| MMBD7000LT1G | Shenzhen FuxinSemi Technology Co., Ltd | 开关二极管 VRWM=53V IO=200mA PD=225mW SOT23 | | | 获取价格 |
| SM712 | Shenzhen FuxinSemi Technology Co., Ltd | TVS二级管 VRWM=7V,12V IR=1uA Vc=20V,30V P=300W | | | 获取价格 |
| S8050 | Shenzhen FuxinSemi Technology Co., Ltd | 通用三极管 NPN 25V 500mA SOT23 | | | 获取价格 |
| FS2309 | Shenzhen FuxinSemi Technology Co., Ltd | 类型:P沟道;漏源电压(Vdss):60V;连续漏极电流(Id):1.6A;功率(Pd):1.5W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):190mΩ@10V,1.5A; | | | 获取价格 |
| BT131S | Shenzhen FuxinSemi Technology Co., Ltd | | | | 获取价格 |
| DFR1G | Shenzhen FuxinSemi Technology Co., Ltd | 二极管配置:独立式;直流反向耐压(Vr):400V;平均整流电流(Io):1A;正向压降(Vf):1.3V@1A;反向恢复时间(trr):150ns; | | | 获取价格 |
| STTH112A | Shenzhen FuxinSemi Technology Co., Ltd | | | | 获取价格 |
| B340A | Shenzhen FuxinSemi Technology Co., Ltd | | | | 获取价格 |
| MBR0520L | Shenzhen FuxinSemi Technology Co., Ltd | 肖特基二极管 单路 VR=20V IF=500mA IR=250μA@20V SOD123 | | | 获取价格 |
| 1N5824 | Shenzhen FuxinSemi Technology Co., Ltd | 肖特基二极管 DO201AD IF=5A VRRM=30V VF=550mV | | | 获取价格 |
| MBRS340T3G | Shenzhen FuxinSemi Technology Co., Ltd | 肖特基二极管 7.11 x 6.22mm SMT 3A 500mV 80A | | | 获取价格 |
| 1N5408G | Shenzhen FuxinSemi Technology Co., Ltd | 正向压降(Vf)：1.1V@3A 平均整流电流(Io)：3A | | | 获取价格 |
| S1MD3 | Shenzhen FuxinSemi Technology Co., Ltd | S1MD3 | | | 获取价格 |
| SMBJ15CA | Shenzhen FuxinSemi Technology Co., Ltd | SMBJ15CA | | | 获取价格 |
| DSR1M | Shenzhen FuxinSemi Technology Co., Ltd | SOD123 | | | 获取价格 |
| MCR100-8-23L | Shenzhen FuxinSemi Technology Co., Ltd | | | | 获取价格 |
| MMBTA42 | Shenzhen FuxinSemi Technology Co., Ltd | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):300V;集电极电流(Ic):300mA;功率(Pd):350mW;集电极截止电流(Icbo):250nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):200mV@20mA,2mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@10mA,10V;特征频率(fT):50MHz;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | | | 获取价格 |
| MCR100-8W | Shenzhen FuxinSemi Technology Co., Ltd | | | | 获取价格 |
| BT131G | Shenzhen FuxinSemi Technology Co., Ltd | | | | 获取价格 |
| BT169D | Shenzhen FuxinSemi Technology Co., Ltd | | | | 获取价格 |
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