| 27473C | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 47 µH 无屏蔽 绕线 电感器 500 mA 700 毫欧最大 非标准 | | | 获取价格 |
| NCV1117ST50T3G | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 输出类型:固定;输出极性:正;输出通道数:1;最大输入电压:20V;输出电压:5V;压差:1.2V@(800mA);输出电流:1A;电源纹波抑制比(PSRR):61dB@(120Hz); | | | 获取价格 |
| MC78L15ACPG | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 输出类型:固定;输出极性:正;输出通道数:1;最大输入电压:35V;输出电压:15V;压差:-;输出电流:100mA;电源纹波抑制比(PSRR):39dB@(120Hz); | | | 获取价格 |
| NCP1117LPST50T3G | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 输出类型:固定;输出极性:正;最大输入电压:18V;输出电压:5V;输出电流:1A;电源纹波抑制比(PSRR):60dB@(120Hz); | | | 获取价格 |
| MC33275ST-5.0T3G | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 输出类型:固定;输出极性:正;最大输入电压:13V;输出电压:5V;输出电流:300mA;电源纹波抑制比(PSRR):75dB@(120Hz); | | | 获取价格 |
| NCV8406ASTT1G | Murata Manufacturing Co., Ltd. | NCV8406 是一款三端子保护低压侧智能分立器件。保护功能包括过电流、高温、ESD 和用于过电压保护的集成式漏极-门极箝位。此器件提供保护，适用于严苛的汽车环境。 | | | 获取价格 |
| NCV8402ASTT1G | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 特性:过流保护(OCP)；过热保护(OPT)；过压保护(OVP); | | | 获取价格 |
| BCP53T1G | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):80V;集电极电流(Ic):1.5A;功率(Pd):1.5W;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):500mV@500mA,50mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):40@150mA,2V;特征频率(fT):50MHz;工作温度:-65℃~+150℃@(Tj); | | | 获取价格 |
| NSS1C201MZ4T1G | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):100V;集电极电流(Ic):2A;功率(Pd):2W;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):180mV@2A,200mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):120@500mA,2V;特征频率(fT):100MHz;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | | | 获取价格 |
| NJT4031NT1G | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):40V;集电极电流(Ic):3A;功率(Pd):2W;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):300mV@3A,300mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):200@1A,1V;特征频率(fT):215MHz;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | | | 获取价格 |
| MJB44H11T4G | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):80V;集电极电流(Ic):10A;功率(Pd):2W;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):40@4A,1V; | | | 获取价格 |
| NCV8403ASTT1G | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):42V;连续漏极电流(Id):15A;功率(Pd):1.56W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):68mΩ@10V,3A;阈值电压(Vgs(th)@Id):2.2V@1.2mA;工作温度:-40℃~+150℃@(Tj); | | | 获取价格 |
| FDB86363-F085 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):80V;连续漏极电流(Id):110A;功率(Pd):300W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):2mΩ@10V,80A;阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):131nC@0~10V;输入电容(Ciss@Vds):10nF@40V;反向传输电容(Crss@Vds):95pF@40V;工作温度:-55℃~+175℃@(Tj); | | | 获取价格 |
| NZT651 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):60V;集电极电流(Ic):4A;功率(Pd):1.2W;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):500mV@2A,200mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):40@2A,2V;特征频率(fT):75MHz;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | | | 获取价格 |
| FQD17P06TM | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 此 P 沟道增强型功率 MOSFET 是使用平面条纹和 DMOS 专属技术生产的。此先进 MOSFET 技术适用于降低导通电阻，提供卓越的开关性能以及高雪崩能量强度。此类器件适用于开关模式电源、音频放大器、直流电机控制和可变开关电源应用。 | | | 获取价格 |
| DFE252012PD-100M=P2 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | | | | 获取价格 |
| NTB7D3N15MC | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):150V;连续漏极电流(Id):101A;功率(Pd):166W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):6mΩ@10V,62A; | | | 获取价格 |
| FDB060AN08A0 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):75V;连续漏极电流(Id):16A；80A;功率(Pd):255W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):6mΩ@80A,10V; | | | 获取价格 |
| MJD32CT4G | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):100V;集电极电流(Ic):3A;功率(Pd):15W;集电极截止电流(Icbo):-;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):1.2V@3A,375mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):10@3A,4V;特征频率(fT):3MHz;工作温度:-65℃~+150℃@(Tj); | | | 获取价格 |
| MJD44H11G | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):80V;集电极电流(Ic):8A;功率(Pd):1.75W;集电极截止电流(Icbo):-;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):1V@8A,400mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):40@4A,1V;特征频率(fT):85MHz;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | | | 获取价格 |
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