高压防闩锁型双通道SPDT开关
ADG5236
产品特性
功能框图
防闩锁
ADG5236
2.5 pF关断源极电容
S1A
D1
12 pF关断漏极电容
S1B
−0.6 pC电荷注入
低泄漏：0.4 nA(最大值，85°C)
IN1
±9 V至±22 V双电源供电
IN2
9 V至40 V单电源供电
S2A
最大额定电源电压：48 V
D2
额定电源电压范围：±15 V、±20 V、+12 V、+36 V
模拟信号范围：VSS至VDD
SWITCHES SHOWN FOR A LOGIC 1 INPUT.
应用
09769-001
S2B
图1. TSSOP封装
自动测试设备
数据采集
ADG5236
仪器仪表
S1A
航空电子
S2A
D2
D1
音频和视频开关
S2B
S1B
通信系统
IN1
IN2
EN
SWITCHES SHOWN FOR A LOGIC 1 INPUT.
09769-002
LOGIC
图2. LFCSP封装
概述
产品特色
ADG5236是一款单芯片CMOS器件，内置两个独立可选的
1. 沟槽隔离可防止闩锁。
单刀双掷(SPDT)开关。LFCSP封装产品提供EN输入，用
电介质沟槽将P沟道与N沟道晶体管分开，保证即使在
来使能或禁用器件。禁用时，所有通道均关断。当接通
严重过压状况下，也不会发生闩锁现象。
时，各开关在两个方向的导电性能相同，输入信号范围可
2. 超低电容，电荷注入低于1 pC。
扩展至电源电压范围。在断开条件下，高至电源电压的信
3. 双电源供电。
号电平被阻止。两个开关均为先开后合式，适合多路复用
对于双极性模拟信号应用，ADG5236可以采用高达±22 V
器应用。
的双电源供电。
这些开关具有超低电容和电荷注入特性，因而是要求低毛
刺和快速建立时间的数据采集与采样保持应用的理想解决
方案。较快的开关速度及高信号带宽，使器件适合视频信
号切换应用。
4. 单电源供电。
对于单极性模拟信号应用，ADG5236可以采用高达40 V
的单轨电源供电。
5. 3 V逻辑兼容数字输入。
VINH = 2.0 V，VINL = 0.8 V。
6. 无需VL逻辑电源。
Rev. A
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ADG5236
目录
产品特性 ............................................................................................. 1
绝对最大额定值................................................................................ 8
应用...................................................................................................... 1
ESD警告......................................................................................... 8
功能框图 ............................................................................................. 1
引脚配置与功能描述 ....................................................................... 9
概述...................................................................................................... 1
开关真值表 ................................................................................... 9
产品特色 ............................................................................................. 1
典型性能参数 ..................................................................................10
修订历史 ............................................................................................. 2
测试电路 ...........................................................................................14
技术规格 ............................................................................................. 3
术语....................................................................................................16
±15 V双电源 ................................................................................. 3
沟槽隔离 ...........................................................................................17
±20 V双电源 ................................................................................. 4
应用信息 ...........................................................................................18
12 V单电源.................................................................................... 5
外形尺寸 ...........................................................................................19
36 V单电源.................................................................................... 6
订购指南......................................................................................19
每通道连续电流，Sx或Dx ........................................................ 7
修订历史
2012年12月—修订版0至修订版A
更新“外形尺寸”...............................................................................19
更改“订购指南”...............................................................................19
2011年7月—修订版0：初始版
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ADG5236
技术规格
±15 V双电源
除非另有说明，VDD = +15 V ± 10%，VSS = −15 V ± 10%，GND = 0 V。
表1.
参数
模拟开关
模拟信号范围
导通电阻RON
通道间导通电阻
匹配ΔRON
导通电阻平坦度RFLAT (ON)
漏电流
源极关断漏电流IS (Off)
漏极关断漏电流ID (Off)
通道导通漏电流ID (On)、IS (On)
25°C
160
200
1.4
8
38
50
0.01
0.1
0.01
0.1
0.02
0.2
−40°C至+85°C
−40°C至+125°C
单位
测试条件/注释
VDD 至V SS
V(最大值)
Ω(典型值)
Ω(最大值)
Ω(典型值)
VS = ±10 V, IS = −1 mA, 参见图25
VDD = +13.5 V, VSS = −13.5 V
VS = ±10 V, IS = −1 mA
250
280
9
10
65
70
0.2
0.4
0.4
1.2
0.4
1.2
Ω(最大值)
Ω(典型值)
Ω(最大值)
nA(典型值)
nA(最大值)
nA(典型值)
nA(最大值)
nA(典型值)
nA(最大值)
VS = ±10 V, IS = −1 mA
VDD = +16.5 V, VSS = −16.5 V
VS = ±10 V, VD = 10 V, 参见图27
VS = ±10 V, VD = 10 V, 参见图27
VS = VD = ±10 V, 参见图24
数字输入
输入高电压VINH
输入低电压VINL
输入电流IINL或IINH
数字输入电容CIN
动态特性1
转换时间tTRANSITION
2.0
0.8
0.002
±0.1
3
先开后合时间延迟tD
150
230
170
215
160
185
75
电荷注入QINJ
−0.6
关断隔离
−85
通道间串扰
−85
−3带宽
插入损耗
266
−7
CS (Off)
CD (Off)
CD (On), CS (On)
2.5
12
15
tON
tOFF
280
315
265
300
205
225
30
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V(最小值)
V(最大值)
µA(典型值)
µA(最大值)
pF(典型值)
ns(典型值)
ns(最大值)
ns(典型值)
ns(最大值)
ns(典型值)
ns(最大值)
ns(典型值)
ns(最小值)
pC(典型值)
VIN = VGND或VDD
RL = 300 Ω, CL = 35 pF
VS = 10 V, 参见图30
RL = 300 Ω, CL = 35 pF
VS = 10 V, 参见图32
RL = 300 Ω, CL = 35 pF
VS = 10 V, 参见图32
RL = 300 Ω, CL = 35 pF
VS1 = VS2 = 10 V, 参见图31
VS = 0 V, RS = 0 Ω, CL = 1 nF,
参见图33
dB(典型值)
RL = 50 Ω, CL = 5 pF, f = 1 MHz,
参见图28
dB(典型值)
RL = 50 Ω, CL = 5 pF, f = 1 MHz,
参见图26
MHz(典型值) RL = 50 Ω, CL = 5 pF, 参见图29
dB(典型值)
RL = 50 Ω, CL = 5 pF, f = 1 MHz,
参见图29
pF(典型值)
VS = 0 V, f = 1 MHz
pF(典型值)
VS = 0 V, f = 1 MHz
pF(典型值)
VS = 0 V, f = 1 MHz
ADG5236
参数
电源要求
IDD
ISS
25°C
−40°C至+85°C
45
55
0.001
−40°C至+125°C
70
1
VDD/VSS
1
±9/±22
单位
测试条件/注释
VDD = +16.5 V, VSS = −16.5 V
数字输入 = 0 V或VDD
µA(典型值)
µA(最大值)
µA(典型值)
数字输入 = 0 V或VDD
µA(最大值)
V (最小值/最大值) GND = 0 V
通过设计保证，但未经生产测试。
±20 V双电源
除非另有说明，VDD = +20 V ± 10%，VSS = −20 V ± 10%，GND = 0 V。
表2.
参数
模拟开关
模拟信号范围
导通电阻RON
通道间导通电阻
匹配ΔRON
导通电阻平坦度RFLAT (ON)
漏电流
源极关断漏电流IS (Off)
漏极关断漏电流ID (Off)
通道导通漏电流ID (On)、IS (On)
数字输入
输入高电压VINH
输入低电压VINL
输入电流IINL或IINH
数字输入电容CIN
动态特性1
转换时间tTRANSITION
25°C
140
160
1.3
8
33
45
0.01
0.1
0.01
0.1
0.02
0.2
单位
测试条件/注释
VDD 至VSS
V (最大值)
Ω (典型值)
Ω (最大值)
Ω (典型值)
VS = ±15 V, IS = −1 mA, 参见图25
VDD = +18 V, VSS = −18 V
VS = ±15 V, IS = −1 mA
200
230
9
10
55
60
0.2
0.4
0.4
1.2
0.4
1.2
0.002
±0.1
3
先开后合时间延迟tD
电荷注入QINJ
−0.6
关断隔离
−85
通道间串扰
−85
−3 dB带宽
插入损耗
266
−7
tOFF
−40°C至+125°C
2.0
0.8
150
210
150
190
155
180
60
tON
−40°C至+85°C
260
290
235
267
200
215
30
Rev. A | Page 4 of 20
Ω (最大值)
Ω (典型值)
Ω (最大值)
nA(典型值)
nA(最大值)
nA(典型值)
nA(最大值)
nA(典型值)
nA(最大值)
V(最小值)
V(最大值)
µA(典型值)
µA(最大值)
pF(典型值)
ns(典型值)
ns(最大值)
ns(典型值)
ns(最大值)
ns(典型值)
ns(最大值)
ns(典型值)
ns(最小值)
pC(典型值)
VS = ±15 V, IS = −1 mA
VDD = +22 V, VSS = −22 V
VS = ±15 V, VD = 15 V, 参见图27
VS = ±15 V, VD = 15 V, 参见图27
VS = VD = ±15 V, 参见图24
VIN = VGND 或V DD
RL = 300 Ω, CL = 35 pF
VS = 10 V, 参见图30
RL = 300 Ω, CL = 35 pF
VS = 10 V, 参见图32
RL = 300 Ω, CL = 35 pF
VS = 10 V, 参见图32
RL = 300 Ω, CL = 35 pF
VS1 = VS2 = 10 V, 参见图31
VS = 0 V, RS = 0 Ω, CL = 1 nF,
参见图33
dB(典型值) RL = 50 Ω, CL = 5 pF, f = 1 MHz,
参见图28
dB(典型值) RL = 50 Ω, CL = 5 pF, f = 1 MHz,
参见图26
MHz(典型值) RL = 50 Ω, CL = 5 pF, 参见图29
dB(典型值) RL = 50 Ω, CL = 5 pF, f = 1 MHz,
参见图29
ADG5236
参数
CS (Off)
CD (Off)
CD (On), CS (On)
电源要求
IDD
ISS
25°C
2.5
12
15
−40°C至+85°C
50
70
0.001
−40°C至+125°C
±9/±22
µA(典型值)
µA(最大值)
µA(典型值)
µA(最大值)
V(最小值/最大值)
−40°C至+125°C
单位
0 V至V DD
V (最大值)
Ω (典型值)
110
1
VDD/VSS
1
单位
pF(典型值)
pF(典型值)
pF(典型值)
测试条件/注释
VS = 0 V, f = 1 MHz
VS = 0 V, f = 1 MHz
VS = 0 V, f = 1 MHz
VDD = +22 V, VSS = −22 V
数字输入 = 0 V或VDD
数字输入 = 0 V或VDD
GND = 0 V
通过设计保证，但未经生产测试。
12 V单电源
除非另有说明，VDD = 12 V ± 10%，VSS = 0 V，GND = 0 V。
表3.
参数
模拟开关
模拟信号范围
导通电阻RON
通道间导通电阻
匹配ΔRON
导通电阻平坦度RFLAT (ON)
25°C
−40°C至+85°C
350
610
700
Ω (最大值)
Ω (典型值)
20
145
280
21
22
VS = 0 V至10 V, I S = −1 mA
335
370
Ω (最大值)
Ω (典型值)
Ω (最大值)
nA(典型值)
VDD = 13.2 V, VSS = 0 V
VS = 1 V/10 V, VD = 10 V/1 V,
参见图27
0.01
0.2
漏极关断漏电流ID (Off)
0.1
0.01
0.1
0.02
0.2
0.4
1.2
0.4
1.2
数字输入
输入高电压VINH
输入低电压VINL
输入电流IINL或IINH
数字输入电容CIN
动态特性1
转换时间tTRANSITION
0.002
±0.1
3
先开后合时间延迟tD
电荷注入QINJ
−0.6
tOFF
0.4
2.0
0.8
220
390
275
380
160
195
145
tON
VS = 0 V至10 V, I S = −1 mA,
参见图25
VDD = 10.8 V, VSS = 0 V
VS = 0 V至10 V, I S = −1 mA
500
3
漏电流
源极关断漏电流IS (Off)
通道导通漏电流ID (On)、IS (On)
测试条件/注释
430
490
440
510
225
245
65
Rev. A | Page 5 of 20
nA(最大值)
nA(典型值)
VS = 1 V/10 V, VD = 10 V/1 V,
参见图27
nA(最大值)
nA(典型值)
nA(最大值)
VS = VD = 1 V/10 V, 参见图24
V(最小值)
V(最大值)
µA(典型值)
µA(最大值)
pF(典型值)
VIN = VGND或V DD
ns(典型值)
ns(最大值)
ns(典型值)
ns(最大值)
ns(典型值)
ns(最大值)
ns(典型值)
ns(最小值)
pC(典型值)
RL = 300 Ω, CL = 35 pF
VS = 8 V, 参见图30
RL = 300 Ω, CL = 35 pF
VS = 8 V, 参见图32
RL = 300 Ω, CL = 35 pF
VS = 8 V, 参见图32
RL = 300 Ω, CL = 35 pF
VS1 = VS2 = 8 V, 参见图31
VS = 6 V, RS = 0 Ω, CL = 1 nF,
参见图33
ADG5236
参数
关断隔离
25°C
−90
−40°C至+85°C
−40°C至+125°C
通道间串扰
−90
dB(典型值)
−3 dB带宽
插入损耗
185
−11
MHz(典型值)
dB(典型值)
3
16
16
pF(典型值)
pF(典型值)
pF(典型值)
CS (Off)
CD (Off)
CD (On), CS (On)
电源要求
IDD
40
9/40
µA(典型值)
µA(最大值)
V(最小值/最大值)
−40°C至+125°C
单位
0 V至V DD
V(最大值)
Ω(最大值)
65
VDD
1
单位
dB(典型值)
测试条件/注释
RL = 50 Ω, CL = 5 pF, f = 1 MHz ,
参见图28
RL = 50 Ω, CL = 5 pF, f = 1 MHz ,
参见图26
RL = 50 Ω, CL = 5 pF, 参见图29
RL = 50 Ω, CL = 5 pF, f = 1, MHz
参见图29
VS = 6 V, f = 1 MHz
VS = 6 V, f = 1 MHz
VS = 6 V, f = 1 MHz
VDD = 13.2 V
数字输入 = 0 V或VDD
GND = 0 V, VSS = 0 V
通过设计保证，但未经生产测试。
36 V单电源
除非另有说明，VDD = 36 V ± 10%，VSS = 0 V，GND = 0 V。
表4.
参数
模拟开关
模拟信号范围
导通电阻RON
通道间导通电阻
匹配ΔRON
导通电阻平坦度RFLAT (ON)
25°C
−40°C至+85°C
150
215
245
Ω(最大值)
Ω(最大值)
8
35
50
9
10
VS = 0 V至30 V, IS = −1 mA
60
65
Ω(最大值)
Ω(最大值)
Ω(最大值)
nA(最大值)
VDD = 39.6 V, VSS = 0 V
VS = 1 V/30 V, VD = 30 V/1 V,
参见图27
0.01
0.1
0.01
0.2
漏极关断漏电流ID (Off)
0.1
0.02
0.2
0.4
1.2
0.4
1.2
数字输入
输入高电压VINH
输入低电压VINL
输入电流IINL或IINH
数字输入电容CIN
动态特性1
转换时间tTRANSITION
tON
VS = 0 V至30 V, IS = −1 mA,
参见图25
VDD = 32.4 V, VSS = 0 V
VS = 0 V至30 V, IS = −1 mA
170
1.4
漏电流
源极关断漏电流IS (Off)
通道导通漏电流ID (On)、IS (On)
测试条件/注释
0.4
2.0
0.8
0.002
±0.1
3
180
250
170
225
275
305
265
295
Rev. A | Page 6 of 20
nA(最大值)
nA(最大值)
VS = 1 V/30 V, VD = 30 V/1 V,
参见图27
nA(最大值)
nA(最大值)
nA(最大值)
VS = VD = 1 V/30 V, 参见图24
V(最小值)
V(最大值)
µA(最大值)
µA(最大值)
pF(最大值)
VIN = VGND 或V DD
ns(最大值)
ns(最大值)
ns(最大值)
ns(最大值)
RL = 300 Ω, CL = 35 pF
VS = 18 V, 参见图30
RL = 300 Ω, CL = 35 pF
VS = 18 V, 参见图32
ADG5236
先开后合时间延迟tD
25°C
170
215
75
电荷注入QINJ
−0.6
单位
ns(典型值)
ns(最大值)
ns(典型值)
ns(最小值)
pC(典型值)
关断隔离
−85
dB(典型值)
通道间串扰
−85
dB(典型值)
−3 dB带宽
插入损耗
266
−7
MHz(典型值)
dB(典型值)
2.5
12
15
pF(典型值)
pF(典型值)
pF(典型值)
参数
tOFF
CS (Off)
CD (Off)
CD (On), CS (On)
电源要求
IDD
−40°C至+125°C
215
225
35
85
100
VDD
1
−40°C至+85°C
测试条件/注释
RL = 300 Ω, CL = 35 pF
VS = 18 V, 参见图32
RL = 300 Ω, CL = 35 pF
VS1 = VS2 = 18 V, 参见图31
VS = 18 V, RS = 0 Ω, CL = 1 nF,
参见图33
RL = 50 Ω, CL = 5 pF, f = 1 MHz,
参见图28
RL = 50 Ω, CL = 5 pF, f = 1 MHz,
参见图26
RL = 50 Ω, CL = 5 pF, 参见图29
RL = 50 Ω, CL = 5 pF, f = 1 MHz,
参见图29
VS = 18 V, f = 1 MHz
VS = 18 V, f = 1 MHz
VS = 18 V, f = 1 MHz
VDD = 39.6 V
数字输入 = 0 V或VDD
µA(典型值)
µA(最大值)
V(最小值/最大值) GND = 0 V, VSS = 0 V
130
9/40
通过设计保证，但未经生产测试。
每通道连续电流，SxA、SxB或Dx
表5.
参数
连续电流，SxA、SxB或Dx
VDD = +15 V, VSS = −15 V
TSSOP (θJA = 112.6°C/W)
LFCSP (θJA = 30.4°C/W)
VDD = +20 V, VSS = −20 V
TSSOP (θJA = 112.6°C/W)
LFCSP (θJA = 30.4°C/W)
VDD = 12 V, VSS = 0 V
TSSOP (θJA = 112.6°C/W)
LFCSP (θJA = 30.4°C/W)
VDD = 36 V, VSS = 0 V
TSSOP (θJA = 112.6°C/W)
LFCSP (θJA = 30.4°C/W)
25°C
85°C
125°C
单位
19
30
7
7.7
2.8
2.8
mA(最大值)
mA(最大值)
21
31
7
7.7
2.8
2.8
mA(最大值)
mA(最大值)
14
22.5
6.3
7.3
2.7
2.8
mA(最大值)
mA(最大值)
24
35
7.4
7.8
2.8
2.8
mA(最大值)
mA(最大值)
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ADG5236
绝对最大额定值
除非另有说明，TA = 25°C。
注意，超出上述绝对最大额定值可能会导致器件永久性损
表6.
参数
VDD 至V SS
VDD 至GND
VSS 至GND
模拟输入1
数字输入1
峰值电流，SxA、SxB或
Dx引脚
连续电流，SxA、SxB
或Dx2
温度范围
工作温度
存储
结温
热阻θJA
16引脚 TSSOP
(4层板)
16引脚 LFCSP
回流焊峰值
温度，无铅
额定值
48 V
−0.3 V至+48 V
+0.3 V至−48 V
VSS − 0.3 V至VDD + 0.3 V或
30 mA，以最先出现者为准
VSS − 0.3 V至VDD + 0.3 V或
30 mA，以最先出现者为准
63 mA(1 ms脉冲，
最大10%占空比)
数据+ 15%
坏。这只是额定最值，并不能以这些条件或者在任何其它
超出本技术规范操作章节中所示规格的条件下，推断器件
能否正常工作。长期在绝对最大额定值条件下工作会影响
器件的可靠性。
任何时候只能使用一个绝对最大额定值。
ESD警告
ESD(静电放电)敏感器件。
带电器件和电路板可能会在没有察觉的情况下放
电。尽管本产品具有专利或专有保护电路，但在遇
到高能量ESD时，器件可能会损坏。因此，应当采
取适当的ESD防范措施，以避免器件性能下降或功
能丧失。
−40°C至+125°C
−65°C至+150°C
150°C
112°C/W
30.4°C/W
260(+0/−5)°C
INx、SxA、SxB和Dx引脚上的过压由内部二极管箝位。
电流以给出的最大额定值为限。
2
参见表5。
1
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ADG5236
D1 1
VDD
TOP VIEW
VSS 5 (Not to Scale) 12 S2B
13
D2
NC 7
10
S2A
NC 8
9
IN2
NC = NO CONNECT
ADG5236
11 VDD
VSS 3
TOP VIEW
(Not to Scale)
10 S2B
GND 4
9 D2
NC 5
11
09769-003
GND 6
12 EN
S1B 2
NOTES
1. EXPOSED PAD TIED TO SUBSTRATE, VSS.
2. NC = NO CONNECT.
图3. TSSOP引脚配置
09769-004
ADG5236
14 NC
NC
S1B 4
13 NC
14
NC 7
NC
D1 3
S2A 8
NC
15
16 S1A
16
IN2 6
IN1 1
S1A 2
15 IN1
引脚配置和功能描述
图4. LFCSP引脚配置
表7. 引脚功能描述
引脚编号
TSSOP
LFCSP
1
15
2
16
3
1
4
2
5
3
6
4
7, 8, 14至16
5, 7, 13, 14
9
6
10
8
11
9
12
10
13
11
N/A1
12
引脚名称
IN1
S1A
D1
S1B
VSS
GND
NC
IN2
S2A
D2
S2B
VDD
EN
N/A1
底焊盘
1
EP
描述
输入控制输入1。
源极引脚1A。该引脚可以是输入或输出。
漏极引脚1。该引脚可以是输入或输出。
源极引脚1B。该引脚可以是输入或输出。
最低负电源电位。
地(0 V)参考。
不连接。这些引脚开路。
输入控制输入2。
源极引脚2A。该引脚可以是输入或输出。
漏极引脚2。该引脚可以是输入或输出。
源极引脚2B。该引脚可以是输入或输出。
最高正电源电位。
高电平有效数字输入。当此引脚处于低电平时，器件禁用，所有开关断开。
当此引脚为高电平时，INx逻辑输入决定接通哪些开关。
底焊盘。底焊盘内部连接。为提高焊接接头的可靠性并实现最大散热效果，
建议将焊盘焊接到基板VSS。
N/A表示不适用。
开关真值表
表8. TSSOP真值表
INx
0
1
SxA
断开
接通
SxB
接通
断开
表9. LFCSP真值表
EN
0
1
1
1
INx
X1
0
1
SxA
断开
断开
接通
X表示无关。
Rev. A | Page 9 of 20
SxB
断开
接通
断开
ADG5236
典型性能参数
160
TA = 25°C
VDD = +18V
VSS = –18V
ON RESISTANCE (Ω)
VDD = +20V
VSS = –20V
VDD = +22V
VSS = –22V
60
100
60
40
40
20
20
0
–25
–20
–15
–10
–5
0
5
10
15
20
25
VS, VD (V)
0
0
5
TA = 25°C
10
15
20
25
30
35
40
15
20
VS, VD (V)
图5. 导通电阻与VS 、VD 的关系(双电源)
250
VDD = 39.6V
VSS = 0V
VDD = 36V
VSS = 0V
80
09769-108
100
80
VDD = 32.4V
VSS = 0V
120
09769-105
ON RESISTANCE (Ω)
120
TA = 25°C
140
09769-109
140
09769-110
160
图8. 导通电阻与VS 、VD 的关系(单电源)
250
VDD = +9V
VSS = –9V
200
VDD = +15V
VSS = –15V
200
ON RESISTANCE (Ω)
ON RESISTANCE (Ω)
TA = +125°C
150
VDD = +13.2V
VSS = –13.2V
100
VDD = +16.5V
VSS = –16.5V
VDD = +15V
VSS = –15V
50
TA = +25°C
100
TA = –40°C
50
–15
–10
–5
0
5
10
15
20
VS, VD (V)
0
–15
09769-106
0
–20
500
TA = 25°C
160
ON RESISTANCE (Ω)
300
250
200
150
100
TA = +25°C
80
TA = –40°C
60
20
4
6
8
10
12
VS, VD (V)
14
09769-107
50
0
图7. 导通电阻与VS 、VD 的关系(单电源)
TA = +85°C
120
40
2
10
TA = +125°C
140
100
0
5
180
VDD = 12V
VSS = 0V
VDD = 13.2V
VSS = 0V
350
0
200
VDD = 10.8V
VSS = 0V
400
–5
图9. 不同温度下导通电阻与VD 或VS 的关系
(±15 V双电源)
VDD = 9V
VSS = 0V
450
–10
VS, VD (V)
图6. 导通电阻与VS 、VD 的关系(双电源)
ON RESISTANCE (Ω)
TA = +85°C
150
VDD = +20V
VSS = –20V
0
–20
–15
–10
–5
0
5
10
15
VS, VD (V)
图10. 不同温度下导通电阻与VD 或VS 的关系
(±20 V双电源)
Rev. A | Page 10 of 20
ADG5236
100
500
I I (ON) + +
IS (OFF) + – D, S
TA = +125°C
340
TA = +85°C
50
300
TA = +25°C
250
200
TA = –40°C
150
100
0
IS (OFF) – +
–50
ID (OFF) + –
–100
ID, IS (ON) – –
–150
50
VDD = 12V
VSS = 0V
0
2
4
6
8
10
12
VS, VD (V)
–200
09769-111
0
VDD = +20V
VSS = –20V
VBIAS = +15V/–15V
0
40
60
80
100
120
图14. 漏电流与温度的关系(±20 V双电源)
40
VDD = 36V
VSS = 0V
IS (OFF) + –
ID (OFF) – +
20
LEAKAGE CURRENT (pA)
200
ON RESISTANCE (Ω)
20
TEMPERATURE (°C)
图11. 不同温度下导通电阻与VD 或VS 的关系(12 V单电源)
250
ID (OFF) – +
09769-114
400
LEAKAGE CURRENT (pA)
ON RESISTANCE (Ω)
450
TA = +125°C
150
TA = +85°C
TA = +25°C
100
TA = –40°C
0
IS (OFF) – +
–20
ID, IS (ON) + +
–40
ID (OFF) + –
–60
ID, IS (ON) – –
–80
5
10
15
20
25
30
35
VS, VD (V)
ID (OFF) – +
ID, IS (ON) + +
80
100
120
图15. 漏电流与温度的关系(12 V单电源)
50
IS (OFF) + –
ID, IS (ON) + +
0
IS (OFF) + –
ID (OFF) – +
–10
LEAKAGE CURRENT (pA)
0
IS (OFF) – +
ID (OFF) + –
–20
ID, IS (ON) – –
–30
–40
–50
–60 VDD = +15V
VSS = –15V
VBIAS = +10V/–10V
–70
0
20
40
IS (OFF) – +
–50
–100
ID (OFF) + –
–150
ID, IS (ON) – –
–200
60
80
100
TEMPERATURE (°C)
120
09769-113
LEAKAGE CURRENT (pA)
60
TEMPERATURE (°C)
图12. 不同温度下导通电阻与VS 或VD 的关系(36 V单电源)
10
40
–250
VDD = 36V
VSS = 0V
VBIAS = 1V/30V
0
20
40
60
80
100
TEMPERATURE (°C)
图16. 漏电流与温度的关系(36 V单电源)
图13. 漏电流与温度的关系(±15 V双电源)
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120
09769-116
0
09769-112
0
–100 VDD = 12V
VSS = 0V
VBIAS = 1V/10V
–120
0
20
09769-115
50
ADG5236
0
–20
0
TA = 25°C
VDD = +15V
VSS = –15V
–20
–40
ACPSRR (dB)
IL (dB)
–40
TA = 25°C
VDD = +15V
VSS = –15V
–60
NO DECOUPLING CAPACITORS
–60
–80
–80
–100
–100
–120
10k
–120
1k
1M
10M
100M
1G
FREQUENCY (Hz)
10k
100k
1M
10M
FREQUENCY (Hz)
09769-120
100k
09769-117
DECOUPLING CAPACITORS
图20. ACPSRR与频率的关系
图17. 关断隔离与频率的关系
0
0
TA = 25°C
–2 VDD = +15V
VSS = –15V
TA = 25°C
VDD = +15V
V
–20
SS = –15V
–4
ATTENUATION (dB)
BETWEEN SA AND SB
–60
–80
–100
–6
–8
–10
–12
–14
–16
BETWEEN S1 AND S2
–120
1M
10M
100M
1G
FREQUENCY (Hz)
–20
100k
09769-118
100k
1M
10M
图18. 串扰与频率的关系
350
TA = 25°C
VDD = +20V
VSS = –20V
0.5
300
250
VDD = +15V
VSS = –15V
0
VDD = +36V
VSS = 0V
–0.5
VDD = +12V
VSS = 0V
–1.0
200
VDD = +12V
VSS = 0V
150
50
–1.5
–10
0
10
VDD = +36V
VSS = 0V
VDD = +15V
VSS = –15V
100
20
VS (V)
30
40
09769-119
CHARGE INJECTION (pC)
1.0
–2.0
–20
1G
图21. 带宽
TIME (ns)
1.5
100M
FREQUENCY (Hz)
09769-122
–18
–140
10k
0
–40
VDD = +20V
VSS = –20V
–20
0
20
40
60
80
100
TEMPERATURE (°C)
图22. tTRANSITION 时间与温度的关系
图19. 电荷注入与源电压的关系
Rev. A | Page 12 of 20
120
09769-123
CROSSTALK (dB)
–40
ADG5236
TA = 25°C
VDD = +15V
VSS = –15V
20
DRAIN OFF
10
5
SOURCE OFF
0
–15
–10
–5
0
5
VS (V)
10
15
09769-124
CAPACITANCE (pF)
SOURCE/DRAIN ON
15
图23. 电容与源电压的关系(双电源)
Rev. A | Page 13 of 20
ADG5236
测试电路
ID (ON)
IS (OFF)
A
A
NC = NO CONNECT
VD
SxA/SxB
ID (OFF)
Dx
A
VD
VS
图24. 导通泄漏
图27. 关断泄漏
VDD
VSS
0.1µF
0.1µF
VDD
SxA
INx
NETWORK
ANALYZER
VSS
V
NC
SxB
50Ω
50Ω
VS
Dx
VIN
Dx
GND
09769-023
IDS
VS
OFF ISOLATION = 20 log
图25. 导通电阻
VDD
0.1µF
VDD
VDD
SxA
VSS
0.1µF
VSS
VDD
RL
50Ω
SxB
VS
VS
VSS
0.1µF
VOUT
VOUT
图28. 关断隔离
0.1µF
NETWORK
ANALYZER
Dx
RL
50Ω
INx
VSS
SxA
SxB
NETWORK
ANALYZER
NC
50Ω
50Ω
VS
Dx
INx
VIN
GND
RL
50Ω
VOUT
VS
09769-032
GND
CHANNEL-TO-CHANNEL CROSSTALK = 20 log
VOUT
09769-030
SxA/SxB
RL
50Ω
图26. 通道间串扰
INSERTION LOSS = 20 log
VOUT WITH SWITCH
VOUT WITHOUT SWITCH
图29. 带宽
Rev. A | Page 14 of 20
VOUT
09769-031
Dx
09769-024
SxA/SxB
09769-025
NC
ADG5236
VDD
0.1µF
VSS
VDD
VIN
50%
50%
VIN
50%
50%
VSS
SxB
VS
0.1µF
Dx
SxA
VOUT
RL
300Ω
INx
CL
35pF
90%
VOUT
90%
tON
TRANSITION
09769-026
GND
VIN
tOFF
TRANSITION
图30. 开关时间
0.1µF
VDD
VSS
VDD
VSS
SxB
VS
0.1µF
VIN
Dx
SxA
VOUT
RL
300Ω
INx
VOUT
CL
35pF
80%
tD
tD
09769-027
GND
VIN
图31. 先开后合时间延迟tD
3V
ENABLE
DRIVE (VIN)
50%
50%
VDD
VSS
VDD
VSS
INx
SxA
VS
SxB
0V
tON (EN)
tOFF (EN)
0.9VOUT
Dx
EN
OUTPUT
VIN
50Ω
OUTPUT
300Ω
0.1VOUT
图32. 使能延迟tON (EN)、tOFF (EN)
VS
VDD
VSS
VDD
VSS
VIN (NORMALLY
CLOSED SWITCH)
SxB
Dx
SxA
INx
VIN
0.1µF
GND
ON
OFF
NC
VOUT
CL
1nF
VIN (NORMALLY
OPEN SWITCH)
VOUT
∆VOUT
图33. 电荷注入
Rev. A | Page 15 of 20
QINJ = CL × ∆VOUT
09769-029
0.1µF
35pF
09769-028
GND
ADG5236
术语
IDD
CIN
IDD表示正电源电流。
CIN表示数字输入电容。
ISS
tON
ISS表示负电源电流。
tON表示施加数字控制输入与输出开启之间的延迟时间。
VD和VS
tOFF
VD和VS分别表示引脚D和引脚S上的模拟电压。
tOFF表示施加数字控制输入与输出关闭之间的延迟时间。
RON
tD
RON表示引脚D与引脚S之间的电阻(欧姆)。
tD表示从一个地址状态切换到另一个地址状态时，在两个
开关的80%点之间测得的关断时间。
ΔRON
ΔRON表示任意两个通道的RON之差。
关断隔离
关断隔离衡量通过断开开关耦合的无用信号。
RFLAT (ON)
RFLAT (ON)表示一种平坦度，定义为在额定模拟信号范围内测
电荷注入
得的导通电阻最大值与最小值之差。
电荷注入衡量开关期间从数字输入传输到模拟输出的毛刺
脉冲。
IS (Off)
IS (Off)表示开关断开时的源极漏电流。
串扰
串扰衡量寄生电容引起的从一个通道耦合到另一个通道的
ID (Off)
无用信号。
ID (Off)表示开关断开时的漏极漏电流。
带宽
ID (On)、IS (On)
带宽指输出衰减3 dB的频率。
ID (On)、IS (On)表示开关接通时的通道漏电流。
开启响应
VINL
开启响应指开关接通时的频率响应。
VINL表示逻辑0的最大输入电压。
插入损耗
VINH
插入损耗指开关导通电阻引起的损耗。
VINH表示逻辑1的最小输入电压。
交流电源抑制比(ACPSRR)
IINL和IINH
ACPSRR表示输出信号的幅度与调制幅度的比值，用于衡
IINL和IINH表示数字输入的低输入电流和高输入电流。
量器件避免将电源电压引脚上的噪声和杂散信号耦合到开
CD (Off)
关输出端的能力。该器件的直流电压由一个0.62 V p-p的正
CD (Off)表示开关断开时的漏极电容，以地为参考进行测量。
弦波调制。
CS (Off)
CS (Off)表示开关断开时的源极电容，以地为参考进行测量。
CD (On)、CS (On)
CD (On)和CS (On)表示开关接通时的电容，以地为参考进行
测量。
Rev. A | Page 16 of 20
ADG5236
沟槽隔离
NMOS
PMOS
P WELL
N WELL
在ADG5236中，各CMOS开关的NMOS与PMOS晶体管之间
有一个绝缘氧化物层(沟槽)。因此，它与结隔离式开关不
同，晶体管之间不存在寄生结，从而彻底消除了闩锁现象。
在结隔离中，PMOS和NMOS晶体管的N井和P井形成一个
二极管；在正常工作条件下，该二极管反向偏置。但在过
压条件下，该二极管可能变成正偏。两个晶体管形成一个
硅控整流器(SCR)型电路，导致电流被显著放大，进而引
起闩锁。而在沟槽隔离中则不存在该二极管，因此开关不
TRENCH
HANDLE WAFER
图34. 沟槽隔离
Rev. A | Page 17 of 20
09769-045
BURIED OXIDE LAYER
会发生闩锁。
ADG5236
应用信息
ADG52xx系列开关和多路复用器为易于发生闩锁现象的仪
器仪表、工业、汽车、航空航天应用和其它恶劣环境提供
了稳定可靠的解决方案；闩锁是指一种可能导致器件故障
的不良高电流状态，它在关闭电源之前会持续存在。
ADG5236高压开关支持9 V至40 V的单电源供电和±9 V至
±22 V的双电源供电。
Rev. A | Page 18 of 20
ADG5236
外形尺寸
5.10
5.00
4.90
16
9
4.50
4.40
4.30
6.40
BSC
1
8
PIN 1
1.20
MAX
0.15
0.05
0.30
0.19
0.65
BSC
COPLANARITY
0.10
0.20
0.09
0.75
0.60
0.45
8°
0°
SEATING
PLANE
COMPLIANT TO JEDEC STANDARDS MO-153-AB
图35. 16引脚超薄紧缩小型封装[TSSOP]
(RU-16)
图示尺寸单位：mm
PIN 1
INDICATOR
4.10
4.00 SQ
3.90
0.35
0.30
0.25
0.65
BSC
16
13
PIN 1
INDICATOR
12
1
EXPOSED
PAD
4
2.70
2.60 SQ
2.50
9
0.80
0.75
0.70
0.45
0.40
0.35
8
BOTTOM VIEW
0.05 MAX
0.02 NOM
COPLANARITY
0.08
0.20 REF
SEATING
PLANE
0.20 MIN
FOR PROPER CONNECTION OF
THE EXPOSED PAD, REFER TO
THE PIN CONFIGURATION AND
FUNCTION DESCRIPTIONS
SECTION OF THIS DATA SHEET.
COMPLIANT TO JEDEC STANDARDS MO-220-WGGC.
08-16-2010-C
TOP VIEW
5
图36. 16引脚引线框芯片级封装[LFCSP_WQ]
4 mm x 4 mm超薄体
(CP-16-17)
图示尺寸单位：mm
订购指南
型号1
ADG5236BRUZ
ADG5236BRUZ-RL7
ADG5236BCPZ-RL7
1
温度范围
−40°C至+125°C
−40°C至+125°C
−40°C至+125°C
封装描述
16引脚超薄紧缩小型封装[TSSOP]
16引脚超薄紧缩小型封装[TSSOP]
16引脚引线框芯片级封装[LFCSP_WQ]
Z = 符合RoHS标准的器件。
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封装选项
RU-16
RU-16
CP-16-17
ADG5236
注释
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D09769sc -0-4/12(A)
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