DF80R12W2H3FB11BPSA1

DF80R12W2H3F_B11 EasyPACKModulmitschnellemTrench/FeldstoppHigh-Speed3IGBTundSiCDiodeundPressFIT/NTC EasyPACKmodulewithfastTrench/FieldstopHigh-Speed3IGBTandSiCdiodeandPressFIT/NTC J VCES = 1200V IC nom = 80A / ICRM = 160A TypischeAnwendungen • SolarAnwendungen TypicalApplications • Solarapplications ElektrischeEigenschaften • CoolSiC(TM)SchottkyDiodeGen5 • HighSpeedIGBTH3 • NiedrigeSchaltverluste ElectricalFeatures • CoolSiC(TM)Schottkydiodegen5 • HighspeedIGBTH3 • Lowswitchinglosses MechanischeEigenschaften • 3kVAC1minIsolationsfestigkeit • Al2O3 Substrat mit kleinem thermischen Widerstand • IntegrierterNTCTemperaturSensor • KompaktesDesign • PressFITVerbindungstechnik MechanicalFeatures • 3kVAC1mininsulation • Al2O3substratewithlowthermalresistance • IntegratedNTCtemperaturesensor • Compactdesign • PressFITcontacttechnology ModuleLabelCode BarcodeCode128 DMX-Code Datasheet www.infineon.com ContentoftheCode Digit ModuleSerialNumber ModuleMaterialNumber ProductionOrderNumber Datecode(ProductionYear) Datecode(ProductionWeek) 1-5 6-11 12-19 20-21 22-23 PleasereadtheImportantNoticeandWarningsattheendofthisdocument V3.0 2017-03-31 DF80R12W2H3F_B11 Bypass-Diode/Bypass-Diode HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues PeriodischeSpitzensperrspannung Repetitivepeakreversevoltage Tvj = 25°C VRRM  1200  V DurchlassstromGrenzeffektivwertproChip TH = 60°C MaximumRMSforwardcurrentperchip IFRMSM  50  A GleichrichterAusgangGrenzeffektivstrom MaximumRMScurrentatrectifieroutput TH = 60°C IRMSM  60  A StoßstromGrenzwert Surgeforwardcurrent tp = 10 ms, Tvj = 25°C tp = 10 ms, Tvj = 150°C IFSM  450 360  A A Grenzlastintegral I²t-value tp = 10 ms, Tvj = 25°C tp = 10 ms, Tvj = 150°C I²t  1000 650  A²s A²s CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. max. Durchlassspannung Forwardvoltage Tvj = 150°C, IF = 30 A VF 0,95 V Sperrstrom Reversecurrent Tvj = 150°C, VR = 1200 V IR 0,10 mA Wärmewiderstand,ChipbisKühlkörper Thermalresistance,junctiontoheatsink proDiode/perdiode RthJH 1,60 K/W TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions Tvj op -40 150 °C VerpolschutzDiodeA/Inverse-polarityprotectiondiodeA HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues PeriodischeSpitzensperrspannung Repetitivepeakreversevoltage Tvj = 25°C VRRM  1200  V DurchlassstromGrenzeffektivwertproChip TH = 75°C MaximumRMSforwardcurrentperchip IFRMSM  30  A GleichrichterAusgangGrenzeffektivstrom MaximumRMScurrentatrectifieroutput TH = 75°C IRMSM  60  A StoßstromGrenzwert Surgeforwardcurrent tp = 10 ms, Tvj = 25°C tp = 10 ms, Tvj = 150°C IFSM  290 245  A A Grenzlastintegral I²t-value tp = 10 ms, Tvj = 25°C tp = 10 ms, Tvj = 150°C I²t  420 300  A²s A²s CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. max. Durchlassspannung Forwardvoltage Tvj = 150°C, IF = 20 A VF 1,00 V Sperrstrom Reversecurrent Tvj = 150°C, VR = 1200 V IR 0,10 mA Wärmewiderstand,ChipbisKühlkörper Thermalresistance,junctiontoheatsink proDiode/perdiode RthJH 2,35 K/W TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions Datasheet Tvj op 2 -40 150 °C V3.0 2017-03-31 DF80R12W2H3F_B11 IGBT-Chopper/IGBT-Chopper HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues Kollektor-Emitter-Sperrspannung Collector-emittervoltage Tvj = 25°C ImplementierterKollektor-Strom Implementedcollectorcurrent VCES  1200  V ICN  40  A Kollektor-Dauergleichstrom ContinuousDCcollectorcurrent TH = 100°C, Tvj max = 175°C IC nom  20  A PeriodischerKollektor-Spitzenstrom Repetitivepeakcollectorcurrent tP = 1 ms ICRM  80  A VGES  +/-20  V Gate-Emitter-Spitzenspannung Gate-emitterpeakvoltage CharakteristischeWerte/CharacteristicValues Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Collector-emittersaturationvoltage min. IC = 20 A, VGE = 15 V IC = 20 A, VGE = 15 V IC = 20 A, VGE = 15 V Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C VCE sat typ. max. 1,55 1,70 1,75 1,70 V V V 5,80 6,50 V Gate-Schwellenspannung Gatethresholdvoltage IC = 1,00 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C Gateladung Gatecharge VGE = -15 V ... +15 V QG 0,32 µC InternerGatewiderstand Internalgateresistor Tvj = 25°C RGint 0,0 Ω Eingangskapazität Inputcapacitance f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 2,35 nF Rückwirkungskapazität Reversetransfercapacitance f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres 0,13 nF Kollektor-Emitter-Reststrom Collector-emittercut-offcurrent VCE = 1200 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C ICES 1,0 mA Gate-Emitter-Reststrom Gate-emitterleakagecurrent VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C IGES 100 nA VGEth Einschaltverzögerungszeit,induktiveLast Turn-ondelaytime,inductiveload IC = 20 A, VCE = 600 V VGE = ±15 V RGon = 12 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Anstiegszeit,induktiveLast Risetime,inductiveload IC = 20 A, VCE = 600 V VGE = ±15 V RGon = 12 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Abschaltverzögerungszeit,induktiveLast Turn-offdelaytime,inductiveload IC = 20 A, VCE = 600 V VGE = ±15 V RGoff = 12 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Fallzeit,induktiveLast Falltime,inductiveload IC = 20 A, VCE = 600 V VGE = ±15 V RGoff = 12 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C EinschaltverlustenergieproPuls Turn-onenergylossperpulse IC = 20 A, VCE = 600 V, LS = 30 nH Tvj = 25°C VGE = ±15 V, di/dt = 1800 A/µs (Tvj = 150°C) Tvj = 125°C RGon = 12 Ω Tvj = 150°C AbschaltverlustenergieproPuls Turn-offenergylossperpulse 5,00 0,025 0,025 0,028 µs µs µs 0,01 0,012 0,012 µs µs µs 0,25 0,32 0,35 µs µs µs 0,016 0,023 0,025 µs µs µs Eon 0,26 0,32 0,35 mJ mJ mJ IC = 20 A, VCE = 600 V, LS = 30 nH Tvj = 25°C VGE = ±15 V, du/dt = 3000 V/µs (Tvj = 150°C) Tvj = 125°C RGoff = 12 Ω Tvj = 150°C Eoff 0,80 1,20 1,40 mJ mJ mJ Kurzschlußverhalten SCdata VGE ≤ 15 V, VCC = 800 V VCEmax = VCES -LsCE ·di/dt ISC 130 A Wärmewiderstand,ChipbisKühlkörper Thermalresistance,junctiontoheatsink proIGBT/perIGBT 1,10 K/W tP ≤ 10 µs, Tvj = 150°C tr td off tf RthJH TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions Datasheet td on Tvj op 3 -40 150 °C V3.0 2017-03-31 DF80R12W2H3F_B11 Diode-Chopper/Diode-Chopper HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues PeriodischeSpitzensperrspannung Repetitivepeakreversevoltage VRRM  Tvj = 25°C Dauergleichstrom ContinuousDCforwardcurrent PeriodischerSpitzenstrom Repetitivepeakforwardcurrent tP = 1 ms Grenzlastintegral I²t-value VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C 1200  V IF  15  A IFRM  30  A I²t  40,0  A²s CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. max. 1,75 VF 1,45 1,75 1,85 Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C IRM 5,00 5,00 5,00 A A A IF = 15 A, - diF/dt = 1800 A/µs (Tvj=150°C) VR = 600 V Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Qr 0,15 0,25 0,25 µC µC µC AbschaltenergieproPuls Reverserecoveryenergy IF = 15 A, - diF/dt = 1800 A/µs (Tvj=150°C) VR = 600 V Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Erec 0,03 0,03 0,03 mJ mJ mJ Wärmewiderstand,ChipbisKühlkörper Thermalresistance,junctiontoheatsink proDiode/perdiode RthJH 1,57 K/W Durchlassspannung Forwardvoltage IF = 15 A, VGE = 0 V IF = 15 A, VGE = 0 V IF = 15 A, VGE = 0 V Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Rückstromspitze Peakreverserecoverycurrent IF = 15 A, - diF/dt = 1800 A/µs (Tvj=150°C) VR = 600 V Sperrverzögerungsladung Recoveredcharge TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions Tvj op -40 150 V V V °C NTC-Widerstand/NTC-Thermistor CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. max. Nennwiderstand Ratedresistance TNTC = 25°C AbweichungvonR100 DeviationofR100 TNTC = 100°C, R100 = 493 Ω Verlustleistung Powerdissipation TNTC = 25°C B-Wert B-value R2 = R25 exp [B25/50(1/T2 - 1/(298,15 K))] B25/50 3375 K B-Wert B-value R2 = R25 exp [B25/80(1/T2 - 1/(298,15 K))] B25/80 3411 K B-Wert B-value R2 = R25 exp [B25/100(1/T2 - 1/(298,15 K))] B25/100 3433 K R25 ∆R/R 5,00 -5 P25 kΩ 5 % 20,0 mW AngabengemäßgültigerApplicationNote. Specificationaccordingtothevalidapplicationnote. Datasheet 4 V3.0 2017-03-31 DF80R12W2H3F_B11 Modul/Module Isolations-Prüfspannung Isolationtestvoltage RMS, f = 50 Hz, t = 1 min. InnereIsolation Internalisolation Basisisolierung(Schutzklasse1,EN61140) basicinsulation(class1,IEC61140)  Al2O3  Kriechstrecke Creepagedistance Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal  11,5 6,3  mm Luftstrecke Clearance Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal  10,0 5,0  mm  > 200  VISOL  VergleichszahlderKriechwegbildung Comperativetrackingindex CTI  kV 3,0 min. Modulstreuinduktivität Strayinductancemodule LsCE Lagertemperatur Storagetemperature Tstg -40 Anpresskraft für mech. Bef. pro Feder mountig force per clamp F 40 Gewicht Weight G typ. max. 20 36 nH 125 °C 80 N g Der Strom im Dauerbetrieb ist auf 25A effektiv pro Anschlusspin begrenzt The current under continuous operation is limited to 25A rms per connector pin. Datasheet 5 V3.0 2017-03-31 DF80R12W2H3F_B11 DurchlasskennliniederBypass-Diode(typisch) forwardcharacteristicofBypass-Diode(typical) IF=f(VF) DurchlasskennliniederVerpolschutzDiodeA(typisch) forwardcharacteristicofInverse-polarityprotectiondiodeA (typical) IF=f(VF) 60 40 Tvj = 25°C Tvj = 150°C 55 Tvj = 25°C Tvj = 150°C 35 50 45 30 40 25 IF [A] IF [A] 35 30 20 25 15 20 15 10 10 5 5 0 0,0 0,2 0,4 0,6 VF [V] 0,8 1,0 0 1,2 AusgangskennlinieIGBT-Chopper(typisch) outputcharacteristicIGBT-Chopper(typical) IC=f(VCE) VGE=15V 0,4 0,6 0,8 VF [V] 1,0 1,2 1,4 40 Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C 35 30 30 25 25 20 20 15 15 10 10 5 5 0,0 Datasheet 0,5 VGE = 19V VGE = 17V VGE = 15V VGE = 13V VGE = 11V VGE = 9V 35 IC [A] IC [A] 0,2 AusgangskennlinienfeldIGBT-Chopper(typisch) outputcharacteristicIGBT-Chopper(typical) IC=f(VCE) Tvj=150°C 40 0 0,0 1,0 1,5 VCE [V] 2,0 2,5 0 3,0 6 0,0 0,5 1,0 1,5 VCE [V] 2,0 2,5 3,0 V3.0 2017-03-31 DF80R12W2H3F_B11 ÜbertragungscharakteristikIGBT-Chopper(typisch) transfercharacteristicIGBT-Chopper(typical) IC=f(VGE) VCE=20V SchaltverlusteIGBT-Chopper(typisch) switchinglossesIGBT-Chopper(typical) Eon=f(IC),Eoff=f(IC) VGE=±15V,RGon=12Ω,RGoff=12Ω,VCE=600V 40 3,0 Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C 35 Eon, Tvj = 125°C Eoff, Tvj = 125°C Eon, Tvj = 150°C Eoff, Tvj = 150°C 2,5 30 2,0 E [mJ] IC [A] 25 20 1,5 15 1,0 10 0,5 5 0 5 6 7 8 9 10 0,0 11 0 5 10 VGE [V] SchaltverlusteIGBT-Chopper(typisch) switchinglossesIGBT-Chopper(typical) Eon=f(RG),Eoff=f(RG) VGE=±15V,IC=20A,VCE=600V 15 20 IC [V] 25 30 35 40 TransienterWärmewiderstandIGBT-Chopper transientthermalimpedanceIGBT-Chopper ZthJH=f(t) 3,5 10 Eon, Tvj = 125°C Eoff, Tvj = 125°C Eon, Tvj = 150°C Eoff, Tvj = 150°C 3,0 ZthJH : IGBT 2,5 1 E [mJ] ZthJH [K/W] 2,0 1,5 0,1 1,0 0,5 0,0 i: 1 2 3 4 ri[K/W]: 0,051 0,117 0,426 0,506 τi[s]: 0,0005 0,005 0,05 0,2 0 Datasheet 20 40 60 RG [Ω] 80 100 120 0,01 0,001 7 0,01 0,1 t [s] 1 10 V3.0 2017-03-31 DF80R12W2H3F_B11 SichererRückwärts-ArbeitsbereichIGBT-Chopper(RBSOA) reversebiassafeoperatingareaIGBT-Chopper(RBSOA) IC=f(VCE) VGE=±15V,RGoff=12Ω,Tvj=150°C DurchlasskennliniederDiode-Chopper(typisch) forwardcharacteristicofDiode-Chopper(typical) IF=f(VF) 100 30 IC, Modul IC, Chip 27 80 24 70 21 60 18 IF [A] IC [A] 90 50 15 40 12 30 9 20 6 10 3 0 0 200 Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C 400 600 800 VCE [V] 1000 1200 0 1400 SchaltverlusteDiode-Chopper(typisch) switchinglossesDiode-Chopper(typical) Erec=f(IF) RGon=12Ω,VCE=600V 0,0 1,5 VF [V] 2,0 2,5 3,0 80 100 120 0,04 Erec, Tvj = 125°C Erec, Tvj = 150°C E [mJ] Erec, Tvj = 125°C Erec, Tvj = 150°C E [mJ] 1,0 SchaltverlusteDiode-Chopper(typisch) switchinglossesDiode-Chopper(typical) Erec=f(RG) IF=15A,VCE=600V 0,04 0,02 0,00 0,5 0 Datasheet 3 6 9 12 15 18 IF [A] 21 24 27 30 0,02 0,00 8 0 20 40 60 RG [Ω] V3.0 2017-03-31 DF80R12W2H3F_B11 TransienterWärmewiderstandDiode-Chopper transientthermalimpedanceDiode-Chopper ZthJH=f(t) NTC-Widerstand-Temperaturkennlinie(typisch) NTC-Thermistor-temperaturecharacteristic(typical) R=f(T) 10 100000 ZthJH : Diode Rtyp R[Ω] ZthJH [K/W] 10000 1 1000 i: 1 2 3 4 ri[K/W]: 0,1713 0,409 0,5472 0,4425 τi[s]: 0,0007345 0,007657 0,07913 0,2711 0,1 0,001 Datasheet 0,01 0,1 t [s] 1 10 100 9 0 20 40 60 80 100 TNTC [°C] 120 140 160 V3.0 2017-03-31 DF80R12W2H3F_B11 Schaltplan/Circuitdiagram J Gehäuseabmessungen/Packageoutlines Infineon Datasheet 10 V3.0 2017-03-31 TrademarksofInfineonTechnologiesAG µHVIC™,µIPM™,µPFC™,AU-ConvertIR™,AURIX™,C166™,CanPAK™,CIPOS™,CIPURSE™,CoolDP™,CoolGaN™,COOLiR™, CoolMOS™,CoolSET™,CoolSiC™,DAVE™,DI-POL™,DirectFET™,DrBlade™,EasyPIM™,EconoBRIDGE™,EconoDUAL™, EconoPACK™,EconoPIM™,EiceDRIVER™,eupec™,FCOS™,GaNpowIR™,HEXFET™,HITFET™,HybridPACK™,iMOTION™, IRAM™,ISOFACE™,IsoPACK™,LEDrivIR™,LITIX™,MIPAQ™,ModSTACK™,my-d™,NovalithIC™,OPTIGA™,OptiMOS™, ORIGA™,PowIRaudio™,PowIRStage™,PrimePACK™,PrimeSTACK™,PROFET™,PRO-SIL™,RASIC™,REAL3™,SmartLEWIS™, SOLIDFLASH™,SPOC™,StrongIRFET™,SupIRBuck™,TEMPFET™,TRENCHSTOP™,TriCore™,UHVIC™,XHP™,XMC™  TrademarksupdatedNovember2015  OtherTrademarks Allreferencedproductorservicenamesandtrademarksarethepropertyoftheirrespectiveowners.    Edition2017-03-31 Publishedby InfineonTechnologiesAG 81726München,Germany ©2017InfineonTechnologiesAG. AllRightsReserved. Doyouhaveaquestionaboutthisdocument? Email:erratum@infineon.com   WICHTIGERHINWEIS DieindiesemDokumententhaltenenAngabenstellenkeinesfallsGarantienfürdieBeschaffenheitoderEigenschaftendesProduktes (“Beschaffenheitsgarantie“)dar.FürBeispiele,HinweiseodertypischeWerte,dieindiesemDokumententhaltensind,und/oderAngaben, diesichaufdieAnwendungdesProduktesbeziehen,istjeglicheGewährleistungundHaftungvonInfineonTechnologiesausgeschlossen, einschließlich,ohnehieraufbeschränktzusein,dieGewährdafür,dasskeingeistigesEigentumDritterverletztist. DesWeiterenstehensämtliche,indiesemDokumententhaltenenInformationen,unterdemVorbehaltderEinhaltungderindiesem DokumentfestgelegtenVerpflichtungendesKundensowieallerimHinblickaufdasProduktdesKundensowiedieNutzungdesInfineon ProduktesindenAnwendungendesKundenanwendbarengesetzlichenAnforderungen,NormenundStandardsdurchdenKunden. 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