| HSM4002 | HUASHUO SEMICONDUCTOR | N-Ch 40V 7.5A 28mΩ Fast Switching MOSFETs | | | 获取价格 |
| HSK0008 | HUASHUO SEMICONDUCTOR | HSK0008 | | | 获取价格 |
| HSBA3056 | HUASHUO SEMICONDUCTOR | HSBA3056 | | | 获取价格 |
| HSBA4204 | HUASHUO SEMICONDUCTOR | HSBA4204 | | | 获取价格 |
| HSM4805 | HUASHUO SEMICONDUCTOR | 双P-Ch 30V快速开关MOSFET | | | 获取价格 |
| HSH15810 | HUASHUO SEMICONDUCTOR | N沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：120A 功率(Pd)：227W | | | 获取价格 |
| HSBB6056 | HUASHUO SEMICONDUCTOR | N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：30A 功率(Pd)：27.8W | | | 获取价格 |
| HSP80P10 | HUASHUO SEMICONDUCTOR | P沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：80A 功率(Pd)：210W | | | 获取价格 |
| HSU4115 | HUASHUO SEMICONDUCTOR | P沟道 漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：52A 功率(Pd)：52.1W | | | 获取价格 |
| HSBB0012 | HUASHUO SEMICONDUCTOR | N沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：20A 功率(Pd)：21W | | | 获取价格 |
| HSH6115 | HUASHUO SEMICONDUCTOR | 类型:P沟道;漏源电压(Vdss):60V;连续漏极电流(Id):45A;功率(Pd):86.8W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):25mΩ@10V,18A;阈值电压(Vgs(th)@Id):2.5V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):25nC@4.5V;输入电容(Ciss@Vds):3.635nF@15V;反向传输电容(Crss@Vds):141pF@15V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | | | 获取价格 |
| HSS2N15 | HUASHUO SEMICONDUCTOR | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):150V;连续漏极电流(Id):1.8A;功率(Pd):1.3W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):240mΩ@10V,2A;阈值电压(Vgs(th)@Id):2V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):18nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):840pF@75V;反向传输电容(Crss@Vds):25pF@75V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | | | 获取价格 |
| HSS2302A | HUASHUO SEMICONDUCTOR | 漏源电压（Vdss）:20V;连续漏极电流（Id）（25°C 时）:3.6A;栅源极阈值电压:1.2V @ 250uA;漏源导通电阻:50mΩ @ 3A,4.5V;最大功率耗散（Ta=25°C）:1W;类型:N沟道; | | | 获取价格 |
| HSS2300A | HUASHUO SEMICONDUCTOR | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):20V;连续漏极电流(Id):6A;功率(Pd):1W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):26mΩ@4.5V,4A;阈值电压(Vgs(th)@Id):1V@250uA; | | | 获取价格 |
| HSS2306A | HUASHUO SEMICONDUCTOR | 漏源电压（Vdss）:30V;连续漏极电流（Id）（25°C 时）:4.6A;栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA;漏源导通电阻:33mΩ @ 4A,10V;最大功率耗散（Ta=25°C）:1W;类型:N沟道; | | | 获取价格 |
| HSS2307 | HUASHUO SEMICONDUCTOR | 类型:P沟道;漏源电压(Vdss):20V;连续漏极电流(Id):6A;功率(Pd):1.4W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):25mΩ@4.5V,6A; | | | 获取价格 |
| HSW6811 | HUASHUO SEMICONDUCTOR | 类型:2个P沟道;漏源电压(Vdss):20V;连续漏极电流(Id):2A;功率(Pd):1W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):130mΩ@4.5V,2A;阈值电压(Vgs(th)@Id):1V@250uA; | | | 获取价格 |
| HSP100N15 | HUASHUO SEMICONDUCTOR | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):150V;连续漏极电流(Id):100A;功率(Pd):178W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):7.3mΩ@10V,20A;阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):100nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):5.88nF@75V;反向传输电容(Crss@Vds):9.5pF@75V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | | | 获取价格 |
| HSP6016 | HUASHUO SEMICONDUCTOR | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):60V;连续漏极电流(Id):60A;功率(Pd):86.8W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):12mΩ@10V,30A;阈值电压(Vgs(th)@Id):2.5V@250uA; | | | 获取价格 |
| HSU6040 | HUASHUO SEMICONDUCTOR | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):60V;连续漏极电流(Id):112A;功率(Pd):104W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):5.2mΩ@10V,18A;阈值电压(Vgs(th)@Id):2.5V@250uA; | | | 获取价格 |
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