| KL3012M | Kinglight | 可控硅光耦，触发电流5MA，正向电压1.5V,反向电流10uA，Min断态输出端电压：250V，Max断态峰值电流100nA，隔离电压5000V，总消耗功率330mW，工作温度-55~+100℃，DIP6（尺寸7.1x6.48x3.5mm），M脚-铜线 | | | 获取价格 |
| KL2501S1-L-TU | Kinglight | 晶体管光耦（DC)，电流传输比200~400%，正向电压1.2V,反向电流10uA，Min击穿电压80V，Max暗电流100nA，隔离电压5000V，总消耗功率200mW，上升时间3us，下降时间5us，工作温度-55~+110℃，SMD4（尺寸6.5x4.59x3.5mm），S1TU-铜线 | | | 获取价格 |
| KL2501M-N | Kinglight | 晶体管光耦（DC)，电流传输比80~600%，正向电压1.2V,反向电流10uA，Min击穿电压80V，Max暗电流100nA，隔离电压5000V，总消耗功率200mW，上升时间3us，下降时间5us，工作温度-55~+110℃，DIP4（尺寸6.5x4.59x3.5mm），M脚-铜线 | | | 获取价格 |
| KL2501S1-W-TU | Kinglight | 晶体管光耦（DC)，电流传输比130~260%，正向电压1.2V,反向电流10uA，Min击穿电压80V，Max暗电流100nA，隔离电压5000V，总消耗功率200mW，上升时间3us，下降时间5us，工作温度-55~+110℃，SMD4（尺寸6.5x4.59x3.5mm），S1TU-铜线 | | | 获取价格 |
| KL851M | Kinglight | 晶体管光耦（DC)，电流传输比50~600%，正向电压1.2V,反向电流10uA，Min击穿电压350V，Max暗电流100nA，隔离电压5000V，总消耗功率200mW，上升时间4us，下降时间5us，工作温度-55~+110℃，DIP4（尺寸6.5x4.59x3.5mm），M脚-铜线 | | | 获取价格 |
| KL817S1-D-TU-F | Kinglight | 晶体管光耦（DC)，电流传输比300~600%，正向电压1.2V,反向电流10uA，Min击穿电压80V，Max暗电流100nA，隔离电压5000V，总消耗功率200mW，上升时间4us，下降时间3us，工作温度-55~+110℃，SMD4（尺寸6.5x4.59x3.5mm），S1TU-铁线 | | | 获取价格 |
| KL817S1-B-TU-F | Kinglight | 晶体管光耦（DC)，电流传输比130~260%，正向电压1.2V,反向电流10uA，Min击穿电压80V，Max暗电流100nA，隔离电压5000V，总消耗功率200mW，上升时间4us，下降时间3us，工作温度-55~+110℃，SMD4（尺寸6.5x4.59x3.5mm），S1TU-铁线 | | | 获取价格 |
| KL817M-C-F | Kinglight | 晶体管光耦（DC)，电流传输比200~400%，正向电压1.2V,反向电流10uA，Min击穿电压80V，Max暗电流100nA，隔离电压5000V，总消耗功率200mW，上升时间4us，下降时间3us，工作温度-55~+110℃，DIP4（尺寸6.5x4.59x3.5mm），M脚-铁线 | | | 获取价格 |
| KL817-A | Kinglight | 晶体管光耦（DC)，电流传输比80~160%，正向电压1.2V,反向电流10uA，Min击穿电压80V，Max暗电流100nA，隔离电压5000V，总消耗功率200mW，上升时间4us，下降时间3us，工作温度-55~+110℃，DIP4（尺寸6.5x4.59x3.5mm），直脚-铜线 | | | 获取价格 |
| KL817M-A-F | Kinglight | 晶体管光耦（DC)，电流传输比80~160%，正向电压1.2V,反向电流10uA，Min击穿电压80V，Max暗电流100nA，隔离电压5000V，总消耗功率200mW，上升时间4us，下降时间3us，工作温度-55~+110℃，DIP4（尺寸6.5x4.59x3.5mm），M脚-铁线 | | | 获取价格 |
| KL8171M | Kinglight | 晶体管光耦（DC)，电流传输比100~350%，正向电压1.2V,反向电流10uA，Min击穿电压70V，Max暗电流100nA，隔离电压5000V，总消耗功率170mW，工作温度-30~+100℃，DIP4（尺寸6.5x4.59x3.5mm），M脚-铜线 | | | 获取价格 |
| KL8171 | Kinglight | 晶体管光耦（DC)，电流传输比100~350%，正向电压1.2V,反向电流10uA，Min击穿电压70V，Max暗电流100nA，隔离电压5000V，总消耗功率170mW，工作温度-30~+100℃，DIP4（尺寸6.5x4.59x3.5mm），直脚-铜线 | | | 获取价格 |
| KL816S1-C-TU | Kinglight | 晶体管光耦（DC)，电流传输比200~400%，正向电压1.2V,反向电流10uA，Min击穿电压80V，Max暗电流100nA，隔离电压5000V，总消耗功率200mW，上升时间4us，下降时间3us，工作温度-55~+110℃，SMD4（尺寸6.5x4.59x3.5mm），S1TU-铜线 | | | 获取价格 |
| KL816S1-B-TU | Kinglight | 晶体管光耦（DC)，电流传输比130~260%，正向电压1.2V,反向电流10uA，Min击穿电压80V，Max暗电流100nA，隔离电压5000V，总消耗功率200mW，上升时间4us，下降时间3us，工作温度-55~+110℃，SMD4（尺寸6.5x4.59x3.5mm），S1TU-铜线 | | | 获取价格 |
| KL816S1-A-TU | Kinglight | 晶体管光耦（DC)，电流传输比80~160%，正向电压1.2V,反向电流10uA，Min击穿电压80V，Max暗电流100nA，隔离电压5000V，总消耗功率200mW，上升时间4us，下降时间3us，工作温度-55~+110℃，SMD4（尺寸6.5x4.59x3.5mm），S1TU-铜线 | | | 获取价格 |
| KL357-B-TA | Kinglight | 晶体管光耦（DC)，电流传输比130~260%，正向电压1.2V,反向电流10uA，Min击穿电压80V，Max暗电流100nA，隔离电压3750V，总消耗功率200mW，上升时间3us，下降时间4us，工作温度-55~+110℃，SOP4（尺寸4.4x4.0x2.0mm），TA-铜线 | | | 获取价格 |
| KL357-A-TA | Kinglight | 晶体管光耦（DC)，电流传输比80~160%，正向电压1.2V,反向电流10uA，Min击穿电压80V，Max暗电流100nA，隔离电压3750V，总消耗功率200mW，上升时间3us，下降时间4us，工作温度-55~+110℃，SOP4（尺寸4.4x4.0x2.0mm），TA-铜线 | | | 获取价格 |
| KL3081S1-TA | Kinglight | 可控硅光耦，触发电流15MA，正向电压1.5V,反向电流10uA，Min断态输出端电压：800V，Max断态峰值电流500nA，抑制电压20V，隔离电压5000V，总消耗功率300mW，工作温度-55~+100℃，SMD6（尺寸7.1x6.48x3.5mm），S1TA-铜线 | | | 获取价格 |
| KL3061 | Kinglight | 可控硅光耦，触发电流15MA，正向电压1.5V,反向电流10uA，Min断态输出端电压：600V，Max断态峰值电流500nA，抑制电压20V，隔离电压5000V，总消耗功率300mW，工作温度-55~+100℃，DIP6（尺寸7.1x6.48x3.5mm），直脚-铜线 | | | 获取价格 |
| KL3061M | Kinglight | 可控硅光耦，触发电流15MA，正向电压1.5V,反向电流10uA，Min断态输出端电压：600V，Max断态峰值电流500nA，抑制电压20V，隔离电压5000V，总消耗功率300mW，工作温度-55~+100℃，DIP6（尺寸7.1x6.48x3.5mm），M脚-铜线 | | | 获取价格 |
工商网监