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创作活动
FQP8N60C

FQP8N60C

  • 厂商:

    ONSEMI(安森美)

  • 封装:

    SOT78

  • 描述:

    MOSFET N-CH 600V 7.5A TO-220

  • 详情介绍
  • 数据手册
  • 价格&库存
FQP8N60C 数据手册
FQP8N60C
1. 物料型号:FQP8N60C/FQPF8N60C。 2. 器件简介:使用Fairchild专有的平面条纹DMOS技术生产的N-Channel增强型功率场效应晶体管,专为最小化导通电阻、提供优越的开关性能和承受高能量脉冲而设计。 3. 引脚分配:文档中提供了两种封装类型的引脚分配,分别是TO-220 FQP系列和TO-220F FQPF系列。 4. 参数特性:包括漏源电压、连续漏电流、脉冲漏电流、栅源电压、单脉冲雪崩能量、雪崩电流、重复雪崩能量、峰值二极管恢复dv/dt、功率耗散、工作和储存温度范围等。 5. 功能详解:文档详细描述了器件的特性,如阈值电压、导通电阻、正向跨导、输入电容、输出电容、反向传输电容、开关延迟时间、开关上升时间、开关下降时间、总栅极电荷等。 6. 应用信息:这些器件非常适合用于高效率的开关电源、主动功率因数校正、基于半桥拓扑的电子灯球等应用。 7. 封装信息:提供了TO-220和TO-220F两种封装的详细尺寸信息。
FQP8N60C 价格&库存

很抱歉,暂时无法提供与“FQP8N60C”相匹配的价格&库存,您可以联系我们找货

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