DF160R12W2H3F_B11
EasyPACKModulmitschnellemTrench/FeldstoppHigh-Speed3IGBTundSiCDiodeundPressFIT/NTC
EasyPACKmodulewithfastTrench/FieldstopHigh-Speed3IGBTandSiCdiodeandPressFIT/NTC
J
VCES = 1200V
IC nom = 160A / ICRM = 320A
TypischeAnwendungen
• SolarAnwendungen
TypicalApplications
• Solarapplications
ElektrischeEigenschaften
• CoolSiC(TM)SchottkyDiodeGen5
• HighSpeedIGBTH3
• NiedrigeSchaltverluste
• thinQHSiCSchottky-Diode1200V
ElectricalFeatures
• CoolSiC(TM)Schottkydiodegen5
• HighspeedIGBTH3
• Lowswitchinglosses
• thinQHSiCSchottkydiode1200V
MechanischeEigenschaften
• 3kVAC1minIsolationsfestigkeit
• Al2O3 Substrat mit kleinem thermischen
Widerstand
• IntegrierterNTCTemperaturSensor
• KompaktesDesign
• PressFITVerbindungstechnik
MechanicalFeatures
• 3kVAC1mininsulation
• Al2O3substratewithlowthermalresistance
• IntegratedNTCtemperaturesensor
• Compactdesign
• PressFITcontacttechnology
ModuleLabelCode
BarcodeCode128
DMX-Code
Datasheet
www.infineon.com
ContentoftheCode
Digit
ModuleSerialNumber
ModuleMaterialNumber
ProductionOrderNumber
Datecode(ProductionYear)
Datecode(ProductionWeek)
1-5
6-11
12-19
20-21
22-23
PleasereadtheImportantNoticeandWarningsattheendofthisdocument
V3.0
2017-03-31
DF160R12W2H3F_B11
Bypass-Diode/Bypass-Diode
HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
PeriodischeSpitzensperrspannung
Repetitivepeakreversevoltage
Tvj = 25°C
VRRM
1200
V
DurchlassstromGrenzeffektivwertproChip
TH = 60°C
MaximumRMSforwardcurrentperchip
IFRMSM
50
A
GleichrichterAusgangGrenzeffektivstrom
MaximumRMScurrentatrectifieroutput
TH = 60°C
IRMSM
60
A
StoßstromGrenzwert
Surgeforwardcurrent
tp = 10 ms, Tvj = 25°C
tp = 10 ms, Tvj = 150°C
IFSM
450
360
A
A
Grenzlastintegral
I²t-value
tp = 10 ms, Tvj = 25°C
tp = 10 ms, Tvj = 150°C
I²t
1000
650
A²s
A²s
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues
min.
typ.
max.
Durchlassspannung
Forwardvoltage
Tvj = 150°C, IF = 30 A
VF
0,95
V
Sperrstrom
Reversecurrent
Tvj = 150°C, VR = 1200 V
IR
0,10
mA
Wärmewiderstand,ChipbisKühlkörper
Thermalresistance,junctiontoheatsink
proDiode/perdiode
RthJH
1,60
K/W
TemperaturimSchaltbetrieb
Temperatureunderswitchingconditions
Tvj op
-40
150
°C
VerpolschutzDiodeA/Inverse-polarityprotectiondiodeA
HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
PeriodischeSpitzensperrspannung
Repetitivepeakreversevoltage
VRRM
1200
V
DurchlassstromGrenzeffektivwertproChip
TH = 100°C
MaximumRMSforwardcurrentperchip
IFRMSM
30
A
GleichrichterAusgangGrenzeffektivstrom
MaximumRMScurrentatrectifieroutput
TH = 100°C
IRMSM
60
A
StoßstromGrenzwert
Surgeforwardcurrent
tp = 10 ms, Tvj = 25°C
tp = 10 ms, Tvj = 150°C
IFSM
290
245
A
A
Grenzlastintegral
I²t-value
tp = 10 ms, Tvj = 25°C
tp = 10 ms, Tvj = 150°C
I²t
420
300
A²s
A²s
Tvj = 25°C
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues
min.
typ.
max.
Durchlassspannung
Forwardvoltage
Tvj = 150°C, IF = 20 A
VF
1,00
V
Sperrstrom
Reversecurrent
Tvj = 150°C, VR = 1200 V
IR
0,10
mA
Wärmewiderstand,ChipbisKühlkörper
Thermalresistance,junctiontoheatsink
proDiode/perdiode
RthJH
2,35
K/W
TemperaturimSchaltbetrieb
Temperatureunderswitchingconditions
Datasheet
Tvj op
2
-40
150
°C
V3.0
2017-03-31
DF160R12W2H3F_B11
IGBT-Chopper/IGBT-Chopper
HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
Collector-emittervoltage
Tvj = 25°C
ImplementierterKollektor-Strom
Implementedcollectorcurrent
VCES
1200
V
ICN
40
A
Kollektor-Dauergleichstrom
ContinuousDCcollectorcurrent
TH = 100°C, Tvj max = 175°C
IC nom
20
A
PeriodischerKollektor-Spitzenstrom
Repetitivepeakcollectorcurrent
tP = 1 ms
ICRM
80
A
VGES
+/-20
V
Gate-Emitter-Spitzenspannung
Gate-emitterpeakvoltage
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
Collector-emittersaturationvoltage
min.
IC = 20 A, VGE = 15 V
IC = 20 A, VGE = 15 V
IC = 20 A, VGE = 15 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
VCE sat
typ.
max.
1,55
1,70
1,75
1,70
V
V
V
5,80
6,50
V
Gate-Schwellenspannung
Gatethresholdvoltage
IC = 1,00 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C
Gateladung
Gatecharge
VGE = -15 V ... +15 V
QG
0,32
µC
InternerGatewiderstand
Internalgateresistor
Tvj = 25°C
RGint
0,0
Ω
Eingangskapazität
Inputcapacitance
f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V
Cies
2,35
nF
Rückwirkungskapazität
Reversetransfercapacitance
f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V
Cres
0,13
nF
Kollektor-Emitter-Reststrom
Collector-emittercut-offcurrent
VCE = 1200 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C
ICES
1,0
mA
Gate-Emitter-Reststrom
Gate-emitterleakagecurrent
VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C
IGES
100
nA
VGEth
Einschaltverzögerungszeit,induktiveLast
Turn-ondelaytime,inductiveload
IC = 20 A, VCE = 600 V
VGE = ±15 V
RGon = 12 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Anstiegszeit,induktiveLast
Risetime,inductiveload
IC = 20 A, VCE = 600 V
VGE = ±15 V
RGon = 12 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Abschaltverzögerungszeit,induktiveLast
Turn-offdelaytime,inductiveload
IC = 20 A, VCE = 600 V
VGE = ±15 V
RGoff = 12 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Fallzeit,induktiveLast
Falltime,inductiveload
IC = 20 A, VCE = 600 V
VGE = ±15 V
RGoff = 12 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
EinschaltverlustenergieproPuls
Turn-onenergylossperpulse
IC = 20 A, VCE = 600 V, LS = 30 nH
Tvj = 25°C
VGE = ±15 V, di/dt = 1800 A/µs (Tvj = 150°C) Tvj = 125°C
RGon = 12 Ω
Tvj = 150°C
AbschaltverlustenergieproPuls
Turn-offenergylossperpulse
5,00
0,025
0,025
0,028
µs
µs
µs
0,01
0,012
0,012
µs
µs
µs
0,25
0,32
0,35
µs
µs
µs
0,016
0,023
0,025
µs
µs
µs
Eon
0,26
0,32
0,35
mJ
mJ
mJ
IC = 20 A, VCE = 600 V, LS = 30 nH
Tvj = 25°C
VGE = ±15 V, du/dt = 3000 V/µs (Tvj = 150°C) Tvj = 125°C
RGoff = 12 Ω
Tvj = 150°C
Eoff
0,80
1,20
1,40
mJ
mJ
mJ
Kurzschlußverhalten
SCdata
VGE ≤ 15 V, VCC = 800 V
VCEmax = VCES -LsCE ·di/dt
ISC
130
A
Wärmewiderstand,ChipbisKühlkörper
Thermalresistance,junctiontoheatsink
proIGBT/perIGBT
1,10
K/W
tP ≤ 10 µs, Tvj = 150°C
tr
td off
tf
RthJH
TemperaturimSchaltbetrieb
Temperatureunderswitchingconditions
Datasheet
td on
Tvj op
3
-40
150
°C
V3.0
2017-03-31
DF160R12W2H3F_B11
Diode-Chopper/Diode-Chopper
HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
PeriodischeSpitzensperrspannung
Repetitivepeakreversevoltage
VRRM
Tvj = 25°C
Dauergleichstrom
ContinuousDCforwardcurrent
PeriodischerSpitzenstrom
Repetitivepeakforwardcurrent
tP = 1 ms
Grenzlastintegral
I²t-value
VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C
1200
V
IF
15
A
IFRM
30
A
I²t
40,0
A²s
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues
min.
typ.
max.
1,75
VF
1,45
1,75
1,85
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
IRM
5,00
5,00
5,00
A
A
A
IF = 15 A, - diF/dt = 1800 A/µs (Tvj=150°C)
VR = 600 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Qr
0,15
0,25
0,25
µC
µC
µC
AbschaltenergieproPuls
Reverserecoveryenergy
IF = 15 A, - diF/dt = 1800 A/µs (Tvj=150°C)
VR = 600 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Erec
0,03
0,03
0,03
mJ
mJ
mJ
Wärmewiderstand,ChipbisKühlkörper
Thermalresistance,junctiontoheatsink
proDiode/perdiode
RthJH
1,57
K/W
Durchlassspannung
Forwardvoltage
IF = 15 A, VGE = 0 V
IF = 15 A, VGE = 0 V
IF = 15 A, VGE = 0 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Rückstromspitze
Peakreverserecoverycurrent
IF = 15 A, - diF/dt = 1800 A/µs (Tvj=150°C)
VR = 600 V
Sperrverzögerungsladung
Recoveredcharge
TemperaturimSchaltbetrieb
Temperatureunderswitchingconditions
Tvj op
-40
150
V
V
V
°C
NTC-Widerstand/NTC-Thermistor
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues
min.
typ.
max.
Nennwiderstand
Ratedresistance
TNTC = 25°C
AbweichungvonR100
DeviationofR100
TNTC = 100°C, R100 = 493 Ω
Verlustleistung
Powerdissipation
TNTC = 25°C
B-Wert
B-value
R2 = R25 exp [B25/50(1/T2 - 1/(298,15 K))]
B25/50
3375
K
B-Wert
B-value
R2 = R25 exp [B25/80(1/T2 - 1/(298,15 K))]
B25/80
3411
K
B-Wert
B-value
R2 = R25 exp [B25/100(1/T2 - 1/(298,15 K))]
B25/100
3433
K
R25
∆R/R
5,00
-5
P25
kΩ
5
%
20,0
mW
AngabengemäßgültigerApplicationNote.
Specificationaccordingtothevalidapplicationnote.
Datasheet
4
V3.0
2017-03-31
DF160R12W2H3F_B11
Modul/Module
Isolations-Prüfspannung
Isolationtestvoltage
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.
InnereIsolation
Internalisolation
Basisisolierung(Schutzklasse1,EN61140)
basicinsulation(class1,IEC61140)
Al2O3
Kriechstrecke
Creepagedistance
Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink
Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal
11,5
6,3
mm
Luftstrecke
Clearance
Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink
Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal
10,0
5,0
mm
> 200
VISOL
VergleichszahlderKriechwegbildung
Comperativetrackingindex
CTI
kV
3,0
min.
Modulstreuinduktivität
Strayinductancemodule
LsCE
Lagertemperatur
Storagetemperature
Tstg
-40
Anpresskraft für mech. Bef. pro Feder
mountig force per clamp
F
40
Gewicht
Weight
G
typ.
max.
20
36
nH
125
°C
80
N
g
Der Strom im Dauerbetrieb ist auf 25A effektiv pro Anschlusspin begrenzt
The current under continuous operation is limited to 25A rms per connector pin.
Datasheet
5
V3.0
2017-03-31
DF160R12W2H3F_B11
DurchlasskennliniederBypass-Diode(typisch)
forwardcharacteristicofBypass-Diode(typical)
IF=f(VF)
DurchlasskennliniederVerpolschutzDiodeA(typisch)
forwardcharacteristicofInverse-polarityprotectiondiodeA
(typical)
IF=f(VF)
60
40
Tvj = 25°C
Tvj = 150°C
55
Tvj = 25°C
Tvj = 150°C
35
50
45
30
40
25
IF [A]
IF [A]
35
30
20
25
15
20
15
10
10
5
5
0
0,0
0,2
0,4
0,6
VF [V]
0,8
1,0
0
1,2
AusgangskennlinieIGBT-Chopper(typisch)
outputcharacteristicIGBT-Chopper(typical)
IC=f(VCE)
VGE=15V
0,4
0,6
0,8
VF [V]
1,0
1,2
1,4
40
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
35
30
30
25
25
20
20
15
15
10
10
5
5
0,0
Datasheet
0,5
VGE = 19V
VGE = 17V
VGE = 15V
VGE = 13V
VGE = 11V
VGE = 9V
35
IC [A]
IC [A]
0,2
AusgangskennlinienfeldIGBT-Chopper(typisch)
outputcharacteristicIGBT-Chopper(typical)
IC=f(VCE)
Tvj=150°C
40
0
0,0
1,0
1,5
VCE [V]
2,0
2,5
0
3,0
6
0,0
0,5
1,0
1,5
VCE [V]
2,0
2,5
3,0
V3.0
2017-03-31
DF160R12W2H3F_B11
ÜbertragungscharakteristikIGBT-Chopper(typisch)
transfercharacteristicIGBT-Chopper(typical)
IC=f(VGE)
VCE=20V
SchaltverlusteIGBT-Chopper(typisch)
switchinglossesIGBT-Chopper(typical)
Eon=f(IC),Eoff=f(IC)
VGE=±15V,RGon=12Ω,RGoff=12Ω,VCE=600V
40
3,0
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
35
Eon, Tvj = 125°C
Eoff, Tvj = 125°C
Eon, Tvj = 150°C
Eoff, Tvj = 150°C
2,5
30
2,0
E [mJ]
IC [A]
25
20
1,5
15
1,0
10
0,5
5
0
5
6
7
8
9
10
0,0
11
0
5
10
VGE [V]
SchaltverlusteIGBT-Chopper(typisch)
switchinglossesIGBT-Chopper(typical)
Eon=f(RG),Eoff=f(RG)
VGE=±15V,IC=20A,VCE=600V
15
20
IC [V]
25
30
35
40
TransienterWärmewiderstandIGBT-Chopper
transientthermalimpedanceIGBT-Chopper
ZthJH=f(t)
3,5
10
Eon, Tvj = 125°C
Eoff, Tvj = 125°C
Eon, Tvj = 150°C
Eoff, Tvj = 150°C
3,0
ZthJH : IGBT
2,5
1
E [mJ]
ZthJH [K/W]
2,0
1,5
0,1
1,0
0,5
0,0
i:
1
2
3
4
ri[K/W]: 0,051 0,117 0,426 0,506
τi[s]:
0,0005 0,005 0,05 0,2
0
Datasheet
20
40
60
RG [Ω]
80
100
120
0,01
0,001
7
0,01
0,1
t [s]
1
10
V3.0
2017-03-31
DF160R12W2H3F_B11
SichererRückwärts-ArbeitsbereichIGBT-Chopper(RBSOA)
reversebiassafeoperatingareaIGBT-Chopper(RBSOA)
IC=f(VCE)
VGE=±15V,RGoff=12Ω,Tvj=150°C
DurchlasskennliniederDiode-Chopper(typisch)
forwardcharacteristicofDiode-Chopper(typical)
IF=f(VF)
100
30
IC, Modul
IC, Chip
27
80
24
70
21
60
18
IF [A]
IC [A]
90
50
15
40
12
30
9
20
6
10
3
0
0
200
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
400
600
800
VCE [V]
1000
1200
0
1400
SchaltverlusteDiode-Chopper(typisch)
switchinglossesDiode-Chopper(typical)
Erec=f(IF)
RGon=12Ω,VCE=600V
0,0
1,5
VF [V]
2,0
2,5
3,0
80
100
120
0,04
Erec, Tvj = 125°C
Erec, Tvj = 150°C
E [mJ]
Erec, Tvj = 125°C
Erec, Tvj = 150°C
E [mJ]
1,0
SchaltverlusteDiode-Chopper(typisch)
switchinglossesDiode-Chopper(typical)
Erec=f(RG)
IF=15A,VCE=600V
0,04
0,02
0,00
0,5
0
Datasheet
5
10
15
IF [A]
20
25
30
0,02
0,00
8
0
20
40
60
RG [Ω]
V3.0
2017-03-31
DF160R12W2H3F_B11
TransienterWärmewiderstandDiode-Chopper
transientthermalimpedanceDiode-Chopper
ZthJH=f(t)
NTC-Widerstand-Temperaturkennlinie(typisch)
NTC-Thermistor-temperaturecharacteristic(typical)
R=f(T)
10
100000
ZthJH : Diode
Rtyp
R[Ω]
ZthJH [K/W]
10000
1
1000
i:
1
2
3
4
ri[K/W]: 0,1713
0,409
0,5472 0,4425
τi[s]:
0,0007345 0,007657 0,07913 0,2711
0,1
0,001
Datasheet
0,01
0,1
t [s]
1
10
100
9
0
20
40
60
80
100
TNTC [°C]
120
140
160
V3.0
2017-03-31
DF160R12W2H3F_B11
Schaltplan/Circuitdiagram
J
Gehäuseabmessungen/Packageoutlines
In fin e o n
Datasheet
10
V3.0
2017-03-31
TrademarksofInfineonTechnologiesAG
µHVIC™,µIPM™,µPFC™,AU-ConvertIR™,AURIX™,C166™,CanPAK™,CIPOS™,CIPURSE™,CoolDP™,CoolGaN™,COOLiR™,
CoolMOS™,CoolSET™,CoolSiC™,DAVE™,DI-POL™,DirectFET™,DrBlade™,EasyPIM™,EconoBRIDGE™,EconoDUAL™,
EconoPACK™,EconoPIM™,EiceDRIVER™,eupec™,FCOS™,GaNpowIR™,HEXFET™,HITFET™,HybridPACK™,iMOTION™,
IRAM™,ISOFACE™,IsoPACK™,LEDrivIR™,LITIX™,MIPAQ™,ModSTACK™,my-d™,NovalithIC™,OPTIGA™,OptiMOS™,
ORIGA™,PowIRaudio™,PowIRStage™,PrimePACK™,PrimeSTACK™,PROFET™,PRO-SIL™,RASIC™,REAL3™,SmartLEWIS™,
SOLIDFLASH™,SPOC™,StrongIRFET™,SupIRBuck™,TEMPFET™,TRENCHSTOP™,TriCore™,UHVIC™,XHP™,XMC™
TrademarksupdatedNovember2015
OtherTrademarks
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Edition2017-03-31
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