FAN3227TMX

 2A 、  FAN3226, FAN3227, FAN3228, FAN3229  FAN3226−29列双2A栅极动器在 开 内提峰电流 冲，动开应用N沟增 强MOSFET。动器可提TTL或CMOS 。内电 可出持电平状态，到电源电压 工 围， 提欠压功。此外，此动器在A和B 提匹内播延，用 求具有格时双! 动应用，如同步整流器。"样可并#动器，有效 地动单MOSFET电流力增加。 FAN322X动器内$用最%出&MillerDrivet架构。 "双极MOSFET'合可在MOSFET开/()勒平台效 应电场&期 提电流，最大*度地减少开损+，同时 提,到,电压摆幅和反向电流力。 FAN3226有反-动器，FAN3227有同- 动器。每器.具有双独/引0，如果未1接 2，34“开启”。在FAN3228和FAN3229，各具 有极性-反双 ，5用6 可7 功$同-或反-。如果或 8均未1接， 则内电9$ 8，将出8拉:电平，持 功率MOSFET断。 www.onsemi.cn 8 • • • • • • • May, 2020 − Rev. 0 $Y&Z&2&K FAN 322xx WDFN8 $Y &Z &2 &K = ON Semiconductor Logo = Assembly Location = Data Code (Year & Week) = Lot Code 8 !;标准引0排列 4.5V到18V工 电压围 3A峰灌电流/源电流，$品，够提TTL 和 CMOS> 。在FAN322xT列， K L合M!标准，TTLNOK&PVDD 电压， 有Q0.4V滞洄电压。"'电平 8 可由列 NO电平动，(2 V电压 RNO电平。TTL 动)号应有快S"升 沿和#A沿，爬升率6V/ms或更快，所，0到 0.3V"升时 应550ns或更 。D换S率T 时，电噪声导U动电压V滞环电压，并再次 W发动器 ，引X工 *Y定。 在FAN322xC列，NO &PVDD 电平，并当VDD12V时，NO"升沿Q VDD 55%，NO#A沿QVDD 38%。 CMOS $提Q17%VDD 大小滞 洄电压。如果在Z得到[好\合和旁技 术，够]止噪声^坏 电压滞环_口，则CMOS  可用T慢沿(接`流)。"样就容5 ab+控制)号和动器IN引0 RC电 ，cd$定时 。动器IN引0"慢S"升 沿将在控制)号和动器出引0 引 延 时。 V DD Input stage V OUT 图 47. MillerDrive IJ 01&(&A 在IDD(e态)典型性特性(参f图13-图15和 图20-图22)，波形曲G是在所有 8/8浮$ (出电平)条#$生，显g测h$# e态IDD电流最小。对(它状态，流 8 和出8100kW电9i加电流如方框图所g(参f 图5-图8)。在"'情况#，e态IDD电流实j 曲G%i加电流和。 K'L r用欠压(UVLO)功，可sJIC正常 启动，"样FAN322x列启动NO就得到2化， 可动地参tN−沟MOSFET。当VDD处 "升l段，0是3.9V工 电压时，电 持出电平，*受 引0状态影响。在J器 有效后，在J器断前电源电压必uvw 0.2V。当V DD 电源电压因功率切换$生噪x 时，J滞洄有利]止抖动。">$并*用 动8P-沟MOSFET，原因是，在VDD3.9V 时 ，  动 器 T    出 电 压 .  导  P− 沟   MOSFET。 MillerDrive  GH FAN322x栅极动器引 MillerDrivek构，如 图47所g。对出&，在T宽电源电压%温度 变化围内，双极性器和MOS器k合可提 大电流。当出&在1/3和2/3VDD  摆动时， www.onsemi.cn 15 FAN3226, FAN3227, FAN3228, FAN3229 VDD ME&=N> IC快S地导器，< 在VDD和GND 引0 按最 径1接ESR和ESL就地 y旁电容CBYP 。">电容zi加到10 mF到 47 mF电{电容"，在动器和控制器压电 属常f。 d定CBYP典型原则：持VDD电源 |波电压≤5%。"样常常得到大或}}效 ?@电容CEQV 20电容，此处定3QGATE/ VDD。常7择0.1 mF:1 mF或F更大~瓷电容， 它4是电5，6如X5R和X7R，拥有[好温度特 性和 冲电流力。 如果电噪声影响正常工 ，CBYP 可提: C EQV 50−100，或FC BYP 分{电容。 基}效?@电容，€大。另外€小， 如凑1接在VDD和GND引0"1−10nF电容， 它流电流 冲y成分。旁电容必u够 动器提 冲电流，如果动器同时开 动 ，来‚CBYP ƒ合峰电流将单开 动 时。 • • 很明显。“得最8效果，引01G” ”接 ”好。 FAN322x列兼容5多(它工!标准动器。在 带有引0单 器，内有100kW 电9%V DD -1，HI条J动器； "点< 在PCB布局时得到t–。 导和断电流应J—最 化，-˜™参f #Œb。 图48显gMOSFET导时 冲栅极动电流 ，动器栅极,电可导MOSFET。"电流 由局旁电容CBYP$生，流q动器到MOSFET 栅极，再到地。尽可地实现峰电流， "电9和电感应J最小化。"局电容C BYP 在动器MOSFET电 用是吸收峰电流 冲，]止(干扰PWM控制器敏感模拟电。 V DD V DS C BYP 5&OPN> FAN3226−26列栅极动引 快S反应 电 ，延时 ，并拥有大功率出电，够 2A"电流峰，„ 电压D换时 ，时 围10ns到150ns。强烈推…#†布G %1接指南。 • 持大电流出和功率地径在NO"分‡，  )号和)号地径分‡。当处理动 和 引0TTL−电平NO时，"点显得尤 ˆ。 • 持动器尽可地‰`?@，大电流导G Š度最小化。"样可减少1#电感，改善S开 (，同时减少可对动器 和周电$生 电‹干扰环Œ。 • 如果 8外没有接G，则方框图 所g内100kW电9控制出电平。在嘈杂 环境，将未用 %V DD  或 GND用 导G-1是很有必 ，可]止噪声Ž成 开出。 • 5多S功率电.容易受噪声影响，噪声z 来‚(‚‘出或F(它外源，有可导U 出再W发。如果用Œ包板测h电或F用带有Š 、或出引0*理想电板，"'现’ FAN322x PWM 图 48. MOSFET ?*2&EE 图49显gMOSFET断时电流。理想 地，T小环，动器接将电流分流到 MOSFET源极。实现快S断，"电9 和电感应J最小化。 V DD V DS C BYP FAN322x PWM 图 49. MOSFET (Q*2&AE www.onsemi.cn 16 FAN3226, FAN3227, FAN3228, FAN3229 RST @ "电时，动器出持电平，到VDD电压 ž到导。出 冲电流幅Ÿ VDD"升 "升，到VDDž到Y态。图52同-工 波形 显g出出持电平，到ž到UVLO，并 出% 持-+同步。 FAN3228/FAN3229š›显g双 $#工 状态。在同-动器$，IN−引0应NO 电平。œIN−引0接NO电平，导U器功E 用，动器出总是持电平，*受IN+引 0状态影响。 表 1. RST IN+ IN− OUT 0 0 0 0 1 0 1 0 1 1 1 0 V DD IN− 图50所g同-动器$，IN−引0%地1，IN+引0外接 )号(PWM)。IN−引0接NO 电平时，动器E用，并出持电平，*受 IN+引0状态影响。 IN+ VDD PWM Turn−on threshold OUT IN+ IN− FAN3228/9 OUT 图 52. #+A@ 对图51反-$，启动波形如图53所g。当 IN+%VDD-1IN−% )号-1时，出 冲 % 反-。"电时，反-出8持电平，到 VDD 电压ž到导，(后它% 持反-。 GND 图 50. @.2! ， #+VW V DD 图51所g反-动器应用，IN+引0电 平。IN+%GND-1时出电平，*受IN−引0 状态影响。 Turn−on threshold IN− VDD IN+ (VDD) IN+ PWM IN− FAN3228/9 OUT OUT GND 图 51. @.2! ， %+VW 图 53. #+A@ www.onsemi.cn 17 FAN3226, FAN3227, FAN3228, FAN3229 在带有同步整流器正激D换器，如典型应用图 所g，FDMS8660SMOSFET合理7择。 VGS=VDD=7V时，每SRMOSFET栅极电¤ 60nC。开y率500kHz时，总功+： N> 栅极动器动y率开MOSFET和IGBT时， $生显¡功+。在应用¢ 是，d定栅极 动器功+及(引Xk温，d器在可接受温 度围内工 。 栅极动器总功+PGATE和PDYNAMIC分 和： P TOTAL + P GATE ) P DYNAMIC (eq. 1) (eq. 2) n›g所用动器数¦(1或2)。 动态§动/击¨电流：动态工 条#，内电流 消+引X功+，包括引0"拉/#拉电9，可 用典型性特性“IDD (无?@)%y率 ”图d定电流IDYNAMIC(在实j工 条#来‚ VDD)得出，¥式如#： P DYMANIC + I DYNAMIC @ V DD @ n P DYNAMIC + 3 mA @ 7 V @ 2 + 0.042 W (eq. 6) P TOTAL + 0.46 W (eq. 7) T B + T J * P TOTAL @ Y JB (eq. 8) T B + 120°C * 0.46 W @ 43°CńW + 100°C (eq. 9) 比T，将前6SOIC−8封B替换3x3mm MLP封B，yJB=3.5°C/W。3x3mmMLP可在118°C PCB 温度#ªM，同时持k温120°C。"›明 物理尺寸更小MLP封B，(热焊«提更多 导径消散动器热¦。 求在减少电总/ 尺寸%Ak温提可‰性 ?出权¬。 (eq. 3) 旦d定动器功+，-对电板动器k 温升可r用#热;式M