| BZT52-C13J | Rubycon Corporation | 稳压值(标称值):13.25V;精度:-;功率:350mW; | | | 获取价格 |
| BZB84-C22,215 | Rubycon Corporation | 二极管配置:1对共阳极;稳压值(标称值):22V;精度:±5%;功率:300mW; | | | 获取价格 |
| BZB84-B16VL | Rubycon Corporation | 二极管配置:1对共阳极;稳压值(标称值):16V;精度:±2%;功率:300mW; | | | 获取价格 |
| BZB784-C6V2,115 | Rubycon Corporation | 稳压值(标称值):6.2V;精度:±5%;功率:180mW;反向电流(Ir):3uA@4V; | | | 获取价格 |
| BZA420A,165 | Rubycon Corporation | -65℃~+150℃@(Tj) 28V 19.6W 48pF@1MHz 20V SOT-457 ESD Protection Devices ROHS | | | 获取价格 |
| BUK9Y27-40B,115 | Rubycon Corporation | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):40V;连续漏极电流(Id):34A;功率(Pd):59.4W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):24mΩ@15A,10V; | | | 获取价格 |
| BUK7Y2R0-40HX | Rubycon Corporation | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):40V;连续漏极电流(Id):120A;功率(Pd):217W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):1.53mΩ@10V,25A;阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@1mA;栅极电荷(Qg@Vgs):52.6nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):3.633nF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):188pF@25V;工作温度:-55℃~+175℃@(Tj); | | | 获取价格 |
| BUK6D120-60PX | Rubycon Corporation | 类型:-;漏源电压(Vdss):-;连续漏极电流(Id):-;功率(Pd):-;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):-;阈值电压(Vgs(th)@Id):-;栅极电荷(Qg@Vgs):-;输入电容(Ciss@Vds):-;反向传输电容(Crss@Vds):-; | | | 获取价格 |
| BUK663R5-30C,118 | Rubycon Corporation | 类型:-;漏源电压(Vdss):-;连续漏极电流(Id):-;功率(Pd):-;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):-;阈值电压(Vgs(th)@Id):-;栅极电荷(Qg@Vgs):-;输入电容(Ciss@Vds):-;反向传输电容(Crss@Vds):-; | | | 获取价格 |
| BUK663R2-40C,118 | Rubycon Corporation | 类型:-;漏源电压(Vdss):-;连续漏极电流(Id):-;功率(Pd):-;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):-;阈值电压(Vgs(th)@Id):-;栅极电荷(Qg@Vgs):-;输入电容(Ciss@Vds):-;反向传输电容(Crss@Vds):-; | | | 获取价格 |
| BSH114,215 | Rubycon Corporation | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):100V;连续漏极电流(Id):850mA;功率(Pd):830mW;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):400mΩ@10V,500mA; | | | 获取价格 |
| BC817-40W,135 | Rubycon Corporation | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):45V;集电极电流(Ic):500mA;功率(Pd):200mW;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):250@100mA,1V; | | | 获取价格 |
| BC807K-25VL | Rubycon Corporation | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):45V;集电极电流(Ic):500mA;功率(Pd):350mW;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):160@100mA,1V; | | | 获取价格 |
| BC807-25W,135 | Rubycon Corporation | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):45V;集电极电流(Ic):500mA;功率(Pd):200mW;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):700mV@500mA,50mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):160@100mA,1V;特征频率(fT):80MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | | | 获取价格 |
| BC69-16PASX | Rubycon Corporation | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):20V;集电极电流(Ic):2A;功率(Pd):420mW;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):600mV@2A,200mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@500mA,1V;特征频率(fT):140MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | | | 获取价格 |
| BC52PASX | Rubycon Corporation | 晶体管类型:-;集射极击穿电压(Vceo):-;集电极电流(Ic):-;功率(Pd):-;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):63@150mA,2V; | | | 获取价格 |
| BC51-10PA,115 | Rubycon Corporation | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):45V;集电极电流(Ic):1A;功率(Pd):420mW;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):500mV@500mA,50mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):63@150mA,2V;特征频率(fT):145MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | | | 获取价格 |
| BAV23QAZ | Rubycon Corporation | 二极管配置:1对共阴极;功率:350mW;直流反向耐压(Vr):250V;平均整流电流(Io):230mA;正向压降(Vf):1.25V@200mA;反向电流(Ir):100nA@200V;反向恢复时间(trr):50ns;工作温度:+150℃@(Tj); | | | 获取价格 |
| BAS321Z | Rubycon Corporation | | | | 获取价格 |
| 74VHCT14BQ,115 | Rubycon Corporation | | | | 获取价格 |
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