| 1 | DS310W | 二极管配置:独立式;直流反向耐压(Vr):100V;平均整流电流(Io):3A;正向压降(Vf):850mV@3A; | 下载 | YFW |
| 2 | DT1T10A-B | | 下载 | DOESHARE |
| 3 | D45VH10G | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):80V;集电极电流(Ic):15A;功率(Pd):83W; | 下载 | Murata Manufacturing Co., Ltd. |
| 4 | D44H11G | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):80V;集电极电流(Ic):10A;功率(Pd):2W;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):40@4A,1V; | 下载 | Murata Manufacturing Co., Ltd. |
| 5 | DTA143XUA | 晶体管类型:1个PNP-预偏置;功率(Pd):200mW;集电极电流(Ic):100mA;集射极击穿电压(Vceo):50V;集电极截止电流(Icbo):100nA... | 下载 | Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. |
| 6 | DTA144EUA | | 下载 | Rubycon Corporation |
| 7 | DTA114YM | | 下载 | Rubycon Corporation |
| 8 | DTC114EM | | 下载 | Tech Public Electronics Co.,Ltd. |
| 9 | DAN235UT106 | DIODE SWITCH BAND 35V SOT-323 | 下载 | Rohm Semiconductor |
| 10 | DFR1M | 二极管配置:独立式;直流反向耐压(Vr):1kV;平均整流电流(Io):1A;正向压降(Vf):1.3V@1A;反向恢复时间(trr):500ns; | 下载 | Anbon Semiconductor Co., Ltd. |
| 11 | DFR1G | 二极管配置:独立式;直流反向耐压(Vr):400V;平均整流电流(Io):1A;正向压降(Vf):1.3V@1A;反向恢复时间(trr):150ns; | 下载 | Shenzhen FuxinSemi Technology Co., Ltd |
| 12 | DSK16 | | 下载 | Anbon Semiconductor Co., Ltd. |
| 13 | DIO61845ST6 | | 下载 | Dioo Microcircuits Co,. LTD |
| 14 | DP2281 | | 下载 | Shenzhen Developer Microelectronics CO., LTD |
| 15 | DTC143EE | 晶体管类型:1个NPN-预偏置;功率(Pd):150mW;集电极电流(Ic):-;集射极击穿电压(Vceo):-;集电极截止电流(Icbo):-;集射极饱和电压(V... | 下载 | Rubycon Corporation |
| 16 | DTA144EE | 晶体管类型:1个PNP-预偏置;功率(Pd):150mW;集电极电流(Ic):100mA;集射极击穿电压(Vceo):50V;集电极截止电流(Icbo):100nA... | 下载 | T&C Technology |
| 17 | DTC143ZE | 晶体管类型：1个NPN-预偏置 功率(Pd)：150mW 集电极电流(Ic)：100mA 集射极击穿电压(Vceo)：50V NPN | 下载 | TWGMC |
| 18 | DS18B20+ | 温度传感器 数字，本地 -55°C ~ 125°C 12 b TO-92-3 | 下载 | Analog Devices Inc. |
| 19 | DS1232LPS-2+T&R | 监控器 开漏极，推挽式 1 通道 8-SOIC | 下载 | Analog Devices Inc. |
| 20 | DS3231SN%23T&R | 实时时钟 (RTC) IC 时钟/日历 I²C，2 线串口 16-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） | 下载 | Analog Devices Inc. |
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