DF1000R17IE4PBPSA1

DF1000R17IE4P PrimePACK™3ModulmitTrench/FeldstoppIGBT4undEmitterControlledDiodeundNTC/bereits aufgetragenemThermalInterfaceMaterial PrimePACK™3modulewithTrench/FieldstopIGBT4andEmitterControlleddiodeandNTC/pre-applied ThermalInterfaceMaterial VCES = 1700V IC nom = 1000A / ICRM = 2000A PotentielleAnwendungen • 3-Level-Applikationen • Chopper-Anwendungen • Hochleistungsumrichter • Windgeneratoren PotentialApplications • 3-level-applications • Chopperapplications • Highpowerconverters • Windturbines ElektrischeEigenschaften • ErweiterteSperrschichttemperaturTvjop • GroßeDC-Festigkeit • HoheStromdichte • NiedrigeSchaltverluste • NiedrigesVCEsat • Tvjop=150°C ElectricalFeatures • ExtendedoperatingtemperatureTvjop • HighDCstability • Highcurrentdensity • Lowswitchinglosses • LowVCEsat • Tvjop=150°C MechanischeEigenschaften • GehäusemitCTI>400 • GroßeLuft-undKriechstrecken • HoheLast-undthermischeWechselfestigkeit • HoheLeistungsdichte • Kupferbodenplatte • Standardgehäuse MechanicalFeatures • PackagewithCTI>400 • Highcreepageandclearancedistances • Highpowerandthermalcyclingcapability • Highpowerdensity • Copperbaseplate • Standardhousing ModuleLabelCode BarcodeCode128 DMX-Code Datasheet www.infineon.com ContentoftheCode Digit ModuleSerialNumber ModuleMaterialNumber ProductionOrderNumber Datecode(ProductionYear) Datecode(ProductionWeek) 1-5 6-11 12-19 20-21 22-23 PleasereadtheImportantNoticeandWarningsattheendofthisdocument V3.0 2018-11-26 DF1000R17IE4P IGBT,Brems-Chopper/IGBT,Brake-Chopper HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues Kollektor-Emitter-Sperrspannung Collector-emittervoltage Tvj = 25°C VCES  1700  V Kollektor-Dauergleichstrom ContinuousDCcollectorcurrent TH = 60°C, Tvj max = 175°C ICDC  1000  A PeriodischerKollektor-Spitzenstrom Repetitivepeakcollectorcurrent tP = 1 ms ICRM  2000  A VGES  +/-20  V Gate-Emitter-Spitzenspannung Gate-emitterpeakvoltage CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. max. 2,00 2,35 2,45 2,45 2,80 2,95 V V V 5,80 6,40 V Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Collector-emittersaturationvoltage IC = 1000 A VGE = 15 V Gate-Schwellenspannung Gatethresholdvoltage IC = 36,0 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C Gateladung Gatecharge VGE = -15 / 15 V QG 10,0 µC InternerGatewiderstand Internalgateresistor Tvj = 25°C RGint 1,5 Ω Eingangskapazität Inputcapacitance f = 1000 kHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 81,0 nF Rückwirkungskapazität Reversetransfercapacitance f = 1000 kHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres 2,60 nF Kollektor-Emitter-Reststrom Collector-emittercut-offcurrent VCE = 1700 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C ICES 5,0 mA Gate-Emitter-Reststrom Gate-emitterleakagecurrent VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C IGES 400 nA Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C VGEth Einschaltverzögerungszeit,induktiveLast Turn-ondelaytime,inductiveload IC = 1000 A, VCE = 900 V VGE = -15 / 15 V RGon = 1,2 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Anstiegszeit,induktiveLast Risetime,inductiveload IC = 1000 A, VCE = 900 V VGE = -15 / 15 V RGon = 1,2 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Abschaltverzögerungszeit,induktiveLast Turn-offdelaytime,inductiveload IC = 1000 A, VCE = 900 V VGE = -15 / 15 V RGoff = 1,8 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Fallzeit,induktiveLast Falltime,inductiveload IC = 1000 A, VCE = 900 V VGE = -15 / 15 V RGoff = 1,8 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C EinschaltverlustenergieproPuls Turn-onenergylossperpulse IC = 1000 A, VCE = 900 V, Lσ = 30 nH di/dt = 8000 A/µs (Tvj = 150°C) VGE = -15 / 15 V, RGon = 1,2 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C AbschaltverlustenergieproPuls Turn-offenergylossperpulse IC = 1000 A, VCE = 900 V, Lσ = 30 nH du/dt = 3000 V/µs (Tvj = 150°C) VGE = -15 / 15 V, RGoff = 1,8 Ω Kurzschlußverhalten SCdata VGE ≤ 15 V, VCC = 1000 V VCEmax = VCES -LsCE ·di/dt Wärmewiderstand,ChipbisKühlkörper Thermalresistance,junctiontoheatsink proIGBT/perIGBT validwithIFXpre-appliedthermalinterfacematerial TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions Datasheet VCE sat 0,55 0,60 0,60 µs µs µs 0,10 0,12 0,12 µs µs µs 1,00 1,25 1,30 µs µs µs 0,29 0,50 0,59 µs µs µs Eon 265 390 415 mJ mJ mJ Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Eoff 200 295 330 mJ mJ mJ tP ≤ 10 µs, Tvj = 150°C ISC 4000 A td on tr td off tf RthJH Tvj op 2 5,20 37,1 K/kW -40 150 °C V3.0 2018-11-26 DF1000R17IE4P Diode,Brems-Chopper/Diode,Brake-Chopper HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues PeriodischeSpitzensperrspannung Repetitivepeakreversevoltage Tvj = 25°C Dauergleichstrom ContinuousDCforwardcurrent PeriodischerSpitzenstrom Repetitivepeakforwardcurrent tP = 1 ms Grenzlastintegral I²t-value VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C Spitzenverlustleistung Maximumpowerdissipation Tvj = 150°C VRRM  1700  V IF  1000  A IFRM  2000  A I²t  140  kA²s PRQM  1000  kW CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. max. VF 1,85 1,95 1,95 2,25 2,35 2,35 IF = 1000 A, - diF/dt = 8000 A/µs (Tvj=150°C) Tvj = 25°C VR = 900 V Tvj = 125°C VGE = -15 V Tvj = 150°C IRM 1050 1200 1250 A A A Sperrverzögerungsladung Recoveredcharge IF = 1000 A, - diF/dt = 8000 A/µs (Tvj=150°C) Tvj = 25°C VR = 900 V Tvj = 125°C VGE = -15 V Tvj = 150°C Qr 245 410 480 µC µC µC AbschaltenergieproPuls Reverserecoveryenergy IF = 1000 A, - diF/dt = 8000 A/µs (Tvj=150°C) Tvj = 25°C VR = 900 V Tvj = 125°C VGE = -15 V Tvj = 150°C Erec 115 205 245 mJ mJ mJ Wärmewiderstand,ChipbisKühlkörper Thermalresistance,junctiontoheatsink proDiode/perdiode validwithIFXpre-appliedthermalinterfacematerial RthJH Durchlassspannung Forwardvoltage IF = 1000 A, VGE = 0 V IF = 1000 A, VGE = 0 V IF = 1000 A, VGE = 0 V Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Rückstromspitze Peakreverserecoverycurrent TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions Tvj op V V V 68,5 K/kW -40 150 °C NTC-Widerstand/NTC-Thermistor CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. max. Nennwiderstand Ratedresistance TNTC = 25°C AbweichungvonR100 DeviationofR100 TNTC = 100°C, R100 = 493 Ω Verlustleistung Powerdissipation TNTC = 25°C B-Wert B-value R2 = R25 exp [B25/50(1/T2 - 1/(298,15 K))] B25/50 3375 K B-Wert B-value R2 = R25 exp [B25/80(1/T2 - 1/(298,15 K))] B25/80 3411 K B-Wert B-value R2 = R25 exp [B25/100(1/T2 - 1/(298,15 K))] B25/100 3433 K R25 ∆R/R 5,00 -5 P25 kΩ 5 % 20,0 mW AngabengemäßgültigerApplicationNote. Specificationaccordingtothevalidapplicationnote. Datasheet 3 V3.0 2018-11-26 DF1000R17IE4P Modul/Module Isolations-Prüfspannung Isolationtestvoltage RMS, f = 50 Hz, t = 1 min. VISOL  4,0  kV  Cu  MaterialModulgrundplatte Materialofmodulebaseplate InnereIsolation Internalisolation Basisisolierung(Schutzklasse1,EN61140) basicinsulation(class1,IEC61140)  Al2O3  Kriechstrecke Creepagedistance Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal  33,0 33,0  mm Luftstrecke Clearance Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal  19,0 19,0  mm VergleichszahlderKriechwegbildung Comperativetrackingindex CTI  Modulstreuinduktivität Strayinductancemodule Modulleitungswiderstand,AnschlüsseChip Moduleleadresistance,terminals-chip TH=25°C,proSchalter/perswitch Lagertemperatur Storagetemperature typ. 10 nH RCC'+EE' 0,20 mΩ -40 TBPmax Anzugsdrehmomentf.Modulmontage Mountingtorqueformodulmounting SchraubeM5-Montagegem.gültigerApplikationsschrift ScrewM5-Mountingaccordingtovalidapplicationnote M Anzugsdrehmomentf.elektr.Anschlüsse Terminalconnectiontorque SchraubeM4-Montagegem.gültigerApplikationsschrift ScrewM4-Mountingaccordingtovalidapplicationnote SchraubeM8-Montagegem.gültigerApplikationsschrift ScrewM8-Mountingaccordingtovalidapplicationnote M Gewicht Weight max. LsCE Tstg Höchstzulässige Bodenplattenbetriebstemperatur Maximumbaseplateoperationtemperature  > 400 min. G 3,00 125 °C 125 °C 6,00 Nm 1,8 - 2,1 Nm 8,0 - 10 Nm 1200 g Lagerung und Transport von Modulen mit TIM: siehe AN2012-07 Storage and shipment of modules with TIM: see AN2012-07 Datasheet 4 V3.0 2018-11-26 DF1000R17IE4P AusgangskennlinieIGBT,Brems-Chopper(typisch) outputcharacteristicIGBT,Brake-Chopper(typical) IC=f(VCE) VGE=15V AusgangskennlinienfeldIGBT,Brems-Chopper(typisch) outputcharacteristicIGBT,Brake-Chopper(typical) IC=f(VCE) Tvj=150°C 2000 2000 Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C 1800 1800 1400 1400 1200 1200 IC [A] 1600 IC [A] 1600 1000 1000 800 800 600 600 400 400 200 200 0 VGE = 20V VGE = 15V VGE = 12V VGE = 10V VGE = 9V VGE = 8V 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 VCE [V] 2,5 3,0 3,5 0 4,0 ÜbertragungscharakteristikIGBT,Brems-Chopper(typisch) transfercharacteristicIGBT,Brake-Chopper(typical) IC=f(VGE) VCE=20V 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 VCE [V] 3,5 4,0 4,5 5,0 SchaltverlusteIGBT,Brems-Chopper(typisch) switchinglossesIGBT,Brake-Chopper(typical) Eon=f(IC),Eoff=f(IC) VGE=±15V,RGon=1.2Ω,RGoff=1.8Ω,VCE=900V 2000 1100 Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C 1800 Eon, Tvj = 150°C Eon, Tvj = 125°C Eoff, Tvj = 150°C Eoff, Tvj = 125°C 1000 900 1600 800 1400 700 IC [A] E [mJ] 1200 1000 600 500 800 400 600 300 400 200 200 0 100 5 Datasheet 6 7 8 9 VGE [V] 10 11 0 12 5 0 200 400 600 800 1000 1200 1400 1600 1800 2000 IC [A] V3.0 2018-11-26 DF1000R17IE4P SchaltverlusteIGBT,Brems-Chopper(typisch) switchinglossesIGBT,Brake-Chopper(typical) Eon=f(RG),Eoff=f(RG) VGE=±15V,IC=1000A,VCE=900V TransienterWärmewiderstandIGBT,Brems-Chopper transientthermalimpedanceIGBT,Brake-Chopper ZthJH=f(t) 1200 100 Eon, Tvj = 150°C Eon, Tvj = 125°C Eoff, Tvj = 150°C Eoff, Tvj = 125°C 1100 ZthJH : IGBT 1000 900 800 ZthJH [K/kW] E [mJ] 700 600 500 10 400 300 200 i: 1 2 3 4 ri[K/kW]: 2,98 10,4 15,9 7,77 τi[s]: 0,000794 0,0294 0,117 0,795 100 0 0 1 2 3 4 5 RG [Ω] 6 7 8 1 0,001 9 SichererRückw.-Arbeitsber.IGBT,Brems-Chopper(RBSOA) reversebiassafeoperatingareaIGBT,Brake-Chopper (RBSOA) IC=f(VCE) VGE=±15V,RGoff=1.8Ω,Tvj=150°C 2200 1 10 2000 Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C 1800 1800 0,1 t [s] DurchlasskennliniederDiode,Brems-Chopper(typisch) forwardcharacteristicofDiode,Brake-Chopper(typical) IF=f(VF) IC, Modul IC, Chip 2000 0,01 1600 1600 1400 1400 1200 IF [A] IC [A] 1200 1000 1000 800 800 600 600 400 400 200 200 0 0 Datasheet 200 400 600 0 800 1000 1200 1400 1600 1800 VCE [V] 6 0,0 0,5 1,0 1,5 VF [V] 2,0 2,5 3,0 V3.0 2018-11-26 DF1000R17IE4P SchaltverlusteDiode,Brems-Chopper(typisch) switchinglossesDiode,Brake-Chopper(typical) Erec=f(IF) RGon=1.2Ω,VCE=900V SchaltverlusteDiode,Brems-Chopper(typisch) switchinglossesDiode,Brake-Chopper(typical) Erec=f(RG) IF=1000A,VCE=900V 350 350 Erec, Tvj = 150°C Erec, Tvj = 125°C Erec, Tvj = 150°C Erec, Tvj = 125°C 250 250 200 200 E [mJ] 300 E [mJ] 300 150 150 100 100 50 50 0 0 0 200 400 600 800 1000 1200 1400 1600 1800 2000 IF [A] TransienterWärmewiderstandDiode,Brems-Chopper transientthermalimpedanceDiode,Brake-Chopper ZthJH=f(t) 0 1 2 3 4 5 RG [Ω] 6 7 8 9 SichererArbeitsbereichDiode,Brems-Chopper(SOA) safeoperationareaDiode,Brake-Chopper(SOA) IR=f(VR) Tvj=150°C 100 2200 ZthJH : Diode IR, Modul 2000 1800 1600 1200 IR [A] ZthJH [K/kW] 1400 10 1000 800 600 400 i: 1 2 3 4 ri[K/kW]: 4,99 21,9 30,8 10,8 τi[s]: 0,00115 0,0259 0,105 0,778 1 0,001 Datasheet 0,01 0,1 t [s] 1 200 0 10 7 0 200 400 600 800 1000 1200 1400 1600 1800 VR [V] V3.0 2018-11-26 DF1000R17IE4P NTC-Widerstand-Temperaturkennlinie(typisch) NTC-Thermistor-temperaturecharacteristic(typical) R=f(T) 100000 Rtyp R[Ω] 10000 1000 100 0 Datasheet 20 40 60 80 100 TNTC [°C] 120 140 160 8 V3.0 2018-11-26 DF1000R17IE4P Schaltplan/Circuitdiagram Gehäuseabmessungen/Packageoutlines 1 232 60 6,5 restricted area for Thermal Interface Material 36 0,2 screwing depth max. 16 (6x) 18 0,2 (4x) 22 +- 0,6 0 3 0,1 36,5 0,3 screwing depth max. 8 (7x) A 250 0,5 224 187 150 113 103 92 recommeded design height lower side PCB to baseplate 76 58 8 0,1 (7x) 25,9 0,25 + 5,5 - 00,1 0,25 A B C (10x) 0,4 A (7x) 37,7 0,25 recommeded design height B lower side bus bar to baseplate 10 25 28 0,1 5,5 39 M8 0,6 A B C (6x) 17 0,1 5,5 24,5 0,5 39 14 20 0,1 12,3 0,3 4,3 89 0,5 73 21 0,3 M4 0,6 A B C (7x) 10 21,5 0,3 1 MAX C 64 78 117 156 195 234 Datasheet 9 V3.0 2018-11-26 Trademarks Allreferencedproductorservicenamesandtrademarksarethepropertyoftheirrespectiveowners.    Edition2018-11-26 Publishedby InfineonTechnologiesAG 81726München,Germany ©2018InfineonTechnologiesAG. AllRightsReserved. Doyouhaveaquestionaboutthisdocument? Email:erratum@infineon.com   WICHTIGERHINWEIS DieindiesemDokumententhaltenenAngabenstellenkeinesfallsGarantienfürdieBeschaffenheitoderEigenschaftendesProduktes (“Beschaffenheitsgarantie“)dar.FürBeispiele,HinweiseodertypischeWerte,dieindiesemDokumententhaltensind,und/oderAngaben, diesichaufdieAnwendungdesProduktesbeziehen,istjeglicheGewährleistungundHaftungvonInfineonTechnologiesausgeschlossen, einschließlich,ohnehieraufbeschränktzusein,dieGewährdafür,dasskeingeistigesEigentumDritterverletztist. DesWeiterenstehensämtliche,indiesemDokumententhaltenenInformationen,unterdemVorbehaltderEinhaltungderindiesem DokumentfestgelegtenVerpflichtungendesKundensowieallerimHinblickaufdasProduktdesKundensowiedieNutzungdesInfineon ProduktesindenAnwendungendesKundenanwendbarengesetzlichenAnforderungen,NormenundStandardsdurchdenKunden. 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