| BB 659C-02V E7908 | Infineon Technologies | 可变电抗器 单路 30 V 表面贴装型 PG-SC79-2 | | | 获取价格 |
| BB 664-02V E7902 | Infineon Technologies | 可变电抗器 单路 30 V 表面贴装型 PG-SC79-2 | | | 获取价格 |
| BBY 59-02V E6327 | Infineon Technologies | 可变电抗器 单路 15 V 表面贴装型 PG-SC79-2 | | | 获取价格 |
| BB 659C-02V E7912 | Infineon Technologies | 可变电抗器 单路 30 V 表面贴装型 PG-SC79-2 | | | 获取价格 |
| TLE493DP2B6A2HTSA1 | Infineon Technologies | 霍尔效应 传感器 X，Y，Z 轴 PG-TSOP6-6-8 | | | 获取价格 |
| TLE4966V-1G | Infineon Technologies | | | | 获取价格 |
| BSP88H6327 | Infineon Technologies | | | | 获取价格 |
| IPN70R1K2P7S | Infineon Technologies | 类型:-;漏源电压(Vdss):-;连续漏极电流(Id):-;功率(Pd):-;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):-;阈值电压(Vgs(th)@Id):-;栅极电荷(Qg@Vgs):-;输入电容(Ciss@Vds):-;反向传输电容(Crss@Vds):-; | | | 获取价格 |
| IPA60R650CE | Infineon Technologies | 类型:-;漏源电压(Vdss):-;连续漏极电流(Id):-;功率(Pd):-;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):-;阈值电压(Vgs(th)@Id):-;栅极电荷(Qg@Vgs):-;输入电容(Ciss@Vds):-;反向传输电容(Crss@Vds):-; | | | 获取价格 |
| IRFBE30PBF | Infineon Technologies | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):800V;连续漏极电流(Id):4.1A;功率(Pd):125W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):3Ω@10V,2.5A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA; | | | 获取价格 |
| IRF820PBF | Infineon Technologies | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):500V;连续漏极电流(Id):2.5A;功率(Pd):50W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):3Ω@10V,1.5A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA; | | | 获取价格 |
| IPP041N04N G | Infineon Technologies | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):40V;连续漏极电流(Id):80A;功率(Pd):94W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):4.1mΩ@10V,80A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@45uA; | | | 获取价格 |
| IPP072N10N3 G | Infineon Technologies | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):100V;连续漏极电流(Id):80A;功率(Pd):150W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):7.2mΩ@10V,80A;阈值电压(Vgs(th)@Id):3.5V@90uA; | | | 获取价格 |
| IPP024N06N3 G | Infineon Technologies | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):60V;连续漏极电流(Id):120A;功率(Pd):250W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):2.4mΩ@10V,100A; | | | 获取价格 |
| IPP015N04N G | Infineon Technologies | Mosfet, N Channel, 40V, 120A, To-220-3; Channel Type:n Channel; Drain Source Voltage Vds:40V; Continuous Drain Current Id:120A; Transistor Mounting:through Hole; Rds(On) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:2V; Msl:- Rohs Compliant: Yes | | | 获取价格 |
| IPD50R1K4CE | Infineon Technologies | 类型:-;漏源电压(Vdss):-;连续漏极电流(Id):-;功率(Pd):-;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):-;阈值电压(Vgs(th)@Id):-;栅极电荷(Qg@Vgs):-;输入电容(Ciss@Vds):-;反向传输电容(Crss@Vds):-; | | | 获取价格 |
| IPD65R400CE | Infineon Technologies | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):650V;连续漏极电流(Id):15.1A;功率(Pd):118W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):400mΩ@10V,3.2A;阈值电压(Vgs(th)@Id):3.5V@320uA; | | | 获取价格 |
| IPD60R180P7 | Infineon Technologies | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):600V;连续漏极电流(Id):18A;功率(Pd):72W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):180mΩ@10V,5.6A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@280uA; | | | 获取价格 |
| BYM300B170DN2 | EUPEC[eupecGmbH] | BYM300B170DN2 - IGBT-Modules - eupec GmbH | | | 获取价格 |
| TLE4986CBXTNF27NXTMA1 | Infineon Technologies | SPEED SENSORS | | | 获取价格 |
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