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型号厂商描述数据手册替代料参考价格
AP2306AGNVBsemi Electronics Co. LtdMOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=5.3A RDS(ON)=33mΩ@4.5V SOT23获取价格
SI2302CDS-T1-GE3VBsemi Electronics Co. LtdMOS管 N-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=5A RDS(ON)=28mΩ@4.5V SOT23获取价格
TP0610K-T1VBsemi Electronics Co. LtdVds=60V Id=500mA SOT-23-3获取价格
ZXMN6A07FVBsemi Electronics Co. LtdVds=60V Id=3.1A SOT-23-3获取价格
AM2361P-T1-PF-VBVBsemi Electronics Co. LtdMOSFETs P-沟道 SOT23-3获取价格
CEB73A3G-VBVBsemi Electronics Co. Ltd类型:N沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):70A;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):7.5mΩ@10V,70A;获取价格
IRF9Z34NS-VBVBsemi Electronics Co. Ltd类型:P沟道;漏源电压(Vdss):60V;连续漏极电流(Id):35A;功率(Pd):-;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):48mΩ@10V,35A;阈值电压(Vgs(th)@Id):-;栅极电荷(Qg@Vgs):-;输入电容(Ciss@Vds):-;反向传输电容(Crss@Vds):-;获取价格
NTD20N03L27T4G-VBVBsemi Electronics Co. Ltd类型:N沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):50A;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):7mΩ@10V,50A;获取价格
NTD40N03RT4G-VBVBsemi Electronics Co. Ltd类型:N沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):50A;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):7mΩ@10V,50A;获取价格
IRF640NSPBF-VBVBsemi Electronics Co. Ltd类型:N沟道;漏源电压(Vdss):200V;连续漏极电流(Id):20A;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):90mΩ@10V,20A;获取价格
NVD2955T4G-VBVBsemi Electronics Co. Ltd获取价格
NTD4904NT4G-VBVBsemi Electronics Co. Ltd获取价格
IRFR014TRPBF-VBVBsemi Electronics Co. Ltd类型:N沟道;漏源电压(Vdss):60V;连续漏极电流(Id):18.2A;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):73mΩ@10V,18.2A;获取价格
IRFL014TRPBF-VBVBsemi Electronics Co. Ltd获取价格
10N03LA-VBVBsemi Electronics Co. Ltd获取价格
FIR15N10LG-VBVBsemi Electronics Co. Ltd类型:N沟道;漏源电压(Vdss):100V;连续漏极电流(Id):15A;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):114mΩ@10V,15A;获取价格
IRFR3709ZTRRPBF-VBVBsemi Electronics Co. Ltd获取价格
STU606S-VBVBsemi Electronics Co. Ltd获取价格
IRFR3708TRPBF-VBVBsemi Electronics Co. Ltd类型:N沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):80A;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):5mΩ@10V,80A;获取价格
20N06HD-VBVBsemi Electronics Co. Ltd类型:N沟道;漏源电压(Vdss):60V;连续漏极电流(Id):35A;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):25mΩ@10V,35A;获取价格