/ADE7878 在ADE7854/ADE7858/ADE7868/ADE7878上，各相视在功 率是在32位带符号寄存器AVAHR、BVAHR和CVAHR中进 行累加的。当视在功率为正值时，视在电能寄存器内容可 以滚动增加至负满量程(0x80000000)，并且值会继续增加。 xVAHR累计寄存器中可以存储的最大值为231 − 1或0x7FFFFFFF， 一旦超过该值即会发生下溢。积分时间通过下式计算： 当其中一个xVAHR寄存器的位30发生变化时，STATUS0寄 存器的位4 (VAEHF)会置1，以表示这些寄存器的其中一个已 经半满。由于视在功率始终为正值且xVAHR寄存器带有符 号，因此当从0x3FFFFFFF递增至0x4000 0000时，VA时寄存 器会变为半满。通过设置MASK0寄存器的位4，可以使能 STATUS0寄存器的位VAEHF所附带的中断。使能后，每当 其中一个xVAHR电能寄存器变为半满时，IRQ0引脚即会变 为低电平，且状态位会置1。通过写入STATUS0寄存器并 将相应位置1，该状态位会被清除且IRQ0引脚变为高电平。 各累计寄存器中累计的视在功率取决于ACCMODE寄存器 的位[5:4] (CONSEL[1:0])的配置，各种配置如表20所示。 时间 = 0x7FFF,FFFF × 125 μs = 74小时33分钟55秒 电能累计模式 表20. VA时累计寄存器的输入 通过将LCYCMODE寄存器的位6 (RSTREAD)置1，可以针对 所有xVAHR累计寄存器使能“读取并复位”操作，也就是在 读操作之后将寄存器复位至0。 CONSEL[1:0] 00 01 10 AVAHR AVRMS × AIRMS AVRMS × AIRMS AVRMS × AIRMS 11 AVRMS × AIRMS BVAHR BVRMS × BIRMS 0 BVRMS × BIRMS VB = −VA − VC BVRMS × BIRMS VB = −VA CVAHR CVRMS × CIRMS CVRMS × CIRMS CVRMS × CIRMS CVRMS × CIRMS 线路周期视在电能累计模式 如“线路周期有功电能累计模式”部分所述，在线路周期电 能累计模式下，电能累计可以与电压通道过零事件同步， 从而可以累计整数个半波周期内的视在电能。在此模式下， ADE7854/ADE7858/ADE7868/ADE7878会在整数个线路周 期 之 后 将 32位 内 部 累 计 寄 存 器 中 累 计 的 视 在 电 能 送 入 xVAHR寄存器，如图74所示。而半波周期数通过LINECYC 寄存器进行指定。 稳定负载下的积分时间 累计寄存器的离散时间采样周期为125 μs(频率为8 kHz)。当 模拟输入采用满量程纯正弦波信号时，表示视在功率的平 均字值为PMAX。如果VATHR阈值寄存器设为PMAX电平， 这意味着DSP会每隔125 μs产生一个脉冲，这些脉冲会相加 并存入xVAHR阈值寄存器中。 ZXSEL[0] IN LCYCMODE[7:0] ZEROCROSSING DETECTION (PHASE A) ZXSEL[1] IN LCYCMODE[7:0] LINECYC[15:0] ZEROCROSSING DETECTION (PHASE B) CALIBRATION CONTROL ZXSEL[2] IN LCYCMODE[7:0] ZEROCROSSING DETECTION (PHASE C) AVAGAIN AVAHR[31:0] ACCUMULATOR VAHR[47:0] AVRMS 图74. 线路周期视在电能累计模式 Rev. H | Page 59 of 100 32-BIT REGISTER 08510-049 AIRMS (45) ADE7854/ADE7858/ADE7868/ADE7878 通过将LCYCMODE寄存器的位2 (LVA)置1，可以激活路周期 视在电能累计模式。当检测到的过零事件数量达到 LINECYC寄存器中指定的数值之后，器件会将整数个过零 事件内累计的视在电能送入xVAHR累计寄存器。使用线路 周期累计模式时，LCYCMODE寄存器的位6 (RSTREAD)应该 设为逻辑0，因为此模式不支持对xVAHR寄存器执行读取 并复位操作。 通过设置LCYCMOD寄存器的位[5:3] (ZXSEL[x])，可以在计 算半波周期时分别包含A相、B相和C相过零事件。在计算 过零事件时，可以使用所有三相过零事件的任意组合。校 准期间，过零计数中一次仅应包含一相。 有 关 线 路 周 期 累 计 模 式 下 如 何 设 置 LINECYC寄 存 器 和 MASK0中断屏蔽寄存器的位5 (LENERGY)的更多信息，请 参见“线路周期有功电能累计模式”部分。 波形采样模式 ADE7854/ADE7858/ADE7868/ADE7878会每隔125 µs(速率为 8 kHz)向24位带符号寄存器中存入一次电流和电压波形采样 数据(即有功/无功/视在功率输出)，并且这些寄存器可以通 过各种串行端口进行访问。表21列出了相关寄存器及其 描述。 表21. 波形寄存器列表 寄存器 IAWV VAWV IBWV VBWV ICWV VCWV INWV AVA BVA CVA AWATT BWATT CWATT AVAR BVAR CVAR 说明 A相电流 A相电压 B相电流 B相电压 C相电流 C相电压 零线电流，仅存在于ADE7868和ADE7878。 A相视在功率 B相视在功率 C相视在功率 A相有功功率 B相有功功率 C相有功功率 A相无功功率 B相无功功率 C相无功功率 STATUS0寄存器的位17 (DREADY)用于表示何时可使用I2C或 SPI串行端口来读取表21中列出的寄存器。通过将MASK0寄存 器的位17 (DREADY)置1，可以使能附加到此标志的中断。有 关位DREADY的更多信息，请参见“数字信号处理器”部分。 ADE7854/ADE7858/ADE7868/ADE7878都内置一个专门设 计的高速数据采集(HSDC)端口，可以快速访问波形采样寄 存器。详情参见“HSDC接口”部分。 如“电流波形增益寄存器”部分中所述，ADE7854/ADE7858/ ADE7868/ADE7878的串行端口采用32、16或8位字格式。 表21中列出的所有寄存器都通过符号从24位扩展至32位(见 图37)。 电能频率转换 ADE7854/ADE7858/ADE7868/ADE7878提供了三个频率输 出引脚：CF1、CF2和CF3。CF3引脚可以和HSDC接口的 HSCLK引脚复用。使能HSDC时，即会禁用该引脚的CF3 功能。CF1和CF2引脚始终处于可用状态。经过出厂时的初 始校准之后，制造商或最终客户需要检验电表校准。检验 电表校准的一种简单方法是在稳定负载条件下提供与有功、 无功或视在功率成正比的输出频率。这类输出频率可以为 外部校准设备提供简单的单线光隔离接口。图75显示了 ADE7854/ADE7858/ADE7868/ADE7878中的电能频率转换。 DSP会计算所有相功率的瞬时值：总有功功率、基波有功 功率、总无功功率、基波无功功率和视在功率。电能会以 带符号形式在各种xWATTHR、xVARHR和xVAHR寄存器 中进行累加，具体过程已经在有功电能计算、无功电能计 算和视在电能计算等部分中进行了介绍。在电能频率转换 过程中，瞬时功率会在频率输出引脚(CF1、CF2和CF3)处 产生信号。每个CFx引脚对应一个数字频率转换器。各转 换器会将某些相功率相加，并产生与该和成正比的脉冲信 号。所转换的具体功率取决于两组寄存器位。 首先，COMPMODE寄存器的位[2:0] (TERMSEL1[2:0])、位 [5:3] (TERMSEL2[2:0])和位[8:6] (TERMSEL3[2:0])决定要相 加的相位或相位组合。 TERMSEL1位对应于CF1引脚，TERMSEL2位对应于CF2引 脚，而TERMSEL3位则对应于CF3引脚。TERMSELx[0]位管 理A相。置1时，CFx转换器会在功率之和中包含A相功 率。清0时，则不包含A相功率。TERMSELx[1]位管理B 相，而TERMSELx[2]位管理C相。所有TERMSELx位全部置 1时 ， 意 味 着 CFx转 换 器 会 将 所 有 三 相 功 率 相 加 。 所 有 TERMSELx位全部清0时，则意味着不将任何相功率相加， 也不产生任何CF脉冲。 Rev. H | Page 60 of 100 ADE7854/ADE7858/ADE7868/ADE7878 表22. CFxSEL位功能描述 其次，CFMODE寄存器的位[2:0] (CF1SEL[2:0])、位[5:3] (CF2SEL[2:0])和位[8:6] (CF3SEL[2:0])分别决定CF1、CF2和 CF3转换器中使用的功率类型。表22显示了CFxSEL可能具 备的值：总有功功率、总无功功率(仅适用于ADE7858、 ADE7868和ADE7878)、视在功率、基波有功功率(仅适用 于ADE7878)或基波无功功率(仅适用于ADE7878)。 CFxLATCH = 1时 说明 锁存的寄存器 CFx信号与总相位有功功率之和 AWATTHR, BWATTHR, 成正比 CWATTHR CFx信号与总相位无功功率之和 AVARHR, BVARHR, CVARHR 成正比(ADE7858/ADE7868/ ADE7878) CFx信号与相位视在功率之和成 AVAHR, BVAHR, CVAHR 正比 CFx信号与基波相位有功功率之 AFWATTHR, BFWATTHR, 和成正比(仅限ADE7878) CFWATTHR CFx信号与基波相位无功功率之 AFVARHR, BFVARHR, 和成正比(仅限ADE7878) CFVARHR 保留 CFxSEL 000 001 010 011 100 101至 111 INSTANTANEOUS PHASE A ACTIVE POWER CFxSEL BITS IN CFMODE TERMSELx BITS IN COMPMODE VA INSTANTANEOUS PHASE B ACTIVE POWER WATT INSTANTANEOUS PHASE C ACTIVE POWER FWATT1 27 ACCUMULATOR VAR REVPSUMx BIT OF STATUS0[31:0] FREQUENCY DIVIDER CFx PULSE OUTPUT WTHR[47:0] FVAR1 CFxDEN DIGITAL SIGNAL PROCESSOR 08510-050 27 1FWATT AND FVAR FOR ADE7878 ONLY. 图75. 电能频率转换 Rev. H | Page 61 of 100 ADE7854/ADE7858/ADE7868/ADE7878 与电能累计过程类似，电能频率转换是分两个阶段完成 的。在第一阶段中，器件以8 kHz的速率从DSP获取瞬时相 位功率并向左移7位，然后以1 MHz的速率累加到一个内部 寄存器中。到达阈值时，器件即会产生脉冲，并会该内部 寄存器中减去该阈值。此刻电能的符号即被视作相功率之 和的符号(详情参见“CFx数据路径中相功率之和的符号”部 分)。除了向左移7位之外，该阈值与DSP中各种有功/无功/ 视在电能累加器(如WTHR、VARTHR或VATHR)中使用的 阈值相同。以1 MHz的速率累计瞬时功率具有一项好处， 那就是可以显著减少CFx引脚上的纹波。 第二阶段包括由16位无符号寄存器CFxDEN构成的分频 器。CFxDEN的值取决于电表常数(MC)(以impulses/kWh为 单位)和各电能寄存器中1 LSB所代表到的电能量：xWATTHR 和xVARHR等等。假设xWATTHR寄存器的1 LSB相当于10n wh (其中n为正负整数)，那么，CFxDEN可通过下式计算： CFx PIN 图76. CFx引脚推荐连接方式 CFMODE寄存器的位[11:9](CF3DIS、CF2DIS和CF1DIS)决 定频率转换器输出是否在CF3、CF2或CF1引脚上产生脉冲。 at 当CFxDIS位置1(默认值)时，将禁用CFx引脚且该引脚会保 持高电平。当CFxDIS位清0时，对应的CFx引脚输出会产生 低电平有效的脉冲信号。 中断屏蔽寄存器MASK0的位[16:14](CF3、CF2、CF1)可管 理与CF3、CF2和CF1相关的中断。当CFx位均被置1时，只 要对应的频率转换器输出发生高电平至低电平转换，即会 触发中断IRQ0且STATUS0寄存器的状态位会被置1。即使 未通过CFMODE寄存器的CFxDIS位使能CFx输出，也可使 用该中断。 使电能寄存器与CFx输出同步 (46) 选择10n wh时，必须确保CFxDEN寄存器内容大于1。如果 CFxDEN = 1，那么CFx引脚仅会在1 μs内保持低电平有效。 因此，请避免此数值。频率转换器不支持小数结果；分频 结果必须四舍五入到最接近的整数。如果CFxDEN等于0， 那么ADE78xx会将其视为1。 如果脉冲周期大于160 ms (6.25 Hz)，那么所有数字频率转换 器的脉冲输出会在80 ms内保持低电平。如果脉冲周期小于 160 ms且CFxDEN为偶数，则脉冲输出的占空比正好为50%。 如果脉冲周期小于160 ms且CFxDEN为奇数，则脉冲输出的 占空比为： (1+1/CFxDEN) × 50% VDD ADE7854/ADE7858/ADE7868/ADE7878内置一项功能，可 以使得各相电能累计寄存器的内容与CFx脉冲的产生实现 同步。一旦频率转换器上发生高电平至低电平转换，器件 a 即会在CFx引脚输出功率时，读取与该功率相关的所有内 部各相电能寄存器并将其内容锁存至小时寄存器，然后将 这些电能寄存器复位至0。表22列出了将锁存的寄存器与 CFMODE寄存器的位CFxSEL[2:0]之间的关系。无论COMPMODE寄存器的位TERMSELx设置如何，均会锁存所有3 相寄存器。图77显示了CF1SEL[2:0] = 010(CF1引脚提供视在功 率)且CFCYC = 2时的情况。 8位无符号寄存器CFCYC包含两次连续锁存之间频率转换 器输出端发生的高电平至低电平转换次数。当任意CFx引 脚处正在进行高电平至低电平转换时，请避免向CFCYC寄 存器中输入新值。 CF1 PULSE BASED ON PHASE A AND PHASE B APPARENT POWERS CFCYC = 2 AVAHR, BVAHR, CVAHR LATCHED ENERGY REGISTERS RESET AVAHR, BVAHR, CVAHR LATCHED ENERGY REGISTERS RESET 08510-052 103 CFxDEN = MC[imp/kwh] × 10n 脉冲输出为低电平有效且最好连接到LED，如图76所示。 08510-051 默 认 情 况 下 ， TERMSELx位 为 全 1， CF1SEL位 为 000， CF2SEL位为001，而CF3SEL位为010。这意味着默认情况 下，CF1数字频率转换器会产生与全部三相总有功功率之 和成正比的信号，CF2会产生与总无功功率成正比的信 号，而CF3会产生与视在功率成正比的信号。 图77. 使AVAHR和BVAHR与CF1同步 当CFMODE寄存器的位[14:12](CF3LATCH、CF2LATCH和 CF1LATCH)全部置1时，可以使能该过程。而当这些位清 0(默认状态)时，则不会发生锁存。即使未通过CFMODE寄 存器的位CFxDIS使能CFx输出，也可以使用该过程。 Rev. H | Page 62 of 100 ADE7854/ADE7858/ADE7868/ADE7878 各种累计模式的CF输出 ACCMODE寄存器的位[1:0] (WATTACC[1:0])决定了当在CFx 引脚处选择与有功功率成正比的信号(CFMODE寄存器的 位CFxSEL[2:0]等于000或011)时，总有功功率和基波功率的 累计模式。当WATTACC[1:0] = 00(默认值)，器件首先以带 符号形式累计有功功率，然后再送入电能频率转换器。图 78显示了有功功率带符号累计模式的工作原理。在此模式 下，由于两个数据路径中都以带符号形式累计功率，因此 CFx脉冲与xWATTHR寄存器中累计的有功电能完全同步。 ACTIVE ENERGY NO-LOAD THRESHOLD ACTIVE POWER NO-LOAD THRESHOLD REVAPx BIT IN STATUS0 ACTIVE ENERGY APNOLOAD SIGN = POSITIVE NO-LOAD THRESHOLD POS NEG POS NEG 08510-054 xWSIGN BIT IN PHSIGN 图79. 有功功率绝对值累计模式 ACTIVE POWER NO-LOAD THRESHOLD REACTIVE ENERGY REVAPx BIT IN STATUS0 xWSIGN BIT IN PHSIGN NEG POS NEG NO-LOAD THRESHOLD REACTIVE POWER 图78. 有功功率带符号累计模式 当WATTACC[1:0] = 11时，器件以绝对值模式累计有功功率。 当功率为负值时，器件会改变功率符号并将其与正功率一 起累计。图79显示了有功功率绝对值累计模式的工作原 理。请注意，在此模式下，尽管CFx脉冲是根据绝对值累 计模式来产生的，但是xWATTHR寄存器仍旧是采用带符 号模式来累计有功功率的。 WATTACC[1:0]的 01和 10为 保 留 设 置 ， 这 些 设 置 下 ， ADE7854/ADE7858/ADE7868/ADE7878的行为与WATTACC [1:0] = 00时完全相同。 ACCMODE寄存器的位[3:2] (VARACC[1:0])决定了当在CFx 引脚处选择与无功功率成正比的信号(CFMODE寄存器的 位CFxSEL[2:0]等于001或100)时，总无功功率和基波无功功 率的累计模式。当VARACC[1:0] = 00(默认值)，器件首先以 带符号形式累计无功功率，然后再送入电能频率转换器。 图80显示了无功功率带符号累计模式的工作原理。在此模 式下，由于两个数据路径中都以带符号形式累计功率，因 此CFx脉冲与xVARHR寄存器中累计的无功电能完全同步。 NO-LOAD THRESHOLD REVRPx BIT IN STATUS0 xVARSIGN BIT IN PHSIGN VARNOLOAD SIGN = POSITIVE POS NEG POS NEG 08510-153 POS 08510-053 APNOLOAD SIGN = POSITIVE 图80. 无功功率带符号累计模式 当VARACC[1:0] = 10时，器件根据对应有功功率的符号来累 计无功功率。如果有功功率为正值，则器件以原样来累计 无功功率。如果有功功率为负值，则器件会改变无功功率 的符号，然后再进行累计。图81显示了无功功率符号调整 累计模式的工作原理。在此模式下，尽管CFx脉冲是根据 符号调整累计模式来产生的，但是xVARHR寄存器仍旧是 采用带符号模式来累计无功功率的。 VARACC[1:0]的 01和 11为 保 留 设 置 ， 这 些 设 置 下 ， ADE7854/ADE7858/ADE7868/ADE7878的行为与VARACC [1:0] = 00时完全相同。 Rev. H | Page 63 of 100 ADE7854/ADE7858/ADE7868/ADE7878 空载条件 NO-LOAD THRESHOLD 在计量设备标准中，空载条件定义为电表上存在电压、但 电路中没有电流的情况。为消除电表中的爬电效应， ADE7854/ADE7858/ADE7868/ADE7878内置三个独立的空 载 检 测 电 路 ： 一 个 与 总 有 功 和 无 功 功 率 关 联 (仅 限 ADE7858/ADE7868/ADE7878)，一个与基波有功和无功功 率关联(仅限ADE7878)，一个与视在功率关联。 NO-LOAD THRESHOLD 基于总有功/无功功率的空载检测 REACTIVE ENERGY NO-LOAD THRESHOLD REACTIVE POWER ACTIVE POWER REVRPx BIT IN STATUS0 VARNOLOAD SIGN = POSITIVE POS NEG POS 08510-155 xVARSIGN BIT IN PHSIGN 图81. 无功功率符号调整累计模式 CFx数据路径中相功率之和的符号 ADE7854/ADE7858/ADE7868/ADE7878内置符号检测电路， 可以检测CFx数据路径中所用相功率之和的符号。如“电能 频率转换”部分的开头所述，CFx数据路径中的电能累计是 分两个阶段完成的。每次在电能累计中的第一阶段结束时 检测到符号变化，即内部累加器的电能累加值达到WTHR、 VARTHR或VATHR寄存器阈值之后，就会触发专用中断并 会同步产生相应的CFx脉冲。各功率之和的符号可以从 PHSIGN寄存器中读取。 当CF3、CF2或CF1数据路径中功率之和的符号发生变化 时，STATUS0寄存器的位18、位13和位9(分别是REVPSUM3、REVPSUM2和REVPSUM1)会被置1。为将这些事件 与CFx引脚处产生的脉冲关联，发生符号变化之后，器件 会在CF3、CF2和CF1引脚发生高电平至低电平转换的同 时，分别设置位REVPSUM3、位REVPSUM2和位REVPSUM1。 在设置位REVPSUM3、位REVPSUM2和位REVPSUM1的同 时，器件还会设置PHSIGN寄存器的位8、位7和位3(分别是 SUM3SIGN、SUM2SIGN和SUM1SIGN)，以指示相功率之 和的符号。清0时，和为正值；置1时，和为负值。 通过设置MASK0寄存器的位18、位13和位9，可以使能附 加 到 STATUS0寄 存 器 位 18、 位 13和 位 9(分 别 是 REVPSUM3、REVPSUM2和REVPSUM1)的中断。使能这类中断 后，每当发生符号变化时，IRQ0引脚即会变为低电平，且 状态位会置1。为了找到触发该中断的相位，器件会在读 取STATUS0寄存器后马上读取PHSIGN寄存器。接着，器 件会写入STATUS0寄存器并将相应位置1，从而将该状态 位清0并使IRQ0引脚再次变为高电平。 当相位总有功/无功功率的绝对值都小于或等于24位带符号 寄存器APNOLOAD和VARNOLOAD中给出的正阈值时， 即会触发该空载条件。这种情况下，器件不会累计该相的 总有功/无功电能，也不会根据这些电能产生CFx脉冲。 APNOLOAD寄存器表示有功功率相对于PMAX的正向空载 电平，其中PMAX是ADC输入端采用满量程电压和电流时 获得的最大有功功率。VARNOLOAD寄存器表示无功功率 相对于PMAX的正向空载电平。24位带符号APNOLOAD值 通过以下表达式计算： APNOLOAD = Vn I NOLOAD × × PMAX VFS I FS (47) 其中： PMAX = 33,516,139 = 0x1FF6A6B，即ADC输入为满量程时 计算出的瞬时功率。 VFS和IFS分别为ADC输入为满量程时相电压和电流的有效值。 Vn为相电压的有效标称值。 INOLOAD为电表开始测量时相电流的最小有效值。 VARNOLOAD寄 存 器 的 值 通 常 与 APNOLOAD寄 存 器 相 同。APNOLOAD和VARNOLOAD为负值时，空载检测电 路不可用。 请注意，ADE7854仅可测量总有功功率。为确保ADE7854 空 载 电 路 正 常 工 作 ， 请 将 VARNOLOAD寄 存 器 设 为 0x800000。 如“电流波形增益寄存器”部分中所述，ADE78xx的串行端 口采用32、16或8位字格式，而DSP采用28位字格式。24位 带符号寄存器APNOLOAD和VARNOLOAD是作为32位寄 存器访问的，其中四个MSB以0填充并通过符号扩展至28 位。详情参见图35。 当三相中有一相触发该空载条件时，STATUS1寄存器的位 0 (NLOAD)会置1。PHNOLOAD寄存器的位[2:0] (NLPHASE[2:0]) 可指示所有相位相对于空载条件的状态，并会与STATUS1 寄存器的位NLOAD同时进行设置。NLPHASE[0]指示A相 的状态；NLPHASE[1]指示B相的状态；而NLPHASE[2]指 示C相的状态。当位NLPHASE[x]清0时，即意味着对应相 位并未处于空载条件。置1时，则意味着对应相位处于空 载条件。 Rev. H | Page 64 of 100 ADE7854/ADE7858/ADE7868/ADE7878 通过设置MASK1寄存器的位0，可以使能附加到STATUS1 寄存器位0 (NLOAD)的中断。使能该中断后，只要三相中有 一相进入或退出此空载条件，IRQ1引脚即会变为低电平且 该状态位会被置1。为了找到触发该中断的相位，器件会 在读取STATUS1寄存器后马上读取PHNOLOAD寄存器。接 着，通过写入STATUS1寄存器并将相应位置1，该状态位 会被清除且IRQ1引脚变为高电平。 基于基波有功/无功功率的空载检测—仅限ADE7878 当相位基波有功/无功功率的绝对值小于或等于对应的 APNOLOAD和VARNOLOAD正阈值时，即会触发该空载 条件(仅适用于ADE7878)。这种情况下，器件不会累计该 相的基波有功/无功电能，也不会根据这些电能产生CFx脉 冲。APNOLOAD和VARNOLOAD的空载阈值与针对总有 功/无功功率设定的阈值相同。APNOLOAD和VARNOLOAD 为负值时，该空载检测电路不可用。 当三相中有一相触发该空载条件时，STATUS1寄存器的位1 (FNLOAD)会置1。PHNOLOAD寄存器的位[5:3] (FNLPHASE [2:0])可指示所有相位相对于空载条件的状态，并会与 STATUS1寄存器的位FNLOAD同时进行设置。FNLPHASE [0]指示A相的状态；FNLPHASE[1]指示B相的状态；而 FNLPHASE[2]指示C相的状态。当位FNLPHASE[x]清0时， 即意味着对应相位并未处于空载条件。置1时，则意味着 对应相位处于空载条件。 通过设置MASK1寄存器的位1，可以使能附加到STATUS1 寄存器位1 (FNLOAD)的中断。使能该中断后，只要三相中 有一相进入或退出此空载条件，IRQ1引脚即会变为低电平 且该状态位会被置1。为了找到触发该中断的相位，器件 会在读取STATUS1寄存器后马上读取PHNOLOAD寄存 器。接着，通过写入STATUS1寄存器并将相应位置1，该 状态位会被清除且IRQ1引脚回到高电平。 基于视在功率的空载检测 当相位视在功率的绝对值小于或等于24位带符号寄存器 VANOLOAD中给出的阈值时，即会触发该空载条件。这 种情况下，器件不会累计该相的视在电能，也不会根据该 电能产生CFx脉冲。VANOLOAD寄存器表示视在功率相对 于PMAX的正向空载电平，其中PMAX是ADC输入端采用 满量程电压和电流时获得的最大视在功率。24位带符号 VANOLOAD值通过以下表达式计算： VANOLOAD = Vn I NOLOAD × × PMAX VFS I FS (48) 其中： PMAX = 33,516,139 = 0x1FF6A6B，即ADC输入为满量程时 计算出的瞬时视在功率。 VFS和IFS分别为ADC输入为满量程时相电压和电流的有效值。 Vn为相电压的有效标称值。 INOLOAD为电表开始测量时相电流的最小有效值。 当VANOLOAD寄存器为负值时，将禁用空载检测电路。 如“电缆波形增益寄存器”部分中所述，ADE7854/ADE7858/ ADE7868/ADE7878的串行端口采用32、16或8位字格式， 而DSP采用28位字格式。与图35所示的寄存器类似，24位 带符号寄存器VANOLOAD是作为32位寄存器来访问的， 其中四个MSB以0填充并通过符号扩展至28位。 当三相中有一相触发该空载条件时，STATUS1寄存器的位2 (VANLOAD)会置1。PHNOLOAD寄存器的位[8:6] (VANLPHASE [2:0])可 指 示 所 有 相 位 相 对 于 空 载 条 件 的 状 态 ， 并 会 与 STATUS1寄存器的位VANLOAD同时进行设置： • 位VANLPHASE[0]指示A相的状态。 • 位VANLPHASE[1]指示B相的状态。 • 位VANLPHASE[2]指示C相的状态。 当位VANLPHASE[x]清0时，即意味着对应相位并未处于空 载条件。置1时，则意味着对应相位处于空载条件。 通过设置MASK1寄存器的位2，可以使能附加到STATUS1 寄存器位2 (VANLOAD)的中断。使能该中断后，只要三相 中有一相进入或退出此空载条件，IRQ1引脚即会变为低电 平且该状态位会被置1。为了找到触发该中断的相位，器 件会在读取STATUS1寄存器后马上读取PHNOLOAD寄存 器。接着，通过写入STATUS1寄存器并将相应位置1，该 状态位会被清除且IRQ1引脚变为高电平。 检验和寄存器 ADE7854/ADE7858/ADE7868/ADE7878内置32位校验和寄 存器CHECKSUM，从而确保一些非常重要的配置寄存器 可以在正常功率模式PSM0期间保持其理想值。 此寄存器涵盖的寄存器如下：MASK0、MASK1、COMPMODE、GAIN寄存器、CFMODE、CF1DEN、CF2DEN、 CF3DEN、 CONFIG、 MMODE、 ACCMODE、 LCYCMODE、HSDC_CFG，以及另外六个始终采用默认值的8 位内部保留寄存器。 Rev. H | Page 65 of 100 ADE7854/ADE7858/ADE7868/ADE7878 ADE78xx根据IEEE802.3标准计算循环冗余校验(CRC)。器 件会从最低有效位开始将这些寄存器逐个引入基于线性反 馈移位寄存器(LFSR)的发生器(如图82所示)，然后将32位 结果写入CHECKSUM寄存器中。上电或硬件/软件复位之 后，器件会根据寄存器的默认值来计算CRC，结果如表23 所示。 gi (i = 0, 1, 2, …, 31)为IEEE802.3标准所定义生成多项式的系 数，如下所示： G(x) = x32 + x26 + x23 + x22 + x16 + x12 + x11 + x10 + x8 + x7 + x5 + x4 + x2 + x + 1 (49) g0 = g1 = g2 = g4 = g5 = g7 = 1 g8 = g10 = g11 = g12 = g16 = g22 =g23= g26 = 1 所有其它gi系数等于0。 表23. CHECKSUM的默认值和内部寄存器CRC CHECKSUM的默认值 0x44C48F8 0xD6744F93 0x93D774E6 0x33666787 内部寄存器的CRC 0x391FBDDD 0x3E7D0FC1 0x23F7C7B1 0x2D32A389 0 31 0 15 0 15 0 15 7 0 255 248 240 232 224 0 7 INTERNAL REGISTER 216 b0(j) = FB(j) AND g0 (52) bi(j) = FB(j) AND gi XOR bi − 1(j – 1), i = 1, 2, 3, ..., 31 (53) 使用CHECKSUM寄存器时，可以采取两种不同的方法。 一种方法是根据关系式(47)到(53)来计算CRC，然后将该值 与CHECKSUM寄存器进行比较。另一种方法是定期读取 CHECKSUM寄存器。如果连续两个读数不同，则可假定 其 中 一 个 寄 存 器 的 值 发 生 了 改 变 ， 因 此 ADE7854、 ADE7858、ADE7868或ADE7878的配置已经发生变化。建 议做法是启动硬件/软件复位，从而将包括保留寄存器在内 的所有寄存器设为其默认值，然后重新初始化配置寄存器。 bi(0) = 1 (i = 0, 1, 2, …, 31)为CRC构成位的初始状态。位b0为 最低有效位，而位b31为最高有效位。 MASK0 MASK1 COMPMODE GAIN CFMODE (51) 对于j = 1, 2, …, 256，必须重复计算公式51、公式52和公式 53。写入CHECKSUM寄存器的值包括位bi(256), i = 0, 1, …, 31。当内部保留寄存器的位通过LFSR之后，器件即会以j = 48的步长获取CRC的值，如表23所示。 图83显示了LFSR的工作原理。MASK0、MASK1、COMPMODE、GAIN寄存器、CFMODE、CF1DEN、CF2DEN、 CF3DEN、 CONFIG、 MMODE、 ACCMODE、 LCYCMODE、HSDC_CFG以及六个8位内部保留寄存器构成 LFSR所用的位[a255, a254, …, a0]。位a0是最先进入LFSR的内部 寄存器所对应的最低有效位；位a255是MASK0寄存器(即最 后进入LFSR的寄存器)的最高有效位。决定LFSR的公式如下： 31 FB(j) = aj – 1 XOR b31(j – 1) 0 7 INTERNAL REGISTER 40 0 INTERNAL REGISTER 32 7 0 INTERNAL REGISTER 24 7 0 INTERNAL REGISTER 16 8 7 0 INTERNAL REGISTER 7 LFSR GENERATOR 0 08510-055 产品型号 ADE7854 ADE7858 ADE7868 ADE7878 (50) 图82. CHECKSUM寄存器计算 g0 g1 g2 g3 g31 FB b0 b1 b2 b31 a255, a254,....,a2, a1, a0 08510-056 LFSR 图83. CHECKSUM寄存器计算中使用的LFSR发生器 中断 ADE7854/ADE7858/ADE7868/ADE7878具有两个中断引脚，即 IRQ0和IRQ1。这两个引脚分别由32位内部屏蔽寄存器 MASK0和MASK1进行管理。要使能中断，MASKx寄存器 的某个位必须置1。要禁用中断，则该位必须清0。中断与 两 个 32位 状 态 寄 存 器 STATUS0和 STATUS1相 关 联 。 当 ADE78xx中出现中断事件时，中断状态寄存器中的对应标 志会设为逻辑1(参见表37和表38)。如果中断屏蔽寄存器中 该中断的屏蔽位为逻辑1，那么IRQx逻辑输出会变为低电 平有效。 Rev. H | Page 66 of 100 ADE7854/ADE7858/ADE7868/ADE7878 默认情况下，会禁用所有中断，但RSTDONE中断除外。 该中断永远不会被屏蔽(禁用)，因此MASK1寄存器的位15 (RSTDONE)没有任何作用。每当上电或硬件/软件复位过 程结束时，IRQ1引脚始终会变为低电平，且STATUS1寄存 器的位15 (RSTDONE)会被置1。要取消该状态标志，必须写 入STATUS1寄存器并将位15 (RSTDONE)置1。 一些中断是与其它Status寄存器配合使用的。MASK1寄存 器中的以下位与PHNOLOAD寄存器中的状态位配合使用： • 位0 (NLOAD) • 位1 (FNLOAD)(仅适用于ADE7878) • 位2 (VANLOAD) MASK1寄存器中的以下位与PHSTATUS寄存器中的状态位 配合使用： • 位16 (SAG) • 位17 (OI) • 位18 (OV) MASK1寄存器中的以下位分别与IPEAK和VPEAK寄存器中 的状态位配合使用： • 位23 (PKI) • 位24 (PKV) MASK0寄存器中的以下位与PHSIGN寄存器中的状态位配 合使用： • 位[6:8] (REVAPx) • 位[10:12] (REVRPx)(仅适用于ADE7858、ADE7868和ADE7878) • 位9、位13和位18 (REVPSUMx) 读取STATUSx寄存器并将上述位之一置1以后，器件会立 刻读取与该位关联的状态寄存器，以便确定触发该中断的 相位，此时才可回写STATUSx寄存器并将该位置1。 通过MCU使用中断 图84显示了ADE7854/ADE7858/ADE7868/ADE7878的中断 管理时序图，其中给出了使用MCU来管理中断的实现方 法 。 当 时 间 为 t 1 时 ， IRQx引 脚 变 为 低 电 平 有 效 ， 表 示 ADE78xx中出现了一个或以上中断事件，届时应采取以下 步骤： 1. 将IRQx引脚连到MCU上负边沿触发的外部中断。 2. 检测到负边沿时，配置MCU来开始执行器中断服务程 序(ISR)。 3. 进入ISR时，使用全局中断屏蔽位禁用所有中断。此时， MCU外部中断标志会被清除，以捕获当前ISR期间发生 的中断事件。 4. 清 除 MCU中 断 标 志 时 ， 器 件 会 对 中 断 状 态 寄 存 器 STATUSx执行读操作。中断状态寄存器内容用于判断中 断源，进而确定要采取的合适措施。 5. 相同的STATUSx内容会被写回ADE78xx，以清除状态标 志并将IRQx线路复位至逻辑高电平(t2)。 如果ISR (t3)期间出现其它中断事件，则会再次设置MCU外 部中断标志，从而记录该事件。 从ISR返回时，全局中断屏蔽位会被清0(同一指令周期)， 而外部中断标志可以使用MCU再一次跳至其ISR。这样确 保MCU不会错过任何外部中断。 图85显示了STATUSx寄存器的状态位与其它寄存器的位配 合使用时的建议时序图。当IRQx引脚变为低电平有效时， 器件会读取STATUSx寄存器，而且如果其中的一位为1， 器件会立刻读取第二个Status寄存器来确定触发该中断的 相位。在图85中，PHx表示PHSTATUS、IPEAK、VPEAK 或 PHSIGN寄 存 器 中 的 一 个 。 接 着 ， 器 件 会 写 回 STATUSx，以清除该状态位。 Rev. H | Page 67 of 100 ADE7854/ADE7858/ADE7868/ADE7878 t1 t2 t3 MCU INTERRUPT FLAG SET PROGRAM SEQUENCE GLOBAL INTERRUPT MASK JUMP TO ISR CLEAR MCU INTERRUPT FLAG READ STATUSx WRITE BACK STATUSx ISR ACTION (BASED ON STATUSx CONTENTS) ISR RETURN GLOBAL INTERRUPT MASK RESET JUMP TO ISR 08510-057 IRQx 图84. 中断管理 t1 t2 t3 MCU INTERRUPT FLAG SET PROGRAM SEQUENCE JUMP TO ISR GLOBAL INTERRUPT MASK CLEAR MCU INTERRUPT FLAG READ STATUSx READ PHx WRITE BACK STATUSx ISR ACTION (BASED ON STATUSx CONTENTS) ISR RETURN GLOBAL INTERRUPT MASK RESET JUMP TO ISR 08510-058 IRQx 图85. 涉及PHSTATUS、IPEAK、VPEAK或PHSIGN寄存器时的中断管理 串行接口 ADE7854/ADE7858/ADE7868/ADE7878提供了三个串行端 口接口：一个获得完整许可的I2C接口、一个串行外设接口 (SPI)和一个高速数据采集端口(HSDC)。由于SPI引脚可以 和 I 2 C与 HSDC端 口 的 一 些 引 脚 进 行 多 路 复 用 ， 因 此 ADE78xx接受以下两种配置：一种仅使用SPI端口，而另一 种结合使用I2C端口与HSDC端口。 串行接口选择 复位之后，HSDC端口始终禁用。上电或硬件复位之后， 可以通过控制SS/HSA引脚在I2C和SPI端口之间进行选择。 如果SS/HSA引脚保持为高电平，那么ADE7854/ADE7858/ ADE7868/ADE7878采用I2C端口，直到执行新的硬件复位 为止。如果上电或硬件复位之后SS/HSA引脚从高电平到低 电平切换三次，ADE7854/ADE7858/ADE7868/ADE7878采 用SPI端口，直到执行新的硬件复位为止。这种SS/HSA引 脚控制可以通过两种方式实现。第一方法是，将主机(即微 控制器)的SS/HSA引脚用作常规的I/O引脚并切换三次。第 二种方法是，在未分配至特定ADE78xx寄存器的地址空间 位置(如0xEBFF，该处可以执行八位写操作)上执行三次SPI 写操作。这些写操作可以使SS/HSA引脚切换三次。若要了 解相关写入协议的更多信息，请参见“SPI写操作”部分。 完成串行端口选择之后，需要将其锁定。这样，激活的端 口会一直处于使用状态，直到关断或在PSM0模式下执行 硬件复位为止。如果I 2 C为激活串行端口，则CONFIG2 寄存器的位1 (I2C_LOCK)必须置1，以便将其锁定。此后， ADE7854/ADE7858/ADE7868/ADE7878会忽略SS引脚的杂 散切换，因而也就无法切换至使用SPI端口。如果SPI为活 跃串行端口，则只要对CONFIG2寄存器执行任意写操作即 可锁定该端口。之后，将无法切换至使用I2C端口。锁定 后，ADE78xx会在更改PSMx功率模式时保持串行端口选择 不变。 ADE78xx的功能可以通过数个片内寄存器进行访问。这些 寄存器的内容可以通过I 2 C或SPI接口进行更新或读取。 HSDC端口可以提供最多16个寄存器的状态，来表示相电 压和零线电流的瞬时值，以及有功/无功/视在功率的瞬时值。 I2C接口 ADE7854/ADE7858/ADE7868/ADE7878支持获得完整许可 的I2C接口。I2C接口配置为一个完整的硬件从机。SDA为 数据I/O引脚，而SCL为串行时钟。这两个引脚都与片内 SPI接口的MOSI和SCLK引脚共享。此接口支持的最大串行 时钟频率为400 kHz。 引脚SDA和SCL用于数据传输，通过对这两个引脚进行“线 与”配置，可以在多主机系统中进行仲裁。 I2C系统的传输过程为：当总线处于空闲状态时，主机通过 产生起始条件来启动传输；在起始地址发送期间，主机发 送从机地址和数据传输方向。如果从机进行了应答，则开 始数据传输。传输会持续到主机发送一个停止条件为止， 然后总线进入空闲状态。 Rev. H | Page 68 of 100 ADE7854/ADE7858/ADE7868/ADE7878 I2C写操作 当主机产生起始条件并以一个字节表示ADE78xx的地址， 后 跟 目 标 寄 存 器 的 16位 地 址 和 该 寄 存 器 的 值 时 ， ADE7854/ADE7858/ADE7868/ADE7878的I2C接口写操作即 会开始。 15 8 7 0 31 24 23 16 15 8 7 0 S 0 1 1 1 0 0 0 0 SLAVE ADDRESS S MSB 8 BITS OF LSB 8 BITS OF A A A C REGISTER ADDRESS C REGISTER ADDRESS C K K K BYTE 3 (MSB) OF REGISTER A A A C BYTE 2 OF REGISTER C BYTE 1 OF REGISTER C K K K ACKNOWLEDGE GENERATED BY ADE78xx 图86. 32位寄存器的I 2C写操作 Rev. H | Page 69 of 100 BYTE 0 (LSB) OF REGISTER A C K 08510-059 START 地 址 字 节 的 七 个 最 高 有 效 位 构 成 ADE7854/ADE7858/ ADE7868/ADE7878的地址，即等于0111000b。地址字节的 STOP 0位为读/写位。由于这里是写操作，因此该位必须清0；因 而，写操作的第一个字节为0x70。每次收到一个字节时， ADE7854/ADE7858/ADE7868/ADE7878都会产生一个应 答。寄存器可能为8、16或32位，在传输完寄存器的最后 一位且ADE78xx应答传输之后，主机即会产生停止条件。 地址和寄存器内容是以MSB优先方式进行发送的。有关I2C 写操作的更多信息，请参见图86。 ADE7854/ADE7858/ADE7868/ADE7878 I2C读操作 ADE7854/ADE7858/ADE7868/ADE7878的I2C接口读操作是 分两个阶段完成的。第一阶段设置寄存器的地址指针。第 二阶段读取寄存器的内容。 后 一 个 字 节 传 送 完 毕 且 ADE7854/ADE7858/ADE7868/ ADE7878进行应答之后，第二阶段即会开始，同时主机产 生新的起始地址和地址字节。该地址字节的七个最高有效 位构成ADE78xx的地址，即等于0111000b。地址字节的0位 为读/写位。由于这里是读操作，因此该位必须置1；因 而 ， 读 操 作 的 第 一 个 字 节 为 0x71。 收 到 该 字 节 之 后 ， ADE78xx即会产生应答。然后，ADE78xx会发送该寄存器 的值，而收到每个8位之后，主机即会产生应答。所有字 节均以MSB优先方式发送。寄存器可能为8、16或32位，在 传输完寄存器的最后一位之后，主机不会应答传输，而是 产生停止条件。 START 如 图 87所 示 ， 当 主 机 产 生 起 始 条 件 并 以 一 个 字 节 表 示 ADE7854/ADE7858/ADE7868/ADE7878的地址，后跟模板 寄存器的16位地址时，第一阶段即开始。ADE78xx会应答 收到的每个字节。地址字节与写操作的地址字节类似，并 且等于0x70(详情参见“I2C写操作”部分)。寄存器地址的最 8 15 7 0 S 0 1 1 1 0 0 0 0 A MSB 8 BITS OF C REGISTER ADDRESS K SLAVE ADDRESS A LSB 8 BITS OF C REGISTER ADDRESS K A C K START ACKNOWLEDGE GENERATED BY MASTER 0 1 1 1 0 0 A 8 C K 7 S 0 1 SLAVE ADDRESS A C K BYTE 3 (MSB) OF REGISTER BYTE 2 OF REGISTER BYTE 1 OF REGISTER BYTE 0 (LSB) OF REGISTER 08510-060 S A 16 C 15 K A 24 C 23 K 31 N O A C 0 K STOP ACKNOWLEDGE GENERATED BY ADE78xx ACKNOWLEDGE GENERATED BY ADE78xx 图87. 32位寄存器的I 2C读操作 Rev. H | Page 70 of 100 ADE7854/ADE7858/ADE7868/ADE7878 SPI接口 SS逻辑输入为片选输入。当多个器件共享串行总线时，即 会使用该输入。整个数据传输操作期间，SS输入会被驱动 至低电平。在数据传输操作期间，如果将SS拉高，则会中 止传输并将串行总线置于高阻抗状态。然后，通过使SS逻 辑输入回到低电平，即可开始新的传输。不过，如果在完 成之前中止了数据传输，则会导致所访问的寄存器可能出 现异常状态；因此，每次写入寄存器时，都应通过回读来 验证其值。所用协议与I2C接口中使用的协议类似。 SPI DEVICE ADE78xx MOSI/SDA MOSI MISO/HSD MISO SCLK/SCL SCK SS/HSA 图88. 将ADE78xx SPI与SPI器件相连 SPI读操作 当主机将SS/HSA引脚设为低电平并开始在MOSI线路上发 送一个字节来表示ADE7854/ADE7858/ADE7868/ADE7878 地址时，ADE7854/ADE7858/ADE7868/ADE7878的SPI接口 读操作即会开始。主机以SCLK的第一个高电平至低电平转 换开始，在MOSI线路上设置数据。ADE78xx的SPI在SCLK 的低电平至高电平转换期间对数据进行采样。地址字节的 七个最高有效位可以为任意值，不过最好不同于0111000b， 即I2C协议中使用的七位。对于读操作，地址字节的0(读/ 写)位必须为1。接着，主机发送目标寄存器(即要读取的寄 存器)的16位地址。在SCLK的低电平至高电平转换期间收 到目标寄存器地址的最后一位之后，ADE78xx即会在SCLK 的下一个高电平至低电平转换出现时开始在MISO线路上 发送目标寄存器的内容；因此，主机可以在SCLK的低电平 至高电平转换期间对数据进行采样。收到最后一位之后， 主机会将SS和SCLK线路设为高电平，通信到此结束。数据 线路MOSI和MISO进入高阻抗状态。有关SPI读操作的更多 信息，请参见图89。 SS SCLK 15 14 0 0 0 0 0 0 0 1 1 0 REGISTER ADDRESS 31 30 MISO 1 0 REGISTER VALUE 图89. 32位寄存器的SPI读操作 Rev. H | Page 71 of 100 08510-062 MOSI SS 08510-061 ADE7854/ADE7858/ADE7868/ADE7878的SPI始终作为通信 从机并包含以下四个引脚(具有双重功能)：SCLK/SCL、 MOSI/SDA、MISO/HSD和SS/HSA。SPI接口中使用的功能 为SCLK、MOSI、MISO和SS。数据传输的串行时钟施加于 SCLK逻辑输入端。所有数据传输操作均与串行时钟同步。 数据在SCLK的下降沿从MOSI逻辑输入端移入ADE78xx， 而 ADE78xx在SCLK的 上 升 沿 对 数 据 进 行 采 样 。 数 据 在 S C L K 的 下 降 沿 从 M I S O 逻 辑 输 出 端 移 出 A DE 7 8 5 4 / ADE7858/ADE7868/ADE7878，而主机在SCLK的上升沿对 数据进行采样。数据字的最高有效位优先移入和移出。此 接口支持的最大串行时钟频率为2.5 MHz。当ADE7854/ ADE7858/ADE7868/ADE7878没有数据传出时，MISO保持 为高阻抗状态。有关ADE78xx SPI与包含SPI接口的主机之间 连接的更多信息，请参见图88。 ADE7854/ADE7858/ADE7868/ADE7878 SPI写操作 当主机将SS/HSA引脚设为低电平并开始在MOSI线路上发 送一个字节来表示ADE7854/ADE7858/ADE7868/ADE7878 地址时，ADE78xx的 SPI接口写操作即会开始。主机以 SCLK的第一个高电平至低电平转换开始，在MOSI线路上 设置数据。ADE78xx的SPI在SCLK的低电平至高电平转换 期间对数据进行采样。地址字节的七个最高有效位可以为 任意值，不过最好不同于0111000b，即I2C协议中使用的七 2 位。对于写操作，地址字节的0(读/写)位必须为0。接着， 主机会发送目标寄存器(即要写入的寄存器)的16位地址和 该寄存器的32、16或8位值，而不会丢失任何SCLK周期。 发送完最后一位之后，主机会在该SCLK周期结束时将SS和 SCLK线路设为高电平，通信到此结束。数据线路MOSI和 MISO进入高阻抗状态。有关SPI写操作的更多信息，请参 见图90。 SS SCLK MOSI 0 0 0 0 0 0 0 0 1 0 31 30 REGISTER ADDRESS REGISTER VALUE 图90. 32位寄存器的SPI写操作 Rev. H | Page 72 of 100 1 0 08510-063 15 14 ADE7854/ADE7858/ADE7868/ADE7878 HSDC接口 默认情况下，会禁用高速数据采集(HSDC)接口。只有 ADE7854/ADE7858/ADE7868/ADE7878配置为使用I2C接口 时 ， 才 可 使 用 该 接 口 。 ADE7854/ADE7858/ADE7868/ ADE7878的SPI接口不能与HSDC同时使用。 当CONFIG寄存器的位6 (HSDCEN)置1时，即会激活HSDC。 如果位HSDCEN清0(默认值)，则会禁用HSDC接口。使用 SPI时，将位HSDCEN置1并不会产生任何效果。HSDC接 口可用于向外部器件(通常为微处理器或DSP)发送最多十 七个32位字。这些字表示相电流和电压、零线电流以及有 功/无功/视在功率的瞬时值。发送的寄存器包括IAWV、 VAWV、 IBWV、 VBWV、 ICWV、 VCWV、 INWV、 AVA、BVA、CVA、AWATT、BWATT、CWATT、AVAR、 BVAR和CVAR。这些寄存器都是24位寄存器，并都通过符 号 扩 展 至 32位 (详 情 参 见 图 37)。 其 中 ， ADE7854和 ADE7858不包含INWV寄存器。HSDC会发送一个始终等于 0的32位字来代替该寄存器。此外，ADE7854中不包含 AVAR、BVAR和CVAR寄存器。而HSDC会发送三个始终等 于0的32位字来代替这些寄存器。 HSDC可以与SPI或类似接口连接。HSDC始终作为通信主 机并由以下三个引脚组成：HSA、HSD和HSCLK。HSA表 示选择信号。字传输期间，该引脚保持低电平有效，并且 通常连接到从机的选择引脚。HSD将数据发送到从机并通 常连接到从机的数据输入引脚。而HSCLK是串行时钟线路 (由ADE7854/ADE7858/ADE7868/ADE7878产生)并通常连接 到从机的串行时钟输入。图91显示了ADE78xx HSDC和从机 (包含SPI接口)之间的连接。 MISO/HSD CF3/HSCLK SS/HSA SPI DEVICE MISO SCK SS 08510-064 ADE78xx 图91. 将ADE78xx HSDC与SPI相连 HSDC通信由HSDC_CFG寄存器进行管理(参见表53)。使用 CONFIG寄存器的位6 (HSDCEN)启用该端口之前，建议先 将HSDC_CFG寄存器设为理想值。这样，HSDC端口各个 引脚的状态就会与理想的HSDC特性保持一致。硬件复位 或上电之后，MISO/HSD和SS/HSA引脚会变为高电平。 HSDC_CFG寄存器的位0 (HCLK)决定HSDC通信的串行时钟 频率。当HCLK为0(默认值)时，时钟频率为8 MHz。当HCLK 为1时，时钟频率为4 MHz。每次HSCLK发生高电平至低电 平转换时，即会发送一位数据。从机从HSDC接收数据， 并在HSCLK的低电平至高电平转换期间对HSD线路进行 采样。 字以32位数据包或8位数据包形式发送。当HSDC_CFG寄 存器的位1 (HSIZE)为0(默认值)时，字以32位数据包形式发 送。当位HSIZE为1时，寄存器以8位数据包形式发送。 HSDC接口以MSB优先方式发送字。 当位2 (HGAP)置1时，该位会在数据包之间引入一个长达七 个HSCLK周期的间隙。而当位HGAP清0(默认值)时，则不 会在数据包之间引入间隙，因而此时通信时间最短。在这 种情况下，HSIZE不会对通信造成任何影响，而数据位会 在每个HSCLK高电平至低电平转换时被置于HSD线路中。 位[4:3] (HXFER[1:0])决定要发送的字数量。当HXFER[1:0]为 00(默认值)时，发送全部16个字。当HXFER[1:0]为01时， 则仅按照下列顺序发送表示相电流、零线电流和相电压三 者 瞬 时 值 的 字 ： IAWV、 VAWV、 IBWV、 VBWV、 ICWV、 VCWV和 一 个 始 终 等 于 INWV的 32位 字 。 当 HXFER[1:0]为10时，则仅按照下列顺序发送相功率的瞬时 值：AVA、BVA、CVA、AWATT、BWATT、CWATT、 AVAR、BVAR和CVAR。值11是HXFER[1:0]的保留值，并 且写入该值即相当于写入00(默认值)。 位5 (HSAPOL)决定通信期间SS/HSA引脚中HSA功能的极性。 当HSAPOL为0(默认值)时，通信期间HSA为低电平有效。 这意味着，没有进行通信时，HSA保持为高电平。执行通 信时，当传输32位或8位数据包时HSA为低电平，间隙中 为高电平。当HSAPOL为1时，通信期间SS/HSA引脚的 HSA功能为高电平有效。这意味着，没有进行通信时， HSA保持为低电平。执行通信时，当传输32位或8位数据 包时HSA为高电平，间隙中为低电平。 HSDC_CFG寄存器的位[7:6]为保留位。无论向这些位中写 入任何值，均不会对HSDC行为造成任何影响。 图92显示了HGAP = 0、HXFER[1:0] = 00且HSAPOL = 0时的 HSDC传输协议。请注意，每次HSCLK发生高电平至低电 平转换时，HSDC接口即会将一个数据位置于HSD线路 上，而与位HSIZE的值无关。 Rev. H | Page 73 of 100 ADE7854/ADE7858/ADE7868/ADE7878 图93显示了HSIZE = 0、HGAP = 1、HXFER[1:0] = 00且 HSAPOL = 0时的HSDC传输协议。请注意，HSDC接口会在 每个32位字之间引入一个长达七个HSCLK周期的间隙。 表24列出了所有HSDC_CFG寄存器设置下执行HSDC数据 传输所需的时间。使用某些设置时，传输时间小于125 μs (8 kHz)，即Waveform Sample寄存器更新速率。这意味着， HSDC端口每个采样周期都会发送数据。而使用另一些设 置时，传输时间大于125 μs，这时HSDC端口仅在两个8 kHz 连续采样周期的第一个周期内发送数据。这意味着，该端 口实际上是以4 kHz的速率在发送寄存器。 图94显示了HSIZE = 1、HGAP = 1、HXFER[1:0] = 00且 HSAPOL = 0时的HSDC传输协议。请注意，HSDC接口会在 每个8位字之间引入一个长达七个HSCLK周期的间隙。 若要了解HSDC_CFG寄存器及HCLK、HSIZE、HGAP、 HXFER[1:0]和HSAPOL位的功能描述，请参见表53。 表24. 各种HSDC设置的通信时间 HXFER[1:0] 00 00 00 00 00 00 01 01 01 01 01 01 10 10 10 10 10 10 HSIZE1 N/A N/A 0 0 1 1 N/A N/A 0 0 1 1 N/A N/A 0 0 1 1 HCLK 0 1 0 1 0 1 0 1 0 1 0 1 0 1 0 1 0 1 通信时间(μs) 64 128 77.125 154.25 119.25 238.25 28 56 33.25 66.5 51.625 103.25 36 72 43 86 66.625 133.25 N/A表示不适用。 HSCLK 31 HSD 0 IAVW (32 BITS) 31 0 31 VAWV (32 BITS) 31 0 IBWV (32 BITS) 0 CVAR (32 BITS) 08510-066 HSA 图92. HGAP = 0、HXFER[1:0] = 00且HSAPOL = 0时的HSDC通信；与HSIZE无关 HSCLK 31 HSD 31 0 IAVW (32-BIT) 31 0 VAWV (32-BIT) 7 HCLK CYCLES 0 IBWV (32-BIT) 31 0 CVAR (32-BIT) 7 HCLK CYCLES 08510-067 1 HGAP 0 0 1 1 1 1 0 0 1 1 1 1 0 0 1 1 1 1 HSA 图93. HSIZE = 0、HGAP =1、HXFER[1:0] = 00且HSAPOL = 0时的HSDC通信 Rev. H | Page 74 of 100 ADE7854/ADE7858/ADE7868/ADE7878 HSCLK 31 HSD 24 23 IAVW (BYTE 3) 16 15 IAWV (BYTE 2) 8 7 IAWV (BYTE 1) 0 CVAR (BYTE 0) 7 HCLK CYCLES 08510-068 7 HCLK CYCLES HSA 图94. HSIZE = 1、HGAP =1、HXFER[1:0] = 00且HSAPOL = 0时的HSDC通信 布局指南 图95显示了ADE7878及其周围电路的示意图：引脚VDD、 AVDD、DVDD和REFin/out上的去耦电容、16.384 MHz晶振及 其负载电容。其余引脚取决于具体应用，图中未显示。 C1 4.7µF C4 0.22µF C2 0.22µF C5 0.1µF PM0 PM1 RESET IAP IAN IBP IBN ICP ICN INP INN VN VAP VBP VCP CLKIN SCLK/SCL MOSI/SDA VDD 2 3 4 7 8 9 12 13 14 15 16 18 23 22 19 27 36 38 C6 10µF U1 24 5 26 REFIN/OUT CLKOUT 17 28 29 IRQ0 32 IRQ1 33 CF1 34 CF2 35 CF3/HSCLK C7 0.1µF C8 20pF C9 20pF C10 4.7µF Y1 R1 5M� 2 1 MISQ/HSD 37 39 SS/HSA NC 08510-086 1 10 11 21 30 31 40 20 1. 选择相电流、电压和零线电流通道内的PGA增益：Gain寄 存器中的位[2:0] (PGA1)、位[5:3] (PGA2)和位[8:6] (PGA3)。 2. 如果使用罗氏线圈，使能相电流和零线电流通道内的数 字积分器：CONFIG寄存器中的位0 (INTEN)设置为1。 3. 如果fn=60 Hz，则将COMPMODE寄存器的位14 (SELFREQ) 置1(仅限ADE7878)。 4. 根 据 公 式 25初 始 化 W THR1和 W THR0寄 存 器 。 让 VARTHR1(仅 限 ADE7858、 ADE7868和 ADE7878)和 VATHR1等于WTHR1，让VARTHR0(仅限ADE7858、 ADE7868和ADE7878)和VATHR0等于WTHR0。 5. 根据公式26初始化CF1DEN、CF2DEN和CF3DEN寄存器。 6. 根据公式21和公式42初始化VLEVEL(仅限ADE7878)和 VNOM寄存器。 7. 使能数据存储器RAM保护，向位于地址0xE7FE的内部8 位寄存器写入0xAD，然后向位于地址0xE7E3的内部8位 寄存器写入0x80。 8. 设置Run = 1，启动DSP。 9. 读取电能寄存器xWATTHR、xVARHR(仅限ADE7858、 A D E 7 8 6 8 和 A D E 7 8 7 8 ) 、 x VA H R 、 x F WAT T H R 和 xFVARHR(仅限ADE7878)以擦除其内容，从一个已知状 态开始累计电能。 10.将CFMODE寄存器中的位9 (CF1DIS)、位10 (CF2DIS)和 位11 (CF3DIS)清0，使能CF1、CF2和CF3频率转换器输出。 C3 4.7µF 16.384MHz 要快速设置ADE7878，请执行以下步骤： PAD PAD 25 AGND 6 DGND 电表通常用标称电流In、标称电压Vn、标称频率fn和电表常 数MC来表征。 ADE7854、ADE7858和ADE7868可以采用相同的方法来使 用去耦电容、晶振及其负载电容。 AVDD DVDD 快速设置为电表 ADE7878ACPZ 图95. ADE7878晶振和电容连接 图96和图97显示了一个印刷电路板(PCB)的建议布局方 案，它包括两层，元件仅贴放在电路板顶层。遵守这些布 局布线指南有助于实现低噪声设计，并提高对EMC干扰的 抑制能力。 VDD、AVDD、DVDD和REFin/out引脚各具有两个去耦电 容，一个为uF级，另一个为220nF或100nF的陶瓷电容。陶 瓷电容须尽可能靠近ADE7878放置，以便去耦高频噪声， uF电容则需放在附近。 晶振负载电容应尽可能靠近ADE7878放置，而晶振本身可 以放在附近。 Rev. H | Page 75 of 100 ADE7854/ADE7858/ADE7868/ADE7878 连接一个特定频率的晶振。CL1和CL2表示连接晶振引脚 的陶瓷电容数值，而CP1和CP2表示这些引脚上的寄生电容。 每个时钟引脚(CLKIN和CLKOUT)上的推荐总电容典型值 为24 pF，这表示： 总电容 = CP 1 + CL1 = CP2 + CL2 = 24 pF 晶振制造商的数据手册提供负载电容值。每个时钟引脚上 的总电容推荐值为24 pF；因此，选择负载电容为12 pF的晶 振。此外，选择陶瓷电容CL1和CL2时，必须考虑IC晶振引 脚上的寄生电容CP1和CP2。因此，CL1和CL2数值必须根据 下式计算： CL1 = CL2 = 2 × 总电容 − CP1 08510-087 其中，CP1 = CP2。 图96. ADE7878顶层印刷电路板 ADE7878的裸露焊盘焊接到PCB上的等效焊盘。然后将 ADE7878的AGND和DGND走线直接接入PCB焊盘。 底层主要由接地层构成，接地层环绕尽可能多的晶体走线。 例如，假设选择12 pF晶振，且时钟引脚上的寄生电容为CP1 = CP2 = 2 pF，则用于晶振电路的陶瓷电容值必须为CL1 = CL2 = 22 pF。 评 估 板 EVAL-ADE7878EBZ采 用 晶 振 VM6-1D11C12TR-16.384MHZ(最大驱动功率1 mW；最大ESR 20 Ω；负载 电容12 pF)。建议使用同样的晶振，或者规格接近的晶振。 优先选择较低的ESR和负载电容、较高的晶振驱动电平 能力。 另外，还建议与晶振并联连接一个5 MΩ电阻，如图98所示。 CL2 GND CLKIN CP2 CLKOUT 5MΩ 16.384MHz CRYSTAL CP1 GND CL1 08510-123 ADE78xx IC 图98. 晶振电路 ADE7878评估板 08510-088 基于ADE7878配置的评估板支持所有ADE7854、ADE7858、 ADE7868和ADE7878器件。欲了解详情，请访问www.analog.com/ADE7878。 芯片版本 图97. ADE7878底层印刷电路板 用户可以通过version寄存器来确定芯片的版本。该寄存器 是8位只读版本寄存器，地址为0xE707。 晶振电路 可在ADE7854/ADE7858/ADE7868/ADE7878的CLKIN引脚 上施加16.384 MHz数字时钟信号。此外，也可如图98所示， Rev. H | Page 76 of 100 ADE7854/ADE7858/ADE7868/ADE7878 硅片异常 本异常表描述了ADE7854、ADE7858、ADE7868和ADE7878硅片的已知问题，其中由版本寄存器确定的硅片版本(地址为 0xE707)等于2、4和5。 ADI公司承诺在未来版本芯片中持续改进芯片功能，同时通过采用此处推荐的临时解决方案，确保这些未来版本芯片仍和您 目前的软件/系统兼容。 ADE7854/ADE7858/ADE7868/ADE7878功能问题 芯片版本标识 版本 = 2 版本 = 4 版本 = 5 芯片标志 ADE7854ACPZ ADE7858ACPZ ADE7868ACPZ ADE7878ACPZ ADE7854ACPZ ADE7858ACPZ ADE7868ACPZ ADE7878ACPZ ADE7854ACPZ ADE7858ACPZ ADE7868ACPZ ADE7878ACPZ 芯片状态 已发布 异常表 修订版A 报告问题数 4 (er001, er002, er003, er004) 已发布 修订版B 1 (er005) 已发布 修订版C 1 (er005) 功能问题 表25. Offset Rms寄存器无法设为负值[er001，Version = 2硅片] 背景 问题 临时解决方案 相关问题 当AIRMSOS、AVRMSOS、BIRMSOS、BVRMSOS、CIRMSOS、CVRMSOS和NIRMSOS寄存器均设为负值时，如果输入 足够小，有效值数据路径中使用的平方根参数可能会变为负值。这种情况下，AIRMS、AVRMS、BIRMS、BVRMS、 CIRMS或CVRMS有效值寄存器会自动置0。 在版本寄存器确定版本为2的硅片上，AIRMSOS、AVRMSOS、BIRMSOS、BVRMSOS、CIRMSOS、CVRMSOS和 NIRMSOS寄存器不支持负值。 AIRMSOS、AVRMSOS、BIRMSOS、BVRMSOS、CIRMSOS、CVRMSOS和NIRMSOS寄存器不要使用负值。 欲 了 解 有 关 该 问 题 的 更 多 信 息 ， 请 前 往 以 下 网 站 提 交 查 询 ： www.analog.com/en/content/technical_support_page/fca.html。 无。 Rev. H | Page 77 of 100 ADE7854/ADE7858/ADE7868/ADE7878 表26. ADE7854、ADE7858、ADE7868、ADE7878可能不会立刻使用写入CF1DEN、CF2DEN、CF3DEN、SAGLVL和 ZXTOUT寄存器的值[er002，Version = 2硅片] 背景 问题 临时解决方案 相关问题 一般而言，CF1DEN、CF2DEN、CF3DEN、SAGLVL和ZXTOUT寄存器会在上电或硬件/软件复位之后立刻初始化。在RUN寄 存器置1之后，电能频率转换器(对于CF1DEN、CF2DEN和CF3DEN)、相电压骤降检测器(对于SAGLVL)和过零超时电路(对于 ZXTOUT)会立刻使用这些值。 在上电或硬件/软件复位之后，CF1DEN寄存器会初始化为新值，不过新值可能会出现延迟，因此并不能立刻供电能频率转 换器使用。不过，在使用CF1DEN默认值(0x0)在CF1引脚处触发第一个高电平至低电平转换之后，转换器即会开始使用该 新值。 CF2DEN和CF3DEN寄存器会分别在CF2和CF3引脚处表现出类似状态。Version = 4的芯片中已纠正CF1DEN、CF2DEN和CF3DEN 的上述行为。 在上电或硬件/软件复位之后，SAGLVL寄存器会初始化为新值，不过新值可能会出现延迟，因此并不能立刻供相电压骤降 检测器使用。不过，在至少一相电压上升至相电压ADC处满量程输入的10%以上时，检测器即会使用该新值。 在上电或硬件/软件复位之后，ZXTOUT寄存器会初始化为新值，不过新值可能会出现延迟，因此并不能立刻供过零超时电 路使用。不过，在至少一相电压上升至相电压ADC处满量程输入的10%以上时，该电流确实会使用该新值。 如果“问题”行中列出的状态并不与电表规格冲突，那么CF1DEN、CF2DEN、CF3DEN、SAGLVL和ZXTOUT寄存器的新值仅可 以写入一次。 如果该状态是不可接受的，请连续将新值写入CF1DEN、CF2DEN和CF3DEN寄存器八次。这样，电能频率转换器不立刻考 虑新值的概率就降到了0.2 ppm以下。 一般而言，上电或硬件/软件复位之后，至少有一相电压会超过满量程的10%。如果无法保证这点，那么也应该连续写入 SAGLVL和ZXTOUT寄存器八次，从而降低相电压骤降检测器和过零超时电路不立刻考虑新值的可能性。 无。 表27. 只读Rms寄存器可能显示错误的值[er003，Version = 2硅片] 背景 问题 只读有效值寄存器(AVRMS、BVRMS、CVRMS、AIRMS、BIRMS、CIRMS和NIRMS)可无限制地随时读取。 ADE7854、ADE7858、ADE7868和ADE7878的固定功能DSP以125 µs(频率为8 kHz)为周期循环计算所有功率和有效值。如果 连续访问(读取)两个有效值寄存器，则第二个寄存器的值可能会损坏。因此，在该125 µs周期内计算的视在功率也会损坏。 该有效值计算会在下一个125 µs周期内恢复，而所有有效值和视在功率值均计算正确。 临时解决方案 如果两次连续有效值读取的开始时间间隔不到265 µs，那么不论通信类型如何(SPI或I2C)，都会出现上述问题。该问题仅影 响有效值寄存器；ADE7854、ADE7858、ADE7868和ADE7878中所有其他寄存器的访问不存在任何限制。 可以每次读取一个有效值寄存器，并且两次读取的开始时间至少间隔265 µs。这样可以在IRQ0引脚处使用DREADY中断进行 控制，即每隔三个连续DREADY中断执行一次有效值寄存器读取，从而确保两次有效值读取的开始时间间隔375 µs。 或者，也可以将有效值寄存器与不受此局限性影响的其它寄存器交错读取，从而确保两次连续有效值寄存器读取的开始 时间间隔265 μs。 相关问题 无。 表28. 要获得最佳精度性能，内部设置必须更改[er004，Version = 2芯片] 背景 问题 临时解决方案 相关问题 内部默认设置为ADE7854、ADE7858、ADE7868和ADE7878提供最佳精度性能。 研究发现，使用不同设置时，可改善精度性能。 要为此内部寄存器使能新设置，执行两次连续8位寄存器写操作： 第一次写操作：将0xAD写入地址0xE7FE。 第二次写操作：将0x01写入地址0xE7E2。 写操作必须连续执行，中间无任何其他读/写操作。作为正确捕捉到值的验证，地址0xE7E2的简单8位读取应显示0x01值。 无。 Rev. H | Page 78 of 100 ADE7854/ADE7858/ADE7868/ADE7878 表29. ADE7854、ADE7858、ADE7868和ADE7878可能不会立刻使用写入SAGLVL和ZXTOUT寄存器的值[er005，Version = 4 和Version = 5硅片] 背景 问题 临时解决方案 相关问题 一般而言，SAGLVL和ZXTOUT寄存器会在上电或硬件/软件复位之后立刻初始化。在RUN寄存器置1之后，相电压骤降检 测器(对于SAGLVL)和过零超时电路(对于ZXTOUT)会立刻使用这些值。 在上电或硬件/软件复位之后，SAGLVL寄存器会初始化为新值，不过新值可能会出现延迟，因此并不能立刻供相电压骤 降检测器使用。不过，在至少一相电压上升至相电压ADC处满量程输入的10%以上时，检测器即会使用该新值。 在上电或硬件/软件复位之后，ZXTOUT寄存器会初始化为新值，不过新值可能会出现延迟，因此并不能立刻供过零超 时电路使用。不过，在至少一相电压上升至相电压ADC处满量程输入的10%以上时，该电流确实会使用该新值。 一般而言，上电或硬件/软件复位之后，至少有一相电压会超过满量程的10%。如果无法保证这点，那么应该连续写入 SAGLVL和ZXTOUT寄存器八次，从而将相电压骤降检测器和过零超时电路不立刻考虑新值的可能性降至0.2 ppm以下。 无。 第1部分. ADE7854/ADE7858/ADE7868/ADE7878功能问题 参考编号 er001 er002 er003 er004 er005 说明 失调有效值寄存器无法设为负值。 ADE7854、ADE7858、ADE7868和ADE7878可能不会立刻使用写入CF1DEN、CF2DEN、CF3DEN、SAGLVL和 ZXTOUT寄存器的值。 只读有效值寄存器可能显示错误的值。 要获得最佳精度性能，内部设置必须更改。 ADE7854、ADE7858、ADE7868和ADE7878可能不会立刻使用写入SAGLVL和ZXTOUT寄存器的值。 “硅片异常”部分到此结束。 Rev. H | Page 79 of 100 状态 已确定 已确定 已确定 已确定 已确定 ADE7854/ADE7858/ADE7868/ADE7878 寄存器列表 表30. DSP数据存储器RAM中的寄存器列表 地址 0x4380 0x4381 0x4382 0x4383 0x4384 0x4385 0x4386 寄存器名称 AIGAIN AVGAIN BIGAIN BVGAIN CIGAIN CVGAIN NIGAIN R/W 1 R/W R/W R/W R/W R/W R/W R/W 位长 24 24 24 24 24 24 24 通信期间的位长2 32 ZPSE 32 ZPSE 32 ZPSE 32 ZPSE 32 ZPSE 32 ZPSE 32 ZPSE 类型 3 S S S S S S S 默认值 0x000000 0x000000 0x000000 0x000000 0x000000 0x000000 0x000000 0x4387 0x4388 0x4389 0x438A 0x438B 0x438C 0x438D AIRMSOS AVRMSOS BIRMSOS BVRMSOS CIRMSOS CVRMSOS NIRMSOS R/W R/W R/W R/W R/W R/W R/W 24 24 24 24 24 24 24 32 ZPSE 32 ZPSE 32 ZPSE 32 ZPSE 32 ZPSE 32 ZPSE 32 ZPSE S S S S S S S 0x000000 0x000000 0x000000 0x000000 0x000000 0x000000 0x000000 0x438E 0x438F 0x4390 0x4391 0x4392 0x4393 0x4394 0x4395 0x4396 0x4397 AVAGAIN BVAGAIN CVAGAIN AWGAIN AWATTOS BWGAIN BWATTOS CWGAIN CWATTOS AVARGAIN R/W R/W R/W R/W R/W R/W R/W R/W R/W R/W 24 24 24 24 24 24 24 24 24 24 32 ZPSE 32 ZPSE 32 ZPSE 32 ZPSE 32 ZPSE 32 ZPSE 32 ZPSE 32 ZPSE 32 ZPSE 32 ZPSE S S S S S S S S S S 0x000000 0x000000 0x000000 0x000000 0x000000 0x000000 0x000000 0x000000 0x000000 0x000000 0x4398 AVAROS R/W 24 32 ZPSE S 0x000000 0x4399 BVARGAIN R/W 24 32 ZPSE S 0x000000 0x439A BVAROS R/W 24 32 ZPSE S 0x000000 0x439B CVARGAIN R/W 24 32 ZPSE S 0x000000 0x439C CVAROS R/W 24 32 ZPSE S 0x000000 0x439D AFWGAIN R/W 24 32 ZPSE S 0x000000 0x439E AFWATTOS R/W 24 32 ZPSE S 0x000000 0x439F BFWGAIN R/W 24 32 ZPSE S 0x000000 0x43A0 BFWATTOS R/W 24 32 ZPSE S 0x000000 0x43A1 0x43A2 CFWGAIN CFWATTOS R/W R/W 24 24 32 ZPSE 32 ZPSE S S 0x000000 0x000000 Rev. H | Page 80 of 100 说明 A相电流增益调整。 A相电压增益调整。 B相电流增益调整。 B相电压增益调整。 C相电流增益调整。 C相电压增益调整。 零线电流增益调整(仅限ADE7868和 ADE7878)。 A相电流有效值失调。 A相电压有效值失调。 B相电流有效值失调。 B相电压有效值失调。 C相电流有效值失调。 C相电压有效值失调。 零线电流有效值失调(仅限ADE7868和 ADE7878)。 A相视在功率增益调整。 B相视在功率增益调整。 C相视在功率增益调整。 A相总有功功率增益调整。 A相总有功功率失调调整。 B相总有功功率增益调整。 B相总有功功率失调调整。 C相总有功功率增益调整。 C相总有功功率失调调整。 A相总无功功率增益调整(仅限ADE7858、 ADE7868和ADE7878)。 A相总无功功率失调调整(仅限ADE7858、 ADE7868和ADE7878)。 B相总无功功率增益调整(仅限ADE7858、 ADE7868和ADE7878)。 B相总无功功率失调调整(仅限ADE7858、 ADE7868和ADE7878)。 C相总无功功率增益调整(仅限ADE7858、 ADE7868和ADE7878)。 C相总无功功率失调调整(仅限ADE7858、 ADE7868和ADE7878)。 A相基波有功功率增益调整。ADE7854、 ADE7858和ADE7868的保留位置。 A相基波有功功率失调调整。ADE7854、 ADE7858和ADE7868的保留位置。 B相基波有功功率增益调整(仅限 ADE7878)。 B相基波有功功率失调调整(仅限 ADE7878)。 C相基波有功功率增益调整。 C相基波有功功率失调调整(仅限 ADE7878)。 ADE7854/ADE7858/ADE7868/ADE7878 地址 0x43A3 寄存器名称 AFVARGAIN R/W 1 R/W 位长 24 通信期间的位长2 32 ZPSE 类型3 S 默认值 0x000000 0x43A4 AFVAROS R/W 24 32 ZPSE S 0x000000 0x43A5 BFVARGAIN R/W 24 32 ZPSE S 0x000000 0x43A6 BFVAROS R/W 24 32 ZPSE S 0x000000 0x43A7 CFVARGAIN R/W 24 32 ZPSE S 0x000000 0x43A8 CFVAROS R/W 24 32 ZPSE S 0x000000 0x43A9 VATHR1 R/W 24 32 ZP U 0x000000 0x43AA VATHR0 R/W 24 32 ZP U 0x000000 0x43AB WTHR1 R/W 24 32 ZP U 0x000000 0x43AC WTHR0 R/W 24 32 ZP U 0x000000 0x43AD VARTHR1 R/W 24 32 ZP U 0x000000 0x43AE VARTHR0 R/W 24 32 ZP U 0x000000 0x43AF 保留 N/A 4 N/A4 N/A4 N/A4 0x000000 0x43B0 0x43B1 VANOLOAD APNOLOAD R/W R/W 24 24 32 ZPSE 32 ZPSE S S 0x0000000 0x0000000 0x43B2 VARNOLOAD R/W 24 32 ZPSE S 0x0000000 0x43B3 VLEVEL R/W 24 32 ZPSE S 0x000000 0x43B4 0x43B5 保留 DICOEFF N/A4 R/W N/A4 24 N/A4 32 ZPSE N/A4 S 0x000000 0x0000000 0x43B6 HPFDIS R/W 24 32 ZP U 0x000000 0x43B7 保留 N/A4 N/A4 N/A4 N/A4 0x000000 0x43B8 ISUMLVL R/W 24 32 ZPSE S 0x000000 Rev. H | Page 81 of 100 说明 A相基波无功功率增益调整(仅限 ADE7878)。 A相基波无功功率失调调整(仅限 ADE7878)。 B相基波无功功率增益调整(仅限 ADE7878)。 B相基波无功功率失调调整(仅限 ADE7878)。 C相基波无功功率增益调整(仅限 ADE7878)。 C相基波无功功率失调调整(仅限 ADE7878)。 相位视在功率数据路径中所用VATHR [47:0]阈值的24个最高有效位。 相位视在功率数据路径中所用VATHR [47:0]阈值的24个最低有效位。 相位总/基波有功功率数据路径中所用 WTHR[47:0]阈值的24个最高有效位。 相位总/基波有功功率数据路径中所用 WTHR[47:0]阈值的24个最低有效位。 相位总/基波无功功率数据路径中所用 VARTHR[47:0]阈值的24个最高有效位(仅 限ADE7858、ADE7868和ADE7878)。 相位总/基波无功功率数据路径中所用 VARTHR[47:0]阈值的24个最低有效位(仅 限ADE7858、ADE7868和ADE7878)。 此存储器位置应该保持为0x000000， 以确保正常工作。 视在功率数据路径中的空载阈值。 总/基波有功功率数据路径中的空载阈 值。 总/基波无功功率数据路径中的空载阈 值。ADE7854的保留位置。 基波有功/无功功率算法中使用的寄存 器(仅限ADE7878)。 此位置不应写入数据，以确保正常工作。 数字积分器算法中使用的寄存器。如果 积分器处于开启状态，则必须设为 0xFF8000。实际操作中是以0xFFF8000 形式发送的。 禁用/使能电流数据路径中的HPF(参见 表34)。 此存储器位置应该保持为0x000000， 以确保正常工作。 比较相电流之和和零线电流时使用的阈 值(仅限ADE7868和ADE7878)。 ADE7854/ADE7858/ADE7868/ADE7878 地址 0x43B9至 0x43BE 0x43BF 寄存器名称 保留 R/W 1 N/A4 位长 N/A4 通信期间的位长2 N/A4 类型 3 N/A4 默认值 0x000000 ISUM R 28 32 ZP S N/A4 0x43C0 0x43C1 0x43C2 0x43C3 0x43C4 0x43C5 0x43C6 AIRMS AVRMS BIRMS BVRMS CIRMS CVRMS NIRMS R R R R R R R 24 24 24 24 24 24 24 32 ZP 32 ZP 32 ZP 32 ZP 32 ZP 32 ZP 32 ZP S S S S S S S N/A4 N/A4 N/A4 N/A4 N/A4 N/A4 N/A4 0x43C7至 0x43FF 保留 N/A4 N/A4 N/A4 N/A4 N/A4 1 2 3 3 说明 这些存储器位置应该保持为0x000000， 以确保正常工作。 IAWV、 IBWV和 ICWV寄 存 器 之 和 (仅 限 ADE7868和ADE7878)。 A相电流有效值。 A相电压有效值。 B相电流有效值。 B相电压有效值。 C相电流有效值。 C相电压有效值。 零 线 电 流 有 效 值 (仅 限 ADE7868和 ADE7878)。 这些存储器位置不应写入数据，以确保 正常工作。 R表示读取，而W表示写入。 32 ZPSE = 以32位字形式传输的24位带符号寄存器，其中四个MSB以0进行填充并通过符号扩展至28位。而32 ZP = 以32位字形式传输的28或24位带符号或无符 号寄存器，其中分别有四个或八个MSB以0进行填充。 U表示无符号寄存器，而S表示二进制补码格式的带符号寄存器。 N/A表示不适用 表31. 内部DSP存储器RAM寄存器 地址 0xE203 0xE228 1 2 寄存器 名称 保留 Run R/W 1 R/W R/W 位长 16 16 通信期间的位长 16 16 类型 2 U U 默认值 0x0000 0x0000 说明 此存储器位置不应写入数据，以确保正常工作。 Run寄存器负责启动和停止DSP。详情参见“数字 信号处理器”部分。 R表示读取，而W表示写入。 U表示无符号寄存器，而S表示二进制补码格式的带符号寄存器。 表32. Billable寄存器 地址 0xE400 0xE401 0xE402 0xE403 0xE404 0xE405 0xE406 寄存器名称 AWATTHR BWATTHR CWATTHR AFWATTHR BFWATTHR CFWATTHR AVARHR R/W 1, 2 R R R R R R R 位长2 32 32 32 32 32 32 32 通信期间的位长2 32 32 32 32 32 32 32 类型2, 3 S S S S S S S 默认值 0x00000000 0x00000000 0x00000000 0x00000000 0x00000000 0x00000000 0x00000000 0xE407 BVARHR R 32 32 S 0x00000000 0xE408 CVARHR R 32 32 S 0x00000000 0xE409 0xE40A 0xE40B AFVARHR BFVARHR CFVARHR R R R 32 32 32 32 32 32 S S S 0x00000000 0x00000000 0x00000000 Rev. H | Page 82 of 100 说明 A相总有功电能累计。 B相总有功电能累计。 C相总有功电能累计。 A相基波有功电能累计(仅限ADE7878)。 B相基波有功电能累计(仅限ADE7878)。 C相基波有功电能累计(仅限ADE7878)。 A相总无功电能累计(仅限ADE7858、 ADE7868和ADE7878)。 B相总无功电能累计(仅限ADE7858、 ADE7868和ADE7878)。 C相总无功电能累计(仅限ADE7858、 ADE7868和ADE7878)。 A相基波无功电能累计(仅限ADE7878)。 B相基波无功电能累计(仅限ADE7878)。 C相基波无功电能累计(仅限ADE7878)。 ADE7854/ADE7858/ADE7868/ADE7878 地址 0xE40C 0xE40D 0xE40E 1 2 3 寄存器名称 AVAHR BVAHR CVAHR R/W R 1, 2 R R 位长2 32 32 32 通信期间的位长2 32 32 32 类型2, 3 S S S 默认值 0x00000000 0x00000000 0x00000000 说明 A相视在电能累计。 B相视在电能累计。 C相视在电能累计。 R表示读取，而W表示写入。 N/A表示不适用。 U表示无符号寄存器，而S表示二进制补码格式的带符号寄存器。 表33. Configuration and power quality寄存器 地址 0xE500 寄存器名称 IPEAK R/W 1 R 位长 32 通信期间的位长2 32 类型3 U 默认值4 N/A 0xE501 VPEAK R 32 32 U N/A 0xE502 0xE503 0xE504 STATUS0 STATUS1 AIMAV R/W R/W R 32 32 20 32 32 32 ZP U U U N/A N/A N/A 0xE505 BIMAV R 20 32 ZP U N/A 0xE506 CIMAV R 20 32 ZP U N/A 0xE507 0xE508 0xE509 0xE50A 0xE50B 0xE50C 0xE50D 0xE50E 0xE50F OILVL OVLVL SAGLVL MASK0 MASK1 IAWV IBWV ICWV INWV R/W R/W R/W R/W R/W R R R R 24 24 24 32 32 24 24 24 24 32 ZP 32 ZP 32 ZP 32 32 32 SE 32 SE 32 SE 32 SE U U U U U S S S S 0xFFFFFF 0xFFFFFF 0x000000 0x00000000 0x00000000 N/A N/A N/A N/A 0xE510 0xE511 0xE512 0xE513 0xE514 0xE515 0xE516 VAWV VBWV VCWV AWATT BWATT CWATT AVAR R R R R R R R 24 24 24 24 24 24 24 32 SE 32 SE 32 SE 32 SE 32 SE 32 SE 32 SE S S S S S S S N/A N/A N/A N/A N/A N/A N/A 0xE517 BVAR R 24 32 SE S N/A 0xE518 CVAR R 24 32 SE S N/A Rev. H | Page 83 of 100 说明 电流峰值寄存器。有关其组成成分的 更多信息，请参见图50和表35。 电压峰值寄存器。有关其组成成分的 更多信息，请参见图50和表36。 中断状态寄存器0。请参见表37。 中断状态寄存器1。请参见表38。 PSM0和PSM1模式下计算出的A相电流 平均绝对值(仅限ADE7868和ADE7878)。 PSM0和PSM1模式下计算出的B相电流 平均绝对值(仅限ADE7868和ADE7878)。 PSM0和PSM1模式下计算出的C相电流 平均绝对值(仅限ADE7868和ADE7878)。 过流阈值。 过压阈值。 电压SAG电平阈值。 中断使能寄存器0。请参见表39。 中断使能寄存器1。请参见表40。 A相电流的瞬时值。 B相电流的瞬时值。 C相电流的瞬时值。 零 线 电 流 的 瞬 时 值 (仅 限 ADE7868和 ADE7878)。 A相电压的瞬时值。 B相电压的瞬时值。 C相电压的瞬时值。 A相总有功功率的瞬时值。 B相总有功功率的瞬时值。 C相总有功功率的瞬时值。 A相 总 无 功 功 率 的 瞬 时 值 (仅 限 ADE7858、ADE7868和ADE7878)。 B相 总 无 功 功 率 的 瞬 时 值 (仅 限 ADE7858、ADE7868和ADE7878)。 C相 总 无 功 功 率 的 瞬 时 值 (仅 限 ADE7858、ADE7868和ADE7878)。 ADE7854/ADE7858/ADE7868/ADE7878 地址 0xE519 0xE51A 0xE51B 0xE51F 寄存器名称 AVA BVA CVA CHECKSUM R/W R R R R 位长 24 24 24 32 通信期间的位长2 32 SE 32 SE 32 SE 32 类型3 S S S U 默认值4 N/A N/A N/A 0x33666787 0xE520 VNOM R/W 24 32 ZP S 0x000000 0xE521至 0xE52E 0xE600 0xE601 保留 PHSTATUS ANGLE0 R R 16 16 16 16 U U N/A N/A 0xE602 ANGLE1 R 16 16 U N/A 0xE603 ANGLE2 R 16 16 U N/A 0xE604至 0xE606 0xE607 0xE608 0xE609至 0xE60B 0xE60C 0xE60D 0xE60E 0xE60F 0xE610 0xE611 0xE612 0xE613 0xE614 0xE615 0xE616 0xE617 0xE618 0xE700 0xE701 0xE702 0xE703 0xE704 保留 PERIOD PHNOLOAD 保留 R R 16 16 16 16 U U N/A N/A LINECYC ZXTOUT COMPMODE Gain CFMODE CF1DEN CF2DEN CF3DEN APHCAL BPHCAL CPHCAL PHSIGN CONFIG MMODE ACCMODE LCYCMODE PEAKCYC SAGCYC R/W R/W R/W R/W R/W R/W R/W R/W R/W R/W R/W R R/W R/W R/W R/W R/W R/W 16 16 16 16 16 16 16 16 10 10 10 16 16 8 8 8 8 8 16 16 16 16 16 16 16 16 16 ZP 16 ZP 16 ZP 16 16 8 8 8 8 8 U U U U U U U U S S S U U U U U U U 0xFFFF 0xFFFF 0x01FF 0x0000 0x0E88 0x0000 0x0000 0x0000 0x0000 0x0000 0x0000 N/A 0x0000 0x1C 0x00 0x78 0x00 0x00 Rev. H | Page 84 of 100 说明 A相视在功率的瞬时值。 B相视在功率的瞬时值。 C相视在功率的瞬时值。 检验和验证。详情参见“校验和寄存器” 部分。 视在功率替代计算中使用的标称相 电压有效值。VNOMxEN位置位后， 忽略施加在对应相上的电压，且所 有相应的有效值电压实例均以VNOM 寄存器中的值代替。 这些地址不应写入数据，以确保正常 工作。 相位峰值寄存器。参见表41。 时间延迟0。详情参见“相位时间间隔” 部分。 时间延迟0。详情参见“相位时间间隔” 部分。 时间延迟2。详情参见“相位时间间隔” 部分。 这些地址不应写入数据，以确保正常 工作。 网络线路周期。 相位空载寄存器。参见表42。 这些地址不应写入数据，以确保正常 工作。 线路周期累计模式计数。 过零超时计数。 压缩模式寄存器。参见表43。 ADC输入端的PGA增益。参见表44。 CFx配置寄存器。参见表45。 CF1分母。 CF2分母。 CF3分母。 A相相位校准。请参见表46。 B相相位校准。请参见表46。 C相相位校准。请参见表46。 功率符号寄存器。参见表47。 ADE7878配置寄存器。参见表48。 测量模式寄存器。参见表49。 累计模式寄存器。参见表50。 线路累计模式状态。参见表52。 峰值检测半波周期数。 SAG检测半波周期数。 ADE7854/ADE7858/ADE7868/ADE7878 地址 0xE705 寄存器名称 CFCYC R/W R/W 位长 8 通信期间的位长2 8 类型3 U 默认值4 0x01 0xE706 0xE707 0xEBFF HSDC_CFG Version 保留 R/W R 8 8 8 8 8 8 U U 0x00 0xEC00 LPOILVL R/W 8 8 U 0x07 0xEC01 CONFIG2 R/W 8 8 U 0x00 1 2 3 4 说明 两 次 连 续 电 能 锁 存 之 间 的 CF脉 冲 数。请参见“使电能寄存器与CFx输出 同步”部分。 HSDC配置寄存器。参见表53。 裸片版本。 当SPI选为激活端口时，可以使用此 地址来控制SS/HSA引脚。详情参见“ 串行接口”部分。 PSM2模 式 下 使 用 的 过 流 阈 值 (仅 限 ADE7868和ADE7878)。欲了解该寄存 器的更多信息，请参见表54。 PSM1模式下使用的配置寄存器。参 见表55。 R表示读取，而W表示写入。 32 ZP = 以32位字形式传输的24或20位带符号或无符号寄存器，其中分别有8个或12个MSB以0进行填充。32 SE = 以32位字形式传输的24位带符号寄存器，其通 过符号扩展至32位。16 ZP = 以16位字形式传输的10位无符号寄存器，其中六个MSB以0进行填充。 U表示无符号寄存器，而S表示二进制补码格式的带符号寄存器。 N/A表示不适用。 表34. HPFDIS寄存器(地址0x43B6) 默认值 23:0 默认值 00000000 说明 当HPFDIS = 0x00000000时，将使能电压和电流通道中的所有高通滤波器。而当该寄存器设为任何非零 值时，则会禁用所有高通滤波器。 表35. IPEAK寄存器(地址0xE500) 位位置 23:0 24 25 26 31:27 位名称 IPEAKVAL[23:0] IPPHASE[0] IPPHASE[1] IPPHASE[2] 默认值 0 0 0 0 00000 说明 这些位包含电流通道中确定的峰值。 该位置1时，A相电流产生IPEAKVAL[23:0]值。 该位置1时，B相电流产生IPEAKVAL[23:0]值。 该位置1时，C相电流产生IPEAKVAL[23:0]值。 这些位始终为0。 默认值 0 0 0 0 00000 说明 这些位包含电压通道中确定的峰值。 该位置1时，A相电压产生VPEAKVAL[23:0]值。 该位置1时，B相电压产生VPEAKVAL[23:0]值。 该位置1时，C相电压产生VPEAKVAL[23:0]值。 这些位始终为0。 表36. VPEAK寄存器(地址0xE501) 位位置 23:0 24 25 26 31:27 位名称 VPEAKVAL[23:0] VPPHASE[0] VPPHASE[1] VPPHASE[2] 表37. STATUS0寄存器(地址0xE502) 位位置 0 位名称 AEHF 默认值 0 1 FAEHF 0 2 REHF 0 说明 该位置1时，表示任意一个总有功电能寄存器(AWATTHR、BWATTHR或CWATTHR)的位 30已经改变。 该位置1时，表示任意一个基波有功电能寄存器(FWATTHR、BFWATTHR或CFWATTHR) 的位30已经改变。对于ADE7854、ADE7858和ADE7868，该位始终为0。 该位置1时，表示任意一个总无功电能寄存器(AVARHR、BVARHR或CVARHR)的位30已 经改变。对于ADE7854，该位始终为0。 Rev. H | Page 85 of 100 ADE7854/ADE7858/ADE7868/ADE7878 位位置 3 位名称 FREHF 默认值 0 4 5 VAEHF LENERGY 0 0 6 REVAPA 0 7 REVAPB 0 8 REVAPC 0 9 REVPSUM1 0 10 REVRPA 0 11 REVRPB 0 12 REVRPC 0 13 REVPSUM2 0 14 CF1 15 CF2 16 CF3 17 DREADY 0 18 REVPSUM3 0 31:19 保留 0 0000 0000 0000 说明 该位置1时，表示任意一个基波无功电能寄存器(AFVARHR、BFVARHR或CFVARHR)的位 30已经改变。对于ADE7854、ADE7858和ADE7868，该位始终为0。 该位置1时，表示任意一个视在电能寄存器(AVAHR、BVAHR或CVAHR)的位30已经改变。 在线路电能累计模式下，该位置1时，则表示LINECYC寄存器中所设的整数个半波周期 内的积分处理已结束。 该位置1时，表示ACCMODE寄存器位6 (REVAPSEL)所确定的A相(总或基波)有功功率符号 发生了变化。符号本身是由PHSIGN寄存器的位0 (AWSIGN)来指示(参见表47)。 该位置1时，表示ACCMODE寄存器位6 (REVAPSEL)所确定的B相(总或基波)有功功率符号 发生了变化。符号本身是由PHSIGN寄存器的位1 (BWSIGN)来指示(参见表47)。 该位置1时，表示ACCMODE寄存器位6 (REVAPSEL)所确定的C相(总或基波)有功功率符号 发生了变化。符号本身是由PHSIGN寄存器的位2 (CWSIGN)来指示(参见表47)。 该位置1时，表示CF1数据路径中所有相功率之和的符号发生了变化。符号本身是由 PHSIGN寄存器的位3 (SUM1SIGN)来指示(参见表47)。 该位置1时，表示ACCMODE寄存器位7 (REVRPSEL)所确定的A相(总或基波)无功功率符号 发生了变化。符号本身是由PHSIGN寄存器的位4 (AVARSIGN)来指示(参见表47)。对于 ADE7854，该位始终为0。 该位置1时，表示ACCMODE寄存器位7 (REVRPSEL)所确定的B相(总或基波)无功功率符号 发生了变化。符号本身是由PHSIGN寄存器的位5 (BVARSIGN)来指示(参见表47)。对于 ADE7854，该位始终为0。 该位置1时，表示ACCMODE寄存器位7 (REVRPSEL)所确定的C相(总或基波)无功功率符号 发生了变化。符号本身是由PHSIGN寄存器的位6 (CVARSIGN)来指示(参见表47)。对于 ADE7854，该位始终为0。 该位置1时，表示CF2数据路径中所有相功率之和的符号发生了变化。符号本身是由 PHSIGN寄存器的位7 (SUM2SIGN)来指示(参见表47)。 该位置1时，表示CF1引脚处发生了高电平至低电平转换；也就是说，产生了低电平有 效脉冲。即使通过将CFMODE寄存器的位9 (CF1DIS)置1禁用了CF1输出，也会设置该位。 CF1引脚处使用的功率类型由CFMODE寄存器的位[2:0] (CF1SEL[2:0])决定(参见表45)。 该位置1时，表示CF2引脚处发生了高电平至低电平转换；也就是说，产生了低电平有 效脉冲。即使通过将CFMODE寄存器的位10 (CF2DIS)置1禁用了CF2输出，也会设置该 位。CF2引脚处使用的功率类型由CFMODE寄存器的位[5:3] (CF2SEL[2:0])决定(参见表45)。 该位置1时，表示CF3引脚处发生了高电平至低电平转换；也就是说，产生了低电平有 效脉冲。即使通过将CFMODE寄存器的位11 (CF3DIS)置1禁用了CF3输出，也会设置该 位。CF3引脚处使用的功率类型由CFMODE寄存器的位[8:6] (CF3SEL[2:0])决定(参见表45)。 该位置1时，表示所有周期性(速率为8 kHz)DSP计算都已完成。 该位置1时，表示CF3数据路径中所有相功率之和的符号发生了变化。符号本身是由 PHSIGN寄存器的位8 (SUM3SIGN)来指示(参见表47)。 保留。这些位始终为0。 Rev. H| Page 86 of 100 ADE7854/ADE7858/ADE7868/ADE7878 表38. STATUS1寄存器(地址0xE503) 位位置 0 位名称 NLOAD 默认值 0 说明 该位置1时，表示根据总有功/无功功率判断，至少有一相进入了空载条件。具体相位由 PHNOLOAD寄存器的位[2:0] (NLPHASE[x])来指示(参见表42)。 该位置1时，表示根据基波有功/无功功率判断，至少有一相进入了空载条件。具体相位 由PHNOLOAD寄存器的位[5:3] (FNLPHASE[x])来指示(欲了解此寄存器，请参见表42)。对于 ADE7854、ADE7858和ADE7868，该位始终为0。 该位置1时，表示根据视在功率判断，至少有一相进入了空载条件。具体相位由PHNOLOAD寄存器的位[8:6] (VANLPHASE[x])来指示(参见表42)。 该位置1时，表示A相电压上的过零事件缺失。 该位置1时，表示B相电压上的过零事件缺失。 该位置1时，表示C相电压上的过零事件缺失。 该位置1时，表示A相电流上的过零事件缺失。 该位置1时，表示B相电流上的过零事件缺失。 该位置1时，表示C相电流上的过零事件缺失。 该位置1时，表示在A相电压上检测到了过零事件。 该位置1时，表示在B相电压上检测到了过零事件。 该位置1时，表示在C相电压上检测到了过零事件。 该位置1时，表示在A相电流上检测到了过零事件。 该位置1时，表示在B相电流上检测到了过零事件。 该位置1时，表示在C相电流上检测到了过零事件。 执行软件复位命令时，CONFIG寄存器的位7 (SWRST)会被置1；或者，从PSM1、PSM2或PSM3 转换为PSM0，或硬件复位时，在转换过程结束且所有寄存器的值均变为默认值之后，该 位会被置1。由于无法禁用此中断，因此IRQ1引脚会变为低电平来表示这一时刻。 该位置1时，表示PHSTATUS寄存器的位[14:12] (VSPHASE[x])某一相上发生了SAG事件(参见表41)。 该位置1时，表示PHSTATUS寄存器的位[5:3] (OIPHASE[x])某一相上发生了过流事件(参见表41)。 1 FNLOAD 0 2 VANLOAD 0 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 ZXTOVA ZXTOVB ZXTOVC ZXTOIA ZXTOIB ZXTOIC ZXVA ZXVB ZXVC ZXIA ZXIB ZXIC RSTDONE 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 1 16 17 SAG OI 0 0 18 19 OV SEQERR 0 0 该位置1时，表示PHSTATUS寄存器的位[11:9] (OVPHASE[x])某一相上发生了过压事件(参见表41)。 该位置1时，表示A相电压上的由负到正过零事件之后跟随的不是B相电压上的由负到正过 零事件，而是C相电压上的由负到正过零事件。 20 MISMTCH 0 21 22 23 保留 保留 PKI 1 0 0 该位置1时，表示 ，其中 ISUM − INWV > ISUMLVL ISUMLVL由ISUMLVL寄存器指示。 对于ADE7854和ADE7858，该位始终为0。 保留。该位始终置1。 保留。该位始终置0。 该位置1时，表示用于检测电流通道中峰值的周期已经结束。IPEAK寄存器包含峰值及检 测到该峰值的相位(参见表35)。 24 PKV 0 31:25 保留 000 0000 该位置1时，表示用于检测电压通道中峰值的周期已经结束。VPEAK寄存器包含峰值及检 测到该峰值的相位(参见表36)。 保留。这些位始终为0。 Rev. H| Page 87 of 100 ADE7854/ADE7858/ADE7868/ADE7878 表39. MASK0寄存器(地址0xE50A) 位位置 0 位名称 AEHF 默认值 0 1 FAEHF 0 2 REHF 0 3 FREHF 0 4 VAEHF 0 5 LENERGY 0 6 REVAPA 0 7 REVAPB 0 8 REVAPC 0 9 10 REVPSUM1 REVRPA 0 0 11 REVRPB 0 12 REVRPC 0 13 14 REVPSUM2 CF1 0 15 CF2 16 CF3 17 18 31:19 DREADY REVPSUM3 保留 0 0 00 0000 0000 0000 说明 该位置1时，如果任意一个总有功电能寄存器(AWATTHR、BWATTHR或CWATTHR)的位30 发生了改变，则使能中断。 该位置1时，如果任意一个基波有功电能寄存器(AFWATTHR、BFWATTHR或CFWATTHR) 的位30发生了改变，则使能中断。对于ADE7854、ADE7858和ADE7868，该位置1并不 会产生任何作用。 该位置1时，如果任意一个总无功电能寄存器(AVARHR、BVARHR或CVARHR)的位30发生 了改变，则使能中断。对于ADE7854，该位置1并不会产生任何作用。 该位置1时，如果任意一个基波无功电能寄存器(AFVARHR、BFVARHR或CFVARHR)的位 30发生了改变，则使能中断。对于ADE7854、ADE7858和ADE7868，该位置1并不会产 生任何作用。 该位置1时，如果任意一个视在电能寄存器(AVAHR、BVAHR或CVAHR)的位30发生了改 变，则使能中断。 在线路电能累计模式下，该位置1时，则会在LINECYC寄存器中所设的整数个半波周期 内的积分处理结束时使能中断。 该位置1时，如果ACCMODE寄存器位6 (REVAPSEL)所确定的A相(总或基波)有功功率符号 发生了变化，则使能中断。 该位置1时，如果ACCMODE寄存器位6 (REVAPSEL)所确定的B相(总或基波)有功功率符号 发生了变化，则使能中断。 该位置1时，如果ACCMODE寄存器位6 (REVAPSEL)所确定的C相(总或基波)有功功率符号 发生了变化，则使能中断。 该位置1时，如果CF1数据路径中所有相功率之和的符号发生了变化，则使能中断。 该位置1时，如果ACCMODE寄存器位7 (REVRPSEL)所确定的A相(总或基波)无功功率符号 发生了变化，则使能中断。对于ADE7854，该位置1并不会产生任何作用。 该位置1时，如果ACCMODE寄存器位7 (REVRPSEL)所确定的B相(总或基波)无功功率符号 发生了变化，则使能中断。对于ADE7854，该位置1并不会产生任何作用。 该位置1时，如果ACCMODE寄存器位7 (REVRPSEL)所确定的C相(总或基波)无功功率符号 发生了变化，则使能中断。对于ADE7854，该位置1并不会产生任何作用。 该位置1时，如果CF2数据路径中所有相功率之和的符号发生了变化，则使能中断。 该位置1时，如果CF1引脚处发生了高电平至低电平转换，即产生了低电平有效脉冲， 则使能中断。即使通过将CFMODE寄存器的位9 (CF1DIS)置1禁用了CF1输出，也仍可使能 该中断。CF1引脚处使用的功率类型由CFMODE寄存器的位[2:0] (CF1SEL[2:0])决定(参见 表45)。 该位置1时，如果CF2引脚处发生了高电平至低电平转换，即产生了低电平有效脉冲， 则使能中断。即使通过将CFMODE寄存器的位10 (CF2DIS)置1禁用了CF2输出，也仍可使 能该中断。CF2引脚处使用的功率类型由CFMODE寄存器的位[5:3] (CF2SEL[2:0])决定(参 见表45)。 该位置1时，如果CF3引脚处发生了高电平至低电平转换，即产生了低电平有效脉冲， 则使能中断。即使通过将CFMODE寄存器的位11 (CF3DIS)置1禁用了CF3输出，也仍可使 能该中断。CF3引脚处使用的功率类型由CFMODE寄存器的位[8:6] (CF3SEL[2:0])决定(参见 表45)。 该位置1时，所有周期性(速率为8 kHz)DSP计算全部完成后即会使能中断。 该位置1时，如果CF3数据路径中所有相功率之和的符号发生了变化，则使能中断。 保留。这些位不管理任何功能。 Rev. H| Page 88 of 100 ADE7854/ADE7858/ADE7868/ADE7878 表40. MASK1寄存器(地址0xE50B) 位位置 0 位名称 NLOAD 默认值 0 说明 该位置1时，如果根据总有功/无功功率判断，至少有一相进入了空载条件，则使能中断。 1 FNLOAD 0 2 VANLOAD 0 该位置1时，如果根据基波有功/无功功率判断，至少有一相进入了空载条件，则使能 中断。对于ADE7854、ADE7858和ADE7868，该位置1并不会产生任何作用。 该位置1时，如果根据视在功率判断，至少有一相进入了空载条件，则使能中断。 3 ZXTOVA 0 该位置1时，如果A相电压上的过零事件缺失，则使能中断。 4 5 ZXTOVB ZXTOVC 0 0 该位置1时，如果B相电压上的过零事件缺失，则使能中断。 该位置1时，如果C相电压上的过零事件缺失，则使能中断。 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 ZXTOIA ZXTOIB ZXTOIC ZXVA ZXVB ZXVC ZXIA ZXIB ZXIC RSTDONE 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 16 SAG 0 17 OI 0 18 OV 0 19 SEQERR 0 20 MISMTCH 0 该位置1时，如果A相电流上的过零事件缺失，则使能中断。 该位置1时，如果B相电流上的过零事件缺失，则使能中断。 该位置1时，如果C相电流上的过零事件缺失，则使能中断。 该位置1时，如果在A相电压上检测到了过零事件，则使能中断。 该位置1时，如果在B相电压上检测到了过零事件，则使能中断。 该位置1时，如果在C相电压上检测到了过零事件，则使能中断。 该位置1时，如果在A相电流上检测到了过零事件，则使能中断。 该位置1时，如果在B相电流上检测到了过零事件，则使能中断。 该位置1时，如果在C相电流上检测到了过零事件，则使能中断。 由于无法禁用RSTDONE中断，因此该引脚未附加任何功能。无论置1还是清0，均不会产 生任何效果。 该位置1时，如果PHSTATUS寄存器的位[14:12] (VSPHASE[x])某一相上发生了SAG事件，则使 能中断(参见表41)。 该位置1时，如果PHSTATUS寄存器的位[5:3] (OIPHASE[x])某一相上发生了过流事件，则使能 中断(参见表41)。 该位置1时，如果PHSTATUS寄存器的位[11:9] (OVPHASE[x])某一相上发生了过压事件，则使 能中断(参见表41)。 该位置1时，如果A相电压上的由负到正过零事件之后跟随的不是B相电压上的由负到正 过零事件，而是C相电压上的由负到正过零事件，则使能中断。 该位置1时，如果 ISUM − INWV > ISUMLVL 大于ISUMLVL寄存器给出的ISUMLVL值， 则使能中断。对于ADE7854和ADE7858，该位置1并不会产生任何作用。 22:21 23 24 31:25 保留 PKI PKV 保留 00 0 0 000 0000 保留。这些位不管理任何功能。 该位置1时，如果用于检测电流通道中峰值的周期已经结束，则使能中断。 该位置1时，如果用于检测电压通道中峰值的周期已经结束，则使能中断。 保留。这些位不管理任何功能。 Rev. H| Page 89 of 100 ADE7854/ADE7858/ADE7868/ADE7878 表41. PHSTATUS寄存器(地址0xE600) 位位置 2:0 3 4 5 8:6 9 10 11 12 13 14 15 位名称 保留 OIPHASE[0] OIPHASE[1] OIPHASE[2] 保留 OVPHASE[0] OVPHASE[1] OVPHASE[2] VSPHASE[0] VSPHASE[1] VSPHASE[2] 保留 默认值 000 0 0 0 000 0 0 0 0 0 0 0 说明 保留。这些位始终为0。 该位置1时，A相电流发生OI事件导致STATUS1寄存器的位17 (OI) 置位。 该位置1时，B相电流发生OI事件导致STATUS1寄存器的位17 (OI) 置位。 该位置1时，C相电流发生OI事件导致STATUS1寄存器的位17 (OI) 置位。 保留。这些位始终为0。 该位置1时，A相电压发生OV事件导致STATUS1寄存器的位18 (OV) 置位。 该位置1时，B相电压发生OV事件导致STATUS1寄存器的位18 (OV) 置位。 该位置1时，C相电压发生OV事件导致STATUS1寄存器的位18 (OV) 置位。 该位置1时，A相电压发生SAG事件导致STATUS1寄存器的位16 (SAG)置位。 该位置1时，B相电压发生SAG事件导致STATUS1寄存器的位16 (SAG)置位。 该位置1时，C相电压发生SAG事件导致STATUS1寄存器的位16 (SAG)置位。 保留 表42. PHNOLOAD寄存器(地址0xE608) 位位置 0 位名称 NLPHASE[0] 默认值 0 说明 0: 根据总有功/无功功率判断，A相并未处于空载条件。 1: 根据总有功/无功功率判断，A相处于空载条件。该位与STATUS1寄存器的位0 (NLOAD) 一起设置。 ADE7854空载条件完全取决于总有功功率。 1 NLPHASE[1] 0 0: 根据总有功/无功功率判断，B相并未处于空载条件。 1: 根据总有功/无功功率判断，B相处于空载条件。该位与STATUS1寄存器的位0 (NLOAD) 一起设置。 ADE7854空载条件完全取决于总有功功率。 2 NLPHASE[2] 0 0: 根据总有功/无功功率判断，C相并未处于空载条件。 1: 根据总有功/无功功率判断，C相处于空载条件。该位与STATUS1寄存器的位0 (NLOAD) 一起设置。 ADE7854空载条件完全取决于总有功功率。 3 FNLPHASE[0] 0 4 FNLPHASE[1] 0 0: 根据基波有功/无功功率确定A相并未处于空载条件。对于ADE7854、ADE7858和ADE7868， 该位始终为0。 1: 根据基波有功/无功功率确定A相处于空载条件。该位与STATUS1的位1 (FNLOAD)一起设置。 0: 根据基波有功/无功功率确定B相并未处于空载条件。对于ADE7854、ADE7858和ADE7868， 该位始终为0。 1: 根据基波有功/无功功率确定B相处于空载条件。该位与STATUS1的位1 (FNLOAD)一起设置。 5 FNLPHASE[2] 0 6 VANLPHASE[0] 0 7 VANLPHASE[1] 0 8 VANLPHASE[2] 0 15:9 保留 000 0000 0: 根据基波有功/无功功率确定C相并未处于空载条件。对于ADE7854、ADE7858和ADE7868， 该位始终为0。 1: 根据基波有功/无功功率确定C相处于空载条件。该位与STATUS1的位1 (FNLOAD)一起设置。 0: 根据视在功率确定A相并未处于空载条件。 1: 根据视在功率确定A相处于空载条件。该位与STATUS1寄存器的位2 (VANLOAD)一起设置。 0: 根据视在功率确定B相并未处于空载条件。 1: 根据视在功率确定，B相处于空载条件。该位与STATUS1寄存器的位2 (VANLOAD)一起设置。 0: 根据视在功率确定，C相并未处于空载条件。 1: 根据视在功率确定，C相处于空载条件。该位与STATUS1寄存器的位2 (VANLOAD)一起设置。 保留。这些位始终为0。 Rev. H| Page 90 of 100 ADE7854/ADE7858/ADE7868/ADE7878 表43. COMPMODE寄存器(地址0xE60E) 位位置 0 位名称 TERMSEL1[0] 默认值 1 1 2 3 TERMSEL1[1] TERMSEL1[2] TERMSEL2[0] 1 1 1 4 5 6 TERMSEL2[1] TERMSEL2[2] TERMSEL3[0] 1 1 1 7 8 10:9 TERMSEL3[1] TERMSEL3[2] ANGLESEL[1:0] 1 1 00 11 VNOMAEN 0 12 VNOMBEN 0 13 VNOMCEN 0 14 SELFREQ 0 15 保留 0 说明 将TERMSEL1[2:0]全部置1时，表示CF1输出中包含了所有三相之和。CF1输出计算中包含 A相。 CF1输出计算中包含B相。 CF1输出计算中包含C相。 将TERMSEL2[2:0]全部置1时，表示CF2输出中包含了所有三相之和。CF2输出计算中包含 A相。 CF2输出计算中包含B相。 CF2输出计算中包含C相。 将TERMSEL3[2:0]全部置1时，表示CF3输出中包含了所有三相之和。CF3输出计算中包含 A相。 CF3输出计算中包含B相。 CF3输出计算中包含C相。 00: 测量相电压和相电流之间的角度。 01: 测量相电压之间的角度。 10: 测量相电流之间的角度。 11: 不测量任何角度。 该位为0时，则定期计算A相上的视在功率。 该位为1时，将使用VNOM寄存器而不是常规测量的有效值相位电压来计算A相上的视在 功率。忽略施加的A相电压输入，且所有A相有效值电压实例均以VNOM寄存器中的值代替。 该位为0时，则定期计算B相上的视在功率。 该位为1时，将使用VNOM寄存器而不是常规测量的有效值相位电压来计算B相上的视在 功率。忽略施加的B相电压输入，且所有B相有效值电压实例均以VNOM寄存器中的值代替。 该位为0时，则定期计算C相上的视在功率。 该位为1时，将使用VNOM寄存器而不是常规测量的有效值相位电压来计算C相上的视在 功率。忽略施加的C相电压输入，且所有C相有效值电压实例均以VNOM寄存器中的值代替。 当ADE7878连接到50 Hz网络时，该位应该清0(默认值)。当ADE7878连接到60 Hz网络时， 该位应该置1。对于ADE7854、ADE7858和ADE7868，该位不起任何作用。 该位默认为0，并且不管理任何功能。 表44. GAIN寄存器(地址0xE60F) 位位置 2:0 5:3 PGA1[2:0] 位名称 PGA2[2:0] 默认值 000 000 说明 相电流增益选择。 000: 增益 = 1。 001: 增益 = 2。 010: 增益 = 4。 011: 增益 = 8。 100: 增益 = 16。 101, 110, 111: 保留。设置这些值时，ADE7854/ADE7858/ADE7868/ADE7878的表 现和PGA1[2:0] = 000时一致。 零线电流增益选择。 000: 增益 = 1。对于ADE7854和ADE7858，这些位始终为000。 001: 增益 = 2。 010: 增益 = 4。 011: 增益 = 8。 100: 增益 = 16。 101, 110, 111: 保留。设置这些值时，ADE7868/ADE7878的表现和PGA2[2:0] = 000时一致。 Rev. H| Page 91 of 100 ADE7854/ADE7858/ADE7868/ADE7878 8:6 PGA3[2:0] 000 15:9 保留 000 0000 相电压增益选择。 000: 增益 = 1。 001: 增益 = 2。 010: 增益 = 4。 011: 增益 = 8。 100: 增益 = 16。 101, 110, 111: 保留。设置这些值时，ADE7854/ADE7858/ADE7868/ADE7878的表 现和PGA3[2:0] = 000时一致。 保留。这些位不管理任何功能。 表45. CFMODE寄存器(地址0xE610) 位位置 2:0 位名称 CF1SEL[2:0] 默认值 000 5:3 CF2SEL[2:0] 001 8:6 CF3SEL[2:0] 010 9 CF1DIS 1 说明 000: CF1频率和COMPMODE寄存器的位[2:0] (TERMSEL1[x])标示各相总有功功率之和成正比。 001: 在COMPMODE寄存器的位[2:0] (TERMSEL1[x])所指示的各相上，CF1频率与总无功功率 之和成正比。对于ADE7854，此条件不起任何作用。 010: 在COMPMODE寄存器的位[2:0] (TERMSEL1[x])所指示的各相上，CF1频率与视在功率之 和成正比。 011: 在COMPMODE寄存器的位[2:0] (TERMSEL1[x])所指示的各相上，CF1频率与基波有功功 率之和成正比。对于ADE7854、ADE7858和ADE7868，此条件不起任何作用。 100: 在COMPMODE寄存器的位[2:0] (TERMSEL1[x])所指示的各相上，CF1频率与基波无功功 率之和成正比。对于ADE7854、ADE7858和ADE7868，此条件不起任何作用。 101, 110, 111: 保留。设置时，不产生CF1信号。 000: 在COMPMODE寄存器的位[5:3] (TERMSEL2[x])所指示的各相上，CF2频率与总有功功率 之和成正比。 001: 在COMPMODE寄存器的位[5:3] (TERMSEL2[x])所指示的各相上，CF2频率与总无功功率 之和成正比。对于ADE7854，此条件不起任何作用。 010: 在COMPMODE寄存器的位[5:3] (TERMSEL2[x])所指示的各相上，CF2频率与视在功率之 和成正比。 011: 在COMPMODE寄存器的位[5:3] (TERMSEL2[x])所指示的各相上，CF2频率与基波有功功 率之和成正比。对于ADE7854、ADE7858和ADE7868，此条件不起任何作用。 100: 在COMPMODE寄存器的位[5:3] (TERMSEL2[x])所指示的各相上，CF2频率与基波无功功 率之和成正比。对于ADE7854、ADE7858和ADE7868，此条件不起任何作用。 101,110,111: 保留。设置时，不产生CF2信号。 000: 在COMPMODE寄存器的位[8:6] (TERMSEL3[x])所指示的各相上，CF3频率与总有功功率 之和成正比。 001: 在COMPMODE寄存器的位[8:6] (TERMSEL3[x])所指示的各相上，CF3频率与总无功功率 之和成正比。对于ADE7854，此条件不起任何作用。 010: 在COMPMODE寄存器的位[8:6] (TERMSEL3[x])所指示的各相上，CF3频率与视在功率之 和成正比。 011: 在COMPMODE寄存器的位[8:6] (TERMSEL3[x])所指示的各相上，CF3频率与基波有功功 率之和成正比。对于ADE7854、ADE7858和ADE7868，此条件不起任何作用。 100: 在COMPMODE寄存器的位[8:6] (TERMSEL3[x])所指示的各相上，CF3频率与基波无功功 率之和成正比。对于ADE7854、ADE7858和ADE7868，此条件不起任何作用。 101,110,111: 保留。设置时，不产生CF3信号。 该位置1时，禁用CF1输出。即使CF1DIS = 1，仍会使能对应的数字频率转换器。 该位置0时，使能CF1输出。 Rev. H| Page 92 of 100 ADE7854/ADE7858/ADE7868/ADE7878 位位置 10 位名称 CF2DIS 默认值 1 11 CF3DIS 1 12 CF1LATCH 0 13 CF2LATCH 0 14 CF3LATCH 0 15 保留 0 说明 该位置1时，禁用CF2输出。即使CF2DIS = 1，仍会使能对应的数字频率转换器。 该位置0时，使能CF2输出。 该位置1时，禁用CF3输出。即使CF3DIS = 1，仍会使能对应的数字频率转换器。 该位置0时，使能CF3输出。 该位置1时，器件会在产生CF1脉冲时锁存对应电能寄存器的内容。请参见“使电能寄存 器与CFx输出同步”部分。 该位置1时，器件会在产生CF2脉冲时锁存对应电能寄存器的内容。请参见“使电能寄存 器与CFx输出同步”部分。 该位置1时，器件会在产生CF3脉冲时锁存对应电能寄存器的内容。请参见“使电能寄存 器与CFx输出同步”部分。 保留。该位不管理任何功能。 表46. APHCAL、BPHCAL和CPHCAL寄存器(地址0xE614、地址0xE615和地址0xE616) 位位置 9:0 位名称 PHCALVAL 默认值 0000000000 15:10 保留 000000 说明 如果电流领先电压，这些位只能在0到383范围内变化。 如果电流滞后电压，这些位只能在512到575范围内变化。 如果PHCALVAL位设为384到511范围之内的数值，则补偿方式类似于PHCALVAL设为256 到383之间时。 如果PHCALVAL位设为576到1023范围之内的数值，则补偿方式类似于PHCALVAL设为 384到511之间时。 保留。这些位不管理任何功能。 表47. PHSIGN寄存器(地址0xE617) 位位置 0 位名称 AWSIGN 默认值 0 1 BWSIGN 0 2 CWSIGN 0 3 SUM1SIGN 0 4 AVARSIGN 0 5 BVARSIGN 0 6 CVARSIGN 0 说明 0: A相上ACCMODE寄存器的位6 (REVAPSEL)给出的(总/基波)有功功率为正值时。 1: A相上ACCMODE寄存器的位6 (REVAPSEL)给出的(总/基波)有功功率为负值时。 0: B相上ACCMODE寄存器的位6 (REVAPSEL)给出的(总/基波)有功功率为正值时。 1: B相上ACCMODE寄存器的位6 (REVAPSEL)给出的(总/基波)有功功率为负值时。 0: C相上ACCMODE寄存器的位6 (REVAPSEL)给出的(总/基波)有功功率为正值时。 1: C相上ACCMODE寄存器的位6 (REVAPSEL)给出的(总/基波)有功功率为负值时。 0: CF1数据路径中所有相功率之和为正值时。 1: CF1数据路径中所有相功率之和为负值时。CF1数据路径中的相功率由COMPMODE寄存 器的位[2:0] (TERMSEL1[x])和CFMODE寄存器的位[2:0] (CF1SEL[x])确定。 0: A相上ACCMODE寄存器的位7 (REVRPSEL)给出的(总/基波)无功功率为正值时。对于 ADE7854，该位始终为0。 1: A相上ACCMODE寄存器的位7 (REVRPSEL)给出的(总/基波)无功功率为负值时。 0: B相上ACCMODE寄存器的位7 (REVRPSEL)给出的(总/基波)无功功率为正值时。对于 ADE7854，该位始终为0。 1: B相上ACCMODE寄存器的位7 (REVRPSEL)给出的(总/基波)无功功率为负值时。 0: C相上ACCMODE寄存器的位7 (REVRPSEL)给出的(总/基波)无功功率为正值时。对于 ADE7854，该位始终为0。 1: C相上ACCMODE寄存器的位7 (REVRPSEL)给出的(总/基波)无功功率为负值时。 Rev. H| Page 93 of 100 ADE7854/ADE7858/ADE7868/ADE7878 位位置 7 位名称 SUM2SIGN 默认值 0 8 SUM3SIGN 0 15:9 保留 000 0000 说明 0: CF2数据路径中所有相功率之和为正值时。 1: CF2数据路径中所有相功率之和为负值时。CF2数据路径中的相功率由COMPMODE寄存 器的位[5:3] (TERMSEL2[x])和CFMODE寄存器的位[5:3] (CF2SEL[x])确定。 0: CF3数据路径中所有相功率之和为正值时。 1: CF3数据路径中所有相功率之和为负值时。CF3数据路径中的相功率由COMPMODE寄存 器的位[8:6] (TERMSEL3[x])和CFMODE寄存器的位[8:6] (CF3SEL[x])确定。 保留。这些位始终为0。 表48. CONFIG寄存器(地址0xE618) 位位置 0 位名称 INTEN 默认值 0 2:1 3 保留 SWAP 00 0 4 5 6 MOD1SHORT MOD2SHORT HSDCEN 0 0 0 7 9:8 SWRST VTOIA[1:0] 0 00 11:10 VTOIB[1:0] 00 13:12 VTOIC[1:0] 00 15:14 保留 0 说明 积分器使能。该位置1时，则在电表内使能内部数字积分器，以便在所有三相和零线电 流输入上使用罗氏线圈。 该位清0时，则禁用内部数字积分器。 保留。这些位不管理任何功能。 该位置1时，电压通道输出会与电流通输出互换。因此，电流通道信息位于Voltage channel寄存器中，反之亦然。 该位置1时，电压通道ADC的表现和电压输入接地时一致。 该位置1时，电流通道ADC的表现和电压输入接地时一致。 该位置1时，使能HSDC串行端口且CF3/HSCLK引脚选择HSCLK功能。 该位清0时，禁用HSDC且CF3/HSCLK引脚选择CF3功能。 该位置1时，启动软件复位。 这些位决定了功率路径中与A相电流一起考虑的具体相电压。 00 = A相电压。 01 = B相电压。 10 = C相电压。 11 = 保留。设置这些值时，ADE7854/ADE7858/ADE7868/ADE7878的表现和VTOIA[1:0] = 00时一致。 这些位决定了功率路径中与B相电流一起考虑的具体相电压。 00 = B相电压。 01 = C相电压。 10 = A相电压。 11 = 保留。设置这些值时，ADE7854/ADE7858/ADE7868/ADE7878的表现和VTOIB[1:0] = 00 时一致。 这些位决定功率路径中与C相电流一起考虑的具体相电压。 00 = C相电压。 01 = A相电压。 10 = B相电压。 11 = 保留。设置这些值时，ADE7854/ADE7858/ADE7868/ADE7878的表现和VTOIC[1:0] = 00 时一致。 保留。这些位不管理任何功能。 Rev. H| Page 94 of 100 ADE7854/ADE7858/ADE7868/ADE7878 表49. MMODE寄存器(地址0xE700) 位位置 1:0 位名称 PERSEL[1:0] 默认值 00 2 PEAKSEL[0] 1 3 4 7:5 PEAKSEL[1] PEAKSEL[2] 保留 1 1 000 说明 00: 选择A相作为电压线路周期测量的数据来源。 01: 选择B相作为电压线路周期测量的数据来源。 10: 选择C相作为电压线路周期测量的数据来源。 11: 保留。设置这些值时，ADE7854/ADE7858/ADE7868/ADE7878的表现和PERSEL[1:0] = 00 时一致。 PEAKSEL[2:0]位会同时全部置1，以允许在所有三相上同时执行峰值检测。如果超过一个 PEAKSEL[2:0]位置1，由于需要检测多个相位上的过零事件，因此PEAKCYC寄存器中给出 的峰值测量周期会相应递减。 该位置1时，A相启用电压电流峰值检测。 该位置1时，B相启用电压电流峰值检测。 该位置1时，C相启用电压电流峰值检测。 保留。这些位不管理任何功能。 表50. ACCMODE寄存器(地址0xE701) 位位置 1:0 位名称 WATTACC[1:0] 默认值 00 3:2 VARACC[1:0] 00 5:4 CONSEL[1:0] 00 6 REVAPSEL 0 7 REVRPSEL 0 说明 00: 总/基波有功功率的带符号累计模式。ADE7878上可测量基波有功功率。 01: 保留。设置该值时，器件的表现和WATTACC[1:0] = 00时一致。 10: 保留。设置该值时，器件的表现和WATTACC[1:0] = 00时一致。 11: 总/基波有功功率的绝对值累计模式。 00: 总/基波无功功率的带符号累计模式。ADE7858、ADE7868和ADE7878上可测量总无功 功率。ADE7878可测量基波无功功率。对于ADE7854，这些位始终为00。 01: 保留。设置该值时，器件的表现和VARACC[1:0] = 00时一致。 10: 累计总/基波无功功率，具体取决于总/基波有功功率的符号：如果有功功率为正值， 则以原样来累计无功功率，而如果有功功率为负值，则以相反符号形式累计无功功率。 11: 保留。设置该值时，器件的表现和VARACC[1:0] = 00时一致。 这些位选择电能累计寄存器的输入。IA’、IB’和IC’分别为偏移−90°的IA、IB和IC。参见表51。 00: 三相四线且带有三个电压传感器。 01: 三相三线三角形连接。 10: 三相四线且带有两个电压传感器。 11: 三相四线三角形连接。 0: 利用各相上的总有功功率来触发STATUS0寄存器的某个位，如下所示：A相上触发的是位 6 (REVAPA)；B相上触发的是位7 (REVAPB)；而C相上触发的是位8 (REVAPC)。对于ADE7854、 ADE7858和ADE7868，该位始终为0。 1: 利用各相上的基波有功功率来触发STATUS0寄存器的某个位，如下所示：A相上触发的 是位6 (REVAPA)；B相上触发的是位7 (REVAPB)；而C相上触发的是位8 (REVAPC)。 0: 利用各相上的总无功功率来触发STATUS0寄存器的某个位，如下所示：A相上触发的是 位10 (REVRPA)；B相上触发的是位11 (REVRPB)；而C相上触发的是位12 (REVRPC)。对于 ADE7854、ADE7858和ADE7868，该位始终为0。 1: 利用各相上的基波无功功率来触发STATUS0寄存器的某个位，如下所示：A相上触发的 是位10 (REVRPA)；B相上触发的是位11 (REVRPB)；而C相上触发的是位12 (REVRPC)。 Rev. H| Page 95 of 100 ADE7854/ADE7858/ADE7868/ADE7878 表51. 电能寄存器的位CONSEL[1:0] Energy寄存器 AWATTHR, AFWATTHR BWATTHR, BFWATTHR CONSEL[1:0] = 00 VA × IA VB × IB CONSEL[1:0] = 01 VA × IA 0 CWATTHR, CFWATTHR AVARHR, AFVARHR BVARHR, BFVARHR VC × IC VA × IA’ VB × IB’ VC × IC VA × IA’ 0 CVARHR, CFVARHR AVAHR BVAHR CVAHR VC × IC’ VA rms × IA rms VB rms × IB rms VC rms × IC rms VC × IC’ VA rms × IA rms 0 VC rms × IC rms CONSEL[1:0] = 10 VA × IA VB = −VA − VC VB × IB VC × IC VA × IA’ VB = −VA − VC VB × IB’ VC × IC’ VA rms × IA rms VB rms × IB rms VC rms × IC rms CONSEL[1:0] = 11 VA × IA VB = −VA VB × IB VC × IC VA × IA’ VB = −VA VB × IB’ VC × IC’ VA rms × IA rms VB rms × IB rms VC rms × IC rms 表52. LCYCMODE寄存器(地址0xE702) 位位置 0 位名称 LWATT 默认值 0 说明 0: 瓦时累计寄存器(AWATTHR、BWATTHR、CWATTHR、AFWATTHR、BFWATTHR和CFWATTHR)置于正常累计模式。 1: 瓦时立即寄存器(AWATTHR、BWATTHR、CWATTHR、AFWATTHR、BFWATTHR和CFWATTHR)置于线路周期累计模式。 0: 乏时累计寄存器(AVARHR、BVARHR和CVARHR)置于定期累计模式。对于ADE7854，该位 始终为0。 1: 乏时累计寄存器(AVARHR、BVARHR和CVARHR)置于线路周期累计模式。 0: VA时累计寄存器(AVAHR、BVAHR和CVAHR)置于定期累计模式。 1: VA时累计寄存器(AVAHR、BVAHR和CVAHR)置于线路周期累计模式。 0: A相不计入线路周期累计模式下的过零计数。 1: A相计入线路周期累计模式下的过零计数。如果选择了多相来进行过零检测，则累计时间会相应 缩短。 0: B相不计入线路周期累计模式下的过零计数。 1: B相计入线路周期累计模式下的过零计数。 1 LVAR 0 2 LVA 0 3 ZXSEL[0] 1 4 ZXSEL[1] 1 5 ZXSEL[2] 1 0: C相不计入线路周期累计模式下的过零计数。 1: C相计入线路周期累计模式下的过零计数。 6 RSTREAD 1 7 保留 0 0: 禁用读取并复位所有Energy寄存器。当位[2:0](LWATT、LVAR和LVA)置1时，应将该位清0。 1: 使能读取并复位所有xWATTHR、xVARHR、xVAHR、xFWATTHR和xFVARHR寄存器。这意味 着，读取后，上述寄存器会复位至0。 保留。该位不管理任何功能。 表53. HSDC_CFG寄存器(地址0xE706) 位位置 0 位名称 HCLK 默认值 0 说明 0: HSCLK为8 MHz。 1: HSCLK为4 MHz。 1 HSIZE 0 0: HSDC以32位数据包且MSB优先形式传输32位寄存器。 1: HSDC以32位数据包且MSB优先形式传输8位寄存器。 2 HGAP 0 0: 数据包之间不引入间隙。 1: 数据包之间引入长达七个HCLK周期的间隙。 Rev. H| Page 96 of 100 ADE7854/ADE7858/ADE7868/ADE7878 位位置 4:3 位名称 HXFER[1:0] 默认值 00 5 HSAPOL 0 7:6 保留 00 说明 00 = 对于ADE7854，HSDC按照下列顺序传输十六个32位字：IAWV、VAWV、IBWV、VBWV、 ICWV、VCWV、一个等于0的32位字、AVA、BVA、CVA、AWATT、BWATT、CWATT和三个等于0 的32位字。对于ADE7858，HSDC按照下列顺序传输十六个32位字：IAWV、VAWV、IBWV、 VBWV、ICWV、VCWV、一个等于0的32位字、AVA、BVA、CVA、AWATT、BWATT、CWATT、 AVAR、BVAR和CVAR。对于ADE7868和ADE7878，HSDC按照下列顺序传输十六个32位字： IAWV、VAWV、IBWV、VBWV、ICWV、VCWV、INWV、AVA、BVA、CVA、AWATT、 BWATT、CWATT、AVAR、BVAR和CVAR。 01 = 对于ADE7854和ADE7858，HSDC传输电流和电压的六个瞬时值：IAWV、VAWV、IBWV、 VBWV、ICWV、VCWV和一个等于0的32位字。对于ADE7868和ADE7878，HSDC传输电流 和电压的七个瞬时值：IAWV、VAWV、IBWV、VBWV、ICWV、VCWV和INWV。 10 = 对于ADE7854，HSDC传输相功率的六个瞬时值：AVA、BVA、CVA、AWATT、BWATT、CWATT 和三个等于0的32位字。对于ADE7858、ADE7868和ADE7878，HSDC传输相功率的九个 瞬时值：AVA、BVA、CVA、AWATT、BWATT、CWATT、AVAR、BVAR和CVAR。 11 = 保留。设置这些值时，ADE7854/ADE7858/ADE7868/ADE7878的表现和HXFER[1:0] = 00 时一致。 0: SS/HSA输出引脚低电平有效。 1: SS/HSA输出引脚高电平有效。 保留。这些位不管理任何功能。 表54. LPOILVL寄存器(地址0xEC00)1 位位置 2:0 7:3 1 位名称 LPOIL[2:0] LPLINE[4:0] 默认值 111 00000 说明 阈值估计相当于满量程乘以LPOIL/8。 测量周期为(LPLINE + 1)/50秒。 LPOILVL寄存器仅适用于ADE7868和ADE7878；该寄存器在ADE7854和ADE7858上为保留寄存器。 表55. CONFIG2寄存器(地址0xEC01) 位位置 0 位名称 EXTREFEN 默认值 0 1 I2C_LOCK 0 7:2 保留 0 说明 该位为0时，表示ADC中采用的是内部基准电压源。 该位为1时，则引脚17 REFIN/OUT上连接了外部基准电压源。 该位为0时，可以切换SS/HSA引脚三次来激活SPI端口。如果I2C为激活的串行端口，则该 位必须置1，以便将其锁定。此后，器件会忽略SS/HSA引脚的杂散切换，因而无法切换 至使用SPI端口。如果SPI为激活的串行端口，则只要对CONFIG2寄存器执行任意写操作 即 可 锁 定 该 端 口 。 之 后 将 无 法 切 换 至 使 用 I 2 C端 口 。 锁 定 后 ， ADE7854/ADE7858/ ADE7868/ADE7878会在更改PSMX功耗模式时保持串行端口的选择。 保留。这些位不管理任何功能。 Rev. H| Page 97 of 100 ADE7854/ADE7858/ADE7868/ADE7878 外形尺寸 0.30 0.23 0.18 31 40 30 0.50 BSC 1 TOP VIEW 0.80 0.75 0.70 SEATING PLANE 4.45 4.30 SQ 4.25 EXPOSED PAD 21 0.45 0.40 0.35 10 11 20 0.05 MAX 0.02 NOM COPLANARITY 0.08 0.20 REF PIN 1 INDICATOR BOTTOM VIEW 0.25 MIN FOR PROPER CONNECTION OF THE EXPOSED PAD, REFER TO THE PIN CONFIGURATION AND FUNCTION DESCRIPTIONS SECTION OF THIS DATA SHEET. COMPLIANT TO JEDEC STANDARDS MO-220-WJJD. 05-06-2011-A PIN 1 INDICATOR 6.10 6.00 SQ 5.90 图99. 40引脚引线框芯片级封装[LFCSP_WQ] 6 mm x 6 mm，超薄四方体 (CP-40-10) 图示尺寸单位：mm 订购指南 型号1 ADE7854ACPZ ADE7854ACPZ-RL ADE7858ACPZ ADE7858ACPZ-RL ADE7868ACPZ ADE7868ACPZ-RL ADE7878ACPZ ADE7878ACPZ-RL 1 温度范围 −40°C至+85°C −40°C至+85°C −40°C至+85°C −40°C至+85°C −40°C至+85°C −40°C至+85°C −40°C至+85°C −40°C至+85°C 封装描述 40引脚 LFCSP_WQ 40引脚 LFCSP_WQ，13"卷带和卷盘 40引脚 LFCSP_WQ 40引脚 LFCSP_WQ，13"卷带和卷盘 40引脚 LFCSP_WQ 40引脚 LFCSP_WQ，13"卷带和卷盘 40引脚 LFCSP_WQ 40引脚 LFCSP_WQ，13"卷带和卷盘 Z = 符合RoHS标准的器件。 Rev. H| Page 98 of 100 封装选项 CP-40-10 CP-40-10 CP-40-10 CP-40-10 CP-40-10 CP-40-10 CP-40-10 CP-40-10 ADE7854/ADE7858/ADE7868/ADE7878 注释 Rev. H| Page 99 of 100 ADE7854/ADE7858/ADE7868/ADE7878 注释 I2C指最初由Philips Semiconductors(现为NXP Semiconductors)开发的一种通信协议。 ©2010–2014 Analog Devices, Inc. All rights reserved. Trademarks and registered trademarks are the property of their respective owners. D08510sc-0-4/14(H) Rev. H| Page 100 of 100