Q62703-Q199

GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter LD 242 ø0.45 2.54 mm spacing Chip position ø4.3 ø4.1 1 0.9 .1 1.1 .9 0 2.7 1 14.5 12.5 3.6 3.0 ø5.5 ø5.2 GET06625 Anode (LD 242, BPX 63, SFH 464) Cathode (SFH 483) Approx. weight 0.5 g Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. Wesentliche Merkmale q GaAs-IR-Lumineszenzdiode, hergestellt im q q q q q Features q GaAs infrared emitting diode, fabricated in a q q q q q Schmelzepitaxieverfahren Kathode galvanisch mit Gehäuseboden verbunden Hohe Zuverlässigkeit Großer Öffnungskegel Gehäusegleich mit BP 103, BPX 63, SFH 464, SFH 483 Anwendungsklasse nach DIN 40 040 GQG liquid phase epitaxy process Cathode is electrically connected to the case High reliability Wide beam Same package as BP 103, BPX 63, SFH 464, SFH 483 DIN humidity category in acc. with DIN 40 040 GQG Anwendungen q IR-Fernsteuerungen und Tonübertragungen q Lichtschranken für Gleich- und Applications q IR remote control and sound transmission q Photointerrupters Wechsellichtbetrieb Typ Type LD 242-2 LD 242-3 LD 242 E7800 Bestellnummer Ordering Code Q62703-Q198 Q62703-Q199 Q62703-Q3509 Gehäuse Package Bodenplatte nach 18 A3 DIN 41876 (TO-18), klares Epoxy-Gießharz, linsenförmig im 2.54-mm-Raster (1/10’’) Base plate as per 18 A3 DIN 41876 (TO-18), transparent epoxy resin lens, solder tabs lead spacing 2.54 mm (1/10’’) Semiconductor Group 1 1998-07-15 fet06625 LD 242 Grenzwerte Maximum Ratings Bezeichnung Description Betriebs- und Lagertemperatur Operating and storage temperature range Sperrspannung Reverse voltage Durchlaßstrom, TC = 25 °C Forward current Stoßstrom, τ ≤ 10 µs, D = 0 Surge current Verlustleistung, TC = 25 °C Power dissipation Wärmewiderstand Thermal resistance Symbol Symbol Wert Value – 40 ... + 80 5 300 3 470 450 160 Einheit Unit °C V mA A mW K/W K/W Top; Tstg VR IF IFSM Ptot RthJA RthJC Kennwerte (TA = 25 °C) Characteristics Bezeichnung Description Wellenlänge der Strahlung Wavelength at peak emission IF = 100 mA, tp = 20 ms Spektraler Bandbreite bei 50 % von Imax Spectral bandwidth at 50 % of Imax IF = 100 m A, tp = 20 ms Abstrahlwinkel Half angle Aktive Chipfläche Active chip area Abmessungen der aktive Chipfläche Dimension of the active chip area Abstand Chipoberfläche bis Linsenscheitel Distance chip surface to lens top Symbol Symbol λpeak Wert Value 950 Einheit Unit nm ∆λ 55 nm ϕ ± 40 0.25 0.5 × 0.5 0.3 ... 0.7 Grad deg. mm2 mm mm A L×B L×W H Semiconductor Group 2 1998-07-15 LD 242 Kennwerte (TA = 25 °C) Characteristics Bezeichnung Description Schaltzeiten, Ie von 10 % auf 90 % und von 90 % auf 10 %, bei IF = 100 mA, RL = 50 Ω Switching times, Ie from 10 % to 90 % and from 90 % to 10 %, IF = 100 mA, RL = 50 Ω Kapazität Capacitance VR = 0 V Durchlaßspannung Forward voltage IF = 100 mA IF = 1 A, tp = 100 µs Sperrstrom, VR = 5 V Reverse current Gesamtstrahlungsfluß Total radiant flux IF = 100 mA, tp = 20 ms Temperaturkoeffizient von Ie bzw. Φe, IF = 100 mA Temperature coefficient of Ie or Φe, IF = 100 mA Temperaturkoeffizient von VF, IF = 100 mA Temperature coefficient of VF, IF = 100 mA Temperaturkoeffizient von λpeak, IF = 100 mA Temperature coefficient of λpeak, IF = 100 mA Symbol Symbol Wert Value 1 Einheit Unit µs tr, tf Co 40 pF VF VF IR Φe 1.3 (≤ 1.5) 1.9 (≤ 2.5) 0.01 (≤ 1) 16 V V µA mW TCI – 0.55 %/K TCV TCλ – 1.5 0.3 mV/K nm/K Semiconductor Group 3 1998-07-15 LD 242 Gruppierung der Strahlstärke Ie in Achsrichtung gemessen bei einem Raumwinkel Ω = 0.01 sr Grouping of radiant intensity Ie in axial direction measured at a solid angle of Ω = 0.01 sr Bezeichnung Description Strahlstärke Radiant intensity IF = 100 mA, tp = 20 ms IF = 1 A, tp = 100 µs 1) Symbol -2 -3 Werte Values 78001) Einheit Unit Ie Ie typ. 4 ... 8 50 > 6.3 75 1 ... 3.2 – mW/sr mW/sr Die Messung der Strahlstärke und des Halbwinkels erfolgt mit einer Lochblende vor dem Bauteil (Durchmesser der Lochblende: 1.1 mm; Abstand Lochblende zu Gehäuserückseite: 4.0 mm). Dadurch wird sichergestellt, daß bei der Strahlstärkemessung nur diejenige Strahlung in Achsrichtung bewertet wird, die direkt von der Chipoberfläche austritt. Von der Bodenplatte reflektierte Strahlung (vagabundierende Strahlung) wird dagegen nicht bewertet. Diese Reflexionen sind besonders bei Abbildungen der Chipoberfläche über Zusatzoptiken störend (z.B. Lichtschranken großer Reichweite). In der Anwendung werden im allgemeinen diese Reflexionen ebenfalls durch Blenden unterdrückt. Durch dieses, der Anwendung entsprechende Meßverfahren ergibt sich für die Anwender eine besser verwertbare Größe. Diese Lochblendenmessung ist gekennzeichnet durch den Eintrag “E 7800”, der an die Typenbezeichnung angehängt ist. An aperture is used in front of the component for measurement of the radiant intensity and the half angle (diameter of the aperture: 1.1 mm; distance of aperture to case back side: 4 mm). This ensures that solely the radiation in axial direction emitting directly from the chip surface will be evaluated during measurement of the radiant intensity. Radiation reflected by the bottom plate (stray radiation) will not be evaluated. These reflections impair the projection of the chip surface by additional optics (e.g. long-range light reflection switches). In respect of the application of the component, these reflections are generally suppressed by apertures as well. This measuring procedure corresponding with the application provides more useful values. This aperture measurement is denoted by “E 7800” added to the type designation. 1) Semiconductor Group 4 1998-07-15 LD 242 Relative spectral emission Irel = f (λ) 100 % OHR01938 Radiant intensity Ie = f (IF) Ie 100 mA OHR01037 Single pulse, tp = 20 µs Ιe 10 2 Max. permissible forward current IF = f (TA) 300 OHR00971 Ι e (100 mA) Ι F mA 250 Ι rel 80 10 1 60 200 R thJL = 160 K/W 150 40 R thJA = 450 K/W 10 0 20 100 50 0 880 920 960 1000 nm λ 1060 10 -1 10 -2 10 -1 10 0 A ΙF 10 1 0 0 20 40 60 80 ˚C 100 T A, T L Forward current IF = f (VE) 10 1 A OHR01040 Permissible pulse handling capability IF = f (τ), TC = 25 °C, duty cycle D = parameter ΙF 10 4 mA 5 OHR01937 ΙF tP D= tP T ΙF T D= 0.005 0.01 0.02 0.05 0.1 10 0 typ. max. 10 3 5 0.2 0.5 10 -1 DC 10 -2 1 1.5 2 2.5 3 3.5 4 V 4.5 VF 20 10 0 1.0 10 2 10 -5 10 -4 10 -3 10 -2 s τ 10 0 Radiation characteristics Irel = f (ϕ) 40 30 OHR01877 ϕ 50 0.8 60 0.6 70 0.4 80 90 0.2 0 100 1.0 0.8 0.6 0.4 0 20 40 60 80 100 120 Semiconductor Group 5 1998-07-15