1N5266B

1N52 SERIES 稳压（齐纳）二极管 Zener Diodes ■特征 Features ●Ptot 500mW ●Vz 2.4V-75V 1.02(26.0) MIN ■外形尺寸和印记 Outline Dimensions and Mark DO-35 .165(4.20) MAX 1.02(26.0) MIN .022(0.55) MAX ■用途  Applications  ●稳定电压用  Stabilizing Voltage .079(2.00) MAX Dimensions in inches and (millimeters) ■极限值（绝对最大额定值）  Limiting Values (Absolute Maximum Rating) 参数名称 Item 损耗功率 Power dissipation 齐纳电流 Zener current 最大结温 Maximum junction temperature 存储温度范围 Storage temperature range 符号 Symbol Ptot IZ Tj 单位 Unit mW mA ℃ 条件 Conditions TL=25℃ 最大值 Max 500 Ptot /VZ 175 Tstg ℃ -65 to +175 ■电特性 （Ta=25℃ 除非另有规定） Electrical Characteristics（Ta=25℃ Unless otherwise specified） 参数名称 Item 典型热阻(1) Thermal resistance 正向电压 Forward voltage 符号 Symbol RθJA VF 单位 Unit ℃/W V 条件 Conditions 结到环境，L=4毫米，TL=常温 junction to ambient air, L=4mm,TL=constant IF=200mA 最大值 Max 300 1.1 Document Number 0243 Rev. 1.0, 22-Sep-11 扬州扬杰电子科技股份有限公司 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd.  www.21yangjie.com 1N52 SERIES ■电性参数 (TA=25℃ 除非另有规定) Electrical Characteristics (TA=25℃ unless otherwise noted) 1N5221B...1N5267B 额定齐纳电压 产品型号 Part Number Nominal Zener voltage1) at IZT , VZ V 1N5221B 1N5222B 1N5223B 1N5224B 1N5225B 1N5226B 1N5227B 1N5228B 1N5229B 1N5230B 1N5231B 1N5232B 1N5233B 1N5234B 1N5235B 1N5236B 1N5237B 1N5238B 1N5239B 1N5240B 1N5241B 1N5242B 1N5243B 1N5244B 1N5245B 1N5246B 1N5247B 1N5248B 1N5249B 1N5250B 1N5251B 1N5252B 1N5253B 1N5254B 1N5255B 1N5256B 1N5257B 1N5258B 1N5259B 1N5260B 2.4 2.5 2.7 2.8 3 3.3 3.6 3.9 4.3 4.7 5.1 5.6 6 6.2 6.8 7.5 8.2 8.7 9.1 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22 24 25 27 28 30 33 36 39 43 测试电流 Test current IZT mA 20 20 20 20 20 20 20 20 20 20 20 20 20 20 20 20 20 20 20 20 20 20 9.5 9 8.5 7.8 7.4 7 6.6 6.2 5.6 5.2 5 4.6 4.5 4.2 3.8 3.4 3.2 3 最大动态阻抗 Maximum dynamic impedance resistance1) ZZT at IZT Ω 30 30 30 30 29 28 24 23 22 19 17 11 7 7 5 6 8 8 10 17 22 30 13 15 16 17 19 21 23 25 29 33 35 41 44 49 58 70 80 93 最大动态阻抗 Maximum dynamic impedance resistance ZZK at IZK=0.25mA Ω 1200 1250 1300 1400 1600 1600 1700 1900 2000 1900 1600 1600 1600 1000 750 500 500 600 600 600 600 600 600 600 600 600 600 600 600 600 600 600 600 600 600 600 700 700 800 900 温度系数 Temperature of Coefficient at IZT α(%/K) - 0.085 - 0.085 - 0.080 - 0.080 - 0.075 - 0.070 - 0.065 - 0.060 + 0.055 + 0.030 + 0.030 + 0.038 + 0.038 + 0.045 + 0.050 + 0.058 + 0.062 + 0.065 + 0.068 + 0.075 + 0.076 + 0.077 + 0.079 + 0.082 + 0.082 + 0.083 + 0.084 + 0.085 + 0.086 + 0.086 + 0.087 + 0.088 + 0.089 + 0.090 + 0.091 + 0.091 + 0.092 + 0.093 + 0.094 + 0.095 反向漏电流 Reverse leakage current IR μA 100 100 75 75 50 25 15 10 5 5 5 5 5 5 3 3 3 3 3 3 2 1 0.5 0.1 0.1 0.1 0.1 0.1 0.1 0.1 0.1 0.1 0.1 0.1 0.1 0.1 0.1 0.1 0.1 0.1 VR V 1 1 1 1 1 1 1 1 1 2 2 3 3.5 4 5 6 6.5 6.5 7 8 8.4 9.1 9.9 10 11 12 13 14 14 15 17 18 19 21 21 23 25 27 30 33 Document Number 0243 Rev. 1.0, 22-Sep-11 扬州扬杰电子科技股份有限公司 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd.  www.21yangjie.com 1N52 SERIES ■电性参数 (TA=25℃ 除非另有规定) Electrical Characteristics (TA=25℃ unless otherwise noted) 1N5221B...1N5267B 额定齐纳电压 产品型号 Part Number Nominal Zener voltage1) at IZT , VZ V 1N5261B 1N5262B 1N5263B 1N5264B 1N5265B 1N5266B 1N5267B 47 51 56 60 62 68 75 测试电流 Test current IZT mA 2.7 2.5 2.2 2.1 2 1.8 1.7 最大动态阻抗 Maximum dynamic impedance resistance1) ZZT at IZT Ω 105 125 150 170 185 230 270 最大动态阻抗 Maximum dynamic impedance resistance ZZK at IZK=0.25mA Ω 1000 1100 1300 1400 1400 1600 1700 温度系数 Temperature of Coefficient at IZT α(%/K) +0.095 + 0.096 + 0.096 + 0.097 +0.097 + 0.097 + 0.098 反向漏电流 Reverse leakage current IR μA 0.1 0.1 0.1 0.1 0.1 0.1 0.1 VR V 36 39 43 46 47 52 56 备注：Notes: 1) 基于直流测试下的热平衡；引线长度=9.5（3/ 8"）；散热器的热阻为 30℃/W Based on dc-measurement at thermal equilibrium; lead length = 9.5 (3/8 "); thermal resistance of heat sink = 30 ℃/W Document Number 0243 Rev. 1.0, 22-Sep-11 扬州扬杰电子科技股份有限公司 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd.  www.21yangjie.com 1N52 SERIES ■特性曲线（典型） Characteristics(Typical) 图 1 ：总功率损耗与环境温度关系 FIG1: Total Power Dissipation vs. Ambient Temperature Ptot(mW) RthA(K/W) 图 2： 热 阻 与 引 线 长 度 关 系 F IG 2 : T h e rm a l R e s is ta n c e v s . L e a d L e n g th 500 600 500 400 400 T L = c o n s ta n t 300 300 200 200 100 0 100 0 0 40 80 120 160 200 0 5 10 15 20 L(m m ) Tamb （℃） 图 3：工作电压在工作条件Tamb=25度下的典型变化 FIG3:Typical Change of Working Voltage under Operating Conditions at Tamb=25 ℃ 1000 Vz(mV) 图 4： 工 作 电 压 的 典 型 变 化 与 结 温 的 关 系 FIG4: Typical Ch ang e of W orking Voltage vs. Junctio n Tem p erature Vztn 1.3 V ztn=Vzt/V z(25 ℃ ) 1.2 TKvz= 10 ×1 0-4/K -4× 10-4/K 8×10 -4/K Tj=25℃ 100 1.1 6×10 -4/K 4 ×10-4/K 2 ×10-4/K 10 Iz=5mA 1.0 0 -4× 10-4/K -4× 10-4/K 0.9 1 0 5 10 15 20 25 Vz(V) 0.8 -60 0 60 120 180 240 Tj( ℃ ) 图 5： 温 度 系 数 与 齐 纳 电 压 的 关 系 F IG 5 : T e m perature C o efficien t of V z vs. Z -volta ge TKvz(10-4/K) 15 图 6： 正 向 电 流 与 正 向 电 压 的 关 系 F IG 6: F orw ard C urrent vs. F orw ard V oltage IF(mA) 100 10 10 T j=25 ℃ 1.0 5 0.1 0 0.01 -5 0 10 20 30 40 50 V z(V ) 0.001 0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 V F (V ) Document Number 0243 Rev. 1.0, 22-Sep-11 扬州扬杰电子科技股份有限公司 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd.  www.21yangjie.com 1N52 SERIES ■特性曲线（典型） Characteristics(Typical) Iz(mA) 图 7 ：齐纳电流与齐纳电压的关系 FIG7: Z-Current vs. Z-Voltage Iz(mA) 100 图8：齐纳电流与齐纳电压的关系 FIG8: Z-Current vs. Z-Voltage 50 80 Ptot=500mW Tamb=25 ℃ 60 40 Ptot=500mW Tamb=25℃ 30 40 20 20 10 0 0 4 8 12 16 20 Vz(V) 0 15 20 25 30 35 Vz(V) 图 9：不同齐纳阻抗与齐纳电压的关系 FIG9:Differential Z-Resistance vs. Z-Voltage Rz(Ω) 1000 Iz=1mA 100 5mA 10 10mA Tj=25℃ 1 0 5 10 15 20 25 Vz(V) Document Number 0243 Rev. 1.0, 22-Sep-11 扬州扬杰电子科技股份有限公司 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd.  www.21yangjie.com