1 | ILC0402ERR12J | FIXED IND 120NH 150MA 1.6OHM SMD | 下载 | Vishay Intertechnology, Inc. |
2 | ILC0402ERR18J | FIXED IND 180NH 130MA 3.7OHM SMD | 下载 | Vishay Intertechnology, Inc. |
3 | ILC0402ERR27J | FIXED IND 270NH 110MA 4.8OHM SMD | 下载 | Vishay Intertechnology, Inc. |
4 | ILC0402ERR15J | FIXED IND 150NH 140MA 3.2OHM SMD | 下载 | Vishay Intertechnology, Inc. |
5 | IT-1103SMD H13/250G | 706103555 微型开关;TS-KG1103S/12×12×13 | 下载 | SZJUSTWELL ELECTRONICS CO.,LTD |
6 | IHSM7832ER1R0L | 1 µH 无屏蔽 电感器 9 A 11 毫欧最大 非标准 | 下载 | Vishay Intertechnology, Inc. |
7 | IHSM7832ER822L | 8.2 mH 无屏蔽 电感器 170 mA 21.8 欧姆最大 非标准 | 下载 | Vishay Intertechnology, Inc. |
8 | IP4366CX8/P,135 | RC(Pi) EMI 滤波器 2nd 订单 低通 3 通道 R = 47 欧姆,100 欧姆,C = 17pF(总计) 8-WFBGA,WLCSP | 下载 | Nexperia |
9 | IS31CG1110-QFLS2-TR | 缓冲器,非反向 2 元件 2 位每元件 Output 20-QFN(4x4) | 下载 | Lumissil Microsystems |
10 | ISP26DP06NMS | 类型:P沟道;漏源电压(Vdss):60V;连续漏极电流(Id):1.9A;功率(Pd):1.8W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):260mΩ@10V,1... | 下载 | Infineon Technologies |
11 | IPB065N10N3G | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):100V;连续漏极电流(Id):80A;功率(Pd):150W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):6.5mΩ@10V,8... | 下载 | Infineon Technologies |
12 | IRFZ48NS-VB | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):60V;连续漏极电流(Id):60A;功率(Pd):-;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):12mΩ@10V,60A; | 下载 | VBsemi Electronics Co. Ltd |
13 | IB0505S-2W | | 下载 | Zhongshan YLPTEC Electronic Technology Co., LTD |
14 | IRLR7843TRPBF&-2-VB | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):100A;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):2mΩ@10V,100A; | 下载 | VBsemi Electronics Co. Ltd |
15 | IRFR3607TRPBF-VB | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):80V;连续漏极电流(Id):75A;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):5.5mΩ@10V,75A; | 下载 | VBsemi Electronics Co. Ltd |
16 | iW337-30 | | 下载 | Dialog Semiconductor lnc. |
17 | IPB144N12N3 G | 类型:-;漏源电压(Vdss):-;连续漏极电流(Id):-;功率(Pd):-;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):-;阈值电压(Vgs(th)@Id):-;... | 下载 | Infineon Technologies |
18 | IPB90N06S4-04 | 类型:-;漏源电压(Vdss):-;连续漏极电流(Id):-;功率(Pd):-;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):-;阈值电压(Vgs(th)@Id):-;... | 下载 | Infineon Technologies |
19 | IPB407N30N | 类型:-;漏源电压(Vdss):-;连续漏极电流(Id):-;功率(Pd):-;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):-;阈值电压(Vgs(th)@Id):-;... | 下载 | Infineon Technologies |
20 | IRLML5203 | 类型:P沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):3.2A;功率(Pd):1W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):60mΩ@10V,3A;阈... | 下载 | HUASHUO SEMICONDUCTOR |