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创作活动
FK3303010L

FK3303010L

  • 厂商:

    NAIS(松下)

  • 封装:

    SSSMini3-F2

  • 描述:

    MOSFET N-CH 30V 100MA SSSMINI3

  • 详情介绍
  • 数据手册
  • 价格&库存
FK3303010L 数据手册
FK3303010L
物料型号: - 型号:FK3303010L - 制造商:Panasonic(文档中提到,应将“Panasonic”替换为“Nuvoton Technology Corporation Japan”,即NTCJ)

器件简介: - 描述:硅N沟道MOSFET,用于开关FK350301,封装类型为SSSMini3。 - 特点:低驱动电压(2.5V驱动)、无卤素/符合RoHS标准。

引脚分配: - 1. Gate(栅极) - 2. Source(源极) - 3. Drain(漏极)

参数特性: - 绝对最大额定值: - 漏极-源极电压(VDSS):30V - 栅极-源极电压(VGSS):+12V - 漏极电流(ID):100mA - 脉冲漏极电流(IDp):200mA - 总功耗(PD):100mW - 通道温度(Tch):150℃ - 工作环境温度(Topr):-40至+85℃ - 存储温度(Tstg):-55至+150℃

功能详解: - 电气特性(在25±3℃下): - 漏极-源极击穿电压(VDSS):最小30V - 漏极-源极截止电流(IDSS):最大1.0μA - 栅极-源极截止电流(IGSS):最大+10μA - 栅极阈值电压(VTH):0.5至1.5V - 漏极-源极导通电阻(RDS(on)):在2.5V驱动下,最小3Ω,典型值6Ω;在4.0V驱动下,最小2Ω,典型值3Ω - 正向传输导纳(Yfs):20至55mS - 输入电容(Ciss):12pF - 输出电容(Coss):7pF - 反向传输电容(Crss):3pF - 导通时间(ton):100ns - 关断时间(toff):100ns

应用信息: - 应用领域:一般应用(如办公设备、通信设备、测量仪器和家用电器),或文档中明确指出的特定应用。 - 特殊应用(如汽车设备、飞机、航空、汽车设备、交通信号设备、燃烧设备、医疗设备和安全设备)需要与销售团队提前咨询,并单独交换使用条款文件。

封装信息: - 封装类型:SSSMini3-F2-B - 封装代码:SOT-723 - 封装尺寸:单位为毫米,具体尺寸在文档中有详细描述。
FK3303010L 价格&库存

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