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型号厂商描述数据手册替代料参考价格
SMBJ22ATWGMCTVS 二极管 VRWM=22V VBR(Min)=24.4V VC=35.5V IPP=16.9A Ppp=600W SMB获取价格
SMBJ30CATWGMCTVS 二极管 VRWM=30V VBR(Min)=33.3V VC=48.4V IPP=12.4A Ppp=600W SMB获取价格
SMBJ30ATWGMCTVS 二极管 VRWM=30V VBR(Min)=33.3V VC=48.4V IPP=12.4A Ppp=600W SMB获取价格
SMBJ78CATWGMCTVS 二极管 VRWM=78V VBR(Min)=86.7V VC=126V IPP=4.8A Ppp=600W SMB获取价格
SMBJ14ATWGMCTVS 二极管 VRWM=14V VBR(Min)=15.6V VC=23.2V IPP=25.9A Ppp=600W SMB获取价格
SMBJ9.0ATWGMCSMB SMT 9V 15.4V获取价格
SMBJ85CATWGMCTVS 二极管 VRWM=85V VBR(Min)=94.4V VC=137V IPP=4.4A Ppp=600W SMB获取价格
SMBJ45ATWGMCTVS 二极管 VRWM=45V VBR(Min)=50V VC=72.7V IPP=8.3A Ppp=600W SMB获取价格
SMBJ36ATWGMCSMB SMT 36V 58.1V获取价格
SMBJ22CATWGMCSMB SMT 22V 35.5V获取价格
SMBJ14CATWGMCTVS 二极管 VRWM=14V VBR(Min)=15.6V VC=23.2V IPP=25.9A Ppp=600W SMB获取价格
SMBJ51ATWGMCTVS 二极管 VRWM=51V VBR(Min)=56.7V VC=82.4V IPP=7.3A Ppp=600W SMB获取价格
S8050 SOT23TWGMC晶体管类型:NPN 集射极击穿电压(Vceo):25V 集电极电流(Ic):500mA 功率(Pd):300mW 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):600mV@500mA,50mA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):200@50mA,1V 特征频率(fT):150MHz 工作温度:+150℃@(Tj)获取价格
S8550 SOT23TWGMC晶体管类型:PNP 集射极击穿电压(Vceo):25V 集电极电流(Ic):500mA 功率(Pd):300mW 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):600mV@500mA,50mA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):200@50mA,1V 特征频率(fT):150MHz 工作温度:+150℃@(Tj)获取价格
SI2305TWGMCMOS管 P-Channel VDS=-12V VGS=±8V ID=-4.1A Pd=350mW SOT23获取价格
SS8050 SOT23TWGMC集电极-基极电压:40V 集电极-发射极电压:25V 集电极电流连续:1.5A 收集器功耗:0.3W 储存温度:-55-150℃ NPN获取价格
SS8550 SOT23TWGMC集电极-基极电压:-40V 集电极-发射极电压:-25V 集电极电流连续:-1.5A 收集器功耗:0.3W 储存温度:-55-150℃ PNP获取价格
MMBT3904TWGMC晶体管类型:NPN 集射极击穿电压(Vceo):40V 集电极电流(Ic):200mA 功率(Pd):200mW 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):300mV@50mA,5mA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@10mA,1V 特征频率(fT):300MHz 工作温度:+150℃@(Tj)获取价格
ESD24V32D-CTWGMC150W -55 ~ +155℃ 24V获取价格
ESD3Z5V0TWGMC200W -55 ~ +155℃ 5V获取价格