S9012

S9012 SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors S9012 TRANSISTOR (PNP) FEATURES Complimentary to S9013 Collector current:Ic=0.5A MARKING:2T1 MAXIMUM RATINGS (TA=25℃ unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Units （符号） （参数名称） （额定值） （单位） VCBO Collector-Base Voltage （集电极-基极电压） -40 V VCEO Collector-Emitter Voltage （集电极-发射极电压） -25 V VEBO Emitter-Base Voltage （发射极-基极电压） -5 V IC Collector Current -Continuous （集电极电流） -0.5 A PC Collector Power Dissipation （耗散功率） 0.3 W Tj Junction Temperature （结温） 150 ℃ Tstg Storage Temperature （储存温度） -55-150 ℃ ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tamb=25℃unless otherwise specified) Parameter （参数名称） Symbol （符号） Test conditions （测试条件） MIN TYP MAX （最小值） （典型值） （最大值） UNIT （单位） Collector-base breakdown voltage 集电极-基极击穿电压 V(BR)CBO IC= -100μA, IE=0 -40 V Collector-emitter breakdown voltage 集电极-发射极击穿电压 V(BR)CEO IC= -1mA, IB=0 -25 V Emitter-base breakdown voltage 发射极-基极击穿电压 V(BR)EBO IE=-100μA, IC=0 -5 V Collector cut-off current 集电极-基极截止电流 ICBO VCB=-30 V , IE=0 -1 μA Collector cut-off current 集电极-发射极截止电流 ICEO VCE=-25V , -10 μA Emitter cut-off current 发射极-基极截止电流 IEBO VEB=-5V , IC=0 -1 μA DC current gain 直流电流增益 hFE VCE=-1V, IC= -50mA Collector-emitter saturation voltage 集电极-发射极饱和压降 VCE(sat) IC=-500mA, IB= -50mA -0.5 V Base-emitter saturation voltage 发射极-基极饱和压降 VBE(sat) IC=-500mA, IB= -50mA -1.2 V CLASSIFICATION OF Range www.yongyutai.com 80-100 IB=0 80 400 hFE 100-200 200-400 400-600 PAGE 1 S9012 Typical Characteristics www.yongyutai.com PAGE 2