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型号厂商描述数据手册替代料参考价格
TLPN137(FTOSHIBA CORPORATION通道数:1;隔离电压:5kV;输入类型:DC;共模瞬变抗扰度CMTI:10kV/us;传播延迟tpLH/tpHL:75ns,75ns;电源电压:4.5V~5.5V;工作温度:-40℃~+85℃;获取价格
1SV314(TPL3,F)TOSHIBA CORPORATION可变电抗器 单路 10 V 表面贴装型 ESC获取价格
TCS40DPR,LF(TTOSHIBA CORPORATIONMagnetic Sensor, 0.0044T, Sot-23F-3 Rohs Compliant: Yes获取价格
1SS187(LF,T)TOSHIBA CORPORATION二极管配置:独立式;功率:150mW;直流反向耐压(Vr):80V;平均整流电流(Io):100mA;正向压降(Vf):920mV@100mA;反向电流(Ir):500nA@80V;反向恢复时间(trr):1.6ns;工作温度:+125℃@(Tj);获取价格
TK560A65Y,S4XTOSHIBA CORPORATION通孔 N 通道 650 V 7A(Tc) 30W TO-220SIS获取价格
TK8R2E06PL,S1XTOSHIBA CORPORATIONPB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-获取价格
TK155E65Z,S1XTOSHIBA CORPORATION通孔 N 通道 650 V 18A(Ta) 150W(Tc) TO-220获取价格
TK190E65Z,S1XTOSHIBA CORPORATION通孔 N 通道 650 V 15A(Ta) 130W(Tc) TO-220获取价格
TTD1409B,S4XTOSHIBA CORPORATION晶体管 - 双极 (BJT) - 单 NPN - 达林顿 400 V 6 A 2 W 通孔 TO-220SIS获取价格
RN1116MFV,L3FTOSHIBA CORPORATION晶体管 - 双极 (BJT) - 单,预偏置) NPN - 预偏压 50 V 100 mA 250 MHz 150 mW 表面贴装型 VESM获取价格
2SC6026MFV-Y,L3FTOSHIBA CORPORATIONNPN TRANSISTOR VCEO50V IC0.15A H获取价格
RN2119MFV,L3FTOSHIBA CORPORATION晶体管 - 双极 (BJT) - 单,预偏置) PNP - 预偏压 50 V 100 mA 150 mW 表面贴装型 VESM获取价格
RN1106MFV,L3F(CTTOSHIBA CORPORATION晶体管 - 双极 (BJT) - 单,预偏置) NPN - 预偏压 50 V 100 mA 150 mW 表面贴装型 VESM获取价格
RN2106MFV,L3XHF(CTTOSHIBA CORPORATION晶体管 - 双极 (BJT) - 单,预偏置) PNP - 预偏压 50 V 100 mA 250 MHz 150 mW 表面贴装型 VESM获取价格
RN2107MFV,L3XHF(CTTOSHIBA CORPORATION晶体管 - 双极 (BJT) - 单,预偏置) PNP - 预偏压 50 V 100 mA 150 mW 表面贴装型 VESM获取价格
RN1107MFV,L3XHF(CTTOSHIBA CORPORATION晶体管 - 双极 (BJT) - 单,预偏置) NPN - 预偏压 50 V 100 mA 150 mW 表面贴装型 VESM获取价格
RN1105MFV,L3XHF(CTTOSHIBA CORPORATION晶体管 - 双极 (BJT) - 单,预偏置) NPN - 预偏压 50 V 100 mA 150 mW 表面贴装型 VESM获取价格
TLP781F(D4-Y-FD,F)TOSHIBA CORPORATIONPHOTOCOUPLER获取价格
TLP781(D4-TP6,F)TOSHIBA CORPORATIONPHOTOCOUPLER获取价格
TLP781(D4GRT6-SD,FTOSHIBA CORPORATIONPHOTOCOUPLER获取价格