| MMSZ5235B | Rubycon Corporation | 二极管配置:独立式;稳压值(标称值):6.8V;稳压值(范围):6.46V~7.14V;精度:-;功率:350mW; | | | 获取价格 |
| MMSZ4679 | Rubycon Corporation | 二极管配置:独立式;稳压值(标称值):2V;稳压值(范围):1.9V~2.1V;精度:-;功率:350mW;反向电流(Ir):5uA@1V;阻抗(Zzt):-; | | | 获取价格 |
| BZT52C39 | Rubycon Corporation | 二极管配置:独立式;稳压值(标称值):39V;稳压值(范围):37V~41V;精度:-;功率:350mW; | | | 获取价格 |
| MMSZ5239B | Rubycon Corporation | 二极管配置:独立式;稳压值(标称值):9.1V;稳压值(范围):8.65V~9.56V;精度:-;功率:350mW;反向电流(Ir):3uA@7V;阻抗(Zzt):10Ω; | | | 获取价格 |
| BAT43W | Rubycon Corporation | 直流反向耐压(Vr):30V;平均整流电流(Io):200mA;正向压降(Vf):450mV@15mA; | | | 获取价格 |
| SD103CW 环保 | Rubycon Corporation | 直流反向耐压(Vr):20V;平均整流电流(Io):350mA;正向压降(Vf):600mV@200mA; | | | 获取价格 |
| SD101AW 环保 | Rubycon Corporation | 直流反向耐压(Vr):60V;平均整流电流(Io):15mA;正向压降(Vf):1V@15mA; | | | 获取价格 |
| B5819W-G | Rubycon Corporation | 丝印：SL | | | 获取价格 |
| BAS16GWX | Rubycon Corporation | 二极管配置:独立式;功率:357mW;直流反向耐压(Vr):100V;平均整流电流(Io):215mA;正向压降(Vf):1.25V@150mA;反向恢复时间(trr):4ns; | | | 获取价格 |
| BCX55-16 | Rubycon Corporation | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):60V;集电极电流(Ic):1A;功率(Pd):500mW;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):500mV@500mA,50mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@150mA,2V;特征频率(fT):130MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | | | 获取价格 |
| BCX55-10 | Rubycon Corporation | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):60V;集电极电流(Ic):1A;功率(Pd):500mW;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):500mV@500mA,50mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):63@150mA,2V;特征频率(fT):130MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | | | 获取价格 |
| KTA1666 | Rubycon Corporation | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):50V;集电极电流(Ic):2A;功率(Pd):500mW;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):500mV@1A,50mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):120@500mA,2V;特征频率(fT):120MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | | | 获取价格 |
| BCX56 | Rubycon Corporation | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):80V;集电极电流(Ic):1A;功率(Pd):500mW;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):63@150mA,2V; | | | 获取价格 |
| KTA1663 | Rubycon Corporation | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):30V;集电极电流(Ic):1.5A;功率(Pd):500mW;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):2V@1.5A,30mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):160@500mA,2V;特征频率(fT):120MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | | | 获取价格 |
| BC869-16 | Rubycon Corporation | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):20V;集电极电流(Ic):1A;功率(Pd):500mW;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):500mV@1A,1A;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@500mA,1V;特征频率(fT):40MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | | | 获取价格 |
| 2SD2153 | Rubycon Corporation | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):25V;集电极电流(Ic):2A;功率(Pd):500mW;集电极截止电流(Icbo):500nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):500mV@1A,20mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):820@500mA,6V;特征频率(fT):110MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | | | 获取价格 |
| 2SB1440 | Rubycon Corporation | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):50V;集电极电流(Ic):2A;功率(Pd):500mW;集电极截止电流(Icbo):1uA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):300mV@1A,50mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):120@200mA,2V;特征频率(fT):80MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | | | 获取价格 |
| DTC143EE | Rubycon Corporation | 晶体管类型:1个NPN-预偏置;功率(Pd):150mW;集电极电流(Ic):-;集射极击穿电压(Vceo):-;集电极截止电流(Icbo):-;集射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):-;最小输入电压(VI(on)@Ic/Io,Vce/Vo):3V@20mA,0.3V;最大输入电压(VI(off)@Ic/Io,Vce/Vcc):500mV@100uA,5V;输出电压(VO(on)@Io/Ii):300mV@10mA,0.5mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):20@10mA,5V;输入电阻 | | | 获取价格 |
| CJ78L18 | Rubycon Corporation | 输出类型:固定;输出极性:正;最大输入电压:35V;输出电压:18V;输出电流:100mA; | | | 获取价格 |
| 25YXJ100MFFC5X11 | Rubycon Corporation | 直插铝电解电容 插件,D5xL11mm 100µF ±20% 25V 5000Hrs@105℃ | | | 获取价格 |
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