Q62703-Q1353

3 mm (T1 3/4 ) LED, Diffused Wide-Angle LED LS 3380, LY 3380, LG 3380 Besondere Merkmale q q q q q eingefärbtes, diffuses Gehäuse als optischer Indikator einsetzbar Lötspieße mit Aufsetzebene gegurtet lieferbar Störimpulsfest nach DIN 40839 VEX06710 Features q q q q q colored, diffused package for use as optical indicator solder leads with stand-off available taped on reel load dump resistant acc. to DIN 40839 Typ Type Emissionsfarbe Color of Emission Gehäusefarbe Color of Package Lichtstärke Luminous Intensity IF = 10 mA IV (mcd) 1.6 2.5 4.0 6.3 2.5 1.6 2.5 4.0 6.3 2.5 1.6 4.0 6.3 4.0 … 12.5 … 5.0 … 8.0 … 12.5 … 20.0 … 12.5 … 5.0 … 8.0 … 12.5 … 20.0 … 12.5 … 8.0 … 12.5 … 20.0 Bestellnummer Ordering Code LS 3380-GK LS 3380-H LS 3380-J LS 3380-K LS 3380-HL LY 3380-GK LY 3380-H LY 3380-J LY 3380-K LY 3380-HL LG 3380-GK LG 3380-J LG 3380-K LG 3380-JL super-red red diffused Q62703-Q2629 Q62703-Q1726 Q62703-Q1349 Q62703-Q3824 Q62703-Q2630 Q62703-Q1352 Q62703-Q1353 Q62703-Q1354 Q62703-Q2317 Q62703-Q1355 Q62703-Q1356 Q62703-Q2318 Q62703-Q2631 Q62703-Q3910 yellow yellow diffused green green diffused Streuung der Lichtstärke in einer Verpackungseinheit IV max / IV min ≤ 2.0. Luminous intensity ratio in one packaging unit IV max / IV min ≤ 2.0. Semiconductor Group 1 1998-07-13 LS 3380, LY 3380, LG 3380 Grenzwerte Maximum Ratings Bezeichnung Parameter Betriebstemperatur Operating temperature range Lagertemperatur Storage temperature range Sperrschichttemperatur Junction temperature Durchlaßstrom Forward current Stoßstrom Surge current t ≤ 10 µs, D = 0.005 Sperrspannung Reverse voltage Verlustleistung Power dissipation TA ≤ 25 °C Wärmewiderstand Thermal resistance Sperrschicht / Luft Junction / air Symbol Symbol Werte Values – 55 … + 100 – 55 … + 100 + 100 40 0.5 Einheit Unit °C °C °C mA A Top Tstg Tj IF IFM VR Ptot 5 140 V mW Rth JA 400 K/W Semiconductor Group 2 1998-07-13 LS 3380, LY 3380, LG 3380 Kennwerte (TA = 25 °C) Characteristics Bezeichnung Parameter Wellenlänge des emittierten Lichtes(typ.) Wavelength at peak emission(typ.) IF = 20 mA Dominantwellenlänge(typ.) Dominant wavelength(typ.) IF = 20 mA Symbol Symbol LS λpeak 635 Werte Values LY 586 LG 565 nm Einheit Unit λdom 628 590 570 nm Spektrale Bandbreite bei 50 % Irel max(typ.) ∆λ Spectral bandwidth at 50 % Irel max(typ.) IF = 20 mA Abstrahlwinkel bei 50 % IV (Vollwinkel) Viewing angle at 50 % IV Durchlaßspannung(typ.) Forward voltage(max.) IF = 10 mA Sperrstrom(typ.) Reverse current(max.) VR = 5 V Kapazität(typ.) Capacitance VR = 0 V, ƒ = 1 MHz Schaltzeiten: Switching times: IV from 10 % to 90 %(typ.) IV from 90 % to 10 %(typ.) IF = 100 mA, tP = 10 µs, RL = 50 Ω 2ϕ 45 45 25 nm 100 2.0 2.6 0.01 10 12 100 2.0 2.6 0.01 10 10 100 2.0 2.6 0.01 10 15 deg. V V µA µA pF VF VF IR IR C0 tr tf 300 150 300 150 450 200 ns ns Semiconductor Group 3 1998-07-13 LS 3380, LY 3380, LG 3380 Relative spektrale Emission Irel = f (λ), TA = 25 °C, IF = 20 mA Relative spectral emission V (λ) = spektrale Augenempfindlichkeit Standard eye response curve Abstrahlcharakteristik Irel = f (ϕ) Radiation characteristic Semiconductor Group 4 1998-07-13 LS 3380, LY 3380, LG 3380 Durchlaßstrom IF = f (VF) Forward current TA = 25 °C 10 2 OHL01263 Relative Lichtstärke IV/IV(10 mA) = f (IF) Relative luminous intensity TA = 25 °C 10 1 ΙV Ι V(10mA) 10 0 OHL01632 Ι F mA 10 1 5 5 10 -1 5 10 0 5 10 -2 5 green yellow super-red 10 -1 1.0 1.4 1.8 2.2 2.6 3.0 V 3.4 VF 10 -3 10 -1 5 10 0 5 10 1 mA 10 ΙF 2 Zulässige Impulsbelastbarkeit IF = f (tP) Permissible pulse handling capability Duty cycle D = parameter, TA = 25 °C Maximal zulässiger Durchlaßstrom Max. permissible forward current IF = f (TA) Semiconductor Group 5 1998-07-13 LS 3380, LY 3380, LG 3380 Wellenlänge der Strahlung λpeak = f (TA) Wavelength at peak emission IF = 20 mA 690 λ peak nm 650 super-red 630 610 590 570 550 yellow OHL01672 Dominantwellenlänge λdom = f (TA) Dominant wavelength IF = 20 mA 690 λ dom nm 650 630 610 590 570 550 yellow green super-red OHL01673 green 0 20 40 60 80 ˚C 100 TA 0 20 40 60 80 ˚C 100 TA Durchlaßspannung VF = f (TA) Forward voltage IF = 10 mA 2.4 OHL01674 Relative Lichtstärke IV/IV(25 °C) = f (TA) Relative luminous intensity IF = 10 mA 2.0 ΙV Ι V(25 ˚C) 1.6 OHL01675 VF V 2.2 2.0 green super-red, yellow 1.2 yellow green 1.8 0.8 super-red 1.6 0.4 1.4 0 20 40 60 80 ˚C 100 TA 0.0 0 20 40 60 80 ˚C 100 TA Semiconductor Group 6 1998-07-13 LS 3380, LY 3380, LG 3380 Maßzeichnung Package Outlines (Maße in mm, wenn nicht anders angegeben) (Dimensions in mm, unless otherwise specified) Area not flat 0.6 0.4 0.7 0.4 0.8 0.4 4.8 4.4 2.7 2.1 3.4 3.1 2.54 mm spacing 1.1 0.9 1.8 1.2 29.0 27.0 3.7 3.5 6.1 5.7 0.6 0.4 Collector/ Cathode Chip position GEX06710 Kathodenkennzeichnung: Kürzerer Lötspieß Cathode mark: Short solder lead Semiconductor Group 7 ø2.9 ø2.7 1998-07-13