1. 物料型号：BDY25，是由INCHANGE Semiconductor生产的NPN功率晶体管。
2. 器件简介：
- 该器件为硅NPN功率晶体管。
- 集电极-发射极击穿电压：$V_{(BR)CEO}=140V$（最小值）。
- 集电极-发射极饱和电压：$V_{CE(sat)}=0.6V$（最大值，@$I_C=2A$）。
- 具有高速开关特性。
3. 引脚分配：
- 1.BASE（基极）
- 2.EMITTER（发射极）
- 3.COLLECTOR（集电极）
4. 参数特性：
- 最大集电极-基极电压：$VCBO=200V$。
- 最大集电极-发射极电压：$VCEO=140V$。
- 最大发射极-基极电压：$VEBO=10V$。
- 连续集电极电流：$IC=6A$。
- 基极电流：$IB=3A$。
- 集电极功率耗散@TC=25℃：87.5W。
- 热结温：$TJ=200℃$。
- 储存温度范围：$Tstg=-65℃$至$200℃$。
5. 功能详解：
- 设计用于低频信号功率放大应用。
- 具有高速开关特性，具体开关时间参数如下：
- 打开时间（$ton$）：0.5us（@$Ic=5A; IB1=1A$）。
- 关闭时间（$toff$）：2.0us（@$Ic=5A; IB1=1A; IB2=-0.5A$）。
6. 应用信息：
- 用于低频信号功率放大器应用。
7. 封装信息：
- 封装类型：TO-3。
- 封装尺寸参数如下：
- A：25.30|26.67mm。
- B：0.90|1.10mm。
- D：7.80|8.30mm。
- G：10.92mm。
- H：11.40|13.50mm。
- U：30.00|4.00mm。
