MMFTN20

MMFTN20 MMFTN20 N Version 2010-09-24 Power dissipation – Verlustleistung 2.9 ±0.1 0.4 3 1.3±0.1 1.1 N-Channel Enhancement Vertical D-MOS Transistor N-Kanal Vertikal D-MOS Transistor - Anreicherungstyp N 300 mW SOT-23 (TO-236) 0.01 g Type Code 1 1.9 2 2.5 max Plastic case Kunststoffgehäuse Weight approx. – Gewicht ca. Plastic material has UL classification 94V-0 Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert Standard packaging taped and reeled Standard Lieferform gegurtet auf Rolle Dimensions - Maße [mm] 1=G 2=S 3=D Maximum ratings (TA = 25°C) Drain-Source-voltage – Drain-Source-Spannung Gate-Source-voltage – Gate-Source-Spannung Power dissipation – Verlustleistung Power dissipation – Verlustleistung Drain current – Drainstrom (dc) Peak Drain current – Drain-Spitzenstrom Junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur D open VDS VGSO Ptot Ptot ID IDM Tj TS Grenzwerte (TA = 25°C) MMFTN20 50 V ± 20 V 300 mW 1) 250 mW 2) 100 mA 300 mA -55...+150°C -55…+150°C 1 2 Device mounted on a ceramic substrate 10 x 8 x 0.7 mm Bauteil montiert auf Keramiksubstrat 10 x 8 x 0.7 mm Device mounted on standard PCB material Bauteil montiert auf Standard-Leiterplattenmaterial http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG 1 MMFTN20 Characteristics (Tj = 25°C) Drain-Source breakdown voltage – Drain-Source-Durchbruchspannung ID = 10 µA Drain-Source leakage current – Drain-Source-Leckstrom VDS = 40 V Gate-Source leakage current – Gate-Source-Leckstrom VGS = ± 20 V Gate-Source threshold voltage – Gate-Source Schwellspannung VGS = VGS, ID = 1 mA VGS = 10 V, ID = 100 mA VGS = 5 V, ID = 100 mA VGS = 2.5 V, ID = 10 mA Forward Transfer Admittance – Übertragungssteilheit VDS = 10 V, ID = 100 mA Input Capacitance – Eingangskapazität VDS = 10 V, f = 1 MHz Output Capacitance – Ausgangskapazität VDS = 10 V, f = 1 MHz Reverse Transfer Capacitance – Rückwirkungskapazität VDS = 10 V, f = 1 MHz Turn-On Time – Einschaltzeit VGS = 0 ... 10 V, VDD = 20 V, ID = 100 mA Turn-Off Time – Ausschaltzeit VGS = 10 ... 0 V, VDD = 20 V, ID = 100 mA Thermal resistance junction to ambient air Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft t(off) RthA RthA < 430 K/W ) < 500 K/W 2) 1 Kennwerte (Tj = 25°C) Min. V(BR)DSS IDSS IGSS VGS(th) RDS(on) RDS(on) RDS(on) 0.4 V 50 V 1 µA ± 100 nA 1.8 V 15 Ω 20 Ω 30 Ω 40 mS Typ. Max. Drain-Source on-state resistance – Drain-Source Einschaltwiderstand ‫׀‬gfs‫׀‬ Ciss Coss Crss t(on) 15 pF 15 pF 5 pF 5 ns 10 ns 1 2 Device mounted on a ceramic substrate 10 x 8 x 0.7 mm Bauteil montiert auf Keramiksubstrat 10 x 8 x 0.7 mm Device mounted on standard PCB material Bauteil montiert auf Standard-Leiterplattenmaterial http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG 2