5A、2.4MHz、
TinyBuck®
FAN53555
FAN53555是款压式开关器，可2.5 V
5.5 V入 压 源提数字化可
出。出
压 可
I 2 C 接 口
， 接 口 够 在
3.4 MHz工。
具有同步整流功架构，FAN53555够
提效
80%5 A 流，并可 在 流
10 mA时 持 80%极效。05型可 支持
6.5 A 冲 流。 压器在2.4 MHz标 固
定操，可将外 出 感
330 nH，
并将出 容
20 mF。在影响 定情况，
可添加 外出 容，改善!变期"
整。1.2 mH 感可 外出 容#
。
在$和%，
冲制
(PFM)，可器在60 mA典型&态 流' 模式
工。即在()
&态 流， 够在
大摆幅期"展*卓+!态响应。在,
，-./动切换到2.4 MHz固定控制
工。在关断模式， 源 流1 mA ，
功0。在12恒定时可3PFM模式。
FAN53555 可 4 格 20 焊 点 ，1.6 × 2 毫 5 ，
WLCSP。
• 2.5 V 5.5 V 入 压;围
• 数字可
出 压：
♦00/01/03/05/08/18
•
•
•
•
•
•
•
•
• 应、图形和DSP处D器-Arm®、Kraitt、
•
•
•
•
型：0.6-1.23 V (10 mV 步幅)
型：0.603-1.411 V (12.826 mV 步幅)
♦23 型：0.60-1.3875 V (12.5 mV 步幅)
♦24 型：0.603-1.420 V (12.967 mV 步幅)
♦13 型：0.8-1.43 V (10 mV 步幅)
可
压启动
入欠压?定(UVLO)
热关断和
护
20焊@，晶圆8AB封C(WLCSP)
♦04/042/09
固定6：2.4 MHz
同8最!态响应
9:出 流力：5 A
冲 流力：6.5 A (05型)
•
•
•
•
OMAPt、NovaThort、ARMADA
EFG动器
平板 H、I本、8J动 H
智手机
游戏K备
PVIN
C IN1
EN
VOUT
SDA
SCL
VSEL
C IN
FAN53555
SW
L1
C OUT
GND
AGND
VDD
Core
Processor
(System Load)
GND
1.
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2010
June, 2020 − Rev. 5
1
Publication Order Number:
FAN53555CN/D
FAN53555
1.
Top
Mark
VSEL0
VSEL1
I2C
A1
Programmable
Output Voltage
(50 ms)
FAN53555UC00X
BK
1.05
1.20
C0
VSEL
5A
N/A
FAN53555UC01X
BL
0.90
OFF
VSEL
5A
N/A
FAN53555UC03X
BN
0.90
N/A
PGOOD
5A
N/A
FAN53555UC04X
BP
1.10
1.20
VSEL
5A
FAN53555UC05X*
BU
0.90
OFF
VSEL
FAN53555BUC05X
(Note 1)
BU
0.90
OFF
FAN53555UC08X*
BW
1.02
FAN53555BUC08X
(Note 1)
BJ
FAN53555BUC09X
(Note 1)
EN Pin Low
0.6−1.23 V in
10mV
Registers
not reset
N/A
0.603−1.411 V
in 12.826mV
Registers
reset
5A
6.5 A
VSEL
5A
6.5 A
0.6−1.23 V in
10mV
Registers
not reset
1.15
VSEL
4A
N/A
1.02
1.15
VSEL
4A
N/A
CP
1.10
1.10
VSEL
3A
N/A
FAN53555UC09X*
CP
1.10
1.10
VSEL
3A
N/A
FAN53555UC13X
CT
1.15
1.15
VSEL
5A
N/A
FAN53555BUC13X
(Note 1)
CT
1.15
1.15
VSEL
5A
N/A
FAN53555UC18X*
CU
1.02
1.15
VSEL
5A
N/A
FAN53555BUC18X
(Note 1)
CU
1.02
1.15
VSEL
5A
N/A
FAN5355BUC79X
FU
0.85
N/A
PGOOD
5A
N/A
FAN53555BUC23X
(Note 1)
CW
1.15
1.15
VSEL
5A
N/A
0.6−1.3875 V in
12.5mV
Registers
not reset
FAN53555UC24X
CR
1.225
1.212
VSEL
4A
N/A
FAN53555BUC24X
(Note 1)
CR
1.225
1.212
VSEL
4A
N/A
0.603−1.42 V in
12.967mV
Registers
reset
FAN53555UC042X
(Note 2)
BX
1.10
1.20
VSEL
5A
N/A
C4
0.603−1.411 V
in 12.826mV
0.8−1.43 V in
10mV
0.6−1.23 V in
10mV
Registers
reset
0.603−1.411 V
in 12.826mV
1. FAN53555BUC05X、FAN53555BUC08X、FAN53555BUC09X、FAN53555BUC13X、FAN53555BUC18X、FAN53555BUC23X
和FAN53555BUC24X，包括背迭片结构。
2. I2C机地址外，042选型04选型相同。
*This device is End of Life. Please contact sales for additional information and assistance with replacement devices.
2
FAN53555
2. !"
#$5 A
L1
330 nH (标称)
如相 特性，请参见表 3
L
0.33
mH
DCR
13
mW
mF
COUT
2片;
22 mF, 6.3 V, X5R, 0805
GRM21BR60J226M (Murata)
C2012X5R0J226M (TDK)
C
44
CIN
1片;
10 mF, 10 V, X5R, 0805
LMK212BJ106KG−T (Taiyo Yuden)
C2012X5R1A106M (TDK)
C
10
2片;
10 mF, 6.3 V, X5R, 0805
GRM21BR60J106M (Murata)
C2012X5R0J106M (TDK)
C
20
10 nF, 25 V, X7R, 0402
GRM155R71E103K (Murata)
C1005X7R1E103K (TDK)
C
10
CIN1
nF
3. %
&
!"'
(
L (nH)
DCR (mW)
IMAXDC
(Note 3)
)*
L
W
H
Vishay
IHLP1616ABERR47M01
470
20.0
5.0
4.5
4.1
1.2
Mag. Layers (Note 4)
MMD−04ABNR33M−M1−RU
330
12.5
7.5
4.5
4.1
1.2
Mag. Layers
MMD−04ABNR47M−M1−RU
470
20.0
5.0
4.5
4.1
1.2
Inter−Technical
SM1608−R33M
330
9.6
9.0
4.5
4.1
2.0
Bournes
SRP4012−R33M
330
15.0
6.7
4.7
4.2
1.2
Bournes
SRP4012−R47M
470
20.0
5.0
4.7
4.2
1.2
TDK
VLC5020T−R47M
470
15.0
5.4
5.0
5.0
2.0
3. IMAXDC 是可
温度 升40°C或
电感衰 30%的电流
的较小者。
4. 选电感330 nH，而所有动态特性要利用此线圈实现。
FAN53555−24、−08 −09+ !,"
(-08，RMS#4A；-09，RMS#24,3 A) %
01
)*
出 容是 K器旁R 池 存在其它旁S
容。Q指定CIN 容是必TN常接UVIN和PGND
容(参V图2推W布局)。
FAN53555−24、−08和−09旨在LM子 手持K
备具有性图形加=核心处D器 。(应
12N常O凑P决方案。Q,小入和
4. FAN53555−08
!"
L1
470或330 nH，2016外壳大小
COUT
−08, ,24 选型
2 片 22 mF, 6.3 V, X5R, 0603
44
mF
如相 特性，请参见表5
C1608X5R0J226M (TDK)
C
22
−09 选型
1 片 22 mF, 6.3 V, X5R, 0603
CIN
1 片;
10 mF, 10 V, X5R, 0402
GRM155R61A106M (Murata)
C
10
CIN1
10 nF, 25 V, X5R, 0201
TMK063CG100DT−F (Taiyo Yuden)
C
10
3
nF
FAN53555
5. FAN53555−08
!"'
(
L (nH)
DCR (mW )
IMAXDC
(Note 5)
)*
L
W
H
Toko
DFE201612R-H−R33N
330
25
3.2
2.0
1.6
1.2
Toko
DFE201612C−R47N
470
40
3.2
2.0
1.6
1.2
Cyntek
PIFE20161B−R47MS−39
470
30
3.1
2.0
1.6
1.2
SEMCO
CIGT201610HMR47SCE
470
30
3.1
2.0
1.6
0.9
5. IMAXDC 是可
温度 升40°C或
电感衰 30%的电流
的较小者。
23
2. $1)* 23
45
VSEL*
EN
SCL
VOUT
A1
A2
A3
A4
B2
B3
B4
C2
C3
C4
D1
D2
D3
D4
E1
E2
E3
E4
SDA
AGND
B1
GND
C1
VIN
SW
A4
A3
A2
A1
B4
B3
B2
B1
C4
C3
C2
C1
D4
D3
D2
D1
E4
E3
E2
E1
A1 = VSEL for 00, 01, 04, 05, 08, 09, 13, 18, 23, 24
A1 = PGOOD for 03,79
3. %6
4. 76
6. 8&
'9
A1
VSEL
(−03选型外)
PGOOD
(03)
电压选择。该引脚处电平时，VOUT由VSEL0寄存器设置。该引脚处电平时，VOUT由VSEL1寄存
器设置。
电源正常。如果现过载情或正在进行软启动，则该漏极开路引脚将拉至电平。
A2
EN
能。该引脚处电平时，器 断模式。 断时所有寄存器将被存。
EN引脚 升时，选型00、01、03、05、08、09、13、18和23无法复寄存器。
EN引脚处电平时，04、24和042选型可将所有寄存器 置
认。如果 拉至大1.8 V的 抗电
压源，则至少
用100 W联电 。
A3
SCL
I2C行时
A4
VOUT
B1
SDA
I2C行数据
B2, B3,
C1 – C4
GND
接地。MOSFET此引脚参考。CIN和COUT应
用最短路径返回到这引脚。
B4
AGND
VOUT的感测引脚。连接至COUT。
模拟地。所有号均该引脚参照。
dV/dt 流电流经由此引脚的路径。
4
FAN53555
6. 8& (continued)
'9
D1, D2,
E1, E2
VIN
电源输 电压。连接至输 电源。
用最短路径连接至CIN。
D3, D4,
E3, E4
SW
开 节点。连接至电感。
7. :-;8
<
VIN
SW, VIN引脚 的电压
EN绝对最大定
意!它引脚 的电压
VOUT
1
IC未转换
−0.3
7.0
V
IC开
−0.3
6.5
无联电 即可连接
−0.3
2.0
通过至少100 W的联电 进行连接
−0.3
VIN (Note 6)
IC未转换
−0.3
VIN (Note 6)
V
−0.3
3.0
V
100
V/ms
VOUT绝对最大定
VINOV_SLEW
VIN > 6.5 V的最大压摆率，PWM开
ESD
电放电护等级
TSTG
TL
V
2000
"#模型满足JESD22−A114
1500
$电器模型JESD22−C101
TJ
V
结温
−40
+150
°C
存%温度
−65
+150
°C
+260
°C
引脚焊接温度，10秒
Stresses exceeding those listed in the Maximum Ratings table may damage the device. If any of these limits are exceeded, device functionality
should not be assumed, damage may occur and reliability may be affected.
(参考译文)
如果电压超过最大定表
列的范围，器可能&损坏。如果超过 '这，将无法证器功能，可能&导致器损坏，影响
可性。
6. 选取7 VVIN + 0.3 V
的较小。
8. !"=(>
推荐的操(条表明确器的真实工(条。指定推荐的工(条，确器的最)性能达到数据表
的规格。*半导#建议+要
超过推荐工(条，-+能按照绝对最大定进行设计。
<
VIN
电源电压范围
IOUT
输电流
L
1
2.5
5.5
V
0
5
A
0.33
mH
输 电容
10
mF
输电容
44
电感
CIN
COUT
mF
TA
操(环境温度
−40
+85
°C
TJ
工(结温
−40
+125
°C
9. ?
<
θJA
1
38
结-环境0热 (Note 7)
7. 参“应用息”分的热考虑因素。
5
°C/W
FAN53555
10. @
另有说明，测得最小和最大的条VIN = 2.5 V至5.5 V，TA = −40°C至+85°C8型测条TA = 25°C，VIN = 5 V及
EN = 电平。
<
>
1
ILOAD = 0
60
100
mA
ILOAD = 0, MODE = 1 (强制PWM)
43
H/W 断电源电流
EN = GND
0.1
S/W 断电源电流
EN = VIN, BUCK_ENx = 0
欠压
VIN 升
A
IQ
ISD
VUVLO
VUVHYST
态电流
mA
5.0
mA
41
75
mA
2.35
2.45
V
350
欠压定滞环宽度
mV
EN, VSEL, SDA, SCL
VIH
电平输 电压
VIL
电平输 电压
VLHYST
IIN
1.1
0.4
160
辑输 滞回电压
输 9置电流
V
0.01
输 连接到GND或VIN
V
mV
1.00
mA
1
mA
1.00
mA
PGOOD (03, 79 B)
IOUTL
PGOOD:拉电流
IOUTH
PGOOD漏电流
0.01
VOUT
VREG
DVOUT
DILOAD
VOUT直流精度
IOUT(DC) = 0, 强制 PWM, VOUT = VSEL0
认
−1.5
1.5
%
08, 24 选型
2.5 V ≤ VIN ≤ 4.5 V，
VOUT最小到最大，
IOUT(DC) = 0至4 A，
自动PFM/PWM
−2.0
4.0
%
09 选型
2.5 V ≤ VIN ≤ 4.5 V，
VOUT最小到最大，
IOUT(DC) = 0至3 A，
自动PFM/PWM
−2.0
4.0
%
13, 18, 23
选型
2.5 V ≤ VIN ≤ 4.5 V，
VOUT最小到最大，
IOUT(DC) = 0至5 A，
自动PFM/PWM
−2.0
4.0
%
;!它选
型
2.5 V ≤ VIN ≤ 5.5 V，
VOUT最小到最大，
IOUT(DC) = 0至5 A，
自动PFM/PWM
−3.0
5.0
%
负载调节
IOUT(DC) = 1 至 5 A
−0.1
%/A
线路调节
2.5 V ≤ VIN ≤ 5.5 V, IOUT(DC) = 1.5 A
0.01
%/V
瞬态响应
ILOAD 跃 0.1 A 至 1.5 A, tr = tf = 100 ns,
VOUT = 1.2 V
±40
mV
DVOUT
DVIN
VTRSP
CD) *E
RDS(on)P
P沟 MOSFET导通电
VIN = 5 V
28
mW
RDS(on)N
N沟 MOSFET导通电
VIN = 5 V
17
mW
6
FAN53555
10. @
(continued)
另有说明，测得最小和最大的条VIN = 2.5 V至5.5 V，TA = −40°C至+85°C8型测条TA = 25°C，VIN = 5 V及
EN = 电平。
<
>
1
00, 01, 03, 04, 13, 18, 23, 042, 79 选型
6.3
7.4
8.5
A
05 选型
8.5
10.0
11.5
A
08, 24 选型
5.0
5.9
6.8
A
09 选型
4.0
4.75
5.5
CD) *E
ILIMPK
P−MOS峰流
TLIMIT
热 断
150
°C
THYST
热 滞环宽度
17
°C
VSDWN
输 OVP 断
6.15
V
5.50
5.85
V
2.05
2.40
升
:
FCG+
fSW
振荡器
率
2.75
MHz
DAC
6
分辨率
0.5
微分线性(Note 8)
LSB
HI
I2CEN
EN = 电平至I2C启动
100
ms
J-/
tSS
ROFF
调节器
能至调节VOUT
VOUT:拉电 ，禁用
RLOAD > 5 W, 到 VOUT = 1.2 V;
00, 01, 03, 04, 042, 05, 09, 13, 23 和 79
选型
300
2.5 V ≤ VIN ≤ 4.5 V; RLOAD = 2 W; 到
VOUT = 1.127 V (1.1 V !9压；08 和18
选型)
135
EN = 0 或 VIN < VUVLO
160
mS
175
mS
W
Product parametric performance is indicated in the Electrical Characteristics for the listed test conditions, unless otherwise noted. Product
performance may not be indicated by the Electrical Characteristics if operated under different conditions.
(参考译文)
另有说明，“电气特性”表格
列的是所列测试条:的
1
tRCL
tFCL
tRCL1
数据持时
SCL 升时
SCL: 时
REPEATED START条后及ACK
后的SCL 升时
标?模式
4
ms
快#模式
600
ns
增强快#模式
260
ns
#模式
160
ns
标?模式
4.7
ms
快#模式
1.3
ms
增强快#模式
0.5
ms
#模式, CB ≤ 100 pF
160.0
ns
#模式, CB ≤ 400 pF
320.0
ns
标?模式
4
ms
快#模式
600
ns
增强快#模式
260
ns
#模式, CB ≤ 100 pF
60
ns
#模式, CB ≤ 400 pF
120
ns
标?模式
4.7
ms
快#模式
600.0
ns
增强快#模式
260.0
ns
#模式
160.0
ns
标?模式
250
ns
快#模式
100
增强快#模式
50
10
#模式
tHD;DAT
标?模式
0
3.45
ms
快#模式
0
900.00
ns
增强快#模式
0
450.00
ns
#模式, CB ≤ 100 pF
0
70.00
ns
#模式, CB ≤ 400 pF
0
150.00
ns
ns
标?模式
20+0.1CB
1000
快#模式
20+0.1CB
300
增强快#模式
20+0.1CB
120
#模式, CB ≤ 100 pF
10
80
#模式, CB ≤ 400 pF
20
160
标?模式
20+0.1CB
300
快#模式
20+0.1CB
300
增强快#模式
20+0.1CB
120
#模式, CB ≤ 100 pF
10
40
#模式, CB ≤ 400 pF
20
80
#模式, CB ≤ 100 pF
10
80
#模式, CB ≤ 400 pF
20
160
8
ns
ns
FAN53555
11. I2CIKLM (continued)
设计证。
<
tRDA
>
SDA 升时
1
tSU;STO
@止条建立时
CB
ns
20+0.1CB
1000
快#模式
20+0.1CB
300
增强快#模式
20+0.1CB
120
#模式, CB ≤ 400 pF
SDA: 时
标?模式
#模式, CB ≤ 100 pF
tFDA
10
80
20
160
标?模式
20+0.1CB
300
快#模式
20+0.1CB
300
增强快#模式
20+0.1CB
120
#模式, CB ≤ 100 pF
10
80
#模式, CB ≤ 400 pF
20
160
ns
标?模式
4
ms
快#模式
600
ns
增强快#模式
120
ns
#模式
160
ns
400
SDA和SCL的容性负载
pF
IK
ÒÒÒ
ÒÒÒ
ÒÒÒ
ÒÒÒ
ÒÒÒ
ÒÒÒ
ÒÒÒ
ÕÕÕ
ÔÔ
ÔÔ
ÔÔ
ÔÔ
ÔÔ
ÔÔ
ÖÖÖÖ
ÖÖÖÖ
tF
SDA
SCL
tSU;STA
tR
TSU;DAT
tHIGH
tLOW
tHD;STA
tHD;DAT
tBUF
tHD;STO
tHD;STA
REPEATED
START
START
ÓÓ
ÌÌ
ÓÓ
ÌÌ
ÓÓ
ÌÌ
ÓÓ
ÌÌ
ÓÓ
ÌÌ
ÓÓÌÌ
ÓÓÌÌ
ŠŠ
ÑÑ
STOP
5. %
:NOPQR、OPQR SPQR I2CT;IK
ÜÜ
ÜÜ
ÜÜ
ÜÜ
ÜÜ
ÜÜ
ÜÜ
ÙÙÙ
ÙÙÙ
tFDA
SDAH
tSU;STA
SCLH
tRDA
tRCL1
tFCL
REPEATED
START
tRCL
tSU;STO
tHIGH
tLOW
tHD;STA
REPEATED
START
ÛÛÛÛ
ŽŽ
ŸŸŸ
ÛÛÛÛŽŽ
ÚÚŸŸŸ
ÚÚ
ÚÚ
ÚÚ
ÚÚ
tSU;DAT
tHD;DAT
note A
= MCS Current Source Pull−up
= RP Resistor Pull−up
Note A: First rising edge of SCLH after Repeated Start and after each ACK bit.
6. %
&PQR I2CT;IK
9
STOP
START
FAN53555
另有规定，自动PFM/PWM，VIN = 3.6 V、VOUT = 1.2 V、SCL = SDA = VSEL = EN = 1.8 V、TA = 25°C；电路和AB据图1和表1。
92%
92%
2.7 VIN
3.6 VIN
5.0 VIN
90%
90%
88%
EFFICENCY
EFFICENCY
88%
86%
84%
82%
86%
84%
82%
80%
80%
78%
78%
76%
0
1000
2000
3000
LOAD CURRENT (mA)
4000
5000
76%
−40°C
+25°C
+85°C
0
90%
90%
88%
88%
86%
86%
84%
84%
82%
82%
80%
78%
76%
74%
70%
0
1000
4000
76%
−40°C
+25°C
+85°C
5000
70%
0
9. UC )V，
VOUT = 0.9 V
90%
75%
70%
2000
3000
LOAD CURRENT (mA)
4000
5000
90%
85%
EFFICENCY
EFFICENCY
80%
1000
10. UC
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