高压防闩锁型4
通道多路复用器
ADG5204
功能框图
特性
防闩锁现象
ADG5204
3 pF关断源极电容
S1
26 pF关断漏极电容
S2
−0.6 pC电荷注入
S3
低泄漏：0.4 nA(最大值，85ºC)
S4
D
9 V至40 V单电源供电
A0
最大额定电源电压：48 V
A1
EN
09768-001
1 OF 4
DECODERS
±9 V至±22 V双电源供电
图1
额定电源电压范围：±15V、±20V、+12V、+36V
模拟信号输入范围：VSS至VDD
应用
自动测试设备
数据采集
仪器仪表
航空电子
音频和视频开关
通信系统
概述
产品聚焦
ADG5204是一款互补金属氧化物半导体(CMOS)模拟多路
1. 沟道隔离可防止闩锁。
复用器，内置4个单通道。
这些开关具有超低电容和电荷注入特性，因而是要求低毛
刺和快速建立时间的数据采集与采样保持应用的理想解决
方案。较快的开关速度及高信号带宽，使ADG5204适合视
频信号切换应用。
ADG5204采用沟道工艺设计而成，可以防止闩锁。电介质
沟道将P沟道与N沟道晶体管分开，保证即使在严重过压
状况下，也不会发生闩锁现象。
ADG5204根据3位二进制地址线A0、A1和EN来确定地
址，将四路输入之一切换至公共输出D。当EN引脚为逻辑
0时，该器件被禁用。当接通时，各开关在两个方向的导
电介质沟道将P沟道与N沟道晶体管分开，保证即使在
严重过压状况下，也不会发生闩锁现象。
2. 超低电容，电荷注入低于1 pC。
3. 双电源供电。
对于双极性模拟信号应用，ADG5204可以采用高达
±22 V的双电源供电。
4. 单电源供电。
对于单极性模拟信号应用，ADG5204可以采用高达40 V
的单轨电源供电。
5. 3 V逻辑兼容数字输入。
VINH = 2.0 V，VINL = 0.8 V。
6. 无需VL逻辑电源。
电性能相同，输入信号范围可扩展至电源电压范围。在断
开条件下，等于电源电压的信号电平被阻止。所有开关均
为先开后合式。
Rev. 0
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的最新英文版数据手册。
ADG5204
目录
特性................................................................................................... 1
绝对最大额定值............................................................................. 8
应用................................................................................................... 1
ESD警告...................................................................................... 8
功能框图 .......................................................................................... 1
引脚配置和功能描述 .................................................................... 9
概述................................................................................................... 1
真值表 ......................................................................................... 9
产品聚焦 .......................................................................................... 1
典型工作特性 ............................................................................... 10
修订历史 .......................................................................................... 2
测试电路 ........................................................................................ 14
技术规格 .......................................................................................... 3
术语................................................................................................. 16
±15 V双电源 .............................................................................. 3
沟道隔离 ........................................................................................ 17
±20 V双电源 .............................................................................. 4
应用信息 ........................................................................................ 18
12 V单电源................................................................................. 5
外形尺寸 ........................................................................................ 19
36 V单电源................................................................................. 6
订购指南................................................................................... 19
每通道连续电流，Sx或D ....................................................... 7
修订历史
2011年5月—修订版0：初始版
Rev. 0 | Page 2 of 20
ADG5204
技术规格
±15 V双电源
除非另有说明，VDD = 15 V ± 10%，VSS = −15 V ± 10%，GND = 0 V。
表1
参数
模拟开关
模拟信号范围
导通电阻RON
通道间导通电阻匹配ΔRON
导通电阻平坦度RFLAT (ON)
25°C
160
200
4.5
8
38
50
−40°C至+85°C
−40°C至+125°C
单位
测试条件/注释
VDD至VSS
V(最大值)
Ω(典型值)
Ω(最大值)
Ω(典型值)
VS = ±10 V，IS = −1 mA；参见图24
VDD = +13.5 V, VSS = −13.5 V
VS = ±10 V, IS = −1 mA
250
280
9
10
65
70
Ω(最大值)
Ω(典型值)
Ω(最大值)
VS = ±10 V, IS = −1 mA
VDD = +16.5 V, VSS = −16.5 V
漏电流
源极关断泄漏IS (Off)
0.01
0.2
0.4
漏极关断泄漏ID (Off)
0.1
0.01
nA(最大值)
nA(典型值)
0.1
0.02
0.2
0.4
1.2
0.5
1.2
nA(最大值)
nA(典型值)
nA(最大值)
VS = VD = ±10 V；参见图26
V(最小值)
V(最大值)
µA(典型值)
µA(最大值)
pF(典型值)
VIN = VGND或VDD
通道接通泄漏ID、IS (On)
数字输入
输入高电压VINH
输入低电压VINL
输入电流IINH或IINL
数字输入电容CIN
动态特性1
转换时间tTRANSITION
tON (EN)
tOFF (EN)
先开后合时间延迟tD
电荷注入QINJ
关断隔离
通道间串扰
-3 dB带宽
插入损耗
CS (Off)
CD (Off)
CD, CS (On)
电源要求
IDD
ISS
VDD/VSS
1
nA(典型值)
2.0
0.8
0.002
±0.1
3
175
230
155
205
150
175
80
285
320
255
285
200
215
30
−0.6
−80
−80
136
−6.8
3
26
30
45
55
0.001
70
1
±9/±22
通过设计保证，但未经生产测试。
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ns(典型值)
ns(最大值)
ns(典型值)
ns(最大值)
ns(典型值)
ns(最大值)
ns(典型值)
ns(最小值)
pC(典型值)
dB(典型值)
dB(典型值)
MHz(典型值)
dB(典型值)
pF(典型值)
pF(典型值)
pF(典型值)
µA(典型值)
µA(最大值)
µA(典型值)
µA(最大值)
V(最小值/
最大值)
VS = VS = ±10 V，VD = ∓10 V；参见图23
VS = VS = ±10 V，VD = ∓10 V；参见图23
RL = 300 Ω, CL = 35 pF
VS = 10 V；参见图29
RL = 300 Ω, CL = 35 pF
VS = 10 V；参见图31
RL = 300 Ω, CL = 35 pF
VS = 10 V；参见图31
RL = 300 Ω, CL = 35 pF
VS1 = VS2 = 10 V；参见图30
VS = 0 V，RS = 0 Ω，CL = 1 nF；参见图32
RL = 50 Ω，CL = 5 pF，f = 100 kHz；参见图25
RL = 50 Ω，CL = 5 pF，f = 1 MHz；参见图28
RL = 50 Ω，CL = 5 pF；参见图27
RL = 50 Ω，CL = 5 pF，f = 1 MHz；参见图27
VS = 0 V, f = 1 MHz
VS = 0 V, f = 1 MHz
VS = 0 V, f = 1 MHz
VDD = +16.5 V, VSS = −16.5 V
数字输入 = 0 V或VDD
数字输入 = 0 V或VDD
GND = 0 V
ADG5204
±20 V双电源
除非另有说明，VDD = +20 V ± 10%，VSS = −20 V ± 10%，GND = 0 V。
表2
参数
模拟开关
模拟信号范围
导通电阻RON
通道间导通电阻匹配ΔRON
导通电阻平坦度RFLAT (ON)
25°C
140
160
4.5
8
33
45
−40°C至+85°C
−40°C至+125°C
单位
测试条件/注释
VDD至VSS
V(最大值)
Ω(典型值)
Ω(最大值)
Ω(典型值)
VS = ±15 V，IS = −1 mA；参见图24
VDD = +18 V, VSS = −18 V
VS = ±15 V, IS = −1 mA
200
230
9
10
55
60
Ω(最大值)
Ω(典型值)
Ω(最大值)
VDD = +22 V, VSS = −22 V
漏电流
源极关断泄漏IS (Off)
0.01
0.1
0.01
0.2
0.4
漏极关断泄漏ID (Off)
nA(最大值)
nA(典型值)
0.1
0.02
0.2
0.4
1.2
0.5
1.2
nA(最大值)
nA(典型值)
nA(最大值)
通道接通泄漏ID、IS (On)
数字输入
输入高电压VINH
输入低电压VINL
输入电流IINH或IINL
数字输入电容CIN
动态特性1
转换时间tTRANSITION
2.0
0.8
0.002
±0.1
3
V(最小值)
V(最大值)
µA(典型值)
µA(最大值)
pF(典型值)
先开后合时间延迟tD
电荷注入QINJ
关断隔离
−0.6
−80
ns(典型值)
ns(最大值)
ns(典型值)
ns(最大值)
ns(典型值)
ns(最大值)
ns(典型值)
ns(最小值)
pC(典型值)
dB(典型值)
−80
150
−6
3
26
30
dB(典型值)
MHz(典型值)
dB(典型值)
pF(典型值)
pF(典型值)
pF(典型值)
tOFF (EN)
通道间串扰
-3 dB带宽
插入损耗
CS (Off)
CD (Off)
CD, CS (On)
电源要求
IDD
ISS
VDD/VSS
1
nA(典型值)
160
215
150
185
150
175
75
tON (EN)
VS = ±15 V, IS = −1 mA
260
290
225
255
195
210
30
50
70
0.001
110
1
±9/±22
通过设计保证，但未经生产测试。
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µA(典型值)
µA(最大值)
µA(典型值)
µA(最大值)
V(最小值/
最大值)
VS = ±15 V，VD = ∓15 V；参见图23
VS = ±15 V，VD = ∓15 V；参见图23
VS = VD = ±15 V；参见图26
VIN = VGND或VDD
RL = 300 Ω, CL = 35 pF
VS = 10 V；参见图29
RL = 300 Ω, CL = 35 pF
VS = 10 V；参见图31
RL = 300 Ω, CL = 35 pF
VS = 10 V；参见图31
RL = 300 Ω, CL = 35 pF
VS1 = VS2 = 10 V；参见图30
VS = 0 V，RS = 0 Ω，CL = 1 nF；参见图32
RL = 50 Ω，CL = 5 pF，f = 100 kHz；
参见图25
RL = 50 Ω，CL = 5 pF，f = 1 MHz；参见图28
RL = 50 Ω，CL = 5 pF；参见图27
RL = 50 Ω，CL = 5 pF，f = 1 MHz；参见图27
VS = 0 V, f = 1 MHz
VS = 0 V, f = 1 MHz
VS = 0 V, f = 1 MHz
VDD = +22 V, VSS = −22 V
数字输入 = 0 V或VDD
数字输入 = 0 V或VDD
GND = 0 V
ADG5204
12 V单电源
除非另有说明，VDD = 12 V ± 10%，VSS = 0 V，GND = 0 V。
表3
参数
模拟开关
模拟信号范围
导通电阻RON
通道间导通电阻匹配ΔRON
导通电阻平坦度RFLAT (ON)
漏电流
源极关断泄漏IS (Off)
漏极关断泄漏ID (Off)
通道接通泄漏ID、IS (On)
数字输入
输入高电压VINH
输入低电压VINL
输入电流IINH或IINL
数字输入电容CIN
动态特性1
转换时间tTRANSITION
tON (EN)
tOFF (EN)
先开后合时间延迟tD
电荷注入QINJ
关断隔离
通道间串扰
−3 dB Bandwidth
插入损耗
CS (Off)
CD (Off)
CD, CS (On)
电源要求
IDD
VDD
1
25°C
340
500
5
20
145
280
0.01
0.1
0.01
0.1
0.02
0.2
−40°C至+85°C
−40°C至+125°C
单位
测试条件/注释
0 V至VDD
V(最大值)
Ω(典型值)
Ω(最大值)
Ω(典型值)
VS = 0 V至10 V，IS = −1 mA；参见图24
VDD = 10.8 V, VSS = 0 V
VS = 0 V to 10 V, IS = −1 mA
610
700
21
22
335
370
0.2
0.4
0.4
1.2
0.5
1.2
2.0
0.8
0.002
±0.1
3
240
350
250
335
160
195
140
445
515
420
485
220
240
60
−1.2
−80
−80
106
−11
3.5
29
33
40
65
9/40
通过设计保证，但未经生产测试。
Rev. 0 | Page 5 of 20
Ω(最大值)
Ω(典型值)
Ω(最大值)
nA(典型值)
nA(最大值)
nA(典型值)
nA(最大值)
nA(典型值)
nA(最大值)
V(最小值)
V(最大值)
µA(典型值)
µA(最大值)
pF(典型值)
ns(典型值)
ns(最大值)
ns(典型值)
ns(最大值)
ns(典型值)
ns(最大值)
ns(典型值)
ns(最小值)
pC(典型值)
dB(典型值)
dB(典型值)
MHz(典型值)
dB(典型值)
pF(典型值)
pF(典型值)
pF(典型值)
µA(典型值)
µA(最大值)
V(最小值/
最大值)
VS = 0 V to 10 V, IS = −1 mA
VDD = 13.2 V, VSS = 0 V
VS = 1 V/10 V，VD = 10 V/1 V；参见图23
VS = 1 V/10 V，VD = 10 V/1 V；参见图23
VS = VD = 1 V/10 V；参见图26
VIN = VGND或VDD
RL = 300 Ω, CL = 35 pF
VS = 8 V；参见图29
RL = 300 Ω, CL = 35 pF
VS = 8 V；参见图31
RL = 300 Ω, CL = 35 pF
VS = 8 V；参见图31
RL = 300 Ω, CL = 35 pF
VS1 = VS2 = 8 V；参见图30
VS = 6 V，RS = 0 Ω，CL = 1 nF；参见图32
RL = 50 Ω，CL = 5 pF，f = 1 MHz；参见图25
RL = 50 Ω，CL = 5 pF，f = 1 MHz；参见图28
RL = 50 Ω，CL = 5 pF；参见图27
RL = 50 Ω，CL = 5 pF，f = 1 MHz；参见图27
VS = 6 V, f = 1 MHz
VS = 6 V, f = 1 MHz
VS = 6 V, f = 1 MHz
VDD = 13.2 V
数字输入 = 0 V或VDD
GND = 0 V, VSS = 0 V
ADG5204
36 V单电源
除非另有说明，VDD = 36 V ± 10%，VSS = 0 V，GND = 0 V。
表4
参数
模拟开关
模拟信号范围
导通电阻RON
通道间导通电阻匹配ΔRON
导通电阻平坦度RFLAT (ON)
漏电流
源极关断泄漏IS (Off)
漏极关断泄漏ID (Off)
通道接通泄漏ID、IS (On)
数字输入
输入高电压VINH
输入低电压VINL
输入电流IINH或IINL
数字输入电容CIN
动态特性1
转换时间tTRANSITION
tON (EN)
tOFF (EN)
先开后合时间延迟tD
电荷注入QINJ
关断隔离
通道间串扰
-3 dB带宽
插入损耗
CS (Off)
CD (Off)
CD, CS (On)
电源要求
IDD
VDD
1
25°C
150
170
4.5
8
35
50
0.01
0.1
0.01
0.1
0.02
0.2
−40°C至+85°C
−40°C至+125°C
单位
测试条件/注释
0 V至VDD
V (最大值)
Ω(典型值)
Ω(最大值)
Ω(典型值)
VS = 0 V至30 V，IS = −1 mA；参见图24
VDD = 32.4 V, VSS = 0 V
VS = 0 V to 30 V, IS = −1 mA
215
245
9
10
60
65
0.2
0.4
0.4
1.2
0.5
1.2
2.0
0.8
0.002
±0.1
3
180
250
170
220
170
210
80
275
305
251
285
215
220
30
−0.6
−80
−80
136
−6.7
3
26
30
85
100
130
9/40
通过设计保证，但未经生产测试。
Rev. 0 | Page 6 of 20
Ω(最大值)
Ω(典型值)
Ω(最大值)
nA(典型值)
nA(最大值)
nA(典型值)
nA(最大值)
nA(典型值)
nA(最大值)
V(最小值)
V(最大值)
µA(典型值)
µA(最大值)
pF(典型值)
ns(典型值)
ns(最大值)
ns(典型值)
ns(最大值)
ns(典型值)
ns(最大值)
ns(典型值)
ns(最小值)
pC(典型值)
dB(典型值)
dB(典型值)
MHz(典型值)
dB(典型值)
pF(典型值)
pF(典型值)
pF(典型值)
µA(典型值)
µA(最大值)
V(最小值/
最大值)
VS = 0 V to 30 V, IS = −1 mA
VDD = 39.6 V, VSS = 0 V
VS = 1 V/30 V，VD = 30 V/1 V；参见图23
VS = 1 V/30 V，VD = 30 V/1 V；参见图23
VS = VD = 1 V/30 V；参见图26
VIN = VGND或VDD
RL = 300 Ω, CL = 35 pF
VS = 18 V；参见图29
RL= 300 Ω, CL= 35 pF
VS = 18 V；参见图31
RL= 300 Ω, CL= 35 pF
VS = 18 V；参见图31
RL = 300 Ω, CL = 35 pF
VS1 = VS2 = 18 V；参见图30
VS = 18 V，RS = 0 Ω，CL = 1 nF；参见图32
RL = 50 Ω，CL = 5 pF，f = 1 MHz；参见图25
RL = 50 Ω，CL = 5 pF，f = 1 MHz；参见图28
RL = 50 Ω，CL = 5 pF；参见图27
RL = 50 Ω，CL = 5 pF，f = 1 MHz；参见图27
VS = 18 V, f = 1 MHz
VS = 18 V, f = 1 MHz
VS = 18 V, f = 1 MHz
VDD = 39.6 V
数字输入 = 0 V或VDD
GND = 0 V, VSS = 0 V
ADG5204
每通道连续电流，Sx或D
表5
参数
连续电流，Sx或D引脚
VDD = +15 V, VSS = −15 V
TSSOP (θJA = 112.6°C/W)
LFCSP (θJA = 30.4°C/W)
VDD = +20 V, VSS = −20 V
TSSOP (θJA = 112.6°C/W)
LFCSP (θJA = 30.4°C/W)
VDD = 12 V, VSS = 0 V
TSSOP (θJA = 112.6°C/W)
LFCSP (θJA = 30.4°C/W)
VDD = 36 V, VSS = 0 V
TSSOP (θJA = 112.6°C/W)
LFCSP (θJA = 30.4°C/W)
25°C
85°C
125°C
单位
24.5
35.7
7.5
7.7
2.8
2.8
mA(最大值)
mA(最大值)
26
37
7.5
7.7
2.8
2.8
mA(最大值)
mA(最大值)
18
28
7
7.7
2.8
2.8
mA(最大值)
mA(最大值)
30
41
7.7
7.7
2.8
2.8
mA(最大值)
mA(最大值)
Rev. 0 | Page 7 of 20
ADG5204
绝对最大额定值
除非另有说明，TA = 25°C。
注意，超出上述绝对最大额定值可能会导致器件永久性损
表6
参数
VDD至VSS
VDD至GND
VSS至GND
模拟输入1
数字输入1
峰值电流，Sx或D引脚
连续电流，Sx或D2
工作温度范围
存储温度范围
结温
热阻θJA
16引脚TSSOP，
θJA热阻（4层板）
16引脚LFCSP，
θJA热阻（4层板）
回流焊峰值温度，无铅
1
2
额定值
48 V
−0.3 V至+48 V
+0.3 V至−48 V
VSS − 0.3 V至VDD + 0.3 V或
30 mA，以最先出现者为准
VSS − 0.3 V至VDD + 0.3 V或
30 mA，以最先出现者为准
81 mA（1 ms脉冲，
最大10%占空比）
数据 + 15%
−40°C至+125°C
−65°C至+150°C
150°C
坏。这只是额定最值，不表示在这些条件下或者在任何其
它超出本技术规范操作章节中所示规格的条件下，器件能
够正常工作。长期在绝对最大额定值条件下工作会影响器
件的可靠性。
任何时候只能使用一个绝对最大额定值。
ESD警告
ESD(静电放电)敏感器件。
带电器件和电路板可能会在没有察觉的情况下放电。尽管
本产品具有专利或专有保护电路，但在遇到高能量ESD
时，器件可能会损坏。因此，应当采取适当的ESD防范措
施，以避免器件性能下降或功能丧失。
112.6°C/W
30.4°C/W
260(+0/−5)°C
Sx和D引脚上的过压由内部二极管箝位。电流以给出的最大额定值为限。
参见表5。
Rev. 0 | Page 8 of 20
ADG5204
14 A1
13 NC
A0
1
14
A1
EN
2
13
GND
VSS
3
12
VDD
S1
4
11
S3
NC 2
ADG5204
11 VDD
S2
5
10
S4
S1 3
TOP VIEW
(Not to Scale)
10 S3
D
6
9
NC
S2 4
NC
7
8
NC
12 GND
V
NC 7
9
S4
NC 8
1
D 6
NC = NO CONNECT
SS
NC 5
TOP VIEW
(Not to Scale)
09768-002
ADG5204
NOTES
1. NC = NO CONNECT.
2. EXPOSED PAD TIED TO SUBSTRATE, VSS.
图2. TSSOP引脚配置
09768-003
16 EN
15 A0
引脚配置和功能描述
图3. LFCSP引脚配置
表7. 引脚功能描述
TSSOP
1
2
引脚编号
LFCSP
15
16
3
4
5
6
7 to 9
10
11
12
13
14
N/A1
1
引脚名称
A0
EN
1
3
4
6
2, 5, 7, 8, 13
9
10
11
12
14
EP
描述
逻辑控制输入。
高电平有效数字输入。当此引脚处于低电平时，器件禁用，所有开关断开。
当此引脚为高电平时，Ax逻辑输入决定接通哪些开关。
最低负电源电位。
源极引脚。可以是输入或输出。
源极引脚。可以是输入或输出。
漏极引脚。可以是输入或输出。
不连接。这些引脚开路。
源极引脚。可以是输入或输出。
源极引脚。可以是输入或输出。
最高正电源电位。
地(0 V)参考。
逻辑控制输入。
裸露焊盘。裸露焊盘内部连接。为提高焊接接头的可靠性并实现最大散热效果，
建议将焊盘焊接到基板VSS。
VSS
S1
S2
D
NC
S4
S3
VDD
GND
A1
Exposed Pad
N/A表示不适用。
真值表
表8
EN
0
1
1
1
1
1
A1
X1
0
0
1
1
A0
X1
0
1
0
1
S1
关
开
关
关
关
X表示无关。
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S2
关
关
开
关
关
S3
关
关
关
开
关
S4
关
关
关
关
开
ADG5204
典型工作特性
160
TA = 25°C
140
VDD = +18V
VSS = –18V
ON RESISTANCE (Ω)
100
VDD = +20V
VSS = –20V
80
VDD = +22V
VSS = –22V
60
100
60
40
20
20
–20
–15
–10
–5
0
5
10
15
20
25
VS, VD (V)
0
0
5
TA = 25°C
10
15
20
25
30
35
40
VS, VD (V)
图4. RON 与VD 或VS 的关系(双电源)
250
VDD = 39.6V
VSS = 0V
VDD = 36V
VSS = 0V
80
40
0
–25
VDD = 32.4V
VSS = 0V
120
09768-104
ON RESISTANCE (Ω)
120
TA = 25°C
140
09768-107
160
图7. RON 与VD 或VS 的关系(单电源)
250
VDD = +9V
VSS = –9V
200
VDD = +15V
VSS = –15V
200
ON RESISTANCE (Ω)
150
VDD = +13.2V
VSS = –13.2V
100
VDD = +16.5V
VSS = –16.5V
VDD = +15V
VSS = –15V
TA = +25°C
100
50
–15
–10
–5
0
5
10
15
20
VS, VD (V)
0
–15
09768-105
0
–20
500
TA = 25°C
450
160
ON RESISTANCE (Ω)
250
200
150
15
100
TA = +25°C
80
TA = –40°C
20
60
20
10 6
VS, VD (V)
12
4
14
09768-106
50
0
2
图6. RON 与VD 或VS 的关系(单电源)
TA = +85°C
120
40
8
10
TA = +125°C
140
100
0
5
180
VDD = 12V
VSS = 0V
VDD = 13.2V
VSS = 0V
300
0
200
VDD = 9V
VSS = 0V
350
–5
图8. 不同温度下RON 与VD 或VS 的关系
(±15 V双电源)
VDD = 10.8V
VSS = 0V
400
–10
VS, VD (V)
图5. RON 与VD 或VS 的关系(双电源)
ON RESISTANCE (Ω)
TA = –40°C
09768-108
50
TA = +85°C
150
09768-109
ON RESISTANCE (Ω)
TA = +125°C
VDD = +20V
VSS = –20V
0
–20
–15
–10
–5
0
5
10
15
VS, VD (V)
图9. 不同温度下RON 与VD 或VS 的关系
(±20 V双电源)
Rev. 0 | Page 10 of 20
ADG5204
100
500
I I (ON) + +
IS (OFF) + – D, S
TA = +125°C
340
TA = +85°C
50
300
TA = +25°C
250
200
TA = –40°C
150
100
0
IS (OFF) – +
–50
ID (OFF) + –
–100
ID, IS (ON) – –
–150
50
VDD = 12V
VSS = 0V
0
2
4
6
8
10
12
VS, VD (V)
–200
09768-110
0
VDD = +20V
VSS = –20V
VBIAS = +15V/–15V
0
40
60
80
100
120
图13. 漏电流与温度的关系(±20 V双电源)
40
VDD = 36V
VSS = 0V
IS (OFF) + –
ID (OFF) – +
20
LEAKAGE CURRENT (pA)
200
ON RESISTANCE (Ω)
20
TEMPERATURE (°C)
图10. 不同温度下RON 与VD 或VS 的关系
(12 V单电源)
250
ID (OFF) – +
09768-113
400
LEAKAGE CURRENT (pA)
ON RESISTANCE (Ω)
450
TA = +125°C
150
TA = +85°C
TA = +25°C
100
TA = –40°C
0
IS (OFF) – +
–20
ID, IS (ON) + +
–40
ID (OFF) + –
–60
ID, IS (ON) – –
–80
5
10
15
20
25
30
35
VS, VD (V)
ID (OFF) – +
ID, IS (ON) + +
80
100
120
图14. 漏电流与温度的关系(12 V单电源)
50
IS (OFF) + –
ID (OFF) – +
0
ID, IS (ON) + +
IS (OFF) + –
0
–10
LEAKAGE CURRENT (pA)
IS (OFF) – +
ID (OFF) + –
–20
ID, IS (ON) – –
–30
–40
–50
–60 VDD = +15V
VSS = –15V
VBIAS = +10V/–10V
–70
0
20
40
–50
IS (OFF) – +
–100
ID (OFF) + –
–150
–200
60
80
100
TEMPERATURE (°C)
120
09768-112
LEAKAGE CURRENT (pA)
60
TEMPERATURE (°C)
图11. 不同温度下RON 与VD 或VS 的关系
(36 V单电源)
10
40
图12. 漏电流与温度的关系(±15 V双电源)
–250
ID, IS (ON) – –
VDD = 36V
VSS = 0V
VBIAS = 1V/30V
0
20
40
60
80
100
TEMPERATURE (°C)
图15. 漏电流与温度的关系(36 V单电源)
Rev. 0 | Page 11 of 20
120
09768-115
0
09768-111
0
–100 VDD = 12V
VSS = 0V
VBIAS = 1V/10V
–120
0
20
09768-114
50
ADG5204
300
250
–40
TIME (ns)
OFF ISOLATION (dB)
–20
350
TA = 25°C
VDD = +15V
VSS = –15V
–60
–80
200
150
VDD = +15V
VSS = –15V
VDD = +20V
VSS = –20V
100
–100
50
100k
1M
10M
100M
1G
FREQUENCY (Hz)
0
–40
09768-116
–120
10k
–20
20
40
60
80
100
120
图19. 转换时间与温度的关系
0
TA = 25°C
VDD = +15V
VSS = –15V
–20
TA = 25°C
VDD = +15V
VSS = –15V
–40
–40
ACPSRR (dB)
CROSSTALK (dB)
–20
0
TEMPERATURE (°C)
图16. 关断隔离与频率的关系(±15 V双电源)
0
VDD = +36V
VSS = 0V
VDD = +12V
VSS = 0V
09768-120
0
BETWEEN S1 AND S2
–60
NO DECOUPLING CAPACITORS
–60
–80
–80
BETWEEN S1 AND S4
–100
–100
–120
10k
–120
1k
1M
10M
100M
1G
FREQUENCY (Hz)
10k
40
TA = 25°C
VDD = +20V
VSS = –20V
2.0
35
VDD = +36V
VSS = 0V
VDD = +12V
VSS = 0V
–0.5
CAPACITANCE (pF)
0
VDD = +15V
VSS = –15V
10M
TA = 25°C
VDD = +15V
VSS = –15V
SOURCE/DRAIN ON
30
1.0
–1.0
DRAIN OFF
25
20
15
10
–1.5
–10
0
10
20
VS (V)
30
40
0
–15
–10
–5
0
5
10
VS (V)
图21. 电容与源电压的关系(双电源)
图18. 电荷注入与源电压的关系
Rev. 0 | Page 12 of 20
15
09768-123
–2.5
–20
SOURCE OFF
5
–2.0
09768-119
CHARGE INJECTION (pC)
1.5
0.5
1M
图20. ACPSRR与频率的关系(±15 V双电源)
图17. 串扰与频率的关系(±15 V双电源)
2.5
100k
FREQUENCY (Hz)
09768-121
100k
09768-117
DECOUPLING CAPACITORS
ADG5204
0
TA = 25°C
–2 VDD = +15V
VSS = –15V
–6
–8
–10
–12
–14
–16
–18
–20
100k
1M
10M
FREQUENCY (Hz)
100M
1G
09768-125
ATTENUATION (dB)
–4
图22. 带宽
Rev. 0 | Page 13 of 20
ADG5204
测试电路
Sx
A
D
ID (OFF)
NC
VD
09768-006
VS
A
Sx
ID (ON)
D
A
VD
NC = NO CONNECT
图23. 关断泄漏
09768-007
IS (OFF)
图26. 接通泄漏
VDD
VSS
0.1µF
0.1µF
VDD
NETWORK
ANALYZER
VSS
50Ω
Sx
VS
Sx
RL
50Ω
GND
D
VOUT
IDS
09768-005
VS
INSERTION LOSS = 20 log
图27. 带宽
图24. 导通电阻
VDD
VSS
VDD
VOUT WITH SWITCH
VOUT WITHOUT SWITCH
09768-009
D
V
VSS
0.1µF
0.1µF
0.1µF
Sx
NETWORK
ANALYZER
NETWORK
ANALYZER
VSS
VOUT
50Ω
50Ω
RL
50Ω
GND
OFF ISOLATION = 20 log
VOUT
VS
VSS
RL
50Ω
D
S2
VS
D
VDD
S1
VOUT
VS
GND
CHANNEL-TO-CHANNEL CROSSTALK = 20 log
图25. 关断隔离
图28. 通道间串扰
Rev. 0 | Page 14 of 20
RL
50Ω
VOUT
VS
09768-010
VDD
09768-008
0.1µF
ADG5204
VDD VSS
0.1µF
VDD VSS
S1
A1
S2
A0
S3
S4
VIN
2.4V
EN
GND
VS1
VS4
50%
0V
VOUT
CL
35pF
50%
90%
90%
VOUT
D
RL
300Ω
3V
ADDRESS
DRIVE (VIN)
tTRANSITION
09768-012
0.1µF
tTRANSITION
图29. 输出开关时间
VIN
300Ω
2.4V
0.1µF
VDD VSS
S1
S2
S3
S4
EN
D
GND
ADDRESS
DRIVE (VIN)
VS1
A1
A0
CL
35pF
RL
300Ω
VOUT
3V
0V
VOUT
80%
80%
09768-013
0.1µF
VDD VSS
tD
图30. 先开后合时间延迟tD
VDD VSS
0.1µF
VDD VSS
S1
A1
S2
A0
S3
S4
EN
VS
3V
0V
50%
VOUT
VOUT
D
RL
300Ω
300Ω
0.9VOUT
OUTPUT
0V
CL
35pF
tON (EN)
50%
0.1VOUT
tOFF (EN)
图31. 使能到输出开关延迟
VDD
VSS
VDD
VSS
Sx
D
VOUT
RS
VS
DECODER
∆V OUT
QINJ = CL × ∆VOUT
VOUT
VIN
CL
1nF
SW OFF
SW OFF
SW ON
GND
VIN
A1 A2
SW OFF
SW OFF
09768-015
VIN
GND
ENABLE
DRIVE (VIN)
09768-014
0.1µF
EN
图32. 电荷注入
Rev. 0 | Page 15 of 20
ADG5204
术语
IDD
CIN
正电源电流。
数字输入电容。
ISS
tTRANSITION
负电源电流。
从一个地址状态切换到另一个地址状态时，数字输入的
VD, VS
50%点与通电的90%点之间的延迟时间。
引脚D和引脚S上的模拟电压。
tON (EN)
RON
施加数字控制输入与输出开启之间的延迟时间。参见图31。
引脚D与引脚S之间的电阻(欧姆)。
tOFF (EN)
RFLAT(ON)
施加数字控制输入与输出关闭之间的延迟时间。参见图31。
表示一种平坦度，定义为在额定模拟信号范围内测得的导
电荷注入
通电阻最大值与最小值之差。
衡量开关期间从数字输入传输到模拟输出的毛刺脉冲。
IS (Off)
关断隔离
开关断开时的源极漏电流。
衡量通过断开开关耦合的无用信号。
ID (Off)
串扰
开关断开时的漏极漏电流。
衡量寄生电容引起的从一个通道耦合到另一个通道的无用
ID, IS (On)
信号。
开关接通时的通道漏电流。
带宽
VINL
输出衰减3 dB的频率。
逻辑0的最大输入电压。
开启响应
VINH
开关接通时的频率响应。
逻辑1的最小输入电压。
插入损耗
IINL, IINH
开关导通电阻引起的损耗。
数字输入的输入电流。
交流电源抑制比(ACPSRR)
CS (Off)
输出信号的幅度与调制幅度的比值，用于衡量器件避免将
开关断开时的源极电容，以地为参考进行测量。
CD (Off)
电源电压引脚上的噪声和杂散信号耦合到开关输出端的能
力。该器件的直流电压由一个0.62 V p-p的正弦波调制。
开关断开时的漏极电容，以地为参考进行测量。
CD (On), CS (On)
开关接通时的电容，以地为参考进行测量。
Rev. 0 | Page 16 of 20
ADG5204
沟道隔离
在ADG5204中，各CMOS开关的NMOS与PMOS晶体管之
NMOS
PMOS
P WELL
N WELL
间有一个绝缘氧化物层(沟道)。因此，它与结隔离式开关
不同，晶体管之间不存在寄生结，从而彻底消除了闩锁
现象。
在结隔离中，PMOS和NMOS晶体管的N井和P井形成一个
二极管；在正常工作条件下，该二极管反向偏置。但在过
压条件下，该二极管可能变成正偏。两个晶体管形成一个
硅控整流器(SCR)型电路，导致电流被显著放大，进而引
起闩锁。使用沟道隔离则无需该二极管，因此开关不会发
生闩锁。
TRENCH
HANDLE WAFER
图33. 沟道隔离
Rev. 0 | Page 17 of 20
09768-004
BURIED OXIDE LAYER
ADG5204
应用信息
ADG52xx系列开关和多路复用器为易于发生闩锁现象的仪
器仪表、工业、汽车、航空航天应用和其它恶劣环境提供
了稳定可靠的解决方案；闩锁是指一种可能导致器件故障
的不良高电流状态，它在关闭电源之前会持续存在。
ADG5204高压多路复用器支持9 V至40 V的单电源供电和
±9 V至±22 V的双电源供电。
Rev. 0 | Page 18 of 20
ADG5204
外形尺寸
5.10
5.00
4.90
14
8
4.50
4.40
4.30
6.40
BSC
1
7
PIN 1
0.65 BSC
0.15
0.05
COPLANARITY
0.10
1.20
MAX
0.30
0.19
0.20
0.09
0.75
0.60
0.45
8°
0°
SEATING
PLANE
061908-A
1.05
1.00
0.80
COMPLIANT TO JEDEC STANDARDS MO-153-AB-1
图34. 14引脚超薄紧缩小型封装[TSSOP]
(RU-14)
图示尺寸单位：mm
PIN 1
INDICATOR
4.10
4.00 SQ
3.90
0.35
0.30
0.25
0.65
BSC
16
13
PIN 1
INDICATOR
12
1
EXPOSED
PAD
2.70
2.60 SQ
2.50
4
9
0.80
0.75
0.70
SEATING
PLANE
0.45
0.40
0.35
8
5
BOTTOM VIEW
0.05 MAX
0.02 NOM
COPLANARITY
0.08
0.20 REF
0.20 MIN
FOR PROPER CONNECTION OF
THE EXPOSED PAD, REFER TO
THE PIN CONFIGURATION AND
FUNCTION DESCRIPTIONS
SECTION OF THIS DATA SHEET.
COMPLIANT TO JEDEC STANDARDS MO-220-WGGC.
08-16-2010-C
TOP VIEW
图35. 16引脚引脚架构芯片级封装[LFCSP_WQ]
4 mm x 4 mm超薄体（CP-16-17）
图示尺寸单位：mm
订购指南
型号1
ADG5204BRUZ
ADG5204BRUZ-RL7
ADG5204BCPZ-RL7
1
温度范围
−40°C至+125°C
−40°C至+125°C
−40°C至+125°C
封装描述
14引脚超薄紧缩小型封装[TSSOP]
14引脚超薄紧缩小型封装[TSSOP]
16引脚引脚架构芯片级封装[LFCSP_WQ]
Z = 符合RoHS标准的器件。
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封装选项
RU-14
RU-14
CP-16-17
ADG5204
注释
©2011 Analog Devices, Inc. All rights reserved. Trademarks and
registered trademarks are the property of their respective owners.
D09768sc-0-5/11(0)
Rev. 0 | Page 20 of 20
工商网监
湘ICP备2023018690号
