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序号器件名产品描述数据手册生厂商
1MC7905.2CTGIC REG LINEAR -5.2V 1A TO220AB下载ON Semiconductor
2MMST3906晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):40V;集电极电流(Ic):200mA;功率(Pd):200mW;集电极截止电流(Icbo):-;集电极-发射极饱和...下载Rubycon Corporation
3MMBT5401W下载CHINA BASE ELECTRONIC TECHNOLOGY LIMITED
4MMBT2222AWT1G晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):40V;集电极电流(Ic):600mA;功率(Pd):150mW;集电极截止电流(Icbo):-;集电极-发射极饱和...下载Murata Manufacturing Co., Ltd.
5MMBTA06WT1G晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):80V;集电极电流(Ic):500mA;功率(Pd):150mW;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@10...下载Murata Manufacturing Co., Ltd.
6MMST5401晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):150V;集电极电流(Ic):600mA;功率(Pd):200mW;集电极截止电流(Icbo):50nA;集电极-发...下载Rubycon Corporation
7MMBT3906WT1G晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):40V;集电极电流(Ic):200mA;功率(Pd):150mW;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@10...下载Murata Manufacturing Co., Ltd.
8ME2801A33M3G下载Najing Micro One Electronics Inc.
9MD7141H输出类型:固定;输出极性:正;最大输入电压:30V;输出电压:3V~5V;输出电流:30mA;下载Shanghai Mingda Microelectronics Co., Ltd.
10MD70231.2uA静态功耗,高耐压NMOS开漏输出电压检测芯片下载Shanghai Mingda Microelectronics Co., Ltd.
11MD70401.2uA静态功耗,高耐压NMOS开漏输出电压检测芯片下载Shanghai Mingda Microelectronics Co., Ltd.
12MD7025C1.2uA静态功耗,高耐压CMOS输出电压检测芯片下载Shanghai Mingda Microelectronics Co., Ltd.
13MD70191.2uA静态功耗,高耐压NMOS开漏输出电压检测芯片下载Shanghai Mingda Microelectronics Co., Ltd.
14MC7805CD2TR4IC REG LINEAR 5V 1A D2PAK下载ON Semiconductor
15MC7805BD2TR4IC REG LINEAR 5V 1A D2PAK下载ON Semiconductor
16MC7808BD2TR4IC REG LINEAR 8V 1A D2PAK下载ON Semiconductor
17MS78L06输出类型:固定;输出极性:正;最大输入电压:30V;输出电压:6V;输出电流:100mA;下载Mason semiconductor
18MD7333H输出类型:固定;输出极性:正;最大输入电压:40V;输出电压:2.5V~5V;输出电流:250mA;电源纹波抑制比(PSRR):-;下载Shanghai Mingda Microelectronics Co., Ltd.
19MD7350H输出类型:固定;输出极性:正;最大输入电压:40V;输出电压:2.5V~5V;输出电流:250mA;电源纹波抑制比(PSRR):-;下载Shanghai Mingda Microelectronics Co., Ltd.
20ME6216A12PG输出类型:固定;输出极性:正;最大输入电压:6V;输出电压:1.2V;输出电流:250mA;电源纹波抑制比(PSRR):65dB@(1kHz);下载Najing Micro One Electronics Inc.