Silizium-PIN-Fotodiode mit Tageslichtsperrfilter NEU: in SMT Silicon PIN Photodiode with Daylight Filter NEW: in SMT
BP 104 F BP 104 FS
0.6 0.4
1.2 0.7
0.8 0.6
Cathode marking 4.0 3.7
5.4 4.9 4.5 4.3
Chip position
0.6 0.4 2.2 1.9
0.6 0.4 0.8 0.6
0.5 0.3
0.35 0.2
0.6 0.4
0 ... 5˚ 5.08 mm spacing Photosensitive area 2.20 mm x 2.20 mm
GEO06075
1.6 1.2
Approx. weight 0.1 g
Chip position 1.1 0.9
1.2 1.1
0.3
0...0.1
6.7 6.2 4.5 4.3
0.9 0.7
4.0 3.7
1.7 1.5
1.6 1.2
0...5
˚
0.2 0.1
3.5 3.0
Photosensitive area 2.20 mm x 2.20 mm
Cathode lead
GEO06861
Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
Semiconductor Group
1
1997-11-19
feo06861
feo06075
BP 104 F BP 104 FS
Wesentliche Merkmale q Speziell geeignet für Anwendungen bei 950 nm q kurze Schaltzeit (typ. 20 ns) q DIL-Plastikbauform mit hoher Packungsdichte q BP 104 FS: geeignet für Vapor-Phase Löten und IR-Reflow Löten Anwendungen
q IR-Fernsteuerung von Fernseh- und
Features q Especially suitable for applications of 950 nm q Short switching time (typ. 20 ns) q DIL plastic package with high packing density q BP 104 FS: suitable for vapor-phase and IR-reflow soldering Applications
q IR remote control of hi-fi and TV sets,
Rundfunkgeräten, Videorecordern, Lichtdimmern, Gerätefernsteuerungen q Lichtschranken für Gleich- und Wechsellichtbetrieb
video tape recorders, dimmers, remote controls of various equipment q Photointerrupters
Typ (*vorher) Type (*formerly) BP 104 F (*BP 104 ) BP 104 FS Grenzwerte Maximum Ratings Bezeichnung Description
Bestellnummer Ordering Code Q62702-P84 Q62702-P1646
Symbol Symbol
Wert Value – 40 ... + 85 20 150
Einheit Unit °C V mW
Betriebs- und Lagertemperatur Operating and storage temperature range Sperrspannung Reverse voltage Verlustleistung, TA = 25 °C
Top; Tstg VR Ptot
Semiconductor Group
2
1997-11-19
BP 104 F BP 104 FS
Kennwerte (TA = 25 °C, λ = 950 nm) Characteristics Bezeichnung Description Fotoempfindlichkeit Spectral sensitivity VR = 5 V, Ee = 1 mW/cm2 Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit Wavelength of max. sensitivity Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit Symbol Symbol Wert Value 34 (≥ 25) Einheit Unit µA
S
λS max λ
950 780 ... 1100
nm nm
S = 10 % von Smax
Spectral range of sensitivity S = 10 % of Smax Bestrahlungsempfindliche Fläche Radiant sensitive area Abmessung der bestrahlungsempfindlichen Fläche Dimensions of radiant sensitive area Abstand Chipoberfläche zu Gehäuseoberfläche Distance chip front to case surface Halbwinkel Half angle Dunkelstrom, VR = 10 V Dark current Spektrale Fotoempfindlichkeit Spectral sensitivity Quantenausbeute Quantum yield Leerlaufspannung, Ee = 0.5 mW/cm2 Open-circuit voltage Kurzschlußstrom, Ee = 0.5 mW/cm2 Short-circuit current Anstiegs- und Abfallzeit des Fotostromes Rise and fall time of the photocurrent RL = 50 Ω; VR = 5 V; λ = 850 nm; Ip = 800 µA Durchlaßspannung, IF = 100 mA, E = 0 Forward voltage Kapazität, VR = 0 V, f = 1 MHz, E = 0 Capacitance
A L×B L×W H
4.84 2.20 × 2.20
mm2 mm × mm
0.5 mm 0.3 (BP 104 FS) ± 60 2 (≤ 30) 0.70 0.90 330 (≥ 250) 17 20 Grad deg. nA A/W Electrons Photon mV µA ns
ϕ
IR Sλ
η
VO ISC tr, tf
VF C0
1.3 48
V pF
Semiconductor Group
3
1997-11-19
BP 104 F BP 104 FS
Kennwerte (TA = 25 °C, λ = 950 nm) Characteristics (cont’d) Bezeichnung Description Temperaturkoeffizient von VO Temperature coefficient of VO Temperaturkoeffizient von ISC Temperature coefficient of ISC Rauschäquivalente Strahlungsleistung Noise equivalent power VR = 10 V Nachweisgrenze, VR = 10 V Detection limit Symbol Symbol Wert Value – 2.6 0.18 3.6 × 10–14 Einheit Unit mV/K %/K W √Hz cm · √Hz W
TCV TCI NEP
D*
6.1 × 1012
Semiconductor Group
4
1997-11-19
BP 104 F BP 104 FS
Relative spectral sensitivity Srel = f (λ)
100
OHF00368
Photocurrent IP = f (Ee), VR = 5 V Open-circuit voltage VO = f (Ee)
ΙP
10 3 µA
OHF01056
Total power dissipation Ptot = f (TA)
10 4 mV
S rel %
80
VO
10 3
160 mW Ptot 140 120 100
OHF00958
10 2
VO
60
10 1 10 2
80 60
40
10 0
ΙP
10 1
40 20
20
0 700
800
900
1000
nm λ
1200
10 -1 10 0
10 1
10 2
µW/cm2
Ee
10 0 10 4
0
0
20
40
60
80 ˚C 100 TA
Dark current IR = f (VR), E = 0
8000 pA 6000
OHFD1781
Capacitance C = f (VR), f = 1 MHz, E = 0
60
OHF01778
Dark current IR = f (TA), VR = 10 V, E = 0
10 3
OHF00082
C
pF 50
Ι R nA
10 2
ΙR
40 10 1
4000
30
20
2000
10 0 10 10 -1
0
0
10
20
30
V
40
0 -2 10
10 -1
10 0
VR
10 1 V 10 2 VR
0
20
40
60
80 ˚C 100 TA
Directional characteristics Srel = f (ϕ)
40 30 20 10
ϕ
0 1.0
OHF01402
50 0.8 60
0.6
70
0.4
80
0.2 0
90
100
1.0
0.8
0.6
0.4
0
20
40
60
80
100
120
Semiconductor Group
5
1997-11-19
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