FS50R12W2T7_B11
EasyPACK™ModulmitTRENCHSTOP™IGBT7undEmitterControlled7DiodeundPressFIT/NTC
EasyPACK™modulewithTRENCHSTOP™IGBT7andEmitterControlled7diodeandPressFIT/NTC
VorläufigeDaten/PreliminaryData
J
VCES = 1200V
IC nom = 50A / ICRM = 100A
PotentielleAnwendungen
• Hilfsumrichter
• Klimaanlagen
• Motorantriebe
• Servoumrichter
• USV-Systeme
PotentialApplications
• Auxiliaryinverters
• Airconditioning
• Motordrives
• Servodrives
• UPSsystems
ElektrischeEigenschaften
• NiedrigesVCEsat
• TrenchstopTMIGBT7
• Überlastbetriebbiszu175°C
ElectricalFeatures
• LowVCEsat
• TrenchstopTMIGBT7
• Overloadoperationupto175°C
MechanischeEigenschaften
• 2,5kVAC1minIsolationsfestigkeit
• Al2O3 Substrat mit kleinem thermischen
Widerstand
• HoheLeistungsdichte
• KompaktesDesign
• PressFITVerbindungstechnik
MechanicalFeatures
• 2.5kVAC1mininsulation
• Al2O3substratewithlowthermalresistance
• Highpowerdensity
• Compactdesign
• PressFITcontacttechnology
ModuleLabelCode
BarcodeCode128
DMX-Code
Datasheet
www.infineon.com
ContentoftheCode
Digit
ModuleSerialNumber
ModuleMaterialNumber
ProductionOrderNumber
Datecode(ProductionYear)
Datecode(ProductionWeek)
1-5
6-11
12-19
20-21
22-23
PleasereadtheImportantNoticeandWarningsattheendofthisdocument
V2.0
2019-12-13
FS50R12W2T7_B11
VorläufigeDaten
PreliminaryData
IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter
HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
Collector-emittervoltage
Tvj = 25°C
VCES
1200
V
Kollektor-Dauergleichstrom
ContinuousDCcollectorcurrent
TH = 65°C, Tvj max = 175°C
ICDC
50
A
PeriodischerKollektor-Spitzenstrom
Repetitivepeakcollectorcurrent
tP = 1 ms
ICRM
100
A
VGES
+/-20
V
Gate-Emitter-Spitzenspannung
Gate-emitterpeakvoltage
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues
min.
typ.
max.
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
Collector-emittersaturationvoltage
IC = 50 A
VGE = 15 V
Gate-Schwellenspannung
Gatethresholdvoltage
IC = 1,28 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C
Gateladung
Gatecharge
VGE = -15 / 15 V, VCE = 600 V
QG
0,92
µC
InternerGatewiderstand
Internalgateresistor
Tvj = 25°C
RGint
0,0
Ω
Eingangskapazität
Inputcapacitance
f = 100 kHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V
Cies
11,1
nF
Rückwirkungskapazität
Reversetransfercapacitance
f = 100 kHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V
Cres
0,039
nF
Kollektor-Emitter-Reststrom
Collector-emittercut-offcurrent
VCE = 1200 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C
ICES
Gate-Emitter-Reststrom
Gate-emitterleakagecurrent
VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C
IGES
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 175°C
VGEth
Einschaltverzögerungszeit,induktiveLast
Turn-ondelaytime,inductiveload
IC = 50 A, VCE = 600 V
VGE = -15 / 15 V
RGon = 5,1 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 175°C
Anstiegszeit,induktiveLast
Risetime,inductiveload
IC = 50 A, VCE = 600 V
VGE = -15 / 15 V
RGon = 5,1 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 175°C
Abschaltverzögerungszeit,induktiveLast
Turn-offdelaytime,inductiveload
IC = 50 A, VCE = 600 V
VGE = -15 / 15 V
RGoff = 5,1 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 175°C
Fallzeit,induktiveLast
Falltime,inductiveload
IC = 50 A, VCE = 600 V
VGE = -15 / 15 V
RGoff = 5,1 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 175°C
EinschaltverlustenergieproPuls
Turn-onenergylossperpulse
IC = 50 A, VCE = 600 V, Lσ = 35 nH
di/dt = 1650 A/µs (Tvj = 175°C)
VGE = -15 / 15 V, RGon = 5,1 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 175°C
AbschaltverlustenergieproPuls
Turn-offenergylossperpulse
IC = 50 A, VCE = 600 V, Lσ = 35 nH
du/dt = 2900 V/µs (Tvj = 175°C)
VGE = -15 / 15 V, RGoff = 5,1 Ω
Kurzschlußverhalten
SCdata
VGE ≤ 15 V, VCC = 800 V
VCEmax = VCES -LsCE ·di/dt
Wärmewiderstand,ChipbisKühlkörper
Thermalresistance,junctiontoheatsink
proIGBT/perIGBT
TemperaturimSchaltbetrieb
Temperatureunderswitchingconditions
Datasheet
VCE sat
V
V
V
5,80
V
6,45
0,0079 mA
100
nA
0,0183
0,0298
0,035
µs
µs
µs
0,0213
0,024
0,025
µs
µs
µs
0,27
0,325
0,36
µs
µs
µs
0,12
0,187
0,264
µs
µs
µs
Eon
2,41
4,30
5,45
mJ
mJ
mJ
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 175°C
Eoff
1,90
4,72
6,12
mJ
mJ
mJ
tP ≤ 8 µs, Tvj = 150°C
tP ≤ 7 µs, Tvj = 175°C
ISC
190
180
A
A
RthJH
0,955
K/W
td on
tr
td off
tf
Tvj op
2
5,15
1,50 t.b.d.
1,64
1,72
-40
175
°C
V2.0
2019-12-13
FS50R12W2T7_B11
VorläufigeDaten
PreliminaryData
Diode,Wechselrichter/Diode,Inverter
HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
PeriodischeSpitzensperrspannung
Repetitivepeakreversevoltage
VRRM
Tvj = 25°C
Dauergleichstrom
ContinuousDCforwardcurrent
PeriodischerSpitzenstrom
Repetitivepeakforwardcurrent
tP = 1 ms
Grenzlastintegral
I²t-value
VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C
VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 175°C
50
A
IFRM
100
A
I²t
300
250
min.
IF = 50 A, VGE = 0 V
IF = 50 A, VGE = 0 V
IF = 50 A, VGE = 0 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 175°C
Rückstromspitze
Peakreverserecoverycurrent
IF = 50 A, - diF/dt = 1650 A/µs (Tvj=175°C)
VR = 600 V
VGE = -15 V
Sperrverzögerungsladung
Recoveredcharge
AbschaltenergieproPuls
Reverserecoveryenergy
Wärmewiderstand,ChipbisKühlkörper
Thermalresistance,junctiontoheatsink
V
IF
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues
Durchlassspannung
Forwardvoltage
1200
typ.
A²s
A²s
max.
VF
1,72 t.b.d.
1,59
1,52
V
V
V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 175°C
IRM
42,5
53,0
60,5
A
A
A
IF = 50 A, - diF/dt = 1650 A/µs (Tvj=175°C)
VR = 600 V
VGE = -15 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 175°C
Qr
3,74
8,19
10,4
µC
µC
µC
IF = 50 A, - diF/dt = 1650 A/µs (Tvj=175°C)
VR = 600 V
VGE = -15 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 175°C
Erec
1,72
3,06
3,73
mJ
mJ
mJ
RthJH
1,22
K/W
proDiode/perdiode
TemperaturimSchaltbetrieb
Temperatureunderswitchingconditions
Tvj op
-40
175
°C
NTC-Widerstand/NTC-Thermistor
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues
min.
typ.
max.
Nennwiderstand
Ratedresistance
TNTC = 25°C
AbweichungvonR100
DeviationofR100
TNTC = 100°C, R100 = 493 Ω
Verlustleistung
Powerdissipation
TNTC = 25°C
B-Wert
B-value
R2 = R25 exp [B25/50(1/T2 - 1/(298,15 K))]
B25/50
3375
K
B-Wert
B-value
R2 = R25 exp [B25/80(1/T2 - 1/(298,15 K))]
B25/80
3411
K
B-Wert
B-value
R2 = R25 exp [B25/100(1/T2 - 1/(298,15 K))]
B25/100
3433
K
R25
∆R/R
5,00
-5
P25
kΩ
5
%
20,0
mW
AngabengemäßgültigerApplicationNote.
Specificationaccordingtothevalidapplicationnote.
Datasheet
3
V2.0
2019-12-13
FS50R12W2T7_B11
VorläufigeDaten
PreliminaryData
Modul/Module
Isolations-Prüfspannung
Isolationtestvoltage
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.
InnereIsolation
Internalisolation
Basisisolierung(Schutzklasse1,EN61140)
basicinsulation(class1,IEC61140)
Al2O3
Kriechstrecke
Creepagedistance
Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink
Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal
11,5
6,3
mm
Luftstrecke
Clearance
Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink
Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal
10,0
5,0
mm
CTI
> 200
RTI
VISOL
VergleichszahlderKriechwegbildung
Comperativetrackingindex
RelativerTemperaturindex(elektr.)
RTIElec.
Gehäuse
housing
Modulleitungswiderstand,AnschlüsseChip
Moduleleadresistance,terminals-chip
TH=25°C,proSchalter/perswitch
Lagertemperatur
Storagetemperature
°C
140
min.
Modulstreuinduktivität
Strayinductancemodule
kV
2,5
typ.
max.
LsCE
40
nH
RCC'+EE'
4,00
mΩ
Tstg
-40
Anpresskraft für mech. Bef. pro Feder
mountig force per clamp
F
40
Gewicht
Weight
G
39
125
°C
80
N
g
Der Strom im Dauerbetrieb ist auf 25 A effektiv pro Anschlusspin begrenzt.
The current under continuous operation is limited to 25 A rms per connector pin.
Tvj op > 150°C ist im Überlastbetrieb zulässig. Detaillierte Angaben sind AN 2018-14 zu entnehmen.
Tvj op > 150°C is allowed for operation at overload conditions. For detailed specifications, please refer to AN 2018-14.
Datasheet
4
V2.0
2019-12-13
FS50R12W2T7_B11
VorläufigeDaten
PreliminaryData
AusgangskennlinieIGBT,Wechselrichter(typisch)
outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical)
IC=f(VCE)
VGE=15V
AusgangskennlinienfeldIGBT,Wechselrichter(typisch)
outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical)
IC=f(VCE)
Tvj=175°C
100
100
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 175°C
VGE = 19V
VGE = 17V
VGE = 15V
VGE = 13V
VGE = 11V
VGE = 9V
75
IC [A]
IC [A]
75
50
50
25
0
25
0,0
0,5
1,0
1,5
VCE [V]
2,0
2,5
0
3,0
ÜbertragungscharakteristikIGBT,Wechselrichter(typisch)
transfercharacteristicIGBT,Inverter(typical)
IC=f(VGE)
VCE=20V
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
2,5 3,0
VCE [V]
3,5
4,0
4,5
5,0
80
90
100
SchaltverlusteIGBT,Wechselrichter(typisch)
switchinglossesIGBT,Inverter(typical)
Eon=f(IC),Eoff=f(IC)
VGE=±15V,RGon=5.1Ω,RGoff=5.1Ω,VCE=600V
100
14
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 175°C
Eon, Tvj = 125°C
Eon, Tvj = 175°C
Eoff, Tvj = 125°C
Eoff, Tvj = 175°C
12
75
10
E [mJ]
IC [A]
8
50
6
4
25
2
0
5
Datasheet
6
7
8
9
VGE [V]
10
11
12
0
13
5
0
10
20
30
40
50 60
IC [A]
70
V2.0
2019-12-13
FS50R12W2T7_B11
VorläufigeDaten
PreliminaryData
SchaltverlusteIGBT,Wechselrichter(typisch)
switchinglossesIGBT,Inverter(typical)
Eon=f(RG),Eoff=f(RG)
VGE=±15V,IC=50A,VCE=600V
SchaltzeitenIGBT,Wechselrichter(typisch)
switchingtimesIGBT,Inverter(typical)
tdon=f(IC),tr=f(IC),tdoff=f(IC),tf=f(IC)
VGE=±15V,RGon=5.1Ω,RGoff=5.1Ω,VCE=600V,Tvj=175°C
40
10
Eon, Tvj = 125°C
Eon, Tvj = 175°C
Eoff, Tvj = 125°C
Eoff, Tvj = 175°C
35
tdon
tr
tdoff
tf
30
1
t [µs]
E [mJ]
25
20
0,1
15
10
0,01
5
0
0
5
10
15
20
25 30
RG [Ω]
35
40
45
50
55
SchaltzeitenIGBT,Wechselrichter(typisch)
switchingtimesIGBT,Inverter(typical)
tdon=f(RG),tr=f(RG),tdoff=f(RG),tf=f(RG)
VGE=±15V,IC=50A,VCE=600V,Tvj=175°C
0,001
0
10
20
30
40
50 60
IC [A]
70
80
90
100
50
55
dv/dtIGBT,Wechselrichter(typisch)
dv/dtIGBT,Inverter(typical)
dv/dt=f(RG)
VGE=±15V,IC=50A,VCE=600V,Tvj=25°C
10
12
tdon
tr
tdoff
tf
dv/dt-on at 1/10 × Ic
dv/dt-off at Ic
10
8
t [µs]
dv/dt [V/ns]
1
6
0,1
4
2
0,01
0
Datasheet
5
10
15
20
25 30
RG [Ω]
35
40
45
50
0
55
6
0
5
10
15
20
25 30 35
RG [Ohm]
40
45
V2.0
2019-12-13
FS50R12W2T7_B11
VorläufigeDaten
PreliminaryData
TransienterWärmewiderstandIGBT,Wechselrichter
transientthermalimpedanceIGBT,Inverter
ZthJH=f(t)
SichererRückwärts-ArbeitsbereichIGBT,Wechselrichter
(RBSOA)
reversebiassafeoperatingareaIGBT,Inverter(RBSOA)
IC=f(VCE)
VGE=±15V,RGoff=5.1Ω,Tvj=175°C
125
10
ZthJH : IGBT
IC, Modul
IC, Chip
100
1
IC [A]
ZthJH [K/W]
75
50
0,1
25
i:
1
2
3
4
ri[K/W]: 0,034
0,102 0,208 0,611
τi[s]:
0,000582 0,0092 0,0512 0,23
0,01
0,001
0,01
0,1
t [s]
1
0
10
KapazitätsCharakteristikIGBT,Wechselrichter(typisch)
capacitycharacteristicIGBT,Inverter(typical)
C=f(VCE)
VGE=0V,Tvj=25°C,f=100kHz
0
200
1000
1200
1400
15
Cies
Coes
Cres
VCE = 600 V
100
10
10
5
VGE [V]
C [nF]
600
800
VCE [V]
GateladungsCharakteristikIGBT,Wechselrichter(typisch)
gatechargecharacteristicIGBT,Inverter(typical)
VGE=f(QG)
IC=50A,Tvj=25°C
1000
1
0
0,1
-5
0,01
-10
0,001
400
0
Datasheet
10
20
30
40
50 60
VCE [V]
70
80
90
100
-15
7
0,0
0,1
0,2
0,3
0,4
0,5 0,6
QG [µC]
0,7
0,8
0,9
1,0
V2.0
2019-12-13
FS50R12W2T7_B11
VorläufigeDaten
PreliminaryData
DurchlasskennliniederDiode,Wechselrichter(typisch)
forwardcharacteristicofDiode,Inverter(typical)
IF=f(VF)
SchaltverlusteDiode,Wechselrichter(typisch)
switchinglossesDiode,Inverter(typical)
Erec=f(IF)
RGon=5.1Ω,VCE=600V
100
6
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 175°C
Erec, Tvj = 125°C
Erec, Tvj = 175°C
5
75
E [mJ]
IF [A]
4
50
3
2
25
1
0
0,00
0,50
1,00
1,50
2,00
0
2,50
0
10
20
30
VF [V]
SchaltverlusteDiode,Wechselrichter(typisch)
switchinglossesDiode,Inverter(typical)
Erec=f(RG)
IF=50A,VCE=600V
40
50 60
IF [A]
70
80
90
100
TransienterWärmewiderstandDiode,Wechselrichter
transientthermalimpedanceDiode,Inverter
ZthJH=f(t)
5
10
Erec, Tvj = 125°C
Erec, Tvj = 175°C
ZthJH : Diode
4
1
E [mJ]
ZthJH [K/W]
3
2
0,1
1
i:
1
2
3
4
ri[K/W]: 0,065
0,2
0,586 0,369
τi[s]:
0,00051 0,0078 0,195 0,47
0
0
Datasheet
5
10
15
20
25 30
RG [Ω]
35
40
45
50
55
0,01
0,001
8
0,01
0,1
t [s]
1
10
V2.0
2019-12-13
FS50R12W2T7_B11
VorläufigeDaten
PreliminaryData
NTC-Widerstand-Temperaturkennlinie(typisch)
NTC-Thermistor-temperaturecharacteristic(typical)
R=f(TNTC)
100000
R[Ω]
10000
1000
100
10
0
Datasheet
25
50
75
100
TNTC [°C]
125
150
175
9
V2.0
2019-12-13
FS50R12W2T7_B11
VorläufigeDaten
PreliminaryData
Schaltplan/Circuitdiagram
J
Gehäuseabmessungen/Packageoutlines
In fin e o n
Datasheet
10
V2.0
2019-12-13
Trademarks
Allreferencedproductorservicenamesandtrademarksarethepropertyoftheirrespectiveowners.
Edition2019-12-13
Publishedby
InfineonTechnologiesAG
81726München,Germany
©2019InfineonTechnologiesAG.
AllRightsReserved.
Doyouhaveaquestionaboutthisdocument?
Email:erratum@infineon.com
WICHTIGERHINWEIS
DieindiesemDokumententhaltenenAngabenstellenkeinesfallsGarantienfürdieBeschaffenheitoderEigenschaftendesProduktes
(“Beschaffenheitsgarantie“)dar.FürBeispiele,HinweiseodertypischeWerte,dieindiesemDokumententhaltensind,und/oderAngaben,
diesichaufdieAnwendungdesProduktesbeziehen,istjeglicheGewährleistungundHaftungvonInfineonTechnologiesausgeschlossen,
einschließlich,ohnehieraufbeschränktzusein,dieGewährdafür,dasskeingeistigesEigentumDritterverletztist.
DesWeiterenstehensämtliche,indiesemDokumententhaltenenInformationen,unterdemVorbehaltderEinhaltungderindiesem
DokumentfestgelegtenVerpflichtungendesKundensowieallerimHinblickaufdasProduktdesKundensowiedieNutzungdesInfineon
ProduktesindenAnwendungendesKundenanwendbarengesetzlichenAnforderungen,NormenundStandardsdurchdenKunden.
DieindiesemDokumententhaltenenDatensindausschließlichfürtechnischgeschultesFachpersonalbestimmt.DieBeurteilungder
EignungdiesesProduktesfürdiebeabsichtigteAnwendungsowiedieBeurteilungderVollständigkeitderindiesemDokumententhaltenen
ProduktdatenfürdieseAnwendungobliegtdentechnischenFachabteilungendesKunden.
SolltenSievonunsweitereInformationenimZusammenhangmitdemProdukt,derTechnologie,Lieferbedingungenbzw.Preisen
benötigen,wendenSiesichbitteandasnächsteVertriebsbürovonInfineonTechnologies(www.infineon.com).
WARNHINWEIS
AufgrunddertechnischenAnforderungenkönnenProduktegesundheitsgefährdendeSubstanzenenthalten.BeiFragenzudenindiesem
ProduktenthaltenenSubstanzen,setzenSiesichbittemitdemnächstenVertriebsbürovonInfineonTechnologiesinVerbindung.
SofernInfineonTechnologiesnichtausdrücklichineinemschriftlichen,vonvertretungsberechtigtenInfineonMitarbeiternunterzeichneten
Dokumentzugestimmthat,dürfenProduktevonInfineonTechnologiesnichtinAnwendungeneingesetztwerden,inwelchen
vernünftigerweiseerwartetwerdenkann,dasseinFehlerdesProduktesoderdieFolgenderNutzungdesProdukteszu
Personenverletzungenführen.
IMPORTANTNOTICE
Theinformationgiveninthisdocumentshallinnoeventberegardedasaguaranteeofconditionsorcharacteristics
(“Beschaffenheitsgarantie”).Withrespecttoanyexamples,hintsoranytypicalvaluesstatedhereinand/oranyinformationregardingthe
applicationoftheproduct,InfineonTechnologiesherebydisclaimsanyandallwarrantiesandliabilitiesofanykind,includingwithout
limitationwarrantiesofnon-infringementofintellectualpropertyrightsofanythirdparty.
Inaddition,anyinformationgiveninthisdocumentissubjecttocustomer’scompliancewithitsobligationsstatedinthisdocumentandany
applicablelegalrequirements,normsandstandardsconcerningcustomer’sproductsandanyuseoftheproductofInfineonTechnologies
incustomer’sapplications.
Thedatacontainedinthisdocumentisexclusivelyintendedfortechnicallytrainedstaff.Itistheresponsibilityofcustomer’stechnical
departmentstoevaluatethesuitabilityoftheproductfortheintendedapplicationandthecompletenessoftheproductinformationgivenin
thisdocumentwithrespecttosuchapplication.
Forfurtherinformationontheproduct,technology,deliverytermsandconditionsandpricespleasecontactyournearestInfineon
Technologiesoffice(www.infineon.com).
WARNINGS
Duetotechnicalrequirementsproductsmaycontaindangeroussubstances.Forinformationonthetypesinquestionpleasecontactyour
nearestInfineonTechnologiesoffice.
ExceptasotherwiseexplicitlyapprovedbyInfineonTechnologiesinawrittendocumentsignedbyauthorizedrepresentativesofInfineon
Technologies,InfineonTechnologies’productsmaynotbeusedinanyapplicationswhereafailureoftheproductoranyconsequencesof
theusethereofcanreasonablybeexpectedtoresultinpersonalinjury.
工商网监
湘ICP备2023018690号
