D30XT80

SBDブリッジダイオード SBD Bridge Diode シングルインライン型 Single In-line Package ■外形寸法図 OUTLINE DIMENSIONS Package：3S D4SBN20 200V 4A 特長 ●薄型SIPパッケージ ●SBDブリッジ ●低VF・低IR 品名 Type No. C3 Unit : mm Weight：3.9g （typ.） 管理番号 （例） Control No. ロット記号 （例） Date code 4.6±0.2 φ3.2−0.1 ＋0.2 25±0.3 3.6±0.2 D4SBN 20 0264 15±0.3 9.5±0.2 ±0.2 3.5 ＋ ∼∼ − ① ②③ ④ 1.25±0.2 1.9±0.2 1.0±0.1 + ∼ ±0.2 ∼ 1.7 − 4 2.7±0.2 17.5±0.5 Feature ●Thin-SIP ●SBD Bridge ●Low VF・Low IR 0.7±0.1 7.5±0.2 7.5±0.2 7.5±0.2 ① ② ③ ④ （製品上の表示については、捺印仕様をご確認ください） ■定格表 R ATINGS 項目 Item 記号 条件 Symbol Conditions Tstg Tj VRM IO IFSM Vdis TOR 50Hz 正弦波，抵抗負荷 50Hz sine wave, Resistance load フィン付き With heatsink Tc=103℃ Ta=25℃ ●絶対最大定格 Absolute Maximum Ratings（指定のない場合は Tc= 25℃／unless otherwise specified ） 品名 Type No.   D4SBN20 −55∼150 150 200 4.0 2.2 60 2.0 0.8 単位 Unit ℃ ℃ V A A kV N・m 保存温度 Storage Temperature 接合部温度 Operation Junction Temperature せん頭逆電圧 Maximum Reverse Voltage 出力電流 Average Rectified Forward Current せん頭サージ順電流 Peak Surge Forward Current 絶縁耐圧 Dielectric Strength 締め付けトルク Mounting Torque フィンなし Without heatsink 50Hz 正弦波，非繰り返し1サイクルせん頭値，Tj=25℃ 50Hz sine wave, Non-repetitive 1cycle peak value, Tj=25℃ 一括端子・ケース間，AC１分間印加 Terminals to Case, AC 1 minute （推奨値：0.5 N m） ・ （Recommended torque : 0.5 N m） ・ ●電気的・熱的特性 Electrical Characteristics（指定のない場合は Tc= 25℃／unless otherwise specified ） 順電圧 Forward Voltage 逆電流 Reverse Current 接合容量 Junction Capacitance VF IR Cj θjc IF =2A, VR =200V, パルス測定，一素子当たりの規格値 Pulse measurement, per diode パルス測定，一素子当たりの規格値 Pulse measurement, per diode 一素子当たりの規格値 per diode MAX MAX TYP MAX MAX MAX 0.90 1.5 60 6.0 8.0 35 V μA pF f=1MHz, VR=10V, 接合部・リード間 junction to lead 接合部・ 周囲間 junction to ambient 接合部・ケース間，フィン付き junction to case, With heatsink 熱抵抗 Thermal Resistance θjl θja ℃/W 142 （J 514 - 6） www.shindengen.co.jp/product/semi/ D4SBN20 ■特性図 CHARACTERISTIC DIAGRAMS 順方向特性 順電力損失曲線 せん頭サージ順電流耐量 Forward Voltage 50 Forward Power Dissipation 12 Peak Surge Forward Current Capability Peak Surge Forward Current IFSM 〔A〕 80 Forward Power Dissipation PF W〕 〔 10 0.5 SIN 0.3 0.2 6 0.05 4 0.1 DC D=0.8 Forward Current IF 〔A〕 10 Tc=150℃ （MAX） Tc=150℃ （TYP） Tc=25℃ （MAX） Tc=25℃ （TYP） 60 8 40 sine wave 0 1 Io tp T Tj=150℃ IFSM 10ms 10ms 20 0.1 0 〔 1 2 Pulse measurement per diode 3 4 〔 5 2 D=tp/T 6 7 〔 0 1 1cycle non-repetitive Tj＝25℃ 〔 10 100 0 0 1 2 3 4 5 Forward Voltage VF 〔V〕 Average Rectified Forward Current IO 〔A〕 Number of Cycles 逆方向特性 逆電力損失曲線 接合容量 Reverse Current 1000 Reverse Power Dissipation 0.8 Junction Capacitance 200 DC D=0.05 0.1 0.2 0.3 Reverse Power Dissipation PR W〕 〔 0 0.7 0.6 0.5 0.4 tp T Tj=150℃ （ TYP） Tc=125℃ D=tp/T 100 10 （ Tc=100℃ TYP） 50 1 P） （ Tc=75℃ TY （T ） Tc=50℃ YP 0.5 0.3 0.2 0.1 SIN 0.8 0.1 20 0.01 0 50 100 150 200 Reverse Voltage VR 〔V〕 ディ レーティ ングカーブTaーIo Average Rectified Forward Current IO 〔A〕 Average Rectified Forward Current IO 〔A〕 Derating Curve TaーIo 4 0 0 tp T Io VR D=tp/T DC P.C.B + ∼ ∼ − 3 0.5 SIN D=0.8 on glass-epoxy substrate Soldering land 5mmφ 2 0.3 0.2 0.1 〔 V ＝V 〕 R RM 1 0.05 0 0 20 40 60 80 100 120 140 160 Ambient Temperature Ta ℃〕 〔 〔 〔 Pulse measurement per diode 0 0 50 100 150 200 10 0.1 1 10 100 200 Reverse Voltage VR V〕 〔 Reverse Voltage VR V〕 〔 ディ レーティ ングカーブTcーIo Derating Curve TcーIo 8 0 0 tp T Io VR D=tp/T heatsink Tc-sensing point Tc DC 6 D=0.8 0.5 SIN 0.3 0.2 2 0.1 0.05 4 〔 V ＝V 〕 R RM 0 0 20 40 60 80 100 120 140 160 Case Temperature Tc ℃〕 〔 ・Sine waveは50Hzで測定しています。 ・50Hz sine wave is used for measurements. ・半導体製品の特性は一般的にバラツキを持っております。Typicalは統計的な実力を表しています。 ・Semiconductor products generally have characteristic variation. Typical is a statistical average of the device’s ability. www.shindengen.co.jp/product/semi/ （J 514 - 6） 〔 100 Junction Capacitance Cj 〔pF〕 Reverse Current IR μA〕 〔 （T ） Tc=150℃ YP VR 〔 f=1MHz Tc=25℃ TYP per diode 143