DF11MR12W1M1B11BPSA1

DF11MR12W1M1_B11 EasyPACK™ModulmitCoolSiC™TrenchMOSFETundPressFIT/NTC EasyPACK™modulewithCoolSiC™TrenchMOSFETandPressFIT/NTC VorläufigeDaten/PreliminaryData VDSS = 1200V ID nom = 50A / IDRM = 100A PotentielleAnwendungen • SolarAnwendungen PotentialApplications • Solarapplications ElektrischeEigenschaften • HoheStromdichte • NiederinduktivesDesign ElectricalFeatures • Highcurrentdensity • Lowinductivedesign MechanischeEigenschaften • IntegrierterNTCTemperaturSensor • PressFITVerbindungstechnik • Robuste Montage durch integrierte Befestigungsklammern MechanicalFeatures • IntegratedNTCtemperaturesensor • PressFITcontacttechnology • Rugged mounting due to integrated mounting clamps ModuleLabelCode BarcodeCode128 DMX-Code Datasheet www.infineon.com ContentoftheCode Digit ModuleSerialNumber ModuleMaterialNumber ProductionOrderNumber Datecode(ProductionYear) Datecode(ProductionWeek) 1-5 6-11 12-19 20-21 22-23 PleasereadtheImportantNoticeandWarningsattheendofthisdocument V2.3 2018-12-17 DF11MR12W1M1_B11 VorläufigeDaten PreliminaryData MOSFET/MOSFET HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues Drain-Source-Spannung Drain-sourcevoltage Drain-Gleichstrom DCdraincurrent GepulsterDrainstrom Pulseddraincurrent Gate-SourceSpannung Gate-sourcevoltage Tvj = 175°C, VGS = 15 V 1200  V ID nom  50  A ID pulse  100  A -10 / 20  V Tvj = 25°C VDSS TH = 30°C verifiziertdurchDesign,tplimitiertdurchTvjmax verifiedbydesign,tplimitedbyTvjmax VGSS   CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. Einschaltwiderstand Drain-sourceonresistance ID = 50 A VGS = 15 V Gate-Schwellenspannung Gatethresholdvoltage GesamtGateladung Totalgatecharge InternerGatewiderstand Internalgateresistor Eingangskapazität Inputcapacitance Ausgangskapazität Outputcapacitance Rückwirkungskapazität Reversetransfercapacitance COSSSpeicherenergie COSSstoredenergy Drain-Source-Reststrom Zerogatevoltagedraincurrent Gate-Source-Reststrom Gate-sourceleakagecurrent Einschaltverzögerungszeit,induktiveLast Turnondelaytime,inductiveload ID=20,0mA,VDS=VGS,Tvj=25°C (testedafter1mspulseatVGS=+20V) Anstiegszeit,induktiveLast Risetime,inductiveload Abschaltverzögerungszeit,induktiveLast Turnoffdelaytime,inductiveload Fallzeit,induktiveLast Falltime,inductiveload EinschaltverlustenergieproPuls Turn-onenergylossperpulse AbschaltverlustenergieproPuls Turn-offenergylossperpulse Kurzschlußverhalten SCdata Wärmewiderstand,ChipbisKühlkörper Thermalresistance,junctiontoheatsink Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C RDS on VGS(th) 3,45 typ. 22,5 29,5 33,0 max. 4,50 5,55 mΩ V VGS = -5 V / 15 V, VDS = 800 V QG 0,124 µC Tvj = 25°C RGint 2,0 Ω Ciss 3,68 nF Coss 0,22 nF Crss 0,028 nF Eoss 88,0 µJ IDSS 0,20 f = 1 MHz, Tvj = 25°C VDS = 800 V, VGS = 0 V, VAC = 25 mV f = 1 MHz, Tvj = 25°C VDS = 800 V, VGS = 0 V, VAC = 25 mV f = 1 MHz, Tvj = 25°C VDS = 800 V, VGS = 0 V, VAC = 25 mV Tvj = 25°C VDS = 800 V, VGS = -5 V / 15 V VDS = 1200 V, VGS = -5 V Tvj = 25°C VDS = 0 V Tvj = 25°C ID = 50 A, VDS = 600 V VGS = -5 V / 15 V RGon = 1,00 Ω ID = 50 A, VDS = 600 V VGS = -5 V / 15 V RGon = 1,00 Ω ID = 50 A, VDS = 600 V VGS = -5 V / 15 V RGoff = 1,00 Ω ID = 50 A, VDS = 600 V VGS = -5 V / 15 V RGoff = 1,00 Ω ID = 50 A, VDS = 600 V, Lσ = 35 nH di/dt = 11,0 kA/µs (Tvj = 150°C) VGS = -5 V / 15 V, RGon = 1,00 Ω ID = 50 A, VDS = 600 V, Lσ = 35 nH du/dt = 55,0 kV/µs (Tvj = 150°C) VGS = -5 V / 15 V, RGoff = 1,00 Ω VGS = 20 V VGS = -10 V Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C VGS = -5 V / 15 V, VDD = 800 V VDSmax = VDSS -LsDS ·di/dt RG = 10,0 Ω tP ≤ 2 µs, Tvj = 25°C tP ≤ 2 µs, Tvj = 150°C proMOSFET/perMOSFET TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions 210 400 IGSS 10,0 10,0 10,0 9,60 9,60 9,60 43,5 43,5 43,5 12,0 12,0 12,0 0,385 0,385 0,385 0,10 0,10 0,10 td on tr td off tf Eon Eoff µA nA ns ns ns ns mJ mJ ISC 420 410 A A RthJH 1,12 K/W Tvj op -40 150 °C BodyDiode/Bodydiode HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues BodyDiode-Gleichstrom DCbodydiodeforwardcurrent Tvj = 175°C, VGS = -5 V TH = 30°C ISD CharakteristischeWerte/CharacteristicValues Durchlassspannung Forwardvoltage Datasheet  min. ISD = 50 A, VGS = -5 V ISD = 50 A, VGS = -5 V ISD = 50 A, VGS = -5 V Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C 2 VSD  A 16 typ. 4,60 4,35 4,30 max. 5,65 V V2.3 2018-12-17 DF11MR12W1M1_B11 VorläufigeDaten PreliminaryData Diode,Hochsetzsteller/Diode,Boost HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues PeriodischeSpitzensperrspannung Repetitivepeakreversevoltage VRRM  Tvj = 25°C Dauergleichstrom ContinuousDCforwardcurrent PeriodischerSpitzenstrom Repetitivepeakforwardcurrent tP = 1 ms Grenzlastintegral I²t-value VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 150°C 1200  V IF  40  A IFRM  80  A I²t  320 295  CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. A²s A²s typ. max. 1,85 VF 1,40 1,70 1,85 Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C IRM 60,0 57,0 57,0 A A A IF = 40 A, - diF/dt = 9500 A/µs (Tvj=150°C) VR = 600 V Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Qr 0,523 0,531 0,531 µC µC µC AbschaltenergieproPuls Reverserecoveryenergy IF = 40 A, - diF/dt = 9500 A/µs (Tvj=150°C) VR = 600 V Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Erec 0,089 0,096 0,096 mJ mJ mJ Wärmewiderstand,ChipbisKühlkörper Thermalresistance,junctiontoheatsink proDiode/perdiode RthJH 1,08 K/W Durchlassspannung Forwardvoltage IF = 40 A, VGE = 0 V IF = 40 A, VGE = 0 V IF = 40 A, VGE = 0 V Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Rückstromspitze Peakreverserecoverycurrent IF = 40 A, - diF/dt = 9500 A/µs (Tvj=150°C) VR = 600 V Sperrverzögerungsladung Recoveredcharge TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions Tvj op -40 V V V 150 °C Bypass-Diode/Bypass-Diode HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues PeriodischeSpitzensperrspannung Repetitivepeakreversevoltage Tvj = 25°C VRRM  1200  V DurchlassstromGrenzeffektivwertproChip TH = 80°C MaximumRMSforwardcurrentperchip IFRMSM  50  A GleichrichterAusgangGrenzeffektivstrom MaximumRMScurrentatrectifieroutput TH = 80°C IRMSM  50  A StoßstromGrenzwert Surgeforwardcurrent tp = 10 ms, Tvj = 25°C tp = 10 ms, Tvj = 150°C IFSM  450 360  A A Grenzlastintegral I²t-value tp = 10 ms, Tvj = 25°C tp = 10 ms, Tvj = 150°C I²t  1010 648  A²s A²s CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. max. Durchlassspannung Forwardvoltage Tvj = 150°C, IF = 30 A VF 0,95 V Sperrstrom Reversecurrent Tvj = 150°C, VR = 1200 V IR 0,10 mA Wärmewiderstand,ChipbisKühlkörper Thermalresistance,junctiontoheatsink proDiode/perdiode RthJH 1,37 K/W TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions Datasheet Tvj op 3 -40 150 °C V2.3 2018-12-17 DF11MR12W1M1_B11 VorläufigeDaten PreliminaryData VerpolschutzDiodeA/Inverse-polarityprotectiondiodeA HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues PeriodischeSpitzensperrspannung Repetitivepeakreversevoltage Tvj = 25°C VRRM  1200  V DurchlassstromGrenzeffektivwertproChip TH = 80°C MaximumRMSforwardcurrentperchip IFRMSM  50  A GleichrichterAusgangGrenzeffektivstrom MaximumRMScurrentatrectifieroutput TH = 80°C IRMSM  50  A StoßstromGrenzwert Surgeforwardcurrent tp = 10 ms, Tvj = 25°C tp = 10 ms, Tvj = 150°C IFSM  450 360  A A Grenzlastintegral I²t-value tp = 10 ms, Tvj = 25°C tp = 10 ms, Tvj = 150°C I²t  1010 648  A²s A²s CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. max. Durchlassspannung Forwardvoltage Tvj = 150°C, IF = 30 A VF 0,95 V Sperrstrom Reversecurrent Tvj = 150°C, VR = 1200 V IR 0,10 mA Wärmewiderstand,ChipbisKühlkörper Thermalresistance,junctiontoheatsink proDiode/perdiode RthJH 1,37 K/W TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions Tvj op -40 150 °C VerpolschutzDiodeB/Inverse-polarityprotectiondiodeB HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues PeriodischeSpitzensperrspannung Repetitivepeakreversevoltage Tvj = 25°C VRRM  1200  V DurchlassstromGrenzeffektivwertproChip TH = 80°C MaximumRMSforwardcurrentperchip IFRMSM  50  A GleichrichterAusgangGrenzeffektivstrom MaximumRMScurrentatrectifieroutput TH = 80°C IRMSM  50  A StoßstromGrenzwert Surgeforwardcurrent tp = 10 ms, Tvj = 25°C tp = 10 ms, Tvj = 150°C IFSM  450 360  A A Grenzlastintegral I²t-value tp = 10 ms, Tvj = 25°C tp = 10 ms, Tvj = 150°C I²t  1010 648  A²s A²s CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. max. Durchlassspannung Forwardvoltage Tvj = 150°C, IF = 30 A VF 0,95 V Sperrstrom Reversecurrent Tvj = 150°C, VR = 1200 V IR 0,10 mA Wärmewiderstand,ChipbisKühlkörper Thermalresistance,junctiontoheatsink proDiode/perdiode RthJH 1,37 K/W TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions Datasheet Tvj op 4 -40 150 °C V2.3 2018-12-17 DF11MR12W1M1_B11 VorläufigeDaten PreliminaryData NTC-Widerstand/NTC-Thermistor CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. max. Nennwiderstand Ratedresistance TNTC = 25°C AbweichungvonR100 DeviationofR100 TNTC = 100°C, R100 = 493 Ω Verlustleistung Powerdissipation TNTC = 25°C B-Wert B-value R2 = R25 exp [B25/50(1/T2 - 1/(298,15 K))] B25/50 3375 K B-Wert B-value R2 = R25 exp [B25/80(1/T2 - 1/(298,15 K))] B25/80 3411 K B-Wert B-value R2 = R25 exp [B25/100(1/T2 - 1/(298,15 K))] B25/100 3433 K R25 5,00 ∆R/R -5 P25 kΩ 5 % 20,0 mW AngabengemäßgültigerApplicationNote. Specificationaccordingtothevalidapplicationnote. Modul/Module Isolations-Prüfspannung Isolationtestvoltage RMS, f = 50 Hz, t = 1 min. InnereIsolation Internalisolation Basisisolierung(Schutzklasse1,EN61140) basicinsulation(class1,IEC61140)  Al2O3  Kriechstrecke Creepagedistance Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal  11,5 6,3  mm Luftstrecke Clearance Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal  10,0 5,0  mm CTI  > 200  RTI  140 VISOL  VergleichszahlderKriechwegbildung Comperativetrackingindex RelativerTemperaturindex(elektr.) RTIElec. Gehäuse housing  kV 3,0 min. Modulstreuinduktivität Strayinductancemodule LsCE Lagertemperatur Storagetemperature Tstg -40 Anpresskraft für mech. Bef. pro Feder mountig force per clamp F 20 Gewicht Weight G typ.  °C max. 10 24 nH 125 °C 50 N g The current under continuous operation is limited to 25 A rms per connector pin. Important note: The selection of positive and negative gate-source voltages impacts the long-term behavior of the device. The design guidelines described in Application Note AN 2018-09 must be considered to ensure sound operation of the device over the planned lifetime. Datasheet 5 V2.3 2018-12-17 DF11MR12W1M1_B11 VorläufigeDaten PreliminaryData SichererRückwärts-ArbeitsbereichMOSFET(RBSOA) reversebiassafeoperatingareaMOSFET(RBSOA) ID=f(VDS) VGS=-5V/15V,RG=1Ω,Tvj=150°C TransienterWärmewiderstandMOSFET transientthermalimpedanceMOSFET ZthJH=f(t) 120 10 ID, Modul ID, Chip 110 ZthJH: MOSFET 100 90 80 1 ZthJH [K/W] ID [A] 70 60 50 40 0,1 30 20 i: 1 2 3 4 ri[K/W]: 0,05 0,196 0,705 0,169 τi[s]: 0,000598 0,0138 0,159 0,981 10 0 0 200 400 600 800 VDS [V] 1000 1200 0,01 0,001 1400 AusgangskennlinieMOSFET(typisch) outputcharacteristicMOSFET(typical) ID=f(VDS) VGS=15V 1 10 100 Tvj = 25°C Tvj = 125 °C Tvj = 150°C 90 Tvj = 25°C 90 80 80 70 70 60 60 ID [A] ID [A] 0,1 t [s] ÜbertragungscharakteristikMOSFET(typisch) transfercharacteristicMOSFET(typical) ID=f(VGS) VDS=20V 100 50 50 40 40 30 30 20 20 10 10 0 0,01 0,0 Datasheet 0,5 1,0 1,5 2,0 VDS [V] 2,5 3,0 3,5 0 4,0 6 3 4 5 6 7 8 VGS [V] 9 10 11 12 V2.3 2018-12-17 DF11MR12W1M1_B11 VorläufigeDaten PreliminaryData SchaltverlusteMOSFET(typisch) switchinglossesMOSFET(typical) Eon=f(ID),Eoff=f(ID) VGS=-5V/15V,RGon=1,0Ω,RGoff=1,0Ω,VDS=600V SchaltverlusteMOSFET(typisch) switchinglossesMOSFET(typical) Eon=f(RG),Eoff=f(RG) VGS=-5V/15V,ID=50A,VDS=600V 0,6 1,0 Eon, Tvj = 125°C; Eon, Tvj = 150°C Eoff, Tvj = 125°C; Eoff, Tvj = 150°C Eon, Tvj = 125°C; Eon, Tvj = 150°C Eoff, Tvj = 125°C; Eoff, Tvj = 150°C 0,9 0,5 0,8 0,7 0,4 E [mJ] E [mJ] 0,6 0,3 0,5 0,4 0,2 0,3 0,2 0,1 0,1 0,0 0 10 20 30 40 50 60 ID [A] 70 80 90 0,0 100 DurchlasskennliniederDiode,Hochsetzsteller(typisch) forwardcharacteristicofDiode,Boost(typical) IF=f(VF) 0 1 2 3 4 5 6 RG [Ω] 7 8 9 10 TransienterWärmewiderstandDiode,Hochsetzsteller transientthermalimpedanceDiode,Boost ZthJH=f(t) 80 10 Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C 70 ZthJH : Diode 60 1 ZthJH [K/W] IF [A] 50 40 30 0,1 20 i: 1 2 3 4 ri[K/W]: 0,061 0,19 0,312 0,517 τi[s]: 0,000676 0,00752 0,0411 0,184 10 0 0,0 Datasheet 0,5 1,0 1,5 VF [V] 2,0 2,5 3,0 0,01 0,001 7 0,01 0,1 t [s] 1 10 V2.3 2018-12-17 DF11MR12W1M1_B11 VorläufigeDaten PreliminaryData DurchlasskennliniederBypass-Diode(typisch) forwardcharacteristicofBypass-Diode(typical) IF=f(VF) DurchlasskennliniederVerpolschutzDiodeA(typisch) forwardcharacteristicofInverse-polarityprotectiondiodeA (typical) IF=f(VF) 60 60 Tvj = 25°C Tvj = 150°C 50 50 45 45 40 40 35 35 30 30 25 25 20 20 15 15 10 10 5 5 0 0,0 0,2 Tvj = 25°C Tvj = 150°C 55 IF [A] IF [A] 55 0,4 0,6 VF [V] 0,8 1,0 0 1,2 DurchlasskennliniederVerpolschutzDiodeB(typisch) forwardcharacteristicofInverse-polarityprotectiondiodeB (typical) IF=f(VF) 60 0,0 0,2 0,4 0,6 VF [V] 0,8 1,0 1,2 NTC-Widerstand-Temperaturkennlinie(typisch) NTC-Thermistor-temperaturecharacteristic(typical) R=f(T) 100000 Tvj = 25°C Tvj = 150°C 55 Rtyp 50 45 40 10000 R[Ω] IF [A] 35 30 25 20 1000 15 10 5 0 0,0 Datasheet 0,2 0,4 0,6 VF [V] 0,8 1,0 1,2 100 8 0 20 40 60 80 100 TNTC [°C] 120 140 160 V2.3 2018-12-17 DF11MR12W1M1_B11 VorläufigeDaten PreliminaryData Schaltplan/Circuitdiagram Gehäuseabmessungen/Packageoutlines Infineon Datasheet 9 V2.3 2018-12-17 Trademarks Allreferencedproductorservicenamesandtrademarksarethepropertyoftheirrespectiveowners.    Edition2018-12-17 Publishedby InfineonTechnologiesAG 81726München,Germany ©2018InfineonTechnologiesAG. AllRightsReserved. Doyouhaveaquestionaboutthisdocument? Email:erratum@infineon.com   WICHTIGERHINWEIS DieindiesemDokumententhaltenenAngabenstellenkeinesfallsGarantienfürdieBeschaffenheitoderEigenschaftendesProduktes (“Beschaffenheitsgarantie“)dar.FürBeispiele,HinweiseodertypischeWerte,dieindiesemDokumententhaltensind,und/oderAngaben, diesichaufdieAnwendungdesProduktesbeziehen,istjeglicheGewährleistungundHaftungvonInfineonTechnologiesausgeschlossen, einschließlich,ohnehieraufbeschränktzusein,dieGewährdafür,dasskeingeistigesEigentumDritterverletztist. DesWeiterenstehensämtliche,indiesemDokumententhaltenenInformationen,unterdemVorbehaltderEinhaltungderindiesem DokumentfestgelegtenVerpflichtungendesKundensowieallerimHinblickaufdasProduktdesKundensowiedieNutzungdesInfineon ProduktesindenAnwendungendesKundenanwendbarengesetzlichenAnforderungen,NormenundStandardsdurchdenKunden. DieindiesemDokumententhaltenenDatensindausschließlichfürtechnischgeschultesFachpersonalbestimmt.DieBeurteilungder EignungdiesesProduktesfürdiebeabsichtigteAnwendungsowiedieBeurteilungderVollständigkeitderindiesemDokumententhaltenen ProduktdatenfürdieseAnwendungobliegtdentechnischenFachabteilungendesKunden. SolltenSievonunsweitereInformationenimZusammenhangmitdemProdukt,derTechnologie,Lieferbedingungenbzw.Preisen benötigen,wendenSiesichbitteandasnächsteVertriebsbürovonInfineonTechnologies(www.infineon.com). WARNHINWEIS AufgrunddertechnischenAnforderungenkönnenProduktegesundheitsgefährdendeSubstanzenenthalten.BeiFragenzudenindiesem ProduktenthaltenenSubstanzen,setzenSiesichbittemitdemnächstenVertriebsbürovonInfineonTechnologiesinVerbindung. 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