| MJD41CT4G | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):100V;集电极电流(Ic):6A;功率(Pd):1.75W;集电极截止电流(Icbo):-;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):1.5V@6A,600mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):15@3A,4V;特征频率(fT):3MHz;工作温度:-65℃~+150℃@(Tj); | | | 获取价格 |
| NTD3055-150T4G | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):60V;连续漏极电流(Id):9A;功率(Pd):1.5W；28.8W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):150mΩ@10V,4.5A; | | | 获取价格 |
| NTD5865NLT4G | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):60V;连续漏极电流(Id):46A;功率(Pd):71W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):16mΩ@10V,20A; | | | 获取价格 |
| 2SD1628G-TD-E | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):20V;集电极电流(Ic):5A;功率(Pd):500mW;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):500mV@3A,60mA;特征频率(fT):120MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | | | 获取价格 |
| 2SA2016-TD-E | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):50V;集电极电流(Ic):7A;功率(Pd):3.5W;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):240mV@2A,40mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):200@500mA,2V;特征频率(fT):290MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | | | 获取价格 |
| 2SA2013-TD-E | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):50V;集电极电流(Ic):4A;功率(Pd):1.3W;集电极截止电流(Icbo):1uA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):200mV@2A,100mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):200@500mA,2V;特征频率(fT):360MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | | | 获取价格 |
| 2SC3646S-TD-E | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):100V;集电极电流(Ic):1A;功率(Pd):500mW;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@100mA,5V; | | | 获取价格 |
| 2SA2202-TD-E | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):100V;集电极电流(Ic):2A;功率(Pd):3.5W;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):200@100mA,5V; | | | 获取价格 |
| MMBT3906LT1G | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):40V;集电极电流(Ic):200mA;功率(Pd):300mW;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@10mA,1V; | | | 获取价格 |
| MMBT5551LT3G | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):160V;集电极电流(Ic):600mA;功率(Pd):225mW;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):80@10mA,5V; | | | 获取价格 |
| MMBTA06LT1G | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):60V;集电极电流(Ic):500mA;功率(Pd):225mW; | | | 获取价格 |
| MMBTA42LT1G | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):300V;集电极电流(Ic):500mA;功率(Pd):225mW;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):40@30mA,10V; | | | 获取价格 |
| BC846ALT1G | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):65V;集电极电流(Ic):100mA;功率(Pd):225mW;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):180@2mA,5V; | | | 获取价格 |
| BC848BLT1G | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):30V;集电极电流(Ic):100mA;功率(Pd):300mW; | | | 获取价格 |
| MMBTA92LT1G | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):300V;集电极电流(Ic):500mA;功率(Pd):225mW;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):25@30mA,10V; | | | 获取价格 |
| BC807-16LT3G | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):45V;集电极电流(Ic):500mA;功率(Pd):300mW; | | | 获取价格 |
| SBC847BLT1G | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):45V;集电极电流(Ic):100mA;功率(Pd):225mW;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):200@2mA,5V; | | | 获取价格 |
| BCW65CLT1G | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):32V;集电极电流(Ic):800mA;功率(Pd):225mW;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):250@100mA,1V; | | | 获取价格 |
| BC856ALT1G | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):65V;集电极电流(Ic):100mA;功率(Pd):225mW;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):125@2mA,5V; | | | 获取价格 |
| MMBT6429LT1G | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):45V;集电极电流(Ic):200mA;功率(Pd):225mW;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):500@100?A,5V; | | | 获取价格 |
工商网监