型号厂商描述数据手册替代料参考价格
2N7002DW-7-F-VBVBsemi Electronics Co. Ltd20Vgs(±V);0.6~2Vth(V)获取价格
BSV236SP-VBVBsemi Electronics Co. Ltd20Vgs(±V);1~3Vth(V)获取价格
SI1553DL-T1-GE3-VBVBsemi Electronics Co. Ltd20Vgs(±V);±0.6~2Vth(V)获取价格
SI1424EDH-T1-GE3-VBVBsemi Electronics Co. Ltd20Vgs(±V);1.2Vth(V)获取价格
FDG6335N-VBVBsemi Electronics Co. Ltd8Vgs(±V);0.8Vth(V)获取价格
XP161A1355PR-VBVBsemi Electronics Co. LtdMOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=6.8A RDS(ON)=22mΩ@4.5V SOT89-3获取价格
STN3NF06L-VBVBsemi Electronics Co. LtdMOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=6A RDS(ON)=33mΩ@4.5V SOT223获取价格
SI4435DY-T1-E3-VBVBsemi Electronics Co. LtdMOS管 P-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=7A RDS(ON)=24mΩ@4.5V SOP-8获取价格
Si2338DS-T1-GE3-VBVBsemi Electronics Co. LtdMOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=5.3A RDS(ON)=33mΩ@4.5V SOT23获取价格
SI2305ADS-T1-GE3-VBVBsemi Electronics Co. LtdMOS管 P-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=4.5A RDS(ON)=43mΩ@4.5V SOT23获取价格
SI2301DS-T1-GE3-VBVBsemi Electronics Co. LtdMOS管 P-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=4.5A RDS(ON)=43mΩ@4.5V SOT23获取价格
NTD25P03LG-VBVBsemi Electronics Co. LtdMOS管 P-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=12.9A RDS(ON)=46mΩ@4.5V TO252获取价格
IRF7341TRPBF-VBVBsemi Electronics Co. LtdMOS管 Dual N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=7A RDS(ON)=30mΩ@4.5V SOP-8获取价格
FDN337N-NL-VBVBsemi Electronics Co. LtdMOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=5.3A RDS(ON)=43mΩ@4.5V SOT23获取价格
BS170FTA-VBVBsemi Electronics Co. LtdMOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=250mA RDS(ON)=3.1Ω@4.5V SOT23获取价格
AP2306N-VBVBsemi Electronics Co. LtdMOS管 N-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=5A RDS(ON)=28mΩ@4.5V SOT23获取价格
AO4606-VBVBsemi Electronics Co. LtdMOS管 N-Channel, P-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=6.8A,6.6A SOIC8_150MIL获取价格
AO3422-VBVBsemi Electronics Co. LtdMOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=3.1A RDS(ON)=86mΩ@4.5V SOT23获取价格
IRLML0060TRPBF-VBVBsemi Electronics Co. LtdMOSFETs 1个N沟道 耐压:60V 电流:4A SOT-23获取价格
HM4410-VBVBsemi Electronics Co. Ltd类型:N沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):13A;功率(Pd):-;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):8mΩ@10V,13A;阈值电压(Vgs(th)@Id):-;栅极电荷(Qg@Vgs):-;输入电容(Ciss@Vds):-;反向传输电容(Crss@Vds):-;获取价格