| BC846B(1B) | ST(先科) | 晶体管类型：NPN 集射极击穿电压(Vceo)：65V 集电极电流(Ic)：100mA 功率(Pd)：300mW 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)：600mV@100mA,5mA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：200@2mA,5V 特征频率(fT)：300MHz 工作温度：+150℃@(Tj) NPN,Vceo=-65V,Ic=-100mA,hfe=200~450 | | | 获取价格 |
| MPSA44 | ST(先科) | 通用三极管 NPN 400V 300mA hFE=50~200 TO92 | | | 获取价格 |
| MM3Z43 | ST(先科) | 稳压二极管 Vz=43V P=300mW SC76 | | | 获取价格 |
| ZMM5249B | ST(先科) | 硅平面齐纳二极管LL34 Vz=19V Pd=500mW VF=1.1V IF=200mA | | | 获取价格 |
| BZX55C24 | ST(先科) | Vz=24V 22.8V~25.6V Izt=5mA P=500mW | | | 获取价格 |
| BZX55C5V6 | ST(先科) | Vz=5.6V 5.2V~6V Izt=5mA P=500mW | | | 获取价格 |
| 2N4401 | ST(先科) | 通用三极管 TO92 NPN Ic=600mA | | | 获取价格 |
| MMBT2222A | ST(先科) | 晶体管类型：NPN 集射极击穿电压(Vceo)：40V 集电极电流(Ic)：600mA 功率(Pd)：350mW 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)：1V@500mA,50mA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：40@500mA,10V 特征频率(fT)：300MHz 工作温度：+150℃@(Tj) NPN | | | 获取价格 |
| MMBTSC945P(CR) | ST(先科) | 晶体管类型：NPN 集射极击穿电压(Vceo)：50V 集电极电流(Ic)：150mA 功率(Pd)：200mW 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)：300mV@100mA,10mA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：200@1mA,6V 特征频率(fT)：300MHz 工作温度：+150℃@(Tj) NPN,Vceo=50V,Ic=150mA,hfe=200~400 | | | 获取价格 |
| 1SS355 | ST(先科) | 开关二极管（小信号） 80V 100mA 1.2V@100mA 4ns | | | 获取价格 |
| ZMM5230B | ST(先科) | 硅平面齐纳二极管LL34 Vz=4.7V Pd=500mW VF=1.1V IF=200mA | | | 获取价格 |
| 1N5245B | ST(先科) | 二极管配置：独立式 稳压值(标称值)：15V 稳压值(范围)：14.25V~15.75V 精度：±5% 功率：500mW 反向电流(Ir)：100nA@11V 阻抗(Zzt)：16Ω 15V 0.5W | | | 获取价格 |
| BZX84C6V8 | ST(先科) | 齐纳/稳压二极管 Vz=6.8V Izt=5mA SOT23-3 | | | 获取价格 |
| ZMM5253B | ST(先科) | 硅平面齐纳二极管LL34 Vz=25V Pd=500mW VF=1.1V IF=200mA | | | 获取价格 |
| ZM4738A | ST(先科) | 硅平面功率齐纳二极管VF=1.2V ±5% IF=200mA Pd=1W | | | 获取价格 |
| ZM4729A | ST(先科) | 硅平面功率齐纳二极管VF=1.2V ±5% IF=200mA Pd=1W | | | 获取价格 |
| CS1C220M-CRC54 | ST(先科) | 贴片铝电解电容 SMD,D4xL5.4mm 22µF ±20% 16V 1000Hrs@105℃ | | | 获取价格 |
| KL1E331M-CRG10 | ST(先科) | 贴片铝电解电容 SMD,D10xL10.5mm 330µF ±20% 25V 5000Hrs@105℃ | | | 获取价格 |
| CS1HR33M-CRC54 | ST(先科) | 贴片铝电解电容 SMD,D4xL5.4mm 330nF ±20% 50V 1000Hrs@105℃ | | | 获取价格 |
| BZX55C2V7 | ST(先科) | Vz=2.7V 2.5V~2.9V Izt=5mA P=500mW | | | 获取价格 |
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