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GJSBL630-660CT

GJSBL630-660CT

  • 厂商:

    GTM

  • 封装:

  • 描述:

    GJSBL630-660CT - SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS - GTM CORPORATION

  • 详情介绍
  • 数据手册
  • 价格&库存
GJSBL630-660CT 数据手册
ISSUED DATE :2006/05/11 REVISED DATE : G J S B L 6 3 0 CT ~ 6 6 0 C T SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS R E V E R S E V O L T A G E 3 0 V T O 6 0 V, C U R R E N T 6 A The GJSBL630CT~660CT are designed for use in low voltage, high frequency inverters, free wheeling and polarity protection applications. Description Features & Guard ring for transient protection &Low power loss, high efficiency &High current capability, low VF &High surge capacity Package Dimensions TO-252 REF. A B C D E F S Millimeter Min. Max. 6.40 6.80 5.20 5.50 6.80 7.20 2.40 3.00 2.30 REF. 0.70 0.90 0.60 0.90 REF. G H J K L M R Millimeter Min. Max. 0.50 0.70 2.20 2.40 0.45 0.55 0 0.15 0.90 1.50 5.40 5.80 0.80 1.20 Maximum Ratings and Electrical Characteristics at Ta=25 : Parameters Max. Recurrent Peak Reverse Voltage Max. RMS Voltage Max. DC Blocking Voltage Max. Average Forward @TC=95 : Rectified Current (See Fig.1) Peak Surge Forward Current 8.3ms single half sine-wave superimposed on rated load (JEDEC METHOD) unless otherwise specified. Single phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load. For capacitive load, derate current by 20% Symbol VRRM VRMS VDC I(AV) IFSM VF IR R JC Tj Tstg Ratings GJSBL 630CT GJSBL 635CT GJSBL 640CT GJSBL 645CT GJSBL 650CT GJSBL 660CT Unit V V V V A A 0.7 V mA : /W : : 50 35 50 60 42 60 30 21 30 35 24.5 35 40 28 40 6 75 45 31.5 45 Max. Forward Voltage @ 3A (Note 1) Max. DC Reverse Current @TJ=25 : At Rated DC Blocking Voltage @TJ=100 : Typical Thermal Resistance @TC=25 : (Note2) 0.55 0.5 50 20 -55 ~ +125 -55 ~ +150 Operating Temperature Range Storage Temperature Range N otes: 1. 300us Pulse Width, 2% Duty Cycle. 2. Thermal Resistance Junction to Case. GJSBL630CT~660CT Page: 1/2 ISSUED DATE :2006/05/11 REVISED DATE : Characteristics Curve Important Notice: All rights are reserved. Reproduction in whole or in part is prohibited without the prior written approval of GTM. GTM reserves the right to make changes to its products without notice. GTM semiconductor products are not warranted to be suitable for use in life-support Applications, or systems. GTM assumes no liability for any consequence of customer product design, infringement of patents, or application assistance. Head Office And Factory: Taiwan: No. 17-1 Tatung Rd. Fu Kou Hsin-Chu Industrial Park, Hsin-Chu, Taiwan, R. O. C. TEL : 886-3-597-7061 FAX : 886-3-597-9220, 597-0785 China: (201203) No.255, Jang-Jiang Tsai-Lueng RD. , Pu-Dung-Hsin District, Shang-Hai City, China TEL : 86-21-5895-7671 ~ 4 FAX : 86-21-38950165 GJSBL630CT~660CT Page: 2/2
GJSBL630-660CT
1. 物料型号:GJSBL630CT~660CT

2. 器件简介: - 这些器件被设计用于低电压、高频逆变器、自由轮询和极性保护应用。 - 特点包括:瞬态保护的防护环、低功耗高效率、高电流能力低VF(正向电压)、高浪涌能力。

3. 引脚分配:PDF中提供了封装尺寸的图示和表格,表格中列出了不同引脚的最小和最大尺寸(单位:毫米)。

4. 参数特性: - 最大重复峰值反向电压(VRRM):30V至60V不等,根据型号不同。 - 最大RMS电压(VRMS):21V至42V不等,根据型号不同。 - 最大直流阻断电压(VDc):30V至60V不等,根据型号不同。 - 最大平均正向整流电流(AV):6A。 - 峰值浪涌正向电流(IFSM):75A。 - 最大正向电压@3A(VF):0.55V至0.7V不等,根据型号不同。 - 最大直流反向电流@T=25°C(IR):0.5mA至50mA不等,根据型号不同。 - 典型热阻(ReJc):20°C/W。 - 工作温度范围(Tj):-55°C至+125°C。 - 存储温度范围(Tstg):-55°C至+150°C。

5. 功能详解:PDF中提供了特性曲线图,包括正向电流降额曲线、最大非重复浪涌电流、典型反向特性和典型瞬时正向特性等。

6. 应用信息:适用于低电压、高频逆变器、自由轮询和极性保护应用。

7. 封装信息:PDF中提供了封装尺寸的详细图表和参数,有助于理解器件的物理尺寸和引脚布局。
GJSBL630-660CT 价格&库存

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