MMBT3904

桂林斯壯微電子有限責任公司 Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd. GM3904(销售型號 MMBT3904) ■MAXIMUM RATINGS 最大額定值 Symbol 符號 VCEO VCBO VEBO Ic Rating 額定值 40 60 6.0 200 Unit 單位 Vdc Vdc Vdc mAdc Characteristic 特性參數 Collector-Emitter Voltage 集電極-發射極電壓 Collector-Base Voltage 集電極-基極電壓 Emitter-Base Voltage 發射極-基極電壓 Collector Current-Continuous 集電極電流-連續 ■THERMAL CHARACTERISTICS 熱特性 Characteristic 特性參數 Total Device Dissipation 總耗散功率 FR-5 Board(1) TA=25℃環境溫度爲 25℃ Derate above25℃ 超過 25℃遞減 Total Device Dissipation 總耗散功率 Alumina Substrate, 氧化鋁襯底(2) TA=25℃環境溫度爲 25℃ Derate above25℃ 超過 25℃遞減 Thermal Resistance Junction to Ambient 熱阻 Junction and Storage Temperature 結溫和儲存溫度 ■DEVICE Symbol 符號 PD Max 最大值 225 1.8 Unit 單位 mW mW/℃ mW mW/℃ ℃/W PD 300 2.4 RΘJA TJ,Tstg 417 150℃, -55to+150℃ MARKING 打標 GM3904(MMBT3904)=1AM 桂林斯壯微電子有限責任公司 Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd. GM3904(销售型號 MMBT3904) ■ELECTRICAL CHARACTERISTICS 電特性 (TA=25℃ unless otherwise noted 如無特殊說明，溫度爲 25℃) ■OFF CHARACTERISTICS 截止電特性 Symbol 符號 V(BR)CEO V(BR)CBO V(BR)EBO IBEX ICEX Min 最小值 40 60 6.0 — — Max 最大值 — — — 50 50 Unit 單位 Vdc Vdc Vdc nAdc nAdc Characteristic 特性參數 Collector-Emitter Breakdown Voltage(3) 集電極-發射極擊穿電壓(Ic=1.0mAdc,IB=0) Collector-Base Breakdown Voltage 集電極-基極擊穿電壓(Ic=10μAdc,IE=0) Emitter-Base Breakdown Voltage 發射極-基極擊穿電壓(IE=10μAdc,Ic=0) Base Cutoff Current 基極截止電流(VCE=30Vdc, VEB =3.0 Vdc) Collector Cutoff Current 集電極截止電流(VCE=30Vdc, VEB =3.0Vdc) ■ON CHARCTERISTICS(2)導通電特性 Characteristic 特性參數 DC Current Gain 直流電流增益 (Ic=0.1mAdc,VCE=1.0Vdc) (Ic=1.0mAdc,VCE=1.0Vdc) (Ic=10mAdc,VCE=1.0Vdc) (Ic=50mAdc,VCE=1.0Vdc) (Ic=100mAdc,VCE=1.0Vdc) Collector-Emitter Saturation Voltage 集電極-發射極飽和壓降 (Ic=10mAdc, IB=1.0mAdc) (Ic=50mAdc, IB=5.0mAdc) Base-Emitter Saturation Voltage 基極發射極飽和壓降 (Ic=10mAdc, IB=1.0mAdc) (Ic=50mAdc, IB=5.0mAdc) Symbol 符號 hPE Min 最小值 40 70 100 60 30 Max 最大值 — — 300 — — Unit 單位 — VCE(sat) — — 0.25 0.4 Vdc VBE(sat) Vdc 0.65 — 0.85 0.95 桂林斯壯微電子有限責任公司 Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd. GM3904(销售型號 MMBT3904) ■SMALL-SIGNAL CHARACTERISTICS 小信號特性 Characteristic 特性參數 Current-Gain-Bandwidth Product 電流增益-帶寬乘積 (Ic=10mAdc,VCE=-20Vdc,f=100MHz) Output Capacitance 輸出電容 (VCB=5.0Vdc, IE=0, f=1.0MHz) Input Capacitance 輸入電容 (VEB=0.5Vdc, IC=0, f=1.0MHz) Input Impedance 輸入阻抗 (VCE=10Vdc, IC=1.0mAdc, f=1.0KHz) Voltage Feedback Ratio 電壓反饋係數 (VCE=10Vdc, IC=1.0mAdc, f=1.0KHz) Small-Signal Current Gain 小信號電流增益 (VCE=10Vdc, IC=1.0mAdc, f=1.0KHz) Output Admittance 輸出導納 (VCE=10Vdc, IC=1.0mAdc, f=1.0KHz) Noise Figure 噪声係數 (VCE=5.0Vdc, IC=100μAdc,Rs=1.0 kΩf=1.0KHz) Symbol 符號 Min 最小值 Max 最大值 Unit 單位 fT Cobo Cibo hie hre hfe hoe NF 300 — — 1.0 0.5 100 1.0 — — 4.0 8.0 10 8.0 400 40 5.0 MHz pF pF kΩ ×10-4 — μmhos dB ■SWITCHING CHARACTERISTICS 開關特性 Characteristic 特性參數 Delay Time 延遲時間 Rise Time 上升時間 Storage Time 儲存時間 (VCC=3.0Vdc,VBE=0.5Vdc, IC=10mAdc, IB1=1.0mAdc) Symbol 符號 td tr ts Min 最小值 — — — — Max 最大值 35 Unit 單位 ns 35 225 Fall Time tf 下降時間 1. FR-5=1.0×0.75×0.062in. 2. Alumina=0.4×0.3×0.024in.99.5%alumina. 3. Pulse Width