| 1SV279,H3F | TOSHIBA CORPORATION | PB-F ESC VARICAP DIODE (HF), IR= | | | 获取价格 |
| TK155A65Z,S4X | TOSHIBA CORPORATION | MOSFET N-CH 650V 18A TO220SIS | | | 获取价格 |
| TK11A65W,S5X(M | TOSHIBA CORPORATION | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):650V;连续漏极电流(Id):11.1A;功率(Pd):35W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):390mΩ@10V,5.5A;阈值电压(Vgs(th)@Id):3.5V@450uA; | | | 获取价格 |
| RN1117MFV,L3F | TOSHIBA CORPORATION | 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置) NPN - 预偏压 50 V 100 mA 250 MHz 150 mW 表面贴装型 VESM | | | 获取价格 |
| RN1114MFV,L3F | TOSHIBA CORPORATION | 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置) NPN - 预偏压 50 V 100 mA 250 MHz 150 mW 表面贴装型 VESM | | | 获取价格 |
| RN2130MFV,L3F | TOSHIBA CORPORATION | TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM | | | 获取价格 |
| RN2107MFV,L3F(CT | TOSHIBA CORPORATION | TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM | | | 获取价格 |
| RN2101MFV,L3F(CT | TOSHIBA CORPORATION | 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置) PNP - 预偏压 50 V 100 mA 250 MHz 150 mW 表面贴装型 VESM | | | 获取价格 |
| RN2106MFV,L3F(CT | TOSHIBA CORPORATION | 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置) PNP - 预偏压 50 V 100 mA 250 MHz 150 mW 表面贴装型 VESM | | | 获取价格 |
| RN2101MFV,L3XHF(CT | TOSHIBA CORPORATION | 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置) PNP - 预偏压 50 V 100 mA 250 MHz 150 mW 表面贴装型 VESM | | | 获取价格 |
| RN1103MFV,L3XHF(CT | TOSHIBA CORPORATION | 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置) NPN - 预偏压 50 V 100 mA 150 mW 表面贴装型 VESM | | | 获取价格 |
| TLP525G(F | TOSHIBA CORPORATION | 可控硅类型:双向可控硅;正向电压:1.15V;正向电流:50mA;断态峰值电压(Vdrm):400V;静态dv/dt:500V/us;输出电流(It(rms)):100mA; | | | 获取价格 |
| TMPM366FYXBG | TOSHIBA CORPORATION | ARM® Cortex®-M3 TX03 微控制器 IC 32 位单核 48MHz 256KB（256K x 8） 闪存 109-TFBGA（9x9） | | | 获取价格 |
| TLP781F(GR-TP7,F) | TOSHIBA CORPORATION | PHOTOCOUPLER | | | 获取价格 |
| TLP781(D4GRH-TP6,F | TOSHIBA CORPORATION | PHOTOCOUPLER | | | 获取价格 |
| TLP781F(D4GB-TP7,F | TOSHIBA CORPORATION | PHOTOCOUPLER | | | 获取价格 |
| TLP781F(D4-FUNGB,F | TOSHIBA CORPORATION | PHOTOCOUPLER | | | 获取价格 |
| TLP781(D4-GRH,F) | TOSHIBA CORPORATION | PHOTOCOUPLER | | | 获取价格 |
| TLP781(D4GRL-TP6,F | TOSHIBA CORPORATION | PHOTOCOUPLER | | | 获取价格 |
| TLP781F(YH-TP7,F) | TOSHIBA CORPORATION | PHOTOCOUPLER | | | 获取价格 |
