DDB6U180N16RRB37BPSA1

DDB6U180N16RR_B37 EconoPACK™2ModulmitTrench/FeldstoppIGBT4undEmitterControlled4DiodeundPressFIT/NTC EconoPACK™2modulewithTrench/FieldstopIGBT4andEmitterControlled4diodeandPressFIT/NTC VCES = 1600V IC nom = 180A / ICRM = 360A TypischeAnwendungen • Hilfsumrichter • Klimaanlagen • Motorantriebe • Servoumrichter TypicalApplications • Auxiliaryinverters • Airconditioning • Motordrives • Servodrives ElektrischeEigenschaften • Tvjop=150°C ElectricalFeatures • Tvjop=150°C MechanischeEigenschaften • Al2O3 Substrat mit kleinem thermischen Widerstand • HoheLeistungsdichte • IsolierteBodenplatte • KompaktesDesign • PressFITVerbindungstechnik • RoHSkonform • Standardgehäuse MechanicalFeatures • Al2O3substratewithlowthermalresistance • • • • • • Highpowerdensity Isolatedbaseplate Compactdesign PressFITcontacttechnology RoHScompliant Standardhousing ModuleLabelCode BarcodeCode128 DMX-Code Datasheet www.infineon.com ContentoftheCode Digit ModuleSerialNumber ModuleMaterialNumber ProductionOrderNumber Datecode(ProductionYear) Datecode(ProductionWeek) 1-5 6-11 12-19 20-21 22-23 PleasereadtheImportantNoticeandWarningsattheendofthisdocument V3.0 2017-07-25 DDB6U180N16RR_B37 Diode,Gleichrichter/Diode,Rectifier HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues PeriodischeSpitzensperrspannung Repetitivepeakreversevoltage VRRM  1600  V DurchlassstromGrenzeffektivwertproChip TC = 100°C MaximumRMSforwardcurrentperchip IFRMSM  150  A GleichrichterAusgangGrenzeffektivstrom MaximumRMScurrentatrectifieroutput TC = 100°C IRMSM  180  A StoßstromGrenzwert Surgeforwardcurrent tp = 10 ms, Tvj = 25°C tp = 10 ms, Tvj = 150°C IFSM  1600 1400  A A Grenzlastintegral I²t-value tp = 10 ms, Tvj = 25°C tp = 10 ms, Tvj = 150°C I²t  13000 9800  A²s A²s Tvj = 25°C CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. max. Durchlassspannung Forwardvoltage Tvj = 150°C, IF = 150 A VF 1,20 V Schleusenspannung Thresholdvoltage Tvj = 150°C VTO 0,83 V Ersatzwiderstand Sloperesistance Tvj = 150°C rT 2,30 mΩ Sperrstrom Reversecurrent Tvj = 150°C, VR = 1600 V IR 1,00 mA Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse Thermalresistance,junctiontocase proDiode/perdiode RthJC Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proDiode/perdiode Thermalresistance,casetoheatsink λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K) RthCH TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions Tvj op Datasheet 2 0,330 K/W 0,137 -40 K/W 150 °C V3.0 2017-07-25 DDB6U180N16RR_B37 IGBT,Brems-Chopper/IGBT,Brake-Chopper HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues Kollektor-Emitter-Sperrspannung Collector-emittervoltage Tvj = 25°C VCES  1200  V Kollektor-Dauergleichstrom ContinuousDCcollectorcurrent TC = 95°C, Tvj max = 175°C IC nom  100  A PeriodischerKollektor-Spitzenstrom Repetitivepeakcollectorcurrent tP = 1 ms ICRM  200  A VGES  +/-20  V Gate-Emitter-Spitzenspannung Gate-emitterpeakvoltage CharakteristischeWerte/CharacteristicValues Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Collector-emittersaturationvoltage min. IC = 100 A, VGE = 15 V IC = 100 A, VGE = 15 V IC = 100 A, VGE = 15 V Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C VCE sat typ. max. 1,75 2,05 2,10 2,10 V V V 5,80 6,35 V Gate-Schwellenspannung Gatethresholdvoltage IC = 3,80 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C Gateladung Gatecharge VGE = -15 V ... +15 V QG 0,75 µC InternerGatewiderstand Internalgateresistor Tvj = 25°C RGint 7,5 Ω Eingangskapazität Inputcapacitance f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 6,20 nF Rückwirkungskapazität Reversetransfercapacitance f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres 0,35 nF Kollektor-Emitter-Reststrom Collector-emittercut-offcurrent VCE = 1200 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C ICES 1,0 mA Gate-Emitter-Reststrom Gate-emitterleakagecurrent VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C IGES 100 nA VGEth Einschaltverzögerungszeit,induktiveLast Turn-ondelaytime,inductiveload IC = 100 A, VCE = 600 V VGE = ±15 V RGon = 1,6 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Anstiegszeit,induktiveLast Risetime,inductiveload IC = 100 A, VCE = 600 V VGE = ±15 V RGon = 1,6 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Abschaltverzögerungszeit,induktiveLast Turn-offdelaytime,inductiveload IC = 100 A, VCE = 600 V VGE = ±15 V RGoff = 1,6 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Fallzeit,induktiveLast Falltime,inductiveload IC = 100 A, VCE = 600 V VGE = ±15 V RGoff = 1,6 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C EinschaltverlustenergieproPuls Turn-onenergylossperpulse IC = 100 A, VCE = 600 V, LS = 30 nH Tvj = 25°C VGE = ±15 V, di/dt = 3000 A/µs (Tvj = 150°C) Tvj = 125°C RGon = 1,6 Ω Tvj = 150°C AbschaltverlustenergieproPuls Turn-offenergylossperpulse 5,25 0,16 0,17 0,17 µs µs µs 0,03 0,04 0,04 µs µs µs 0,33 0,43 0,45 µs µs µs 0,08 0,145 0,17 µs µs µs Eon 5,50 8,50 9,50 mJ mJ mJ IC = 100 A, VCE = 600 V, LS = 30 nH Tvj = 25°C VGE = ±15 V, du/dt = 3600 V/µs (Tvj = 150°C) Tvj = 125°C RGoff = 1,6 Ω Tvj = 150°C Eoff 5,50 8,50 9,50 mJ mJ mJ Kurzschlußverhalten SCdata VGE ≤ 15 V, VCC = 800 V VCEmax = VCES -LsCE ·di/dt ISC 360 A Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse Thermalresistance,junctiontocase proIGBT/perIGBT tP ≤ 10 µs, Tvj = 150°C td on tr td off tf RthJC Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proIGBT/perIGBT Thermalresistance,casetoheatsink λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K) RthCH TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions Tvj op Datasheet 3 0,302 K/W 0,135 -40 K/W 150 °C V3.0 2017-07-25 DDB6U180N16RR_B37 Diode,Brems-Chopper/Diode,Brake-Chopper HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues PeriodischeSpitzensperrspannung Repetitivepeakreversevoltage VRRM  Tvj = 25°C Dauergleichstrom ContinuousDCforwardcurrent PeriodischerSpitzenstrom Repetitivepeakforwardcurrent tP = 1 ms Grenzlastintegral I²t-value VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C 1200  V IF  50  A IFRM  100  A I²t  510  A²s CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. max. 2,15 VF 1,70 1,65 1,65 Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C IRM 54,0 60,0 63,0 A A A IF = 50 A, - diF/dt = 2500 A/µs (Tvj=150°C) VR = 600 V Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Qr 5,50 8,80 10,0 µC µC µC AbschaltenergieproPuls Reverserecoveryenergy IF = 50 A, - diF/dt = 2500 A/µs (Tvj=150°C) VR = 600 V Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Erec 1,70 3,00 3,70 mJ mJ mJ Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse Thermalresistance,junctiontocase proDiode/perdiode Durchlassspannung Forwardvoltage IF = 50 A, VGE = 0 V IF = 50 A, VGE = 0 V IF = 50 A, VGE = 0 V Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Rückstromspitze Peakreverserecoverycurrent IF = 50 A, - diF/dt = 2500 A/µs (Tvj=150°C) VR = 600 V Sperrverzögerungsladung Recoveredcharge RthJC Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proDiode/perdiode Thermalresistance,casetoheatsink λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K) RthCH TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions Tvj op V V V 0,713 K/W 0,157 -40 K/W 150 °C NTC-Widerstand/NTC-Thermistor CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. max. Nennwiderstand Ratedresistance TNTC = 25°C AbweichungvonR100 DeviationofR100 TNTC = 100°C, R100 = 493 Ω Verlustleistung Powerdissipation TNTC = 25°C B-Wert B-value R2 = R25 exp [B25/50(1/T2 - 1/(298,15 K))] B25/50 3375 K B-Wert B-value R2 = R25 exp [B25/80(1/T2 - 1/(298,15 K))] B25/80 3411 K B-Wert B-value R2 = R25 exp [B25/100(1/T2 - 1/(298,15 K))] B25/100 3433 K R25 ∆R/R 5,00 -5 P25 kΩ 5 % 20,0 mW AngabengemäßgültigerApplicationNote. Specificationaccordingtothevalidapplicationnote. Datasheet 4 V3.0 2017-07-25 DDB6U180N16RR_B37 Modul/Module Isolations-Prüfspannung Isolationtestvoltage RMS, f = 50 Hz, t = 1 min. VISOL  2,5  kV  Cu  MaterialModulgrundplatte Materialofmodulebaseplate InnereIsolation Internalisolation Basisisolierung(Schutzklasse1,EN61140) basicinsulation(class1,IEC61140)  Al2O3  Kriechstrecke Creepagedistance Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal  10,0  mm Luftstrecke Clearance Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal  7,5  mm VergleichszahlderKriechwegbildung Comperativetrackingindex CTI  Modulstreuinduktivität Strayinductancemodule Modulleitungswiderstand,AnschlüsseChip Moduleleadresistance,terminals-chip TC=25°C,proSchalter/perswitch Lagertemperatur Storagetemperature Anzugsdrehmomentf.Modulmontage Mountingtorqueformodulmounting SchraubeM5-Montagegem.gültigerApplikationsschrift ScrewM5-Mountingaccordingtovalidapplicationnote Gewicht Weight Datasheet typ. max. LsCE 50 nH RAA'+CC' 1,30 mΩ Tstg -40 125 °C M 3,00 6,00 Nm G 5  > 200 min. 180 g V3.0 2017-07-25 DDB6U180N16RR_B37 TransienterWärmewiderstandDiode,Gleichrichter transientthermalimpedanceDiode,Rectifier ZthJC=f(t) AusgangskennlinieIGBT,Brems-Chopper(typisch) outputcharacteristicIGBT,Brake-Chopper(typical) IC=f(VCE) VGE=15V 1 200 ZthJC: Diode Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C 180 160 140 IC [A] ZthJC [K/W] 120 0,1 100 80 60 40 i: 1 2 3 4 ri[K/W]: 0,0219 0,0719 0,208 0,0282 τi[s]: 0,00072 0,01677 0,0596 1,17 0,01 0,001 0,01 0,1 t [s] 1 20 0 10 AusgangskennlinienfeldIGBT,Brems-Chopper(typisch) outputcharacteristicIGBT,Brake-Chopper(typical) IC=f(VCE) Tvj=150°C 1,0 1,5 2,0 VCE [V] 2,5 3,0 3,5 200 VGE = 19 V VGE = 17 V VGE = 15 V VGE = 13 V VGE = 11 V VGE = 9 V 180 160 160 140 140 120 120 100 100 80 80 60 60 40 40 20 20 0,0 Datasheet 0,5 1,0 1,5 Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C 180 IC [A] IC [A] 0,5 ÜbertragungscharakteristikIGBT,Brems-Chopper(typisch) transfercharacteristicIGBT,Brake-Chopper(typical) IC=f(VGE) VCE=20V 200 0 0,0 2,0 2,5 3,0 VCE [V] 3,5 4,0 4,5 0 5,0 6 5 6 7 8 9 VGE [V] 10 11 12 V3.0 2017-07-25 DDB6U180N16RR_B37 SchaltverlusteIGBT,Brems-Chopper(typisch) switchinglossesIGBT,Brake-Chopper(typical) Eon=f(IC),Eoff=f(IC) VGE=±15V,RGon=1.6Ω,RGoff=1.6Ω,VCE=600V SchaltverlusteIGBT,Brems-Chopper(typisch) switchinglossesIGBT,Brake-Chopper(typical) Eon=f(RG),Eoff=f(RG) VGE=±15V,IC=100A,VCE=600V 30 30 Eon, Tvj = 125°C Eoff, Tvj = 125°C Eon, Tvj = 150°C Eoff, Tvj = 150°C 27 24 24 21 21 18 18 E [mJ] E [mJ] 27 15 15 12 12 9 9 6 6 3 3 0 0 20 40 60 Eon, Tvj = 125°C Eoff, Tvj = 125°C Eon, Tvj = 150°C Eoff, Tvj = 150°C 80 0 100 120 140 160 180 200 IC [A] TransienterWärmewiderstandIGBT,Brems-Chopper transientthermalimpedanceIGBT,Brake-Chopper ZthJC=f(t) 0 2 4 6 8 RG [Ω] 10 12 14 16 SichererRückw.-Arbeitsber.IGBT,Brems-Chopper(RBSOA) reversebiassafeoperatingareaIGBT,Brake-Chopper (RBSOA) IC=f(VCE) VGE=±15V,RGoff=1.6Ω,Tvj=150°C 240 1 ZthJC : IGBT IC, Modul IC, Chip 200 IC [A] ZthJC [K/W] 160 0,1 120 80 40 i: 1 2 3 4 ri[K/W]: 0,0199 0,0633 0,193 0,0258 τi[s]: 0,00072 0,0167 0,0596 1,17 0,01 0,001 Datasheet 0,01 0,1 t [s] 1 0 10 7 0 200 400 600 800 VCE [V] 1000 1200 1400 V3.0 2017-07-25 DDB6U180N16RR_B37 DurchlasskennliniederDiode,Brems-Chopper(typisch) forwardcharacteristicofDiode,Brake-Chopper(typical) IF=f(VF) SchaltverlusteDiode,Brems-Chopper(typisch) switchinglossesDiode,Brake-Chopper(typical) Erec=f(IF) RGon=1.6Ω,VCE=600V 100 6 Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C 90 Erec, Tvj = 125°C Erec, Tvj = 150°C 5 80 70 4 E [mJ] IF [A] 60 50 3 40 2 30 20 1 10 0 0 0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4 1,6 1,8 2,0 2,2 2,4 VF [V] SchaltverlusteDiode,Brems-Chopper(typisch) switchinglossesDiode,Brake-Chopper(typical) Erec=f(RG) IF=50A,VCE=600V 0 10 20 30 40 50 60 IF [A] 70 80 90 100 TransienterWärmewiderstandDiode,Brems-Chopper transientthermalimpedanceDiode,Brake-Chopper ZthJC=f(t) 5 10 Erec, Tvj = 125°C Erec, Tvj = 150°C ZthJC : Diode 4 1 E [mJ] ZthJC [K/W] 3 2 0,1 1 i: 1 2 3 4 ri[K/W]: 0,0711 0,278 0,325 0,0389 τi[s]: 0,00072 0,0167 0,0596 1,17 0 0 Datasheet 2 4 6 8 RG [Ω] 10 12 14 16 0,01 0,001 8 0,01 0,1 t [s] 1 10 V3.0 2017-07-25 DDB6U180N16RR_B37 NTC-Widerstand-Temperaturkennlinie(typisch) NTC-Thermistor-temperaturecharacteristic(typical) R=f(T) 100000 Rtyp R[Ω] 10000 1000 100 0 Datasheet 20 40 60 80 100 TNTC [°C] 120 140 160 9 V3.0 2017-07-25 DDB6U180N16RR_B37 Schaltplan/Circuitdiagram Gehäuseabmessungen/Packageoutlines Infineon Datasheet 10 V3.0 2017-07-25 Trademarks Allreferencedproductorservicenamesandtrademarksarethepropertyoftheirrespectiveowners.    Edition2017-07-25 Publishedby InfineonTechnologiesAG 81726München,Germany ©2017InfineonTechnologiesAG. AllRightsReserved. Doyouhaveaquestionaboutthisdocument? Email:erratum@infineon.com   WICHTIGERHINWEIS DieindiesemDokumententhaltenenAngabenstellenkeinesfallsGarantienfürdieBeschaffenheitoderEigenschaftendesProduktes (“Beschaffenheitsgarantie“)dar.FürBeispiele,HinweiseodertypischeWerte,dieindiesemDokumententhaltensind,und/oderAngaben, diesichaufdieAnwendungdesProduktesbeziehen,istjeglicheGewährleistungundHaftungvonInfineonTechnologiesausgeschlossen, einschließlich,ohnehieraufbeschränktzusein,dieGewährdafür,dasskeingeistigesEigentumDritterverletztist. DesWeiterenstehensämtliche,indiesemDokumententhaltenenInformationen,unterdemVorbehaltderEinhaltungderindiesem DokumentfestgelegtenVerpflichtungendesKundensowieallerimHinblickaufdasProduktdesKundensowiedieNutzungdesInfineon ProduktesindenAnwendungendesKundenanwendbarengesetzlichenAnforderungen,NormenundStandardsdurchdenKunden. 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