ADP2386ACPZN-R7

20 V、6 A、 同步降压DC-DC调节器 ADP2386 产品特性 典型应用电路 输入电压：4.5 V至20 V 集成MOSFET：44 mΩ/11 mΩ 基准电压：0.6 V ± 1% 连续输出电流：6 A 可编程开关频率：200 kHz至1.4 MHz 同步至外部时钟：200 kHz至1.4 MHz 180°反相时钟同步 精密使能和电源良好指示 外部补偿 提供外部可调选项的内部软启动 启动后进入预充电输出 ADIsimPower设计工具支持 ADP2386 BST PVIN CIN CBST EN VOUT PGOOD COUT RTOP SYNC FB RT RT L SW COMP VREG CVREG SS GND PGND RC RBOT CC CSS 10211-001 VIN 图1. 100 应用 95 通信基础设施 网络和服务器 工业和仪器仪表 医疗保健 中间供电轨转换 DC-DC负载点应用 90 EFFICIENCY (%) 85 80 75 70 65 60 50 0 1 2 3 4 5 OUTPUT CURRENT (A) 6 10211-002 VOUT = 5.0V VOUT = 3.3V VOUT = 1.2V 55 图2.效率与输出电流的关系(VIN = 12 V，fSW = 300 kHz) 概述 ADP2386是一款同步降压DC-DC调节器，集成了一个44 mΩ 该调节器针对需要高效率和设计灵活性的高性能应用。外 高端功率MOSFET和一个11 mΩ同步整流MOSFET，采用紧 部补偿和可调软启动功能提供设计灵活性。电源良好输出 凑型4 mm × 4 mm LFCSP封装，可提供高效解决方案。该器 和精密使能输入提供简单可靠的电源时序。 件使用峰值电流模式、恒频脉冲宽度调制(PWM)控制方 其它重要特性包括欠压闭锁(UVLO)、过压保护(OVP)、过 案，具备出色的稳定性和瞬态响应。ADP2386的开关频率 流保护(OCP)、短路保护(SCP)和热关断(TSD)。 可在200 kHz至1.4 MHz范围内进行编程。为了将系统噪声 降至最低，同步功能允许开关频率与外部时钟同步。 ADP2386只需极少的外部元件，输入电压范围为4.5 V至 ADP2386在 −40°C至+125°C的结温范围内工作，采用24引 脚4 mm × 4 mm LFCSP封装。 20 V。输出电压可在0.6 V至输入电压的90%范围内进行 调整，提供高达6 A的连续电流。此IC在禁用时从输入源汲取 的电流不到110 μA。 Rev. 0 Document Feedback Information furnished by Analog Devices is believed to be accurate and reliable. However, no responsibility is assumed by Analog Devices for its use, nor for any infringements of patents or other rights of third parties that may result from its use. Specifications subject to change without notice. No license is granted by implication or otherwise under any patent or patent rights of Analog Devices. Trademarks and registered trademarks are the property of their respective owners. One Technology Way, P.O. Box 9106, Norwood, MA 02062-9106, U.S.A. Tel: 781.329.4700 ©2012 Analog Devices, Inc. All rights reserved. Technical Support www.analog.com ADI中文版数据手册是英文版数据手册的译文，敬请谅解翻译中可能存在的语言组织或翻译错误，ADI不对翻译中存在的差异或由此产生的错误负责。如需确认任何词语的准确性，请参考ADI提供 的最新英文版数据手册。 ADP2386 目录 特性....................................................................................................1 热关断 ....................................................................................... 14 应用....................................................................................................1 应用信息 ........................................................................................ 15 典型应用电路 ..................................................................................1 输入电容选择 .......................................................................... 15 概述....................................................................................................1 输出电压设置 .......................................................................... 15 修订历史 ...........................................................................................2 电压转换限制 .......................................................................... 15 技术规格 ...........................................................................................3 电感选择................................................................................... 15 绝对最大额定值..............................................................................5 输出电容选择 .......................................................................... 16 热阻 ..............................................................................................5 输入电压UVLO编程 .............................................................. 17 ESD警告.......................................................................................5 补偿设计................................................................................... 17 引脚配置和功能描述 .....................................................................6 ADIsimPower设计工具.......................................................... 17 典型性能参数 ..................................................................................7 设计示例 ........................................................................................ 18 功能框图 ........................................................................................ 11 输出电压设置 .......................................................................... 18 工作原理................................................................................... 12 频率设置................................................................................... 18 控制方案................................................................................... 12 电感选择................................................................................... 18 精密使能/关断 ........................................................................ 12 输出电容选择 .......................................................................... 19 内部调节器(VREG) ............................................................... 12 补偿器件................................................................................... 19 自举电路................................................................................... 12 软启动时间编程...................................................................... 19 振荡器 ....................................................................................... 12 输入电容选择 .......................................................................... 19 同步 ........................................................................................... 12 推荐外部器件 .......................................................................... 20 软启动 ....................................................................................... 13 电路板布局建议........................................................................... 21 电源良好................................................................................... 13 典型应用电路 ............................................................................... 22 峰值限流和短路保护............................................................. 13 外形尺寸 ........................................................................................ 23 过压保护(OVP) ..................................................................... 14 订购指南................................................................................... 23 欠压闭锁(UVLO) ................................................................... 14 修订历史 2012年11月—修订版0：初始版 Rev. 0 | Page 2 of 24 ADP2386 技术规格 除非另有说明，对于最小/最大规格，VPVIN = 12 V，TJ = −40°C至+125°C；对于典型规格，TA = 25°C。 表1. 参数 符号 PVIN PVIN电压范围 静态电流 关断电流 PVIN欠压闭锁阈值 VPVIN IQ ISHDN UVLO FB FB调节电压 FB偏置电流 误差放大器(EA) 跨导 EA源电流 EA吸电流 内部调节器(VREG) VREG电压 压差 调节器限流 SW 高端导通电阻1 低端导通电阻1 高端峰值限流 低端负限流2 SW最小导通时间 SW最小关断时间 BST 自举电压 振荡器(RT引脚) 开关频率 开关频率范围 SYNC 同步范围 SYNC最小脉冲宽度 SYNC正脉冲最大占空比 SYNC输入高电压 SYNC输入低电压 SS 内部软启动 SS引脚上拉电流 - VFB 测试条件/注释 无开关切换 EN = GND PVIN上升 PVIN下降 −40°C < TJ < 85°C −40°C < TJ < 125°C 最小值 4.5 2.4 50 3.6 VVREG VPVIN = 12 V, IVREG = 50 mA VPVIN = 12 V, IVREG = 50 mA V V µA 380 45 45 480 60 60 580 75 75 µS µA µA 7.6 8 340 100 8.4 V mV mA 44 11 9.6 2.5 125 200 70 18 11.5 165 260 mΩ mΩ A A ns ns 4.6 5 5.4 V 540 200 600 660 1400 kHz kHz 1400 0.4 kHz ns % V V 3.9 时钟周期 µA 7.2 tMIN_ON tMIN_OFF RT = 100 kΩ V mA µA V V 0.606 0.609 0.1 VBST − VSW = 5 V VVREG = 8 V fSW fSW 20 3.6 110 4.4 0.6 0.6 0.01 62 VBOOT 2.9 80 4.3 3.8 200 100 DMAX_SYNC 137 50 1.3 ISS_UP 2.3 Rev. 0 | Page 3 of 24 单位 0.594 0.591 IFB gm ISOURCE ISINK 典型值 最大值 1600 3.2 ADP2386 参数 PGOOD 电源良好范围 FB上升阈值 FB上升迟滞 FB下降阈值 FB下降迟滞 电源良好去毛刺时间 电源良好漏电流 电源良好输出低电压 EN EN上升阈值 EN下降阈值 EN源电流 符号 测试条件/注释 PGOOD由低电平至高电平 PGOOD由高电平至低电平 PGOOD由低电平至高电平 PGOOD由高电平至低电平 PGOOD由低电平至高电平 PGOOD由高电平至低电平 VPGOOD = 5 V IPGOOD = 1 mA 0.97 EN电压低于下降阈值 EN电压高于上升阈值 热关断 热关断阈值 热关断迟滞 1 2 最小值 典型值 最大值 单位 95 5 105 11.7 1024 16 0.01 125 % % % % 时钟周期 时钟周期 µA mV 1.17 1.07 5 1 150 25 引脚对引脚测量。 通过设计保证。 Rev. 0 | Page 4 of 24 0.1 190 1.25 V V µA µA °C °C ADP2386 绝对最大额定值 热阻 表2. 参数 PVIN, EN, PGOOD SW BST FB, SS, COMP, SYNC, RT VREG PGND至GND 工作结温范围 存储温度范围 焊接条件 额定值 −0.3 V至+22 V −1 V至+22 V VSW + 6 V −0.3 V至+6 V −0.3 V至+12 V −0.3 V至+0.3 V −40°C至+125°C −65°C至+150°C JEDEC J-STD-020 θJA针对最差条件，即器件焊接在4层JEDEC标准电路板上 以实现表贴封装。 表3. 热阻 封装类型 24引脚LFCSP_WQ θJA 42.6 单位 °C/W ESD警告 注意，超出上述绝对最大额定值可能会导致器件永久性损 坏。这只是额定最值，并不能以这些条件或者在任何其它 超出本技术规范操作章节中所示规格的条件下，推断器件 能否正常工作。长期在绝对最大额定值条件下工作会影响 器件的可靠性。 Rev. 0 | Page 5 of 24 ESD(静电放电)敏感器件。 带电器件和电路板可能会在没有察觉的情况下放电。 尽管本产品具有专利或专有保护电路，但在遇到高 能量ESD时，器件可能会损坏。因此，应当采取适当 的ESD防范措施，以避免器件性能下降或功能丧失。 ADP2386 20 EN 19 PVIN 22 RT 21 PGOOD 24 SS 23 SYNC 引脚配置和功能描述 18 PVIN COMP 1 FB 2 17 PVIN 25 GND VREG 3 GND 4 16 PVIN 15 BST 26 SW SW 5 SW 6 14 SW PGND 11 PGND 12 PGND 9 PGND 10 SW 7 PGND 8 13 PGND TOP VIEW NOTES 1. THE EXPOSED GND PAD MUST BE SOLDERED TO A LARGE, EXTERNAL, COPPER GND PLANE TO REDUCE THERMAL RESISTANCE. 2. THE EXPOSED SW PAD MUST BE CONNECTED TO THE SW PINS OF THE ADP2386 BY USING SHORT, WIDE TRACES, OR ELSE SOLDERED TO A LARGE, EXTERNAL, COPPER SW PLANE TO REDUCE THERMAL RESISTANCE. 10211-003 ADP2386 图3. 引脚配置 表4. 引脚功能描述 引脚编号 1 2 3 引脚名称 COMP FB VREG 4 5, 6, 7, 14 8, 9, 10, 11, 12, 13 15 16, 17, 18, 19 20 GND SW PGND BST PVIN EN 21 22 PGOOD RT 23 SYNC 24 SS 25 26 EP, GND EP, SW 描述 误差放大器输出。在COMP和GND之间连接一RC网络。 反馈电压检测输入。输出电压VOUT处连接电阻分压器。 内部8 V调节器输出。控制电路通过该电压供电。 在此引脚和GND之间放置一个1 µF、X7R或X5R陶瓷电容。 模拟地。内部控制电路的返回路径。 开关节点输出引脚。连接到输出电感上。 电源地。低端功率MOSFET的返回路径。 高端栅极驱动的供电轨。在SW和BST之间放置一个0.1 µF、X7R或X5R电容。 电源输入。连接至输入电源并在此引脚和PGND之间连接一个旁路电容。 精密使能引脚。可使用外部电阻分压器来设定启动阈值。 若要自动使能器件，则将EN引脚连接至PVIN引脚。 电源正常输出(开漏)。建议的上拉电阻值介于10 kΩ和100 kΩ之间。 频率设置。 在RT与GND之间连接一个电阻，将开关频率编程设定在200 kHz与1.4 MHz之间。 同步输入。 将此引脚连接至外部时钟，以便同步200 kHz至1.4 MHz范围的开关频率。 详情参见“振荡器”和“同步”部分。 软启动控制。在SS与GND之间连接一个电容，对软启动时间进行编程。 若此引脚开路，则调节器使用内部软件启动时间。 裸露焊盘GND必须焊接至大面积外部铜层GND，以降低热阻。 裸露焊盘SW必须利用短而宽的走线连接ADP2386的SW引脚， 或者焊接至大面积外部铜层SW，以降低热阻。 Rev. 0 | Page 6 of 24 ADP2386 典型性能参数 100 100 95 95 90 90 85 85 EFFICIENCY (%) 80 75 70 75 70 65 0 1 2 3 4 5 55 6 OUTPUT CURRENT (A) 50 10211-004 55 VOUT = 1.2V VOUT = 1.8V VOUT = 2.5V VOUT = 3.3V VOUT = 5V 60 0 1 100 100 95 95 90 90 85 85 EFFICIENCY (%) EFFICIENCY (%) 4 5 80 75 70 70 1 2 3 4 5 VOUT = 1.0V VOUT = 1.2V VOUT = 1.5V VOUT = 1.8V VOUT = 2.5V VOUT = 3.3V 55 6 OUTPUT CURRENT (A) 50 10211-005 0 0 1 2 3 4 5 OUTPUT CURRENT (A) 图8. 效率(VIN = 5 V，fSW = 600 kHz) 图5. 效率(VIN = 18 V，fSW = 600 kHz) 100 20 75 60 VOUT = 1.8V VOUT = 2.5V VOUT = 3.3V VOUT = 5V 55 6 80 65 60 6 图7. 效率(VIN = 12 V，fSW = 300 kHz) 65 3.2 TJ = –40°C TJ = +25°C TJ = +125°C TJ = –40°C TJ = +25°C TJ = +125°C 3.0 QUIESCENT CURRENT (mA) 90 80 70 60 2.8 2.6 2.4 2.2 2.0 50 4 6 8 10 12 14 16 18 INPUT VOLTAGE (V) 20 1.8 10211-006 SHUTDOWN CURRENT (µA) 3 OUTPUT CURRENT (A) 图4. 效率(VIN = 12 V，fSW = 600 kHz) 50 2 10211-007 VOUT = 1.2V VOUT = 1.8V VOUT = 2.5V VOUT = 3.3V VOUT = 5V 60 10211-008 65 50 80 10211-009 EFFICIENCY (%) 除非另有说明，TA = 25°C，VIN = 12 V，VOUT = 3.3 V，L = 2.2 µH，COUT = 100 µF + 47 µF，fSW = 600 kHz。 4 6 8 10 12 14 16 INPUT VOLTAGE (V) 图6. 关断电流与输入电压(VIN )的关系 图9. 静态电流与VIN 的关系 Rev. 0 | Page 7 of 24 18 ADP2386 4.5 4.4 1.25 RISING FALLING RISING FALLING EN THRESHOLD (V) PVIN UVLO THRESHOLD (V) 1.20 4.3 4.2 4.1 4.0 3.9 1.15 1.10 1.05 3.8 1.00 20 40 60 80 100 120 TEMPERATURE (°C) 0.95 –40 –20 80 100 120 100 120 100 120 604 FEEDBACK VOLTAGE (mV) SS PULL-UP CURRENT (µA) 60 606 3.25 3.20 3.15 3.10 3.05 3.00 602 600 598 596 2.95 0 20 40 60 80 100 120 594 –40 10211-011 –20 TEMPERATURE (°C) –20 0 20 40 60 80 TEMPERATURE (°C) 图11. SS引脚上拉电流与温度的关系 图14. 反馈电压与温度的关系 8.4 630 8.3 VREG VOLTAGE (V) 620 610 RT = 100kΩ 600 590 580 8.2 8.1 8.0 7.9 7.8 –20 0 20 40 60 80 TEMPERATURE (°C) 100 120 7.7 –40 10211-012 FREQUENCY (kHz) 40 图13. EN阈值与温度的关系 3.30 570 –40 20 TEMPERATURE (°C) 图10. PVIN UVLO阈值与温度的关系 2.90 –40 0 10211-013 0 10211-014 –20 10211-010 3.6 –40 10211-015 3.7 –20 0 20 40 60 80 TEMPERATURE (°C) 图15. VREG电压与温度的关系 图12. 频率与温度的关系 Rev. 0 | Page 8 of 24 ADP2386 10.5 MOSFET RESISTOR (mΩ) 55 45 35 25 5 –40 –20 0 20 40 60 80 100 120 TEMPERATURE (°C) 9.5 9.0 8.5 8.0 7.5 –40 10211-016 15 10.0 –20 0 20 40 60 80 100 120 TEMPERATURE (°C) 图16. MOSFET RDSON 与温度的关系 图19. 限流阈值与温度的关系 VOUT (AC) 1 EN 3 IL 1 2 SW VOUT PGOOD 3 IOUT 2 B W CH2 10V M2.00µs T 50.2% A CH2 6V CH1 2V CH3 10V B W CH2 5V CH4 5A Ω 图17. 工作模式的波形 M2.00ms T 50% A CH2 5.8V A CH4 7.8V 10211-020 CH1 10mV CH3 2A Ω 10211-017 4 图20. 满载软启动 EN SYNC 4 VOUT 2 1 SW PGOOD 2 4 IL M2.00ms T 50% A CH2 2V CH2 5V CH4 10V 图18. 电压预充电输出 M1.00µs T 50% 图21. 外部同步 Rev. 0 | Page 9 of 24 10211-021 CH1 2V BW CH2 5V CH3 5A Ω CH4 10V 10211-018 3 10211-019 HIGH-SIDE RDSON LOW-SIDE RDSON PEAK CURRENT-LIMIT THRESHOLD (A) 65 ADP2386 VOUT (AC) VOUT (AC) 1 1 VIN SW 3 IOUT B W CH4 2A Ω M200µs T 70.4% A CH4 2.8A 10211-022 CH1 100mV CH1 20mV CH3 5V B W CH2 10V B W B W M1.00ms T 20% A CH3 12.4V 10211-025 2 4 图25. 线路瞬态响应，VIN 范围从8 V到14 V，IOUT = 6 A 图22. 负载瞬态响应，1 A至5 A VOUT VOUT 1 1 SW SW 2 2 IL IL B W CH2 10V CH4 5A Ω M4.00ms T 30.2% A CH1 2.12V CH1 2V B W 6 6 5 5 LOAD CURRENT (A) 7 4 3 2 VOUT = 1.2V VOUT = 1.8V VOUT = 2.5V VOUT = 3.3V VOUT = 5V 40 55 70 2.12V 85 AMBIENT TEMPERATURE (°C) 100 4 3 2 VOUT = 1V VOUT = 1.2V VOUT = 1.8V VOUT = 2.5V VOUT = 3.3V VOUT = 5V 1 0 25 10211-024 LOAD CURRENT (A) 7 0 25 A CH1 图26. 输出短路恢复 图23. 输出短路保护 1 M4.00ms T 70.4% CH2 10V CH4 5A Ω 40 55 70 85 AMBIENT TEMPERATURE (°C) 图27. 负载电流与环境温度的关系 (VIN = 12 V，fSW = 300 kHz) 图24. 负载电流与环境温度的关系 (VIN = 12 V，fSW = 600 kHz) Rev. 0 | Page 10 of 24 100 10211-027 CH1 2V 10211-023 4 10211-026 4 ADP2386 功能框图 VREG CLK RT OSC BIAS AND DRIVER REGULATOR SLOPE RAMP SYNC PVIN UVLO EN EN_BUF BOOST REGULATOR 1.17V 1µA 4µA ACS SLOPE RAMP Σ VI_MAX + OCP – HICCUP MODE BST COMP 0.6V ISS + SS + AMP FB – DRIVER SW CONTROL LOGIC AND MOSFET DRIVER WITH ANTICROSS PROTECTION OVP 0.7V NFET + CMP – DRIVER NFET CLK PGND – NEG CURRENT – CMP + + – 0.54V VREG VI_NEG + PGOOD DEGLITCH 10211-028 GND 图28. Rev. 0 | Page 11 of 24 ADP2386 工作原理 ADP2386是同步降压DC-DC调节器，采用电流模式结构并 自举电路 集成高端电源开关和低端同步整流器。该调节器针对需要 ADP2386集成调节器，为高端N-MOSFET提供栅极驱动电 高效率和设计灵活性的高性能应用。 压。它使用差分检测，在BST和SW引脚之间产生5 V自举 ADP2386工作电压范围为4.5 V至20 V，调节后输出电压范 电压。 围为0.6 V至90%的输入电压。最大程度使设计更灵活的其 建议在BST和SW引脚之间放置一个0.1 µF、X7R或X5R陶瓷 它特性包括：可编程开关频率、可编程软启动、外部补 电容。 偿、精确使能和电源良好输出。 振荡器 控制方案 ADP2386开关频率由RT引脚控制。RT与GND之间的电阻 ADP2386采用固定频率、峰值电流模式PWM控制结构。每 根据以下等式对开关频率进行编程： 个振荡器周期开始时，高端N沟道MOSFET开启，给电感 两端施加一个正向电压。当电感电流超过峰值电感电流阈 值时，高端N-MOSFET关闭，低端N-MOSFET开启。这使 100 kΩ电阻将频率设置为600 kHz，42.2 kΩ电阻将频率设置 得电感两端产生一个负向电压，使电感电流下降。低端 为1.2 MHz。图29显示了fSW与RT之间的典型关系。 1400 精密使能/关断 1200 当迟滞电压为100 mV时，EN输入引脚具有典型值为1.17 V 1000 FREQUENCY (kHz) N-MOSFET在周期的剩余时间内保持开启(见图17)。 的精确模拟阈值。当使能电压超出1.17 V时，调节器开启； 当该电压低于1.07 V(典型值)时，调节器关断。为强制调节 器 在 施 加 输 入 电 压 时 自 动 启 动 ， 可 将 EN引 脚 连 接 至 PVIN。 800 600 400 精密EN引脚具有一个内部下拉电流源(5 µA)，当EN引脚开 启时会默认关断。 0 20 当EN引脚电压超过1.17 V(典型值)时，ADP2386使能，EN 60 100 140 180 220 RT (kΩ) 引脚上的内部下拉电流源降低至1 µA，以便用户编程PVIN 260 300 10211-029 200 图29. 开关频率与RT的关系 UVLO和迟滞。 同步 内部调节器(VREG) 若要同步ADP2386，需将外部时钟连接至SYNC引脚。外 板上调节器为内部电路提供稳定电源。建议在VREG和 GND引脚之间放置一个1 µF陶瓷电容。内部调节器集成一个 限流电路，可在电流超出最大外部负载电流时提供输出 保护。 部时钟频率范围为200 kHz至1.4 MHz。同步时，调节器工 作在连续导通模式(CCM)下，并且开关波形的上升沿与外 部时钟上升沿相位相差180°。 当ADP2386工作在同步模式时，RT引脚和GND之间必须放 置一个电阻，以便对内部振荡器编程，使其运行在90%至 110%外部同步时钟的范围内。 Rev. 0 | Page 12 of 24 ADP2386 VOUT RISING 软启动 减少启动时的浪涌电流。内部软启动时间计算公式如下： 116.7% VOUT (%) ADP2386集成软启动电路，用于限制输出电压上升时间并 VOUT FALLING 105% 100% 95% 90% 可通过SS引脚，将其编程为更长的启动时间。在SS引脚和 1024 CYCLE DEGLITCH 启动斜坡。软启动时间计算公式如下： 16 CYCLE DEGLITCH 1024 CYCLE DEGLITCH 16 CYCLE DEGLITCH 10211-130 PGOOD GND之间放置电容后，内部电流对电容充电，从而建立软 图30. PGOOD上升和下降阈值 峰值电流限制和短路保护 其中： ADP2386内置峰值限流保护电路，可防止电流失控。在初 CSS为软启动电容。 始软启动期间，ADP2386使用折频技术防止输出电流失 ISS_UP为软启动上拉电流(3.2 µA)。 控。开关频率根据FB引脚电压而降低，为电感留出更多时 内部误差放大器包括三个正向输入：内部基准电压、内部 数字软启动电压和SS引脚电压。误差放大器将FB电压调节 间进行放电。表5显示了开关频率与FB引脚电压之间的相 关关系。 表5. FB引脚电压和开关频率 到三个电压中最低的一个。 如果输出电压在开启前已充电，ADP2386可防止反向电感 电流(该电流会导致输出电容放电)。此功能在软启动电压 超过FB引脚电压之前保持激活。 FB引脚电压 VFB ≥ 0.4 V 0.4 V > VFB ≥ 0.2 V VFB < 0.2 V 开关频率 fSW fSW/2 fSW/4 为具有更好的高负载保护性能，ADP2386利用打嗝模式实 电源良好 电源良好引脚(PGOOD)为高电平有效、开漏输出，需要通 过一个外部电阻拉高至某个电压。PGOOD引脚逻辑高电 平表示FB引脚电压(和输出电压)在调节范围内。 现过流保护。当电感峰值电流达到限流值时，高端 MOSFET关断，低端MOSFET开启，直到进入下一个周 期。此过程中，过流计数器增加。如果过流计数器达到 10，或者FB引脚电压在软启动后降低至0.4 V，则调节器将 电源良好电路可监控FB引脚上的输出电压，并与表1所列 进入打嗝模式。高端和低端MOSFET同时关断。调节器在 的上升、下降阈值进行比较。若上升输出电压超过目标 4096个时钟周期内保持打嗝模式，然后尝试重启。如果电 值，则PGOOD引脚被拉低。PGOOD引脚在下降输出电压 流故障已清除，调节器将恢复正常工作。否则，它将再次 达到目标值前，始终保持低电平。 进入打嗝模式。 若输出电压低于目标值，则PGOOD引脚被拉低。PGOOD ADP2386还提供吸电流限制，以防低端MOSFET从负载吸 引脚在上升输出电压达到目标值前，始终保持低电平。 取过多电流。当低端MOSFET电压超过吸电流阈值(典型值 电源良好上升和下降阈值如图30所示。PGOOD引脚从低 为2.5 A)时，低端MOSFET立即关断，并保持关断直到该周 电平拉高至高电平前，有一个1024个周期的等待期(去毛 期结束。在进入下一个周期之前，高端和低端MOSFET同 刺)；PGOOD引脚从高电平拉低至低电平前，有一个16个 时关闭。 周期的等待期(去毛刺)。 在某些情况下，输入电压(VPVIN)斜坡率过低或者输出电容 过大，无法使软启动期间输出达到调节电压，导致调节器 进入打嗝模式。为了避免此类情况发生，可在EN引脚处放 置一个电阻分压器，对输入电压UVLO进行编程，或者使 用更长的软启动时间。 Rev. 0 | Page 13 of 24 ADP2386 过压保护(OVP) 步整流器也将关断。当VPVIN电压升到4.3 V典型值以上时， ADP2386集成过压保护功能，可保护调节器，防止对较高 开始软启动并使能器件。 的电源电压输出短路或者发生强烈的负载断路瞬变。如果 反馈电压增加至0.7 V，则内部高端和低端MOSFET将关断， 直到FB引脚的电压降至0.63 V。此时，ADP2386将恢复正 常工作。 热关断 ADP2386的结温上升到150°C以上时，内部热关断电路会关 闭调节器，达到自我保护的目的。极端的结温可能由工作 电流高、电路板散热设计欠佳和/或环境温度高等原因引 欠压闭锁(UVLO) 起。热关断电路有25°C的迟滞，因此过温事件发生后，片 ADP2386集成欠压闭锁电路，防止出现上电毛刺。如果 内温度必须低于125°C，ADP2386才会恢复正常工作。恢复 VPVIN电压低于3.8 V典型值，则器件将关断，电源开关和同 后，在正常工作前开始软启动过程。 Rev. 0 | Page 14 of 24 ADP2386 应用信息 输入电容选择 输入电压和开关频率给定时的最大输出电压受最短关断时 输入电容用于降低PVIN上因开关电流引起的输入电压纹 间和最大占空比的限制。ADP2386的最小关断时间通常为 波。尽可能靠近PVIN引脚放置输入电容。建议使用范围为 200 ns，最大占空比通常为90%。 10 μF至47 μF之间的陶瓷电容。该输入电容、高端N-MOS- 输入电压和频率给定时，受限于最短关断时间的最大输出 FET和低端N-MOSFET组成的环路必须尽可能小。 电压计算公式如下： 输入电容的电压额定值必须大于最大输入电压。确保输入 电容的电流有效值额定值大于下式计算值： 其中： VOUT_MAX为最大输出电压。 VIN为输入电压。 输出电压设置 ADP2386的输出电压可通过外部电阻分压器进行设置。电 阻值计算公式为： tMIN_OFF为最小关断时间。 fSW为开关频率。 RDSON_HS为高端MOSFET的导通电阻。 RDSON_LS为低端MOSFET的导通电阻。 FB偏置电流(最大0.1 µA)会引起输出电压精度降低，要将降 幅限制在0.5%(最大值)以内，应确保RBOT < 30 kΩ。 IOUT_MAX为最大输出电流。 RL为输出电感的串联电阻。 输入电压给定时，受限于最大占空比的最大输出电压的计 表6列出针对各种输出电压推荐的电阻分压器。 算公式如下： 表6. 适用于各种输出电压的电阻分压器 VOUT (V) 1.0 1.2 1.5 1.8 2.5 3.3 5.0 RTOP ± 1% (kΩ) 10 10 15 20 47.5 10 22 RBOT ± 1% (kΩ) 15 10 10 10 15 2.21 3 其中，DMAX为最大占空比；VIN为输入电压。 如公式1至公式3所示，降低开关频率可减少最短导通时间 和最短关断时间限制。 电感选择 电感值取决于工作频率、输入电压、输出电压和电感纹波 电压转换限制 电流。使用小电感会产生更快的瞬态响应，但会因电感电 输入电压和开关频率给定时的最小输出电压受最短导通时 流纹波较大而降低效率。使用大电感值可获得较小的纹波 间的限制。ADP2386的最小导通时间通常为125 ns。给定输 电流和较高的效率，但瞬态响应会变慢。 入电压和开关频率，则最小输出电压的计算公式如下： 原则上讲，电感纹波电流ΔIL通常设置为最大负载电流的 1/3。可通过如下公式计算电感值： 其中： VOUT_MIN为最小输出电压。 其中： VIN为输入电压。 VIN为输入电压。 tMIN_ON为最小导通时间。 fSW为开关频率。 RDSON_HS为高端MOSFET的导通电阻。 RDSON_LS为低端MOSFET的导通电阻。 IOUT_MIN为最小输出电流。 RL为输出电感的等效串联电阻。 VOUT为输出电压。 D为占空比(D = VOUT/VIN)。 ΔIL为电感电流纹波。 fSW为开关频率。 ADP2386在电流环路中使用自适应斜率补偿，以防止当占 空比大于50%时产生次谐波振荡。内部斜率补偿限制了最 小电感值。 Rev. 0 | Page 15 of 24 ADP2386 当占空比大于50%时，最小电感值可通过以下公式确定： 其中： KUV为系数，通常设置KUV = 2。 ΔISTEP为负载阶跃。 ΔVOUT_UV为容许的输出电压欠冲。 峰值电感电流计算公式如下： 另一种情况是负载突然从输出端移除，存储在电感中的能 电感的饱和电流必须大于峰值电感电流。对于具有快速饱 和特性的铁氧体磁芯电感，电感饱和电流额定值必须大于 量冲入输出电容，从而导致输出过冲。 可通过以下公式计算达到过冲要求所需的输出电容： 开关的限流阈值，以防止电感达到饱和点。 电感的电流有效值计算公式如下： 其中： ΔVOUT_OV为容许的输出电压过冲。 建议使用屏蔽铁氧体磁芯材料，以实现低铁损、低EMI。 表7列出了部分推荐电感。 KOV为系数，通常设置KOV = 2。 输出纹波由ESR和电容值决定。使用以下公式选择能达到 输出纹波要求的电容： 输出电容选择 输出电容的选择影响到输出纹波电压、负载阶跃瞬态和调 节器的环路稳定性。 例如，在负载阶跃瞬态期间，输出电容向负载供电，直到 控制环路可以提高电感电流。控制环路引起的延迟导致输 出欠冲。满足压降要求的输出电容可通过以下公式计算： 其中： ΔIL为电感电流纹波。 ΔVOUT_RIPPLE为容许的输出纹波电压。 RESR为输出电容的等效串联电阻，单位为欧姆(Ω)。 选择COUT_UV、COUT_OV和COUT_RIPPLE给定的最大输出电容，以 同时满足负载瞬态和输出纹波性能。 表7. 推荐电感 供应商 Toko Vishay Wurth Elektronik 产品型号 FDVE0630-R47M FDVE0630-R75M FDVE0630-1R0M FDVE1040-1R5M FDVE1040-2R2M FDVE1040-3R3M FDVE1040-4R7M IHLP3232DZ-R47M-11 IHLP3232DZ-R68M-11 IHLP3232DZ-1R0M-11 IHLP4040DZ-1R5M-01 IHLP4040DZ-2R2M-01 IHLP4040DZ-3R3M-01 IHLP4040DZ-4R7M-01 744 325 120 744 325 180 744 325 240 744 325 330 744 325 420 值(µH) 0.47 0.75 1.0 1.5 2.2 3.3 4.7 0.47 0.68 1.0 1.5 2.2 3.3 4.7 1.2 1.8 2.4 3.3 4.2 Rev. 0 | Page 16 of 24 ISAT (A) 15.6 10.9 9.5 13.7 11.4 9.8 8.2 14 14.5 12 27.5 25.6 18.6 17 25 18 17 15 14 IRMS (A) 14.1 10.7 9.5 14.6 11.6 9.0 8.0 25 22.2 18.2 15 12 10 9.5 20 16 14 12 11 DCR (mΩ) 3.7 6.2 8.5 4.6 6.8 10.1 13.8 2.38 3.22 4.63 5.8 9 14.4 16.5 1.8 3.5 4.75 5.9 7.1 ADP2386 所选的输出电容电压额定值必须大于输出电压。输出电容 ADP2386对于误差放大器使用跨导放大器来补偿该系统。 的电流有效值额定值必须大于下式计算值： 图32显示了简化的峰值电流模式控制小信号电路。 ICOUT_RMS = ∆I L 12 VOUT VOUT RTOP 输入电压UVLO编程 ADP2386具 有 精 密 使 能 输 入 ， 可 用 于 编 程 输 入 电 压 的 UVLO阈值(如图31所示)。 RBOT PVIN VCOMP – gm + AVI COUT R RC CCP CC – RESR 10211-031 ADP2386 + RTOP_EN 图32. 简化的峰值电流模式控制小信号电路 EN CMP EN 补偿器件RC和CC形成零点，可选的RC和CCP形成可选极点。 1.17V RBOT_EN 闭环传递公式如下所示： 4µA 10211-030 1µA 图31. 输入电压UVLO编程 以下设计准则说明对于陶瓷输出电容应用，如何选择补偿 RTOP_EN和RBOT_EN的计算公式如下： 器件RC、CC和CCP： 1. 确定截止频率f C 。通常情况下，f C 介于f SW /12和f SW /6 之间。 2. RC的计算公式如下： 其中： 3. 将补偿零点放置在主极点fP处，然后通过下式计算CC： VIN_RISING为VIN上升阈值。 VIN_FALLING为VIN下降阈值。 4. C CP 是可选的。它可用于取消输出电容的ESR引起的 补偿设计 对于峰值电流模式控制，可将功率级简化为向输出电容和 零点。 负载电阻供应电流的压控电流源。它包括由输出电容ESR ADIsimPOWER设计工具 造成的起主导作用的极点和零点。控制到输出传递函数如 ADIsimPower设计工具集支持ADP2386。ADIsimPower是一 下公式所示： 个工具集合，可以根据特定设计目标产生完整的电源设 计。利用这些工具，用户只需几分钟就能生成完整原理 图、物料清单并计算性能。ADIsimPower可以考虑IC和所 有真实外部元件的工作条件与限制，并针对成本、面积、 效率和器件数量优化设计。欲了解有关ADIsimPower设计 工具的更多信息，请访问www.analog.com/ADIsimPower。 该工具集可通过此网站获得，用户也可以申请未填充的电 路板。 其中： AVI = 8.7 A/V。 R为负载电阻。 COUT为输出电容。 RESR是该输出电容的等效串联电阻。 Rev. 0 | Page 17 of 24 ADP2386 设计示例 PVIN CIN 10µF 25V BST EN CBST 0.1µF PGOOD SYNC RT 100kΩ CVREG 1µF RTOP 10kΩ 1% ADP2386 RT FB COMP VREG CSS 22nF L1 2.2µF SW SS CCP 4.7pF GND PGND RC 44.2kΩ CC 1.2nF VOUT = 3.3V COUT1 100µF 6.3V COUT2 47µF 6.3V RTOP 2.21kΩ 1% 10211-033 VIN = 12V 图33. 设计示例原理图 本节根据表8所列示例规格，说明了选择外部元件的步 骤。图33为此设计示例的原理图。 计算得：L = 2.215 μH。选择标准电感值2.2 μH。 峰峰值电感纹波电流的计算公式如下： 表8. 降压DC-DC调节器要求 参数 输入电压 输出电压 输出电流 输出电压纹波 负载瞬变 开关频率 技术规格 VIN = 12.0 V ± 10% VOUT = 3.3 V IOUT = 6 A ∆VOUT_RIPPLE = 33 mV ±5%，1 A至5 A，2 A/μs fSW = 600 kHz 计算得：∆IL = 1.81 A。 使用以下公式计算峰值电感电流： 计算得：IPEAK = 6.905 A。 输出电压设置 选择10 kΩ电阻作为上端反馈电阻RTOP，通过以下公式计算 使用以下公式计算流过电感的电流有效值： 下端反馈电阻RBOT： 计算得：IRMS = 6.023 A。 若要将输出电压设置为3.3 V，则电阻值为：RTOP = 10 kΩ， RBOT = 2.21 kΩ。 根据计算得到的电流值，选择最小电流有效值额定值为 6.03 A、最小饱和电流额定值为6.91 A。 然而，在限流的情况下，为了防止电感达到饱和点，电感 频率设置 若要将开关频率设置为600 kHz，则在RT引脚与GND之间 额定的饱和电流值至少为9.6 A才能可靠工作。 根据前文提到的要求，选择2.2 μH电感(比如Toko公司的 连接一个100 kΩ电阻。 FDVE1040-2R2M，具有6.8 mΩ DCR和11.4 A饱和电流)。 电感选择 将峰峰值电感纹波电流ΔIL设置为最大输出电流的30%。使 用以下公式估算电感值： 其中： VIN = 12 V。 VOUT = 3.3 V。 D = 0.275。 ∆IL = 1.8 A。 fSW = 600 kHz。 Rev. 0 | Page 18 of 24 ADP2386 输出电容选择 100 µF和47 µF的陶瓷输出电容分别具有62 µF和32 µF的降 输出电容需要同时达到输出电压纹波和负载瞬态响应要求。 容值。 要满足输出电压纹波要求，可使用以下公式计算ESR和输 出电容值： 通过该计算，可得：COUT_RIPPLE = 11.4 μF，RESR = 18 mΩ。 要满足±5%的过冲和欠冲瞬态要求，可使用以下公式计算 电容： 根据以下数值选择标准器件：RC = 44.2 kΩ，CC = 1200 pF， CCP = 4.7 pF。 图34显示了6 A时的波特图。截止频率为58 kHz，相位裕量 KOV = KUV = 2是系数，用于估算。 ∆ISTEP = 4 A，表示负载瞬态阶跃。 ∆VOUT_OV = 5% VOUT，表示过冲电压。 ∆VOUT_UV = 5% VOUT，表示欠冲电压。 通过该计算，可得：COUT_OV = 63.1 μF，COUT_UV = 24.5 μF。 180 48 144 36 108 24 72 12 36 0 0 –12 –36 –24 –72 –36 –108 –48 –144 –60 1k 10k 100k 根据计算，输出电容必须大于63 μF，输出电容的ESR值必 FREQUENCY (Hz) 须小于18 mΩ。建议使用一个100 μF/X5R/ 6.3 V陶瓷电容 图34. 6 A时的波特图 –180 1M PHASE (Degrees) 其中： 60 10211-134 MAGNITUDE (dB) 为61°。 和一个47 μF/X5R/6.3 V陶瓷电容，比如Murata公司的 软启动时间编程 GRM32ER60J107ME20和GRM32ER60J476ME20，具有 软启动特性允许输出电压以受控方式缓慢提高，从而避免 2 mΩ的ESR。 软启动期间出现输出电压过冲现象，同时限制浪涌电流。 补偿器件 将软启动时间设置为4 ms。 为了获得更好的负载瞬态和稳定性能，应将截止频率fC设 置为fSW/10。这种情况下，fSW的工作频率为600 kHz；因此， 将fC设置为60 kHz。 根据以下数值选择标准器件：CSS = 22 nF。 输入电容选择 在PVIN引脚附近放置一个最小10 μF的陶瓷电容。本应用 中，建议使用一个10 μF、X5R、25 V陶瓷电容。 Rev. 0 | Page 19 of 24 ADP2386 推荐外部元件 表9. 6 A输出电流典型应用中推荐的外部器件 fSW (kHz) 300 600 1000 1 680 VIN (V) 12 12 12 12 12 12 12 5 5 5 5 5 5 12 12 12 12 12 5 5 5 5 5 5 12 12 12 5 5 5 5 5 5 VOUT (V) 1 1.2 1.5 1.8 2.5 3.3 5 1 1.2 1.5 1.8 2.5 3.3 1.5 1.8 2.5 3.3 5 1 1.2 1.5 1.8 2.5 3.3 2.5 3.3 5 1 1.2 1.5 1.8 2.5 3.3 V, Sanyo 4TPF680M; 470 L (µH) 1.5 2.2 2.2 3.3 3.3 4.7 4.7 1.5 1.5 2.2 2.2 2.2 2.2 1 1.5 2.2 2.2 3.3 1 1 1 1 1 1 1 1.5 1.5 0.47 0.47 0.68 0.68 0.68 0.68 COUT (µF) 1 680 + 2 × 100 680 + 2 × 100 680 680 470 3 × 100 100 + 47 680 + 2 × 100 680 680 470 3 × 100 3 × 100 3 × 100 3 × 100 2 × 100 100 + 47 100 680 470 3 × 100 2 × 100 100 100 + 47 100 100 100 3 × 100 2 × 100 100 + 47 100 + 47 100 100 V, Sanyo 6TPF470M; 100 RTOP (kΩ) 10 10 15 20 47.5 10 22 10 10 15 20 47.5 10 15 20 47.5 10 22 10 10 15 20 47.5 10 47.5 10 22 10 10 15 20 47.5 10 RBOT (kΩ) 15 10 10 10 15 2.21 3 15 10 10 10 15 2.21 10 10 15 2.21 3 15 10 10 10 15 2.21 15 2.21 3 15 10 10 10 15 2.21 RC (kΩ) 57.6 68.1 73.2 88.7 84.5 44.2 33 57.6 57.6 73.2 61.9 33 44.2 39 47 44.2 44.2 44.2 97.6 82 39 33 22 44.2 37.4 47 73.2 44.2 34.8 33 39 37.4 47 V, X5R, Murata GRM32ER60J107ME20; 47 Rev. 0 | Page 20 of 24 CC (pF) 2200 2200 2200 2200 2200 2200 2200 2200 2200 2200 2200 2200 2200 1200 1200 1200 1200 1200 1200 1200 1200 1200 1200 1200 680 680 680 680 680 680 680 680 680 CCP (pF) 150 120 100 82 47 8.2 4.7 150 120 100 82 10 8.2 10 8.2 4.7 4.7 2.2 68 47 10 8.2 4.7 4.7 3.3 2.2 2.2 8.2 6.8 4.7 4.7 3.3 2.2 V, X5R, Murata GRM32ER60J476ME20. ADP2386 电路板布局建议 为使ADP2386获得最佳性能，良好的印刷电路板(PCB)布 • 将ADP2386的裸露GND焊盘与一个较大的外部铜层相 局至关重要。不良的PCB布局会降低输出调节性，以及 连，以便最大程度发挥其散热性能，降低结点温度。另 电 磁 干 扰 (EMI) 和 电 磁 兼 容 (EMC) 性 能 。 图 36显 示 了 外，使用短而宽的走线将裸露SW焊盘与ADP2386的SW ADP2386的良好PCB布局示例。以下是关于最佳布局的 引脚相连，或针对高电流，将裸露SW焊盘连接至开关 指导性建议： 节点上较大的铜层。 • 使用独立的模拟接地层和电源接地层。将敏感模拟电路 • 将反馈电阻分压网络尽可能靠近FB引脚配置，以免受噪 (如输出分压元件)的接地基准端连接至模拟地。另外， 声影响。应尽量缩短反馈电阻分压器顶部与输出端之间 将电源元件(如输入电容和输出电容)的接地基准端连接 的走线，同时确保走线远离高电流走线和开关节点，以 至电源地。将两个接地层与ADP2386的裸露GND焊盘 免噪声影响。为进一步降低噪声影响，应在FB走线的两 相连。 侧各放置一个模拟接地层，并确保走线的长度尽可能最 • 使用较短走线，尽量靠近IC放置输入电容、电感和输出 短，以便降低寄生电容。 电容。 ADP2386 • 确保高电流环路走线尽可能短而宽。高电流路径的出发 VIN PVIN CIN 点和终点均为输入电容；电流从输入电容流出，流经电 BST CBST EN 感、输出电容和电源接地层，再返回输入电容；走线越 PGOOD 短越好。为达到上述的目的，应确保输入电容和输出电 SYNC RTOP 源接地层的高电流路径尽可能短，可将ADP2386的PGND VREG CVREG RC SS GND PGND CSS CC 引脚与PGND层相连，并尽可能靠近输入和输出电容。 图35. PCB电路中的高电流路径 PULL UP PVIN PVIN PGOOD EN RT SYNC RT SS CSS RC CC CCP ANALOG GROUND PLANE COMP PVIN GND FB INPUT BYPASS CAP PVIN VREG PVIN BST CVREG GND SW SW SW SW CBST INPUT BULK CAP + PGND PGND PGND PGND PGND PGND SW SW INDUCTOR POWER GROUND PLANE OUTPUT CAPACITOR VOUT 10211-034 VIA BOTTOM LAYER TRACE COPPER PLANE 图36. 推荐的PCB布局 Rev. 0 | Page 21 of 24 10211-033 RT RBOT COMP RT 另外，为确保从电源接地层，经电感和输出电容，返回电 RTOP COUT FB 容共用同一电源接地层。 RBOT VOUT L SW ADP2386 典型应用电路 BST PVIN CIN 10µF 25V CBST L1 0.1µF 1µH EN PGOOD SYNC RT 124kΩ SW ADP2386 COUT1 470µF 6.3V COUT2 10µF 6.3V FB RT VREG CVREG 1µF VOUT = 1.2V RTOP 10kΩ 1% COMP SS CCP 68pF GND PGND CSS 22nF RC 66.5kΩ CC 1.5nF RBOT 10kΩ 1% 10211-035 VIN = 12V 图37. 典型应用电路(VIN = 12 V，VOUT = 1.2 V，IOUT = 6 A，fSW = 500 kHz) VIN = 12V PVIN BST EN CBST 0.1µF PGOOD SYNC RPGOOD 100kΩ SW RT 100kΩ RTOP 20kΩ 1% ADP2386 RT SS VOUT = 1.8V COUT1 100µF 6.3V COUT2 100µF 6.3V COUT3 100µF 6.3V FB VREG CVREG 1µF L1 1.5µH COMP CCP 8.2pF GND PGND RC 47kΩ CC 1.2nF RBOT 10kΩ 1% 10211-038 CIN 10µF 25V 图38. 使用内部软启动的典型应用电路(VIN = 12 V，VOUT = 1.8 V，IOUT = 6 A，fSW = 600 kHz) VIN = 12V RTOP_EN 16.9kΩ RBOT_EN 2kΩ PVIN BST EN CBST 0.1µF PGOOD SW SYNC RT 100kΩ CVREG 1µF RTOP 22kΩ 1% ADP2386 COMP SS VOUT = 5V COUT 100µF 6.3V FB RT VREG CSS 22nF L1 3.3µH GND PGND CCP 2.2pF RC 44.2kΩ CC 1.2nF RBOT 3kΩ 1% 10211-039 CIN 10µF 25V 图39.将输入电压的UVLO上升阈值编程为11V时，下降阈值编程为10 V时(VIN = 12 V，VOUT = 5 V，IOUT = 6 A，fSW = 600 kHz) Rev. 0 | Page 22 of 24 ADP2386 外形尺寸 PIN 1 INDICATOR 2.80 2.70 2.60 0.50 BSC 24 19 18 EXPOSED PAD 0.80 0.75 0.70 SEATING PLANE 0.50 0.40 0.30 6 7 12 BOTTOM VIEW 0.05 MAX 0.02 NOM COPLANARITY 0.08 0.203 REF 0.25 0.20 0.15 1 EXPOSED PAD 13 TOP VIEW PIN 1 INDICATOR 1.50 1.40 1.30 0.45 0.35 0.25 1.05 0.95 0.85 FOR PROPER CONNECTION OF THE EXPOSED PAD, REFER TO THE PIN CONFIGURATION AND FUNCTION DESCRIPTIONS SECTION OF THIS DATA SHEET. COMPLIANT TO JEDEC STANDARDS MO-220-WGGD . 06-24-2010-A 4.10 4.00 SQ 3.90 图40. 24引脚引脚架构芯片级封装[LFCSP_WQ] 4 mm x 4 mm，超薄体 (CP-24-12) 尺寸单位：mm 订购指南 型号1 ADP2386ACPZN-R7 ADP2386-EVALZ 1 温度范围 −40°C至+125°C 封装描述 24引脚 LFCSP_WQ，7"卷带和卷盘 评估板 Z = 符合RoHS标准的器件。 Rev. 0 | Page 23 of 24 封装选项 CP-24-12 ADP2386 注释 ©2012 Analog Devices, Inc. All rights reserved. Trademarks and registered trademarks are the property of their respective owners. D10211sc-0-11/12(0) Rev. 0 | Page 24 of 24