1 | 3430H2F8K2TDF | 8.2 kOhms ±1% 2W 芯片电阻 宽 2010(5025 公制),1020 汽车级AEC-Q200 厚膜 | 下载 | TE Connectivity Ltd |
2 | 3430H2F33RTDF | 33 Ohms ±1% 2W 芯片电阻 宽 2010(5025 公制),1020 汽车级AEC-Q200 厚膜 | 下载 | TE Connectivity Ltd |
3 | 3430H2F1R5TDF | 1.5 Ohms ±1% 2W 芯片电阻 宽 2010(5025 公制),1020 汽车级AEC-Q200 厚膜 | 下载 | TE Connectivity Ltd |
4 | 3430H2F470RTDF | 470 Ohms ±1% 2W 芯片电阻 宽 2010(5025 公制),1020 汽车级AEC-Q200 厚膜 | 下载 | TE Connectivity Ltd |
5 | 3430H2F360KTDF | 360 kOhms ±1% 2W 芯片电阻 宽 2010(5025 公制),1020 汽车级AEC-Q200 厚膜 | 下载 | TE Connectivity Ltd |
6 | 3430H2F9K1TDF | 9.1 kOhms ±1% 2W 芯片电阻 宽 2010(5025 公制),1020 汽车级AEC-Q200 厚膜 | 下载 | TE Connectivity Ltd |
7 | 3430H2F430KTDF | 430 kOhms ±1% 2W 芯片电阻 宽 2010(5025 公制),1020 汽车级AEC-Q200 厚膜 | 下载 | TE Connectivity Ltd |
8 | 3430H2F82RTDF | 82 Ohms ±1% 2W 芯片电阻 宽 2010(5025 公制),1020 汽车级AEC-Q200 厚膜 | 下载 | TE Connectivity Ltd |
9 | 3430H2F2K2TDF | 2.2 kOhms ±1% 2W 芯片电阻 宽 2010(5025 公制),1020 汽车级AEC-Q200 厚膜 | 下载 | TE Connectivity Ltd |
10 | 3430H2F15KTDF | 15 kOhms ±1% 2W 芯片电阻 宽 2010(5025 公制),1020 汽车级AEC-Q200 厚膜 | 下载 | TE Connectivity Ltd |
11 | 3613C5R6K | 5.6 µH 无屏蔽 电感器 300 mA 1.1 欧姆最大 1812(4532 公制) | 下载 | TE Connectivity Ltd |
12 | 3TJ411059ZYLBC | 频率:11.0592MHz;频率公差:±10ppm;负载电容:20pF; | 下载 | JYJE |
13 | 3TJ426298ZYFBC | 频率:26.2982MHz;频率公差:±10ppm;负载电容:20pF; | 下载 | JYJE |
14 | 3TJ454000JYFBC | 频率:54MHz;频率公差:±10ppm;负载电容:10pF; | 下载 | JYJE |
15 | 3402 | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):4A;功率(Pd):125W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):65mΩ@10V,4A;阈... | 下载 | Shenzhen Tuofeng Semiconductor Technology Co., Ltd. |
16 | 331040SG0ABLA02 | 连接器类型:牛角扣;每排PIN数:20;排数:2;间距:2.54mm;行距:2.54mm;封装形式:直插;触头材质:黄铜;触头镀层:金; | 下载 | Jinling Electronic Connector Co., Ltd. |
17 | 3EZ9.1_R2_00001 | SILICON ZENER DIODE | 下载 | PANJIT SEMI CONDUCTOR |
18 | 3EZ12_R2_00001 | SILICON ZENER DIODE | 下载 | PANJIT SEMI CONDUCTOR |
19 | 3EZ6.8_R2_00001 | SILICON ZENER DIODE | 下载 | PANJIT SEMI CONDUCTOR |
20 | 3EZ15_R2_00001 | SILICON ZENER DIODE | 下载 | PANJIT SEMI CONDUCTOR |