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创作活动
FJ3303010L

FJ3303010L

  • 厂商:

    NAIS(松下)

  • 封装:

    SSSMini3-F2

  • 描述:

    MOSFET P-CH 30V 100MA SSSMINI3

  • 详情介绍
  • 数据手册
  • 价格&库存
FJ3303010L 数据手册
FJ3303010L
1. 物料型号:松下FJ3303010L,现在由新唐科技(Nuvoton Technology Corporation Japan,简称NTCJ)生产。

2. 器件简介:FJ3303010L是一款用于开关应用的硅P沟道MOSFET,采用SSSMini3型封装。

3. 引脚分配:1. Gate(栅极),2. Source(源极),3. Drain(漏极)。

4. 参数特性: - 绝对最大额定值:包括漏源电压、栅源电压、漏电流、脉冲漏电流、总功耗、通道温度、工作环境温度和存储温度。 - 电气特性:包括漏源击穿电压、漏源截止电流、栅源截止电流、栅阈值电压、漏源导通电阻、正向传输导纳、输入电容、输出电容、反向传输电容、导通时间和关断时间。

5. 功能详解:提供了器件的电气特性表和图形,包括漏源电压与漏电流的关系图、漏源导通电阻与栅源电压的关系图、电容与栅源电压的关系图等。

6. 应用信息:文档提到产品适用于一般应用,如办公设备、通信设备、测量仪器和家用电器。对于特殊应用,如汽车设备、飞机、航空、汽车设备、交通信号设备、燃烧设备、医疗设备和安全装置,需要与销售团队咨询,并单独交换使用条款。

7. 封装信息:提供了SSSMini3-F2-B封装的尺寸信息和参考图案。

8. 注意事项:文档最后强调了使用技术信息和半导体时需要特别注意的事项,包括出口法规遵守、知识产权、产品规格变更通知、设计时的绝对最大额定值和保证操作条件的遵守、使用说明的遵守等。
FJ3303010L 价格&库存

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