DDB6U134N16RRB11BPSA2

TechnischeInformation/TechnicalInformation IGBT-Modul IGBT-Module DDB6U134N16RR_B11 EconoPACK™2ModulmitLowLossIGBT2undEmitterControlledDiodeundPressFIT/NTC EconoPACK™2modulewithLowLossIGBT2andEmitterControlleddiodeandPressFIT/NTC VCES = 1600V IC nom = 134A / ICRM = 268A TypischeAnwendungen • Hilfsumrichter • Klimaanlagen • Motorantriebe • Servoumrichter TypicalApplications • AuxiliaryInverters • AirConditioning • MotorDrives • ServoDrives MechanischeEigenschaften • Al2O3 Substrat mit kleinem thermischen Widerstand • HoheLeistungsdichte • IsolierteBodenplatte • KompaktesDesign • PressFITVerbindungstechnik • RoHSkonform • Standardgehäuse MechanicalFeatures • Al2O3SubstratewithLowThermalResistance • • • • • • HighPowerDensity IsolatedBasePlate Compactdesign PressFITContactTechnology RoHScompliant StandardHousing ModuleLabelCode BarcodeCode128 DMX-Code preparedby:CM dateofpublication:2014-08-29 approvedby:RS revision:3.0 ContentoftheCode Digit ModuleSerialNumber ModuleMaterialNumber ProductionOrderNumber Datecode(ProductionYear) Datecode(ProductionWeek) 1-5 6-11 12-19 20-21 22-23 ULapproved(E83335) 1 TechnischeInformation/TechnicalInformation IGBT-Modul IGBT-Module DDB6U134N16RR_B11 Diode,Gleichrichter/Diode,Rectifier HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues PeriodischeSpitzensperrspannung Repetitivepeakreversevoltage VRRM  1600  V DurchlassstromGrenzeffektivwertproChip TC = 100°C MaximumRMSforwardcurrentperchip IFRMSM  80  A GleichrichterAusgangGrenzeffektivstrom MaximumRMScurrentatrectifieroutput TC = 100°C IRMSM  134  A StoßstromGrenzwert Surgeforwardcurrent tp = 10 ms, Tvj = 25°C tp = 10 ms, Tvj = 150°C IFSM  650 550  A A Grenzlastintegral I²t-value tp = 10 ms, Tvj = 25°C tp = 10 ms, Tvj = 150°C I²t  2100 1500  A²s A²s Tvj = 25°C CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. max. Durchlassspannung Forwardvoltage Tvj = 150°C, IF = 150 A VF 1,20 V Schleusenspannung Thresholdvoltage Tvj = 150°C VTO 0,75 V Ersatzwiderstand Sloperesistance Tvj = 150°C rT 5,50 mΩ Sperrstrom Reversecurrent Tvj = 150°C, VR = 1600 V IR 1,00 mA Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse Thermalresistance,junctiontocase proDiode/perdiode RthJC Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proDiode/perdiode Thermalresistance,casetoheatsink λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K) RthCH TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions Tvj op preparedby:CM dateofpublication:2014-08-29 approvedby:RS revision:3.0 2 0,65 K/W 0,155 -40 K/W 150 °C TechnischeInformation/TechnicalInformation IGBT-Modul IGBT-Module DDB6U134N16RR_B11 IGBT,Brems-Chopper/IGBT,Brake-Chopper HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues Kollektor-Emitter-Sperrspannung Collector-emittervoltage Tvj = 25°C VCES  1200  V Kollektor-Dauergleichstrom ContinuousDCcollectorcurrent TC = 80°C, Tvj max = 125°C TC = 25°C, Tvj max = 125°C IC nom  IC 75 125  PeriodischerKollektor-Spitzenstrom Repetitivepeakcollectorcurrent tP = 1 ms ICRM  150  A Gesamt-Verlustleistung Totalpowerdissipation TC = 25°C, Tvj max = 125°C Ptot  400  W VGES  +/-20  V Gate-Emitter-Spitzenspannung Gate-emitterpeakvoltage CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. A A typ. max. 2,10 2,40 2,60 V V 5,5 6,5 V Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Collector-emittersaturationvoltage IC = 75 A, VGE = 15 V IC = 75 A, VGE = 15 V Gate-Schwellenspannung Gatethresholdvoltage IC = 3,00 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C Gateladung Gatecharge VGE = -15 V ... +15 V QG 0,80 µC InternerGatewiderstand Internalgateresistor Tvj = 25°C RGint 5,0 Ω Eingangskapazität Inputcapacitance f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 5,10 nF Rückwirkungskapazität Reversetransfercapacitance f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres 0,33 nF Kollektor-Emitter-Reststrom Collector-emittercut-offcurrent VCE = 1200 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C ICES 1,0 mA Gate-Emitter-Reststrom Gate-emitterleakagecurrent VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C IGES 100 nA Tvj = 25°C Tvj = 125°C VCE sat VGEth 4,5 Einschaltverzögerungszeit,induktiveLast Turn-ondelaytime,inductiveload IC = 75 A, VCE = 600 V VGE = ±15 V RGon = 10 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C td on 0,09 0,10 µs µs Anstiegszeit,induktiveLast Risetime,inductiveload IC = 75 A, VCE = 600 V VGE = ±15 V RGon = 10 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C tr 0,05 0,05 µs µs Abschaltverzögerungszeit,induktiveLast Turn-offdelaytime,inductiveload IC = 75 A, VCE = 600 V VGE = ±15 V RGoff = 10 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C td off 0,40 0,45 µs µs Fallzeit,induktiveLast Falltime,inductiveload IC = 75 A, VCE = 600 V VGE = ±15 V RGoff = 10 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C tf 0,03 0,06 µs µs EinschaltverlustenergieproPuls Turn-onenergylossperpulse IC = 75 A, VCE = 600 V, LS = 30 nH VGE = ±15 V, di/dt = 1700 A/µs RGon = 10 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Eon 7,00 8,80 mJ mJ AbschaltverlustenergieproPuls Turn-offenergylossperpulse IC = 75 A, VCE = 600 V, LS = 30 nH VGE = ±15 V, du/dt = 4600 V/µs RGoff = 10 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Eoff 5,50 8,60 mJ mJ Kurzschlußverhalten SCdata VGE ≤ 15 V, VCC = 900 V VCEmax = VCES -LsCE ·di/dt 540 A Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse Thermalresistance,junctiontocase proIGBT/perIGBT tP ≤ 10 µs, Tvj = 125°C ISC RthJC Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proIGBT/perIGBT Thermalresistance,casetoheatsink λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K) RthCH TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions Tvj op preparedby:CM dateofpublication:2014-08-29 approvedby:RS revision:3.0 3 0,25 K/W 0,16 -40 K/W 125 °C TechnischeInformation/TechnicalInformation IGBT-Modul IGBT-Module DDB6U134N16RR_B11 Diode,Brems-Chopper/Diode,Brake-Chopper HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues PeriodischeSpitzensperrspannung Repetitivepeakreversevoltage VRRM  Tvj = 25°C Dauergleichstrom ContinuousDCforwardcurrent PeriodischerSpitzenstrom Repetitivepeakforwardcurrent tP = 1 ms Grenzlastintegral I²t-value VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C 1200  V IF  35  A IFRM  70  A I²t  310  A²s CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. max. 1,85 1,75 2,30 Durchlassspannung Forwardvoltage IF = 35 A, VGE = 0 V IF = 35 A, VGE = 0 V Tvj = 25°C Tvj = 125°C Rückstromspitze Peakreverserecoverycurrent IF = 35 A, - diF/dt = 1300 A/µs (Tvj=125°C) VR = 600 V VGE = -15 V Tvj = 25°C Tvj = 125°C IRM 60,0 65,0 A A Sperrverzögerungsladung Recoveredcharge IF = 35 A, - diF/dt = 1300 A/µs (Tvj=125°C) VR = 600 V VGE = -15 V Tvj = 25°C Tvj = 125°C Qr 3,50 7,50 µC µC AbschaltenergieproPuls Reverserecoveryenergy IF = 35 A, - diF/dt = 1300 A/µs (Tvj=125°C) VR = 600 V VGE = -15 V Tvj = 25°C Tvj = 125°C Erec 1,30 2,80 mJ mJ Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse Thermalresistance,junctiontocase proDiode/perdiode VF RthJC Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proDiode/perdiode Thermalresistance,casetoheatsink λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K) RthCH TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions Tvj op preparedby:CM dateofpublication:2014-08-29 approvedby:RS revision:3.0 4 V V 0,80 K/W 0,42 -40 K/W 125 °C TechnischeInformation/TechnicalInformation IGBT-Modul IGBT-Module DDB6U134N16RR_B11 Modul/Module Isolations-Prüfspannung Isolationtestvoltage RMS, f = 50 Hz, t = 1 min. VISOL  2,5  kV  Cu  MaterialModulgrundplatte Materialofmodulebaseplate InnereIsolation Internalisolation Basisisolierung(Schutzklasse1,EN61140) basicinsulation(class1,IEC61140)  Al2O3  Kriechstrecke Creepagedistance Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal  10,0  mm Luftstrecke Clearance Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal  7,5  mm  > 200 VergleichszahlderKriechwegbildung Comperativetrackingindex CTI min. typ.  max. Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proModul/permodule Thermalresistance,casetoheatsink λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K) RthCH 0,02 K/W Modulstreuinduktivität Strayinductancemodule LsCE 50 nH RAA'+CC' 0,80 mΩ Modulleitungswiderstand,AnschlüsseChip Moduleleadresistance,terminals-chip TC=25°C,proSchalter/perswitch Lagertemperatur Storagetemperature Anzugsdrehmomentf.Modulmontage Mountingtorqueformodulmounting SchraubeM5-Montagegem.gültigerApplikationsschrift ScrewM5-Mountingaccordingtovalidapplicationnote Gewicht Weight Tstg -40 125 °C M 3,00 6,00 Nm G 180 g NTC-Widerstand/NTC-Thermistor CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. max. Nennwiderstand Ratedresistance TC = 25°C AbweichungvonR100 DeviationofR100 TC = 100°C, R100 = 493 Ω Verlustleistung Powerdissipation TC = 25°C B-Wert B-value R2 = R25 exp [B25/50(1/T2 - 1/(298,15 K))] B25/50 3375 K B-Wert B-value R2 = R25 exp [B25/80(1/T2 - 1/(298,15 K))] B25/80 3411 K B-Wert B-value R2 = R25 exp [B25/100(1/T2 - 1/(298,15 K))] B25/100 3433 K R25 ∆R/R 5,00 -5 P25 AngabengemäßgültigerApplicationNote. Specificationaccordingtothevalidapplicationnote. preparedby:CM dateofpublication:2014-08-29 approvedby:RS revision:3.0 5 kΩ 5 % 20,0 mW TechnischeInformation/TechnicalInformation IGBT-Modul IGBT-Module DDB6U134N16RR_B11 AusgangskennlinieIGBT,Brems-Chopper(typisch) outputcharacteristicIGBT,Brake-Chopper(typical) IC=f(VCE) VGE=15V AusgangskennlinienfeldIGBT,Brems-Chopper(typisch) outputcharacteristicIGBT,Brake-Chopper(typical) IC=f(VCE) Tvj=125°C 150 150 Tvj = 25°C Tvj = 125°C 120 120 105 105 90 90 75 75 60 60 45 45 30 30 15 15 0 0,0 0,5 1,0 VGE = 17 VGE = 15 VGE = 13 VGE = 11 VGE = 9 VGE = 7 135 IC [A] IC [A] 135 1,5 2,0 VCE [V] 2,5 3,0 0 3,5 ÜbertragungscharakteristikIGBT,Brems-Chopper(typisch) transfercharacteristicIGBT,Brake-Chopper(typical) IC=f(VGE) VCE=20V 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 VCE [V] 3,5 4,0 4,5 5,0 SchaltverlusteIGBT,Brems-Chopper(typisch) switchinglossesIGBT,Brake-Chopper(typical) Eon=f(IC),Eoff=f(IC) VGE=±15V,RGon=10Ω,RGoff=10Ω,VCE=600V 150 27 Tvj = 25°C Tvj = 125°C 135 Eon, Tvj = 125°C Eoff, Tvj = 125°C 24 120 21 105 18 E [mJ] IC [A] 90 75 15 12 60 9 45 6 30 3 15 0 5 6 7 8 9 VGE [V] 10 11 0 12 preparedby:CM dateofpublication:2014-08-29 approvedby:RS revision:3.0 6 0 15 30 45 60 75 90 IC [A] 105 120 135 150 TechnischeInformation/TechnicalInformation DDB6U134N16RR_B11 IGBT-Modul IGBT-Module SchaltverlusteIGBT,Brems-Chopper(typisch) switchinglossesIGBT,Brake-Chopper(typical) Eon=f(RG),Eoff=f(RG) VGE=±15V,IC=75A,VCE=600V TransienterWärmewiderstandIGBT,Brems-Chopper transientthermalimpedanceIGBT,Brake-Chopper ZthJC=f(t) 40 1 Eon, Tvj = 125°C Eoff, Tvj = 125°C 35 ZthJC : IGBT 30 0,1 ZthJC [K/W] E [mJ] 25 20 15 0,01 10 i: 1 2 3 4 ri[K/W]: 0,015 0,0825 0,08 0,0725 τi[s]: 0,01 0,02 0,05 0,1 5 0 0 10 20 30 40 50 60 RG [Ω] 70 80 90 0,001 0,001 100 SichererRückw.-Arbeitsber.IGBT,Brems-Chopper(RBSOA) reversebiassafeoperatingareaIGBT,Brake-Chopper (RBSOA) IC=f(VCE) VGE=±15V,RGoff=10Ω,Tvj=125°C 200 IC, Modul IC, Chip 0,01 0,1 t [s] 1 10 DurchlasskennliniederDiode,Brems-Chopper(typisch) forwardcharacteristicofDiode,Brake-Chopper(typical) IF=f(VF) 70 Tvj = 25°C Tvj = 125°C 65 60 55 150 50 45 IF [A] IC [A] 40 100 35 30 25 20 50 15 10 5 0 0 200 400 600 800 VCE [V] 1000 1200 0 1400 preparedby:CM dateofpublication:2014-08-29 approvedby:RS revision:3.0 7 0,0 0,4 0,8 1,2 VF [V] 1,6 2,0 2,4 TechnischeInformation/TechnicalInformation IGBT-Modul IGBT-Module DDB6U134N16RR_B11 SchaltverlusteDiode,Brems-Chopper(typisch) switchinglossesDiode,Brake-Chopper(typical) Erec=f(IF) RGon=10Ω,VCE=600V SchaltverlusteDiode,Brems-Chopper(typisch) switchinglossesDiode,Brake-Chopper(typical) Erec=f(RG) IF=35A,VCE=600V 3,5 3,5 Erec, Tvj = 125°C Erec, Tvj = 125°C 2,5 2,5 2,0 2,0 E [mJ] 3,0 E [mJ] 3,0 1,5 1,5 1,0 1,0 0,5 0,5 0,0 0 0,0 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 60 65 70 IF [A] TransienterWärmewiderstandDiode,Brems-Chopper transientthermalimpedanceDiode,Brake-Chopper ZthJC=f(t) 0 10 20 30 40 50 60 RG [Ω] 70 80 90 100 NTC-Widerstand-Temperaturkennlinie(typisch) NTC-Thermistor-temperaturecharacteristic(typical) R=f(T) 1 100000 ZthJC : Diode Rtyp R[Ω] ZthJC [K/W] 10000 0,1 1000 i: 1 2 3 4 ri[K/W]: 0,048 0,264 0,256 0,232 τi[s]: 0,01 0,02 0,05 0,1 0,01 0,001 0,01 0,1 t [s] 1 100 10 preparedby:CM dateofpublication:2014-08-29 approvedby:RS revision:3.0 8 0 20 40 60 80 100 TC [°C] 120 140 160 TechnischeInformation/TechnicalInformation IGBT-Modul IGBT-Module DDB6U134N16RR_B11 Schaltplan/circuit_diagram_headline Gehäuseabmessungen/packageoutlines Infineon preparedby:CM dateofpublication:2014-08-29 approvedby:RS revision:3.0 9 TechnischeInformation/TechnicalInformation IGBT-Modul IGBT-Module DDB6U134N16RR_B11 Nutzungsbedingungen  DieindiesemProduktdatenblattenthaltenenDatensindausschließlichfürtechnischgeschultesFachpersonalbestimmt.DieBeurteilung derEignungdiesesProduktesfürIhreAnwendungsowiedieBeurteilungderVollständigkeitderbereitgestelltenProduktdatenfürdiese AnwendungobliegtIhnenbzw.IhrentechnischenAbteilungen. IndiesemProduktdatenblattwerdendiejenigenMerkmalebeschrieben,fürdiewireineliefervertraglicheGewährleistungübernehmen.Eine solcheGewährleistungrichtetsichausschließlichnachMaßgabederimjeweiligenLiefervertragenthaltenenBestimmungen.Garantien jeglicherArtwerdenfürdasProduktunddessenEigenschaftenkeinesfallsübernommen.DieAngabenindengültigenAnwendungs-und MontagehinweisendesModulssindzubeachten. SolltenSievonunsProduktinformationenbenötigen,dieüberdenInhaltdiesesProduktdatenblattshinausgehenundinsbesondereeine spezifischeVerwendungunddenEinsatzdiesesProduktesbetreffen,setzenSiesichbittemitdemfürSiezuständigenVertriebsbüroin Verbindung(siehewww.infineon.com,Vertrieb&Kontakt).FürInteressentenhaltenwirApplicationNotesbereit. AufgrunddertechnischenAnforderungenkönnteunserProduktgesundheitsgefährdendeSubstanzenenthalten.BeiRückfragenzudenin diesemProduktjeweilsenthaltenenSubstanzensetzenSiesichbitteebenfallsmitdemfürSiezuständigenVertriebsbüroinVerbindung. SolltenSiebeabsichtigen,dasProduktinAnwendungenderLuftfahrt,ingesundheits-oderlebensgefährdendenoderlebenserhaltenden Anwendungsbereicheneinzusetzen,bittenwirumMitteilung.Wirweisendaraufhin,dasswirfürdieseFälle -diegemeinsameDurchführungeinesRisiko-undQualitätsassessments; -denAbschlussvonspeziellenQualitätssicherungsvereinbarungen; -diegemeinsameEinführungvonMaßnahmenzueinerlaufendenProduktbeobachtungdringendempfehlenund gegebenenfallsdieBelieferungvonderUmsetzungsolcherMaßnahmenabhängigmachen. Soweiterforderlich,bittenwirSie,entsprechendeHinweiseanIhreKundenzugeben. InhaltlicheÄnderungendiesesProduktdatenblattsbleibenvorbehalten. Terms&Conditionsofusage  Thedatacontainedinthisproductdatasheetisexclusivelyintendedfortechnicallytrainedstaff.Youandyourtechnicaldepartmentswill havetoevaluatethesuitabilityoftheproductfortheintendedapplicationandthecompletenessoftheproductdatawithrespecttosuch application. Thisproductdatasheetisdescribingthecharacteristicsofthisproductforwhichawarrantyisgranted.Anysuchwarrantyisgranted exclusivelypursuantthetermsandconditionsofthesupplyagreement.Therewillbenoguaranteeofanykindfortheproductandits characteristics.Theinformationinthevalidapplication-andassemblynotesofthemodulemustbeconsidered. Shouldyourequireproductinformationinexcessofthedatagiveninthisproductdatasheetorwhichconcernsthespecificapplicationof ourproduct,pleasecontactthesalesoffice,whichisresponsibleforyou(seewww.infineon.com).Forthosethatarespecifically interestedwemayprovideapplicationnotes. Duetotechnicalrequirementsourproductmaycontaindangeroussubstances.Forinformationonthetypesinquestionpleasecontactthe salesoffice,whichisresponsibleforyou. ShouldyouintendtousetheProductinaviationapplications,inhealthorliveendangeringorlifesupportapplications,pleasenotify.Please note,thatforanysuchapplicationsweurgentlyrecommend -toperformjointRiskandQualityAssessments; -theconclusionofQualityAgreements; -toestablishjointmeasuresofanongoingproductsurvey,andthatwemaymakedeliverydependedon therealizationofanysuchmeasures. Ifandtotheextentnecessary,pleaseforwardequivalentnoticestoyourcustomers. Changesofthisproductdatasheetarereserved. preparedby:CM dateofpublication:2014-08-29 approvedby:RS revision:3.0 10