| 27T332C | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 3.3 µH 无屏蔽 绕线 电感器 1.2 A 160 毫欧最大 非标准 | | | 获取价格 |
| 27T152C | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 1.5 µH 无屏蔽 绕线 电感器 1.6 A 100 毫欧最大 非标准 | | | 获取价格 |
| 23330C | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 33 µH 无屏蔽 绕线 电感器 640 mA 497 毫欧最大 非标准 | | | 获取价格 |
| NCP1117ST50T3G | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 输出类型:固定;输出极性:正;最大输入电压:20V;输出电压:5V;输出电流:1A;电源纹波抑制比(PSRR):61dB@(120Hz); | | | 获取价格 |
| MC33275ST-3.3T3G | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 输出类型:固定;输出极性:正;最大输入电压:13V;输出电压:3.3V;输出电流:300mA;电源纹波抑制比(PSRR):75dB@(120Hz); | | | 获取价格 |
| MJB41CT4G | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):100V;集电极电流(Ic):6A;功率(Pd):2W;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):15@3A,4V; | | | 获取价格 |
| MJB42CT4G | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):100V;集电极电流(Ic):6A;功率(Pd):2W;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):15@3A,4V; | | | 获取价格 |
| NTF5P03T3G | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 类型:P沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):3.7A;功率(Pd):1.56W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):100mΩ@5.2A,10V; | | | 获取价格 |
| FDB075N15A | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):150V;连续漏极电流(Id):130A;功率(Pd):333W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):7.5mΩ@10V,100A; | | | 获取价格 |
| PZT3904T1G | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):40V;集电极电流(Ic):200mA;功率(Pd):1.5W;集电极截止电流(Icbo):-;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):300mV@50mA,5mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@10mA,1V;特征频率(fT):300MHz;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | | | 获取价格 |
| NJVMJD44H11T4G-VF01 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):80V;集电极电流(Ic):8A;功率(Pd):1.75W;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):40@4A,1V; | | | 获取价格 |
| FCD2250N80Z | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):800V;连续漏极电流(Id):2.6A;功率(Pd):39W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):2.25Ω@1.3A,10V; | | | 获取价格 |
| NCP1117ST15T3G | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 输出类型:固定;输出极性:正;最大输入电压:20V;输出电压:1.5V;输出电流:1A;电源纹波抑制比(PSRR):72dB@(120Hz); | | | 获取价格 |
| MJ15015G | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 该双极功率晶体管适用于大功率音频、步进电机和其他线性应用。它还可用于继电器或电磁驱动器、DC-DC 转换器、逆变器等电源切换电路，或需要比 2N3055 安全运行区域更高的直感负载。 | | | 获取价格 |
| 2N3773G | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):140V;集电极电流(Ic):16A;功率(Pd):150W;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):15@8A,4V; | | | 获取价格 |
| NTB011N15MC | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):150V;连续漏极电流(Id):76.4A;功率(Pd):136.4W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):8.7mΩ@10V,41A; | | | 获取价格 |
| NJVMJD31CT4G | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):100V;集电极电流(Ic):3A;功率(Pd):15W;集电极截止电流(Icbo):-;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):1.2V@3A,375mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):10@3A,4V;特征频率(fT):3MHz;工作温度:-65℃~+150℃@(Tj); | | | 获取价格 |
| MJD31CG | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):100V;集电极电流(Ic):3A;功率(Pd):15W;集电极截止电流(Icbo):-;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):1.2V@3A,375mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):10@3A,4V;特征频率(fT):3MHz;工作温度:-65℃~+150℃@(Tj); | | | 获取价格 |
| MJD45H11G | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):80V;集电极电流(Ic):8A;功率(Pd):1.75W;集电极截止电流(Icbo):-;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):1V@8A,400mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):40@4A,1V;特征频率(fT):90MHz;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | | | 获取价格 |
| MJD3055T4G | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):60V;集电极电流(Ic):10A;功率(Pd):1.75W;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):20@4A,4V; | | | 获取价格 |
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