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型号厂商描述数据手册替代料参考价格
VBL1101MVBsemi Electronics Co. Ltd类型:-;漏源电压(Vdss):-;连续漏极电流(Id):-;功率(Pd):-;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):-;阈值电压(Vgs(th)@Id):-;栅极电荷(Qg@Vgs):-;输入电容(Ciss@Vds):-;反向传输电容(Crss@Vds):-;获取价格
VBL1203MVBsemi Electronics Co. Ltd类型:-;漏源电压(Vdss):200V;连续漏极电流(Id):10A;功率(Pd):74W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):300mΩ@10V,5.4A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA;获取价格
VBL1310VBsemi Electronics Co. Ltd类型:N沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):50A;功率(Pd):120W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):12mΩ@10V,50A;阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250uA;获取价格
NTB25P06T4G-VBVBsemi Electronics Co. Ltd类型:P沟道;漏源电压(Vdss):60V;连续漏极电流(Id):35A;功率(Pd):-;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):48mΩ@10V,35A;阈值电压(Vgs(th)@Id):-;栅极电荷(Qg@Vgs):-;输入电容(Ciss@Vds):-;反向传输电容(Crss@Vds):-;获取价格
RU20P4C-VBVBsemi Electronics Co. Ltd类型:P沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):5.6A;功率(Pd):2.5W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):46mΩ@10V,4.4A;阈值电压(Vgs(th)@Id):2V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):11.4nC@4.5V;输入电容(Ciss@Vds):1.295nF@15V;反向传输电容(Crss@Vds):130pF@15V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj);获取价格
AO3402-VBVBsemi Electronics Co. Ltd类型:N沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):6.5A;功率(Pd):-;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):30mΩ@10V,6.5A;获取价格
AP2310GN-VBVBsemi Electronics Co. Ltd类型:N沟道;漏源电压(Vdss):60V;连续漏极电流(Id):4A;功率(Pd):-;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):85mΩ@10V,4A;阈值电压(Vgs(th)@Id):-;栅极电荷(Qg@Vgs):-;输入电容(Ciss@Vds):-;反向传输电容(Crss@Vds):-;获取价格
BSN20-VBVBsemi Electronics Co. Ltd类型:N沟道;漏源电压(Vdss):60V;连续漏极电流(Id):250mA;功率(Pd):-;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):2.8Ω@10V,0.25A;阈值电压(Vgs(th)@Id):-;栅极电荷(Qg@Vgs):-;输入电容(Ciss@Vds):-;反向传输电容(Crss@Vds):-;获取价格
AO3419-VBVBsemi Electronics Co. Ltd类型:P沟道;漏源电压(Vdss):-20V;连续漏极电流(Id):-5A;功率(Pd):-;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):43mΩ@-4.5V,-5A;阈值电压(Vgs(th)@Id):-;栅极电荷(Qg@Vgs):-;输入电容(Ciss@Vds):-;反向传输电容(Crss@Vds):-;获取价格
SI2302DS-T1-GE3-VBVBsemi Electronics Co. Ltd类型:N沟道;漏源电压(Vdss):20V;连续漏极电流(Id):6A;功率(Pd):2.1W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):28mΩ@4.5V,5A;阈值电压(Vgs(th)@Id):1V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):8.8nC@4.5V;输入电容(Ciss@Vds):865pF@10V;反向传输电容(Crss@Vds):55pF@10V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj);获取价格
VB1240BVBsemi Electronics Co. Ltd类型:N沟道;漏源电压(Vdss):20V;连续漏极电流(Id):7A;功率(Pd):-;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):20mΩ@4.5V,7A;阈值电压(Vgs(th)@Id):-;栅极电荷(Qg@Vgs):-;输入电容(Ciss@Vds):-;反向传输电容(Crss@Vds):-;获取价格
IM2132-VBVBsemi Electronics Co. Ltd类型:P沟道;漏源电压(Vdss):20V;连续漏极电流(Id):5A;功率(Pd):-;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):43mΩ@4.5V,5A;阈值电压(Vgs(th)@Id):-;栅极电荷(Qg@Vgs):-;输入电容(Ciss@Vds):-;反向传输电容(Crss@Vds):-;获取价格
APM2701ACC-TRG-VBVBsemi Electronics Co. Ltd类型:N+P沟道;漏源电压(Vdss):20V;连续漏极电流(Id):4.2A;功率(Pd):-;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):36mΩ@4.5V,4.2A;阈值电压(Vgs(th)@Id):-;栅极电荷(Qg@Vgs):-;输入电容(Ciss@Vds):-;反向传输电容(Crss@Vds):-;获取价格
IRF5805TRPBF-VBVBsemi Electronics Co. Ltd类型:P沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):4.8A;功率(Pd):-;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):49mΩ@10V,4.8A;阈值电压(Vgs(th)@Id):-;栅极电荷(Qg@Vgs):-;输入电容(Ciss@Vds):-;反向传输电容(Crss@Vds):-;获取价格
NTGD3148NT1G-VBVBsemi Electronics Co. Ltd类型:2个N沟道;漏源电压(Vdss):20V;连续漏极电流(Id):6A;功率(Pd):-;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):22mΩ@4.5V,6A;阈值电压(Vgs(th)@Id):-;栅极电荷(Qg@Vgs):-;输入电容(Ciss@Vds):-;反向传输电容(Crss@Vds):-;获取价格
AP2625GY-VBVBsemi Electronics Co. Ltd类型:2个P沟道;漏源电压(Vdss):20V;连续漏极电流(Id):4A;功率(Pd):-;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):75mΩ@4.5V,4A;阈值电压(Vgs(th)@Id):-;栅极电荷(Qg@Vgs):-;输入电容(Ciss@Vds):-;反向传输电容(Crss@Vds):-;获取价格
FDC6306P-VBVBsemi Electronics Co. Ltd类型:2个P沟道;漏源电压(Vdss):20V;连续漏极电流(Id):4A;功率(Pd):-;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):75mΩ@4.5V,4A;阈值电压(Vgs(th)@Id):-;栅极电荷(Qg@Vgs):-;输入电容(Ciss@Vds):-;反向传输电容(Crss@Vds):-;获取价格
VBFB165R04VBsemi Electronics Co. Ltd类型:N沟道;漏源电压(Vdss):650V;连续漏极电流(Id):4.5A;功率(Pd):-;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):2Ω@10V,4.5A;阈值电压(Vgs(th)@Id):-;栅极电荷(Qg@Vgs):-;输入电容(Ciss@Vds):-;反向传输电容(Crss@Vds):-;获取价格
AOD484-VBVBsemi Electronics Co. Ltd类型:N沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):50A;功率(Pd):-;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):7mΩ@10V,50A;阈值电压(Vgs(th)@Id):-;栅极电荷(Qg@Vgs):-;输入电容(Ciss@Vds):-;反向传输电容(Crss@Vds):-;获取价格
NTD24N06LT4G-VBVBsemi Electronics Co. Ltd类型:N沟道;漏源电压(Vdss):60V;连续漏极电流(Id):35A;功率(Pd):-;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):25mΩ@10V,35A;阈值电压(Vgs(th)@Id):-;栅极电荷(Qg@Vgs):-;输入电容(Ciss@Vds):-;反向传输电容(Crss@Vds):-;获取价格