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SIDELED® Super-Bright, Hyper-Red GaAIAs-LED LH A674 Besondere Merkmale q q q q q q q q Features q q q q q q q q color of package: white double heterojunction in GaAIAs technology superior luminous intensity for use as optical indicator for backlighting, optical coupling into light pipes and lenses suitable for all SMT assembly and reflow soldering methods available taped on reel (12 mm tape) load dump resistant acc. to DIN 40839 Typ Type Emissions- Farbe der farbe Lichtaustrittsfläche Color of Color of the Emission Light Emitting Area colorless clear Lichtstärke Lichtstrom Bestellnummer Luminous Intensity IF = 10 mA IV (mcd) 6.3 10.0 16.0 10.0 ... ... ... ... 32 20 32 50 Luminous Flux IF = 10 mA ΦV (mlm) 45 (typ.) 75 (typ.) - Ordering code LH A674-KM hyper-red LH A674-L LH A674-M LH A674-LN Q62703-Q2546 Q62703-Q2830 Q62703-Q2831 Q62703-Q2832 Streuung der Lichtstärke in einer Verpackungseinheit IV max / IV min ≤ 2.0. Luminous intensity ratio in one packaging unit IV max / IV min ≤ 2.0. Semiconductor Group 1 1998-11-12 VPL06880 Gehäusefarbe: weiß Doppel-Heterostruktur in GaAlAs Technologie besonders hohe Lichtstärke als optischer Indikator einsetzbar zur Hinterleuchtung, Lichtleiter- und Linseneinkopplung für alle SMT-Bestück- und Reflow-Löttechniken geeignet gegurtet (12-mm-Filmgurt) Störimpulsfest nach DIN 40839 LH A674 Grenzwerte Maximum Ratings Bezeichnung Parameter Betriebstemperatur Operating temperature range Lagertemperatur Storage temperature range Sperrschichttemperatur Junction temperature Durchlaßstrom Forward current Stoßstrom Surge current t ≤ 10 µs, D = 0.005 Sperrspannung Reverse voltage Verlustleistung Power dissipation TA ≤ 25 ˚C Wärmewiderstand Thermal resistance Sperrschicht / Luft Junction / air Montage auf PC-Board*) (Padgröße je ≥ 16 mm2) mounted on PC-Board*) (pad size ≥ 16 mm2 each) *) PC-board: FR4 Symbol Symbol Werte Values – 55 … + 100 – 55 … + 100 + 100 30 0.5 Einheit Unit ˚C ˚C ˚C mA A Top Tstg Tj IF IFM VR Ptot 3 90 V mW Rth JA 430 K/W Semiconductor Group 2 1998-11-12 LH A674 Kennwerte (TA = 25 ˚C) Characteristics Bezeichnung Parameter Wellenlänge des emittierten Lichtes Wavelength at peak emission IF = 10 mA Dominantwellenlänge Dominant wavelength IF = 10 mA Spektrale Bandbreite bei 50 % Irel max Spectral bandwidth at 50 % Irel max IF = 10 mA Abstrahlwinkel bei 50 % IV (Vollwinkel) Viewing angle at 50 % IV Durchlaßspannung Forward voltage IF = 10 mA Sperrstrom Reverse current VR = 3 V Kapazität Capacitance VR = 0 V, f = 1 MHz Schaltzeiten: Switching times: IV from 10 % to 90 % IV from 90 % to 10 % IF = 100 mA, tP = 10 µs, RL = 50 Ω Symbol Symbol (typ.) λpeak (typ.) (typ.) λdom (typ.) (typ.) ∆λ (typ.) 2ϕ (typ.) VF (max.) VF (typ.) IR (max.) IR (typ.) C0 Werte Values 660 Einheit Unit nm 645 nm 22 nm 120 1.75 2.6 0.01 10 25 Grad deg. V V µA µA pF (typ.) tr (typ.) tf 140 110 ns ns Semiconductor Group 3 1998-11-12 LH A674 Relative spektrale Emission Irel = f (λ), TA = 25 ˚C, IF = 10 mA Relative spectral emission V (λ) = spektrale Augenempfindlichkeit Standard eye response curve 100 % Ι rel 80 OHL01698 Vλ 60 pure-green green orange super-red red 20 0 400 450 500 550 yellow 40 600 650 hyper-red blue nm 700 λ Abstrahlcharakteristik Irel = f (ϕ) Radiation characteristic 40˚ 30˚ 20˚ 10˚ 0˚ OHL01660 ϕ 1.0 50˚ 0.8 0.6 60˚ 0.4 70˚ 0.2 80˚ 90˚ 100˚ 10 08 06 04 0˚ 20˚ 40˚ 60˚ 80˚ 100˚ 120˚ 0 Semiconductor Group 4 1998-11-12 LH A674 Durchlaßstrom IF = f (VF) Forward current TA = 25 ˚C Relative Lichtstärke IV/IV(10 mA) = f (IF) Relative luminous intensity TA = 25 ˚C Zulässige Impulsbelastbarkeit IF = f (tP) Permissible pulse handling capability Duty cycle D = parameter, TA = 25 ˚C 10 3 OHL01686 Maximal zulässiger Durchlaßstrom Max. permissible forward current IF = f (TA) ΙF mA tP D= tP T T ΙF ΙF 60 mA 50 OHL01661 D = 0.005 0.01 0.02 0.05 0.1 10 2 0.2 40 30 5 0.5 DC 20 10 10 1 -5 10 10 -4 10 -3 10 -2 10 -1 10 0 s 10 1 tp 0 0 20 40 60 80 ˚C 100 TA Semiconductor Group 5 1998-11-12 LH A674 Wellenlänge der Strahlung λpeak = f (TA) Wavelength at peak emission IF = 10 mA Dominantwellenlänge λdom = f (TA) Dominant wavelength IF = 10 mA Durchlaßspannung VF = f (TA) Forward voltage IF = 10 mA Relative Lichtstärke IV/IV(25 °C) = f (TA) Relative luminous intensity IF = 10 mA Semiconductor Group 6 1998-11-12 LH A674 Maßzeichnung Package Outlines (Maße in mm, wenn nicht anders angegeben) (Dimensions in mm, unless otherwise specified) (2.4) 2.8 2.4 4.2 3.8 0.7 Cathode Cathode marking 2.54 spacing (1.4) 1.1 0.9 Anode (0.3) (2.85) (2.9) (R1) 3.8 3.4 4.2 3.8 Kathodenkennzeichnung: Cathode mark: abgeschrägte Ecke bevelled edge Semiconductor Group 7 1998-11-12 GPL06880