DDB6U104N16RRPB37BPSA1

DDB6U104N16RRP_B37 EconoPACK™2ModulmitTrench/FeldstoppIGBT4undEmitterControlled4DiodeundPressFIT/bereits aufgetragenemThermalInterfaceMaterial EconoPACK™2modulewithTrench/FieldstopIGBT4andEmitterControlled4diodeandPressFIT/ pre-appliedThermalInterfaceMaterial VCES = 1600V IC nom = 104A / ICRM = 208A TypischeAnwendungen • Hilfsumrichter • Klimaanlagen • Motorantriebe • Servoumrichter TypicalApplications • Auxiliaryinverters • Airconditioning • Motordrives • Servodrives ElektrischeEigenschaften • Tvjop=150°C ElectricalFeatures • Tvjop=150°C MechanischeEigenschaften • Al2O3 Substrat mit kleinem thermischen Widerstand • HoheLeistungsdichte • IsolierteBodenplatte • KompaktesDesign • PressFITVerbindungstechnik • RoHSkonform • Standardgehäuse • Thermisches Interface Material bereits aufgetragen MechanicalFeatures • Al2O3substratewithlowthermalresistance • • • • • • • Highpowerdensity Isolatedbaseplate Compactdesign PressFITcontacttechnology RoHScompliant Standardhousing Pre-appliedThermalInterfaceMaterial ModuleLabelCode BarcodeCode128 DMX-Code Datasheet www.infineon.com ContentoftheCode Digit ModuleSerialNumber ModuleMaterialNumber ProductionOrderNumber Datecode(ProductionYear) Datecode(ProductionWeek) 1-5 6-11 12-19 20-21 22-23 PleasereadtheImportantNoticeandWarningsattheendofthisdocument V3.0 2017-01-12 DDB6U104N16RRP_B37 Diode,Gleichrichter/Diode,Rectifier HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues PeriodischeSpitzensperrspannung Repetitivepeakreversevoltage Tvj = 25°C VRRM  1600  V DurchlassstromGrenzeffektivwertproChip TH = 75°C MaximumRMSforwardcurrentperchip IFRMSM  60  A GleichrichterAusgangGrenzeffektivstrom MaximumRMScurrentatrectifieroutput TH = 75°C IRMSM  104  A StoßstromGrenzwert Surgeforwardcurrent tp = 10 ms, Tvj = 25°C tp = 10 ms, Tvj = 150°C IFSM  650 550  A A Grenzlastintegral I²t-value tp = 10 ms, Tvj = 25°C tp = 10 ms, Tvj = 150°C I²t  2100 1500  A²s A²s CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. max. Durchlassspannung Forwardvoltage Tvj = 150°C, IF = 100 A VF 1,10 V Schleusenspannung Thresholdvoltage Tvj = 150°C VTO 0,75 V Ersatzwiderstand Sloperesistance Tvj = 150°C rT 5,50 mΩ Sperrstrom Reversecurrent Tvj = 150°C, VR = 1600 V IR 5,00 mA Wärmewiderstand,ChipbisKühlkörper Thermalresistance,junctiontoheatsink proDiode/perdiode validwithIFXpre-appliedthermalinterfacematerial TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions Datasheet RthJH Tvj op 2 0,720 K/W -40 150 °C V3.0 2017-01-12 DDB6U104N16RRP_B37 IGBT,Brems-Chopper/IGBT,Brake-Chopper HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues Kollektor-Emitter-Sperrspannung Collector-emittervoltage Tvj = 25°C VCES Kollektor-Dauergleichstrom ContinuousDCcollectorcurrent TH = 90°C, Tvj max = 175°C PeriodischerKollektor-Spitzenstrom Repetitivepeakcollectorcurrent tP = 1 ms Gate-Emitter-Spitzenspannung Gate-emitterpeakvoltage 1200  V IC nom  50  A ICRM  100  A VGES  +/-20  V CharakteristischeWerte/CharacteristicValues Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Collector-emittersaturationvoltage  min. IC = 50 A, VGE = 15 V IC = 50 A, VGE = 15 V IC = 50 A, VGE = 15 V Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C VCE sat typ. max. 1,85 2,15 2,25 2,15 V V V 5,80 6,35 V Gate-Schwellenspannung Gatethresholdvoltage IC = 1,70 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C Gateladung Gatecharge VGE = -15 V ... +15 V QG 0,38 µC InternerGatewiderstand Internalgateresistor Tvj = 25°C RGint 4,0 Ω Eingangskapazität Inputcapacitance f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 2,80 nF Rückwirkungskapazität Reversetransfercapacitance f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres 0,10 nF Kollektor-Emitter-Reststrom Collector-emittercut-offcurrent VCE = 1200 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C ICES 1,0 mA Gate-Emitter-Reststrom Gate-emitterleakagecurrent VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C IGES 100 nA VGEth Einschaltverzögerungszeit,induktiveLast Turn-ondelaytime,inductiveload IC = 50 A, VCE = 600 V VGE = ±15 V RGon = 10 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Anstiegszeit,induktiveLast Risetime,inductiveload IC = 50 A, VCE = 600 V VGE = ±15 V RGon = 10 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Abschaltverzögerungszeit,induktiveLast Turn-offdelaytime,inductiveload IC = 50 A, VCE = 600 V VGE = ±15 V RGoff = 10 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Fallzeit,induktiveLast Falltime,inductiveload IC = 50 A, VCE = 600 V VGE = ±15 V RGoff = 10 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C EinschaltverlustenergieproPuls Turn-onenergylossperpulse IC = 50 A, VCE = 600 V, LS = 30 nH Tvj = 25°C VGE = ±15 V, di/dt = 1200 A/µs (Tvj = 150°C) Tvj = 125°C RGon = 10 Ω Tvj = 150°C AbschaltverlustenergieproPuls Turn-offenergylossperpulse 5,25 0,055 0,06 0,06 µs µs µs 0,035 0,04 0,04 µs µs µs 0,30 0,35 0,40 µs µs µs 0,04 0,06 0,07 µs µs µs Eon 3,60 4,90 5,30 mJ mJ mJ IC = 50 A, VCE = 600 V, LS = 30 nH Tvj = 25°C VGE = ±15 V, du/dt = 3500 V/µs (Tvj = 150°C) Tvj = 125°C RGoff = 10 Ω Tvj = 150°C Eoff 2,95 4,80 5,40 mJ mJ mJ Kurzschlußverhalten SCdata VGE ≤ 15 V, VCC = 800 V VCEmax = VCES -LsCE ·di/dt ISC 180 A Wärmewiderstand,ChipbisKühlkörper Thermalresistance,junctiontoheatsink proIGBT/perIGBT validwithIFXpre-appliedthermalinterfacematerial tP ≤ 10 µs, Tvj = 150°C TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions Datasheet td on tr td off tf RthJH Tvj op 3 0,660 K/W -40 150 °C V3.0 2017-01-12 DDB6U104N16RRP_B37 Diode,Brems-Chopper/Diode,Brake-Chopper HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues PeriodischeSpitzensperrspannung Repetitivepeakreversevoltage VRRM  Tvj = 25°C Dauergleichstrom ContinuousDCforwardcurrent PeriodischerSpitzenstrom Repetitivepeakforwardcurrent tP = 1 ms Grenzlastintegral I²t-value VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 150°C 1200  V IF  35  A IFRM  70  A I²t  250 220  CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. A²s A²s typ. max. 2,15 VF 1,70 1,65 1,65 Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C IRM 28,0 37,0 38,0 A A A IF = 35 A, - diF/dt = 1200 A/µs (Tvj=150°C) VR = 600 V Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Qr 2,90 5,20 5,90 µC µC µC AbschaltenergieproPuls Reverserecoveryenergy IF = 35 A, - diF/dt = 1200 A/µs (Tvj=150°C) VR = 600 V Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Erec 1,10 2,00 2,30 mJ mJ mJ Wärmewiderstand,ChipbisKühlkörper Thermalresistance,junctiontoheatsink proDiode/perdiode validwithIFXpre-appliedthermalinterfacematerial Durchlassspannung Forwardvoltage IF = 35 A, VGE = 0 V IF = 35 A, VGE = 0 V IF = 35 A, VGE = 0 V Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Rückstromspitze Peakreverserecoverycurrent IF = 35 A, - diF/dt = 1200 A/µs (Tvj=150°C) VR = 600 V Sperrverzögerungsladung Recoveredcharge TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions RthJH Tvj op V V V 0,840 K/W -40 150 °C NTC-Widerstand/NTC-Thermistor CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. max. Nennwiderstand Ratedresistance TNTC = 25°C AbweichungvonR100 DeviationofR100 TNTC = 100°C, R100 = 493 Ω Verlustleistung Powerdissipation TNTC = 25°C B-Wert B-value R2 = R25 exp [B25/50(1/T2 - 1/(298,15 K))] B25/50 3375 K B-Wert B-value R2 = R25 exp [B25/80(1/T2 - 1/(298,15 K))] B25/80 3411 K B-Wert B-value R2 = R25 exp [B25/100(1/T2 - 1/(298,15 K))] B25/100 3433 K R25 ∆R/R 5,00 -5 P25 kΩ 5 % 20,0 mW AngabengemäßgültigerApplicationNote. Specificationaccordingtothevalidapplicationnote. Datasheet 4 V3.0 2017-01-12 DDB6U104N16RRP_B37 Modul/Module Isolations-Prüfspannung Isolationtestvoltage RMS, f = 50 Hz, t = 1 min. VISOL  2,5  kV  Cu  MaterialModulgrundplatte Materialofmodulebaseplate InnereIsolation Internalisolation Basisisolierung(Schutzklasse1,EN61140) basicinsulation(class1,IEC61140)  Al2O3  Kriechstrecke Creepagedistance Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal  10,0  mm Luftstrecke Clearance Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal  7,5  mm VergleichszahlderKriechwegbildung Comperativetrackingindex CTI  Modulstreuinduktivität Strayinductancemodule Modulleitungswiderstand,AnschlüsseChip Moduleleadresistance,terminals-chip TH=25°C,proSchalter/perswitch Lagertemperatur Storagetemperature Anzugsdrehmomentf.Modulmontage Mountingtorqueformodulmounting typ. 50 nH RAA'+CC' 1,80 mΩ -40 TBPmax SchraubeM5-Montagegem.gültigerApplikationsschrift ScrewM5-Mountingaccordingtovalidapplicationnote Gewicht Weight max. LsCE Tstg Höchstzulässige Bodenplattenbetriebstemperatur Maximumbaseplateoperationtemperature  > 200 min. M G 3,00 180 125 °C 125 °C 6,00 Nm g Lagerung und Transport von Modulen mit TIM => siehe AN 2012-07 Storage and shipment of modules with TIM => see AN 2012-07 Datasheet 5 V3.0 2017-01-12 DDB6U104N16RRP_B37 TransienterWärmewiderstandDiode,Gleichrichter transientthermalimpedanceDiode,Rectifier ZthJH=f(t) AusgangskennlinieIGBT,Brems-Chopper(typisch) outputcharacteristicIGBT,Brake-Chopper(typical) IC=f(VCE) VGE=15V 10 100 ZthJH: Diode Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C 90 80 70 1 IC [A] ZthJH [K/W] 60 50 40 0,1 30 20 i: 1 2 3 4 ri[K/W]: 0,0403 0,1618 0,3394 0,1785 τi[s]: 0,0005325 0,01609 0,08648 1,275 0,01 0,001 0,01 0,1 t [s] 1 10 0 10 AusgangskennlinienfeldIGBT,Brems-Chopper(typisch) outputcharacteristicIGBT,Brake-Chopper(typical) IC=f(VCE) Tvj=150°C 1,0 1,5 2,0 VCE [V] 2,5 3,0 3,5 100 VGE = 19 V VGE = 17 V VGE = 15 V VGE = 13 V VGE = 11 V VGE = 9 V 90 80 80 70 70 60 60 50 50 40 40 30 30 20 20 10 10 0,0 Datasheet 0,5 1,0 1,5 Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C 90 IC [A] IC [A] 0,5 ÜbertragungscharakteristikIGBT,Brems-Chopper(typisch) transfercharacteristicIGBT,Brake-Chopper(typical) IC=f(VGE) VCE=20V 100 0 0,0 2,0 2,5 3,0 VCE [V] 3,5 4,0 4,5 0 5,0 6 5 6 7 8 9 VGE [V] 10 11 12 V3.0 2017-01-12 DDB6U104N16RRP_B37 SchaltverlusteIGBT,Brems-Chopper(typisch) switchinglossesIGBT,Brake-Chopper(typical) Eon=f(IC),Eoff=f(IC) VGE=±15V,RGon=10Ω,RGoff=10Ω,VCE=600V SchaltverlusteIGBT,Brems-Chopper(typisch) switchinglossesIGBT,Brake-Chopper(typical) Eon=f(RG),Eoff=f(RG) VGE=±15V,IC=50A,VCE=600V 20 24 Eon, Tvj = 125°C Eoff, Tvj = 125°C Eon, Tvj = 150°C Eoff, Tvj = 150°C 18 Eon, Tvj = 125°C Eoff, Tvj = 125°C Eon, Tvj = 150°C Eoff, Tvj = 150°C 22 20 16 18 14 16 14 E [mJ] E [mJ] 12 10 12 10 8 8 6 6 4 4 2 0 2 0 10 20 30 40 50 60 VCE [V] 70 80 90 0 100 TransienterWärmewiderstandIGBT,Brems-Chopper transientthermalimpedanceIGBT,Brake-Chopper ZthJH=f(t) 0 10 20 30 40 50 60 RG [Ω] 70 80 90 100 SichererRückw.-Arbeitsber.IGBT,Brems-Chopper(RBSOA) reversebiassafeoperatingareaIGBT,Brake-Chopper (RBSOA) IC=f(VCE) VGE=±15V,RGoff=10Ω,Tvj=150°C 120 10 ZthJH : IGBT IC, Modul IC, Chip 100 80 IC [A] ZthJH [K/W] 1 60 0,1 40 20 i: 1 2 3 4 ri[K/W]: 0,0494 0,1432 0,3363 0,1311 τi[s]: 0,0003129 0,01339 0,0749 0,8668 0,01 0,001 Datasheet 0,01 0,1 t [s] 1 0 10 7 0 200 400 600 800 VCE [V] 1000 1200 1400 V3.0 2017-01-12 DDB6U104N16RRP_B37 DurchlasskennliniederDiode,Brems-Chopper(typisch) forwardcharacteristicofDiode,Brake-Chopper(typical) IF=f(VF) SchaltverlusteDiode,Brems-Chopper(typisch) switchinglossesDiode,Brake-Chopper(typical) Erec=f(IF) RGon=10Ω,VCE=600V 70 3,0 Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Erec, Tvj = 125°C Erec, Tvj = 150°C 2,8 2,6 60 2,4 2,2 50 2,0 1,8 IF [A] E [mJ] 40 30 1,6 1,4 1,2 1,0 20 0,8 0,6 10 0,4 0,2 0 0,0 0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4 1,6 1,8 2,0 2,2 VF [V] SchaltverlusteDiode,Brems-Chopper(typisch) switchinglossesDiode,Brake-Chopper(typical) Erec=f(RG) IF=35A,VCE=600V 0 10 20 30 40 50 60 70 IF [A] TransienterWärmewiderstandDiode,Brems-Chopper transientthermalimpedanceDiode,Brake-Chopper ZthJH=f(t) 3,0 10 Erec, Tvj = 125°C Erec, Tvj = 150°C ZthJH : Diode 2,5 1 ZthJH [K/W] E [mJ] 2,0 1,5 1,0 0,1 0,5 i: 1 2 3 4 ri[K/W]: 0,0734 0,1833 0,4813 0,102 τi[s]: 0,0004289 0,00833 0,04752 0,3222 0,0 0 Datasheet 10 20 30 40 50 60 RG [Ω] 70 80 90 100 0,01 0,001 8 0,01 0,1 t [s] 1 10 V3.0 2017-01-12 DDB6U104N16RRP_B37 NTC-Widerstand-Temperaturkennlinie(typisch) NTC-Thermistor-temperaturecharacteristic(typical) R=f(T) 100000 Rtyp R[Ω] 10000 1000 100 0 Datasheet 20 40 60 80 100 TNTC [°C] 120 140 160 9 V3.0 2017-01-12 DDB6U104N16RRP_B37 Schaltplan/Circuitdiagram Gehäuseabmessungen/Packageoutlines In fin e o n Datasheet 10 V3.0 2017-01-12 TrademarksofInfineonTechnologiesAG µHVIC™,µIPM™,µPFC™,AU-ConvertIR™,AURIX™,C166™,CanPAK™,CIPOS™,CIPURSE™,CoolDP™,CoolGaN™,COOLiR™, CoolMOS™,CoolSET™,CoolSiC™,DAVE™,DI-POL™,DirectFET™,DrBlade™,EasyPIM™,EconoBRIDGE™,EconoDUAL™, EconoPACK™,EconoPIM™,EiceDRIVER™,eupec™,FCOS™,GaNpowIR™,HEXFET™,HITFET™,HybridPACK™,iMOTION™, IRAM™,ISOFACE™,IsoPACK™,LEDrivIR™,LITIX™,MIPAQ™,ModSTACK™,my-d™,NovalithIC™,OPTIGA™,OptiMOS™, ORIGA™,PowIRaudio™,PowIRStage™,PrimePACK™,PrimeSTACK™,PROFET™,PRO-SIL™,RASIC™,REAL3™,SmartLEWIS™, SOLIDFLASH™,SPOC™,StrongIRFET™,SupIRBuck™,TEMPFET™,TRENCHSTOP™,TriCore™,UHVIC™,XHP™,XMC™  TrademarksupdatedNovember2015  OtherTrademarks Allreferencedproductorservicenamesandtrademarksarethepropertyoftheirrespectiveowners.    Edition2017-01-12 Publishedby InfineonTechnologiesAG 81726München,Germany ©2017InfineonTechnologiesAG. AllRightsReserved. Doyouhaveaquestionaboutthisdocument? Email:erratum@infineon.com   WICHTIGERHINWEIS DieindiesemDokumententhaltenenAngabenstellenkeinesfallsGarantienfürdieBeschaffenheitoderEigenschaftendesProduktes (“Beschaffenheitsgarantie“)dar.FürBeispiele,HinweiseodertypischeWerte,dieindiesemDokumententhaltensind,und/oderAngaben, diesichaufdieAnwendungdesProduktesbeziehen,istjeglicheGewährleistungundHaftungvonInfineonTechnologiesausgeschlossen, einschließlich,ohnehieraufbeschränktzusein,dieGewährdafür,dasskeingeistigesEigentumDritterverletztist. DesWeiterenstehensämtliche,indiesemDokumententhaltenenInformationen,unterdemVorbehaltderEinhaltungderindiesem DokumentfestgelegtenVerpflichtungendesKundensowieallerimHinblickaufdasProduktdesKundensowiedieNutzungdesInfineon ProduktesindenAnwendungendesKundenanwendbarengesetzlichenAnforderungen,NormenundStandardsdurchdenKunden. 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