| 3DD4242DM-126 | Jilin Sino-Microelectronics Co., Ltd. | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):400V;集电极电流(Ic):1.5A;功率(Pd):20W;集电极截止电流(Icbo):5uA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):200mV@500mA,100mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):22@100mA,10V;特征频率(fT):4MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | | | 获取价格 |
| 3DD13005ED-220C | Jilin Sino-Microelectronics Co., Ltd. | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):400V;集电极电流(Ic):4A;功率(Pd):75W; | | | 获取价格 |
| HBR30100V-220 | Jilin Sino-Microelectronics Co., Ltd. | 二极管配置:1对共阴极;直流反向耐压(Vr):100V;平均整流电流(Io):15A;正向压降(Vf):710mV@15A;反向电流(Ir):50uA@100V; | | | 获取价格 |
| HBR20100V-220HF | Jilin Sino-Microelectronics Co., Ltd. | 二极管配置:1对共阴极;直流反向耐压(Vr):100V;平均整流电流(Io):10A;正向压降(Vf):730mV@15A;反向电流(Ir):50uA@100V; | | | 获取价格 |
| JCS10N65ST-S-AR | Jilin Sino-Microelectronics Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):650V;连续漏极电流(Id):9.5A;功率(Pd):178W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):850mΩ@10V,4.75A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4.5V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):34nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):1.61nF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):20pF@25V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | | | 获取价格 |
| JCS2N60VB-IPAK | Jilin Sino-Microelectronics Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):600V;连续漏极电流(Id):1.9A;功率(Pd):43.6W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):4.5Ω@10V,1A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA; | | | 获取价格 |
| JCS3910R-DPAK | Jilin Sino-Microelectronics Co., Ltd. | N沟道 | | | 获取价格 |
| 3DD4244DM | Jilin Sino-Microelectronics Co., Ltd. | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):400V;集电极电流(Ic):3A;功率(Pd):30W;集电极截止电流(Icbo):5μA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):300mV@1.5A,500mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):20@500mA,5V;特征频率(fT):-;工作温度:+150℃@(Tj); | | | 获取价格 |
| JCS2N60VC-IPAK | Jilin Sino-Microelectronics Co., Ltd. | JCS2N60VC-IPAK | | | 获取价格 |
| JCS6N70FH TO-220MF | Jilin Sino-Microelectronics Co., Ltd. | JCS6N70FH TO-220MF | | | 获取价格 |
| 3DD13003E1D-92-FJ | Jilin Sino-Microelectronics Co., Ltd. | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):400V;集电极电流(Ic):1.5A;功率(Pd):1W;集电极截止电流(Icbo):5uA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):200mV@500mA,100mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):7@1.5A,5V;特征频率(fT):-;工作温度:+150℃@(Tj); | | | 获取价格 |
| HBR20100-220HF | Jilin Sino-Microelectronics Co., Ltd. | 二极管配置:1对共阴极;直流反向耐压(Vr):100V;平均整流电流(Io):10A;正向压降(Vf):780mV@10A;反向电流(Ir):10uA@100V; | | | 获取价格 |
| HBR10150-220HF | Jilin Sino-Microelectronics Co., Ltd. | 二极管配置:1对共阴极;直流反向耐压(Vr):150V;平均整流电流(Io):5A;正向压降(Vf):890mV@10A;反向电流(Ir):10uA@150V; | | | 获取价格 |
| 3DD13007K-220 | Jilin Sino-Microelectronics Co., Ltd. | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):400V;集电极电流(Ic):8A;功率(Pd):80W;集电极截止电流(Icbo):100uA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):3V@8A,2A;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):8@2A,5V;特征频率(fT):4MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | | | 获取价格 |
| HBR5100U-DO-201AD | Jilin Sino-Microelectronics Co., Ltd. | 直流反向耐压(Vr):100V;平均整流电流(Io):5A;正向压降(Vf):720mV@5A; | | | 获取价格 |
| HBR10200-220HF | Jilin Sino-Microelectronics Co., Ltd. | 二极管配置:1对共阴极;直流反向耐压(Vr):200V;平均整流电流(Io):5A;正向压降(Vf):920mV@10A;反向电流(Ir):10uA@200V; | | | 获取价格 |
| 3CT12B | Jilin Sino-Microelectronics Co., Ltd. | 可控硅类型:单向可控硅;断态峰值电压(Vdrm):800V;通态RMS电流(It(rms)):16A;浪涌电流(Itsm@f):190A@10ms;门极平均耗散功率(PG(AV)):1W;通态峰值电压(Vtm):1.6V;门极触发电流(Igt):25mA;门极触发电压(Vgt):1.3V;保持电流(Ih):40mA;工作温度:-40℃~+125℃@(Tj); | | | 获取价格 |
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