| BAS40W-05 | Mason semiconductor | 肖特基二极管 电压:40V 电流:200mA SOT-323-3 | | | 获取价格 |
| AOD407-MS | Mason semiconductor | 类型:P沟道;漏源电压(Vdss):60V;连续漏极电流(Id):14A;功率(Pd):20W; | | | 获取价格 |
| SD03C-MS | Mason semiconductor | | | | 获取价格 |
| AOD4132-MS | Mason semiconductor | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):100A;功率(Pd):53W; | | | 获取价格 |
| AOD417-MS | Mason semiconductor | 类型:P沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):40A;功率(Pd):34.7W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):18mΩ@10V,15A; | | | 获取价格 |
| DTA114YE-MS | Mason semiconductor | 晶体管类型：1个PNP-预偏置 功率(Pd)：150mW 集电极电流(Ic)：100mA 最小输入电压(VI(on)@Ic/Io,Vce/Vo)：1.4V@1mA,0.3V 最大输入电压(VI(off)@Ic/Io,Vce/Vcc)：300mV@100uA,5V 输出电压(VO(on)@Io/Ii)：300mV@5mA,0.25mA | | | 获取价格 |
| DTC143ZE-MS | Mason semiconductor | 晶体管类型：1个NPN-预偏置 功率(Pd)：150mW 集电极电流(Ic)：100mA 集射极击穿电压(Vceo)：50V 集电极截止电流(Icbo)：100nA 集射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)：250mV@10mA,1mA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：350@10mA,5V 输入电阻：4.7kΩ | | | 获取价格 |
| DTA123JE-MS | Mason semiconductor | VCC：-50V VIN -12V +5V IO:-100MA ICM:-100MA PD:150MW | | | 获取价格 |
| AMS1117-3.3V | Mason semiconductor | 线性稳压器/LDO 输入电压18V 输出电压3.3V 1A SOT89-3 | | | 获取价格 |
| B110WS | Mason semiconductor | 肖特基二极管 电压:100V 电流:1A SOD-323 | | | 获取价格 |
| SS10100 | Mason semiconductor | 肖特基二极管 SMC（DO-214AB）独立式 | | | 获取价格 |
| ZM4744A | Mason semiconductor | 齐纳/稳压二极管 LL-41 独立式 | | | 获取价格 |
| DS18B20 | Mason semiconductor | 温度传感器 TO-92-3 供电电压：2.5V~5.5V | | | 获取价格 |
| AMS1117-1.8V | Mason semiconductor | 线性稳压器/LDO 输入18V 输出1.8V 1A SOT-223 | | | 获取价格 |
| MS0603ESDA-12 | Mason semiconductor | ESD抑制器/TVS二极管 0603 12VDC Vb=130V C=1pF Vc=250V | | | 获取价格 |
| ZM4742A | Mason semiconductor | 齐纳/稳压二极管 LL41 1W Vznom=12V Izt=21mA Ir=5µA@9.1V | | | 获取价格 |
| MS0603ESDA-05 | Mason semiconductor | ESD抑制器/TVS二极管 0603 Vdc=5V Vb=130V C=1pF Vc=250V | | | 获取价格 |
| ESD5Z2V5-MS | Mason semiconductor | ESD抑制器/TVS二极管 单向 SOD523 Vrwm=2.5V Vbr=4V Vc=6.5V@5A | | | 获取价格 |
| AOD480-MS | Mason semiconductor | MOSFETs N-沟道 30V 20A TO252 | | | 获取价格 |
| MSULC0524P | Mason semiconductor | MSULC0524P | | | 获取价格 |
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